低阻高透柔性導(dǎo)電膜制作技術(shù)

低阻高透柔性導(dǎo)電膜制作技術(shù)：柔性卷繞鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示，柔性卷繞鍍膜制作流程如圖2所示。圖1柔性卷繞鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖圖2柔性卷繞鍍膜制作流程柔性卷繞鍍膜制作流程：①將成卷的PET基材通過撕膜設(shè)備把原保護膜撕去后卷成卷；②將待鍍PET基材放置到放卷室的放卷輥上，并把PET基材按走膜路徑穿膜，經(jīng)傳動輥最終纏到收卷輥上，關(guān)閉所有腔體門抽真空；③待腔體真空度達到3.0×10-5Pa時，充入工藝氣體至工藝真空，PET基材經(jīng)過等離子設(shè)備預(yù)處理后，工藝室的陰極依次鍍制所需膜系；④PET基材鍍制完成后，關(guān)閉收、放卷室與工藝室之間的閥門；對收、放卷室進氣處理后打開收卷室的腔體門，取出收卷室的成品PET基材。低阻高透柔性導(dǎo)電膜制膜層設(shè)計：根據(jù)需濺鍍物質(zhì)的光電性質(zhì)，使用公司自有模擬軟件設(shè)計、匹配膜層厚度；預(yù)達到所需低阻高透成品，需依次濺鍍SiO2層膜厚約60nm、ITO1層膜厚約25nm、Ag層膜厚10nm、ITO2層膜厚約50nm，結(jié)構(gòu)如圖3所示。圖3低阻高透柔性高透膜層結(jié)構(gòu)根據(jù)模擬數(shù)據(jù)調(diào)試所得樣品參數(shù)，需按控制變量法分步驟進行以下實驗。（1）保持SiO2層膜厚不變，調(diào)整ITO-Ag-ITO膜層厚度，根據(jù)模擬數(shù)據(jù)取樣測試結(jié)果：平均阻值16.3Ω/口，可知導(dǎo)電膜層整體偏薄，需增加導(dǎo)電層厚度以降低方阻，導(dǎo)電層膜層厚度調(diào)整參數(shù)見表1。表1導(dǎo)電層膜層厚度調(diào)整參數(shù)所選樣品取9個點測試方阻以及透過率、霧度，樣品調(diào)試后取344mm×406mm片材，按標記九點位置進行測試，結(jié)果見圖4、圖5。圖4導(dǎo)電層膜厚參數(shù)調(diào)整后樣品方阻測試結(jié)果

圖5導(dǎo)電層膜厚參數(shù)調(diào)整后樣品透過率測試結(jié)果根據(jù)以上測試數(shù)據(jù)可知，SiO2膜層厚度不變，只改變導(dǎo)電層膜厚：①只增加Ag層膜層厚度時，樣品方阻幾乎沒有改變，并且透過率偏低；②同等膜厚增加到ITO1與ITO2時，可見ITO2層厚度增加時，方阻以及透過率的影響較大；③可根據(jù)需求減低ITO1和Ag層膜厚，并增加ITO2層膜厚，以達到低阻高透的效果。（2）保持導(dǎo)電層（ITO-Ag-ITO）層膜厚不變，調(diào)整膜層SiO2厚度，折射層膜層厚度調(diào)整參數(shù)見表2。表2折射層膜層厚度調(diào)整參數(shù)保持導(dǎo)電層各膜層厚度不變，調(diào)整SiO2膜層厚度，測試樣品透過率變化情況，見圖6。圖6折射膜厚參數(shù)調(diào)整后樣品透過率測試結(jié)果根據(jù)以上測試數(shù)據(jù)可見，當導(dǎo)電層厚度不變，只改變SiO2層膜厚，SiO2層膜厚增加時，樣品透過率降低；當SiO2層膜厚降低時，樣品透過率增加。通過進行一系列實驗得出：通過調(diào)整各膜層厚度可得所需低阻高透柔性導(dǎo)電膜。通過工藝優(yōu)化及膜層厚度匹配，目前已調(diào)試并小批量產(chǎn)低阻高透產(chǎn)品，產(chǎn)品指標可達：方阻（平均）：14.5Ω/口，透過率：≥87.3%。該指標