GB/T 43894.1-2024半導體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價第1部分：高度徑向二階導數(shù)法(ZDD)

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T438941—2024

.

半導體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價

第1部分高度徑向二階導數(shù)法ZDD

:()

Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—

Part1MeasuredheihtdataarrausinacurvaturemetricZDD

:gyg()

2024-04-25發(fā)布2024-11-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T438941—2024

.

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價的第部分已經(jīng)發(fā)布了

GB/T43894《》1。GB/T43894

以下部分

:

第部分高度徑向二階導數(shù)

———1:(ZDD)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位山東有研半導體材料有限公司浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司金瑞泓

:、、

微電子嘉興有限公司中環(huán)領先半導體材料有限公司廣東天域半導體股份有限公司鴻星科技集

()、、、(

團股份有限公司

)。

本文件主要起草人王玥朱曉彤孫燕寧永鐸徐新華徐國科李春陽張海英陳海婷丁雄杰

:、、、、、、、、、、

郭正江

。

Ⅰ

GB/T438941—2024

.

引言

隨著硅片直徑的增加和線寬的不斷降低對硅片幾何參數(shù)的要求也在不斷提高硅片的近邊緣區(qū)

,。

域是影響硅片幾何參數(shù)的重要因素目前大直徑硅片近邊緣區(qū)域的厚度平整度等形態(tài)的控制難度較

,、

大因此有效地評價和管控大直徑硅片的近邊緣幾何形態(tài)對于提高硅片整體質(zhì)量和集成電路芯片的成

,,

品率促進技術代的升級有著重要的意義該系列標準目前主要用于硅片其區(qū)域的劃分和計算可推廣

,。,

至其他半導體材料晶片擬由四個部分構成

。GB/T43894。

第部分高度徑向二階導數(shù)法目的在于使用徑向二階導數(shù)方法評價半導體晶片近

———1:(ZDD)。

邊緣幾何形態(tài)

。

第部分邊緣卷曲法目的在于使用利用邊緣卷曲度評價半導體晶片近邊緣幾何

———2:(ROA)。

形態(tài)

。

第部分扇形區(qū)域局部平整度法目的在于獲得近邊緣扇形區(qū)域平整度進而評價近邊緣幾

———3:。

何形態(tài)

。

第部分不完整區(qū)域的局部平整度法目的在于獲得近邊緣不完整區(qū)域的局部平整度進而

———4:。

評價近邊緣幾何形態(tài)

。

該系列標準從不同的測試區(qū)域用不同的計算方法得到了對晶片近邊緣區(qū)域幾何參數(shù)的量化評

,

價有效地評價和管控了晶片的近邊緣區(qū)域幾何形態(tài)本文件在制定過程中融入了多年來測試校準經(jīng)

,。、

驗本文件的制定對發(fā)展我國大直徑高質(zhì)量半導體硅片徹底擺脫在半導體材料和器件方面的落后狀

,、,

態(tài)有著非常重要的意義

,。

Ⅱ

GB/T438941—2024

.

半導體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價

第1部分高度徑向二階導數(shù)法ZDD

:()

1范圍

本文件描述了一系列高度徑向二階導數(shù)法評價半導體晶片的近邊緣幾何形態(tài)的方法

(ZDD)。

本文件適用于硅拋光片硅外延片片及其他帶有表面層的圓形晶片也用于其他半導體材料

、、SOI,

圓形晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價

。

注目前該方法主要用于直徑的硅片

:300mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術語

GB/T14264

確定晶片坐標系規(guī)范

GB/T16596

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

硅片字母數(shù)字標志規(guī)范

GB/T34479

3術語和定義

界定的及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

近邊緣曲率near-edgecurvature

使用晶片高度的陣列數(shù)據(jù)獲得垂直于硅片中位面一系列Z坐標的徑向二階導數(shù)所描述的參數(shù)

。

4方法原理

將晶片按照不同的半徑和圓心角劃分為若干扇形區(qū)域選取每個扇形區(qū)域中高度數(shù)據(jù)陣列逐一計

,,

算沿半徑方向的二階導數(shù)得到沿半徑的近邊緣曲率從而定量評價半導體晶片的近邊緣幾何形態(tài)

,,。

注數(shù)據(jù)陣列來源于單一表面正表面或背表面的高度或晶片厚度

:()。

5干擾因素

51測試設備的定位精度會影響測試位置從而影響采樣點的位置可能導致測試結果錯誤

.,