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量子阱中量子阱中尤為顯著（庫(kù)侖屏蔽效應(yīng)弱）.

低溫下

中產(chǎn)生蘭移。

量子阱中EHP●強(qiáng)激發(fā)下產(chǎn)生增益（存在FP模）?！裣嗫臻g填充隨著電子-空穴對(duì)密度增加，自由電子和空穴填充導(dǎo)帶和價(jià)帶,而導(dǎo)帶會(huì)降到激子能級(jí)之下,于是低能激子就無(wú)法產(chǎn)生.這是激子在高激發(fā)情況下消失的第二種原4.吸收EHP產(chǎn)生增益。吸收聲子●化學(xué)勢(shì)和能隙的移動(dòng)基本時(shí)間常數(shù)(弱耦合情況)時(shí)間內(nèi)，可認(rèn)為部分極化波與入射脈沖仍然是相干的。③散射過(guò)程●激子受到雜質(zhì)、缺陷、量子阱粗糙界面以及混晶中離子分布的起伏等因素散射.主要影響自由激子和擴(kuò)展態(tài)激子，對(duì)局域激子的影響減弱.●激子同聲子的散射(夫勒利希耦合，形變勢(shì)以及壓電耦合).該過(guò)程隨著晶格溫度的增加而增強(qiáng).●激子-激子，激子-電子彈性和非彈性散射.主要影響自由激子和擴(kuò)展態(tài)激子，對(duì)局域激子的影響減弱.隨著泵浦強(qiáng)度增強(qiáng)而明顯增強(qiáng).●電子與空穴復(fù)合.2.電子與空穴復(fù)合①

為處于激發(fā)態(tài)粒子的壽命.直隙材料為ns;間隙材料為

甚至ms.②激子數(shù)密度為其中

等號(hào)對(duì)應(yīng)相馳豫過(guò)程僅存在復(fù)合過(guò)程，>號(hào)對(duì)應(yīng)相馳豫過(guò)程中還存在上述多種散射過(guò)程.為純相馳豫時(shí)間（不包括復(fù)合過(guò)程）.③激子輻射復(fù)合：發(fā)光效率

定義為發(fā)射光子數(shù)與激發(fā)電子-空穴對(duì)數(shù)比值.高質(zhì)量量子阱

優(yōu)質(zhì)直隙體材料

間隙材料

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