高二物理競賽課件量子阱中_第1頁
高二物理競賽課件量子阱中_第2頁
高二物理競賽課件量子阱中_第3頁
高二物理競賽課件量子阱中_第4頁
高二物理競賽課件量子阱中_第5頁
已閱讀5頁，還剩8頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

量子阱中量子阱中尤為顯著（庫侖屏蔽效應(yīng)弱）.

低溫下

中產(chǎn)生蘭移。

量子阱中EHP●強(qiáng)激發(fā)下產(chǎn)生增益（存在FP模）。●相空間填充隨著電子-空穴對密度增加，自由電子和空穴填充導(dǎo)帶和價(jià)帶,而導(dǎo)帶會降到激子能級之下,于是低能激子就無法產(chǎn)生.這是激子在高激發(fā)情況下消失的第二種原4.吸收EHP產(chǎn)生增益。吸收聲子●化學(xué)勢和能隙的移動基本時(shí)間常數(shù)(弱耦合情況)時(shí)間內(nèi)，可認(rèn)為部分極化波與入射脈沖仍然是相干的。③散射過程●激子受到雜質(zhì)、缺陷、量子阱粗糙界面以及混晶中離子分布的起伏等因素散射.主要影響自由激子和擴(kuò)展態(tài)激子，對局域激子的影響減弱.●激子同聲子的散射(夫勒利希耦合，形變勢以及壓電耦合).該過程隨著晶格溫度的增加而增強(qiáng).●激子-激子，激子-電子彈性和非彈性散射.主要影響自由激子和擴(kuò)展態(tài)激子，對局域激子的影響減弱.隨著泵浦強(qiáng)度增強(qiáng)而明顯增強(qiáng).●電子與空穴復(fù)合.2.電子與空穴復(fù)合①

為處于激發(fā)態(tài)粒子的壽命.直隙材料為ns;間隙材料為

甚至ms.②激子數(shù)密度為其中

等號對應(yīng)相馳豫過程僅存在復(fù)合過程，>號對應(yīng)相馳豫過程中還存在上述多種散射過程.為純相馳豫時(shí)間（不包括復(fù)合過程）.③激子輻射復(fù)合：發(fā)光效率

定義為發(fā)射光子數(shù)與激發(fā)電子-空穴對數(shù)比值.高質(zhì)量量子阱

優(yōu)質(zhì)直隙體材料

間隙材料

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論