晶圓制造總的四大工藝流程

晶圓制造總的四大工藝流程晶圓制造工藝流程晶圓制造工藝流程1、表面清洗2、初次氧化3、 CVD(ChemicalVapordeposition)法沉積一層Si3N4(HotCVD或LPCVD)。(1)常壓CVD(NormalPressureCVD)(2)低壓CVD(LowPressureCVD)(3)熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)(4)電漿增強(qiáng)CVD(PlasmaEnhancedCVD)(5)MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成長(MolecularBeamEpitaxy)(6)外延生長法(LPE)4、 涂敷光刻膠(1)光刻膠的涂敷(2)預(yù)烘(prebake)(3)曝光(4)顯影(5)后烘(postbake)(6)腐蝕(etching)(7)光刻膠的去除5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除6、 離子布植將硼離子(B3)透過SiO2膜注入襯底，形成P型阱7、 去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)行退火處理8、 用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷(P5)離子，形成N型阱9、 退火處理，然后用HF去除SiO2層10、 干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅11、 利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層12、 濕法氧化，生長未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜，作為柵極氧化層。14、 LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成SiO2保護(hù)層。15、 表面涂敷光阻，去除P阱區(qū)的光阻，注入砷(As)離子，形成NMOS的源漏極。用同樣的方法，在N阱區(qū)，注入B離子形成PMOS的源漏極。16、 利用PECVD沉積一層無摻雜氧化層，保護(hù)元件，并進(jìn)行退火處理。17、 沉積摻雜硼磷的氧化層18、濺鍍第一層金屬(1)薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。(2)真空蒸發(fā)法(EvaporationDeposition) (3)濺鍍(SputteringDeposition)19、 光刻技術(shù)定出VIA孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用PECVD法氧化層和氮化硅保護(hù)層。20、 光刻和離子刻蝕，定出PAD位置21、 最后進(jìn)行退火處理，以保證整個Chip的完整和連線的連接性晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序(WaferFabrication)、晶圓針測工序(WaferProbe)、構(gòu)裝工序(Packaging)、測試工序(InitialTestandFinalTest)等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序?yàn)榍岸?FrontEnd)工序，而構(gòu)裝工序、測試工序?yàn)楹蠖?BackEnd)工序。1、 晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件(如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等)，其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。2、 晶圓針測工序：經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨(dú)的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。3、 構(gòu)裝工序：就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到機(jī)械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。4、 測試工序：芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，