柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范_第1頁
柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范_第2頁
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文檔簡介

ICS29.200

CCSK46

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/TXXXXX—XXXX

`

柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范

TechnicalspecificationforinsulatedgatebipolartransistordriverofHigh-voltage

directcurrentpowertransmissionusingvoltagesourcedconverters

(點(diǎn)擊此處添加與國際標(biāo)準(zhǔn)一致性程度的標(biāo)識(shí))

(征求意見稿)

(本草案完成時(shí)間:2022-7-6)

在提交反饋意見時(shí),請(qǐng)將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

GB/TXXXXX—XXXX

柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動(dòng)器的使用條件、總體要求、主要參數(shù)、技術(shù)要

求、試驗(yàn)、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于±800kV及以下采用模塊化多電平換流器的柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本

文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T4798.2電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件第2部分:運(yùn)輸

GB/T13384機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

GB/T14598.27度量繼電器和保護(hù)裝置第27部分:產(chǎn)品安全要求

GB/T16935.1低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分:原理、要求和試驗(yàn)

GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.6—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.8—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.9—2011電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.10—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.12—2013電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T2423.1—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫

GB/T2423.2—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

GB/T2423.4—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db:交變濕熱

GB/T2423.7—2018電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec:粗率操作造成的沖擊

GB/T2423.10—2019電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(dòng)(正弦)

GB/T2423.16—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J及導(dǎo)則:長霉

GB/T2423.17—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka:鹽霧

GB/T2423.22—2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化

GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

GB/T33348—2016高壓直流輸電用電壓源換流器閥電氣試驗(yàn)

GB/T34118—2017高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器術(shù)語

1

GB/TXXXXX—XXXX

驅(qū)動(dòng)器柵極控制IGBT開通關(guān)斷過程中,輸出的柵極電流尖峰值。

3.8

子模塊最大工作電壓maximumoperatingvoltageofsubmodule

換流閥正常運(yùn)行過程中,子模塊發(fā)生過電壓保護(hù)動(dòng)作前,子模塊電容器所承受的最大電壓。

4使用條件

4.1正常使用條件

IGBT驅(qū)動(dòng)器正常使用條件應(yīng)滿足換流閥閥廳環(huán)境要求,具體使用條件如下:

——使用海拔不高于2000m,超出時(shí)應(yīng)根據(jù)GB/T311.1進(jìn)行修正;

——正常運(yùn)行溫度范圍為10℃~65℃;

——正常運(yùn)行相對(duì)濕度范圍為≤60%;

——?dú)鈮罕3治⒄龎?,約為5Pa~10Pa;

——防腐蝕(海上平臺(tái)):滿足ISO12944-2:2007規(guī)定的C4級(jí);

——霉菌(海上平臺(tái)):滿足GB/T2423.16—2008規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)1,長霉程度等級(jí)不大于2a

級(jí)。

4.2特殊使用條件

在不符合4.1的規(guī)定時(shí),由制造商和用戶協(xié)商確定。

5總體要求

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)滿足柔性直流換流閥工程應(yīng)用的要求,能夠協(xié)調(diào)優(yōu)化IGBT的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性,實(shí)現(xiàn)對(duì)

IGBT的安全保護(hù),確保在換流閥各種運(yùn)行工況下都應(yīng)正確工作。

IGBT驅(qū)動(dòng)器選用元器件應(yīng)滿足功率裕度要求,降額使用宜按照GJB/Z35-93的規(guī)定執(zhí)行,以達(dá)到延

緩元器件參數(shù)退化,提高使用可靠性的目的。

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)能承受換流閥各種工況下的電氣應(yīng)力,且對(duì)IGBT的控制、保護(hù)功能可靠正確。

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)能夠耐受換流閥運(yùn)行環(huán)境中各類型的電磁騷擾,控制、保護(hù)和通信等功能不受影響,

不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。

IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)到故障或自身發(fā)生故障情況下,應(yīng)能可靠閉鎖IGBT,正確報(bào)告故障信息,不影響

換流閥整體正常運(yùn)行。

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)保持足夠的機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)度,安裝過程中不應(yīng)發(fā)生機(jī)械性損壞,若IGBT驅(qū)動(dòng)器放置于

機(jī)箱或者金屬殼中,應(yīng)保證具備良好的散熱條件。

6主要參數(shù)

6.1.1供電電源電壓

IGBT驅(qū)動(dòng)器的供電電源電壓宜從下列值中選?。?/p>

15V、24V。

6.1.2額定電壓值

3

GB/TXXXXX—XXXX

——關(guān)斷過程中,驅(qū)動(dòng)器柵極應(yīng)為負(fù)電壓,關(guān)鍵關(guān)斷特性參數(shù)(關(guān)斷延時(shí)、關(guān)斷時(shí)間、關(guān)斷過電

壓和關(guān)斷損耗等)應(yīng)滿足柔性直流輸電換流閥IGBT關(guān)斷性能的整體控制要求,保證IGBT關(guān)

斷可靠;

——應(yīng)設(shè)置合理的柵極開通/關(guān)斷電阻,限制IGBT開通過程中的di/dt和關(guān)斷過程的dv/dt超過器件

手冊(cè)要求。

7.1.2電源隔離

IGBT驅(qū)動(dòng)器電源輸入端與輸出端之間應(yīng)設(shè)置電氣隔離單元,推薦采用變壓器隔離。

7.1.3信號(hào)隔離

IGBT驅(qū)動(dòng)器信號(hào)輸入和輸出之間應(yīng)設(shè)置電氣隔離單元。推薦采用光隔離、磁隔離或電容隔離方式。

7.1.4輸入信號(hào)濾波(如有)

為防止高頻干擾信號(hào)引起的IGBT驅(qū)動(dòng)器頻繁發(fā)生故障,驅(qū)動(dòng)器應(yīng)能夠?yàn)V除高頻干擾信號(hào)。高頻干

擾信號(hào)脈沖頻率不小于1MHz。

7.1.5故障軟關(guān)斷

當(dāng)IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)到過流故障、短路故障或存在特定軟關(guān)斷需求時(shí),應(yīng)通過軟關(guān)斷的方式降低關(guān)

斷過電壓、關(guān)斷電壓變化率和電流變化率等,確保關(guān)斷時(shí)刻IGBT器件不會(huì)損壞。

7.1.6故障保持和清除

當(dāng)IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)到故障時(shí),驅(qū)動(dòng)器向上一級(jí)控制器上傳故障信息,并在收到狀態(tài)報(bào)告前保存該

故障狀態(tài),直到上一級(jí)控制器下發(fā)故障清除命令或驅(qū)動(dòng)器掉電。

7.1.7過流保護(hù)(如有)

IGBT觸發(fā)開通后,驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)IGBT器件集射極電壓,當(dāng)監(jiān)測(cè)電壓值超過過流保護(hù)閾值電壓時(shí),應(yīng)

可靠封鎖IGBT柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),關(guān)斷IGBT,報(bào)告故障信息。

依據(jù)IGBT手冊(cè)過電流耐受及柔性直流工程實(shí)踐,IGBT驅(qū)動(dòng)器的過流保護(hù)值宜設(shè)定為IGBT最高允許

運(yùn)行溫度下,額定電流的2倍。

7.1.8退飽和短路保護(hù)

IGBT觸發(fā)開通后,驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)IGBT器件集射極電壓,當(dāng)監(jiān)測(cè)電壓超過短路保護(hù)閾值電壓時(shí),應(yīng)可

靠封鎖IGBT柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),關(guān)斷IGBT,報(bào)告故障信息。

IGBT退飽和短路識(shí)別、故障處理以及IGBT關(guān)斷應(yīng)在IGBT器件最大短路耐受時(shí)間內(nèi)完成。

7.1.9di/dt短路保護(hù)(如有)

IGBT開通過程中,電流上升率很大,驅(qū)動(dòng)器通過判定發(fā)射極回路上的雜散電感電壓,快速的實(shí)現(xiàn)

短路保護(hù),應(yīng)可靠封鎖IGBT柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),關(guān)斷IGBT,報(bào)告故障信息。

IGBT驅(qū)動(dòng)器的di/dt短路判定、故障處理以及IGBT關(guān)斷時(shí)間應(yīng)在IGBT器件最大短路耐受時(shí)間內(nèi)完成。

7.1.10欠壓保護(hù)

IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)供電電源隔離變壓器輸出電壓(柵極輸出電壓),當(dāng)被檢測(cè)電壓低于保護(hù)設(shè)定值

時(shí),驅(qū)動(dòng)器能夠及時(shí)閉鎖IGBT器件,并報(bào)告故障信息。

5

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IGBT驅(qū)動(dòng)器是換流閥的重要組成部件,長期處于換流閥工作所產(chǎn)生的電場(chǎng)和磁場(chǎng)范圍之內(nèi)(電磁

場(chǎng)強(qiáng)度分析見附錄C),但是IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)不受干擾,能夠可靠控制和保護(hù)IGBT安全運(yùn)行,其電磁兼容

能力應(yīng)達(dá)到柔性直流輸電換流閥設(shè)計(jì)要求的級(jí)別。

8試驗(yàn)

8.1型式試驗(yàn)

8.1.1型式試驗(yàn)項(xiàng)目

IGBT驅(qū)動(dòng)器的型式試驗(yàn)項(xiàng)目見表1。

表1IGBT驅(qū)動(dòng)器型式試驗(yàn)項(xiàng)目

序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目對(duì)應(yīng)條款

1功耗測(cè)量8.1.2.4

2柵極輸出電壓測(cè)試8.1.2.5

3開拓關(guān)斷測(cè)試8.1.2.6

4隔離耐壓測(cè)試8.1.2.7

5輸入信號(hào)濾波功能測(cè)試8.1.2.8

6故障軟關(guān)斷功能測(cè)試8.1.2.9

7故障保持和清除功能測(cè)試8.1.2.10

8過流保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.11

電氣功能試驗(yàn)

9退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.12

10di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.13

11欠壓保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.14

12過溫保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.15

13脈沖頻率超限保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.16

14有源鉗位保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.17

15接收通信異常保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.18

16光強(qiáng)度測(cè)試8.1.2.19

17高溫試驗(yàn)8.1.3.1

18低溫試驗(yàn)8.1.3.2

19溫度變化試驗(yàn)8.1.3.3

20交變濕熱試驗(yàn)8.1.3.4

21環(huán)境試驗(yàn)振動(dòng)試驗(yàn)8.1.3.5

22自由跌落試驗(yàn)8.1.3.6

23鹽霧試驗(yàn)8.1.3.7

24長霉試驗(yàn)8.1.3.8

25壽命老化試驗(yàn)8.1.3.9

26靜電放電抗擾度試驗(yàn)8.1.4.1

27射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)8.1.4.2

電磁兼容試驗(yàn)

28電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)8.1.4.3

29浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)8.1.4.4

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圖1IGBT開通關(guān)斷特性測(cè)試接線示意圖

具體試驗(yàn)方法如下:

a)隔離開關(guān)合閘,直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓;

b)隔離開關(guān)分閘,T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出雙脈沖信號(hào),實(shí)現(xiàn)T2的開通和關(guān)斷控制,示波器記錄

T2開通關(guān)斷和D1反向恢復(fù)的波形,并測(cè)量動(dòng)態(tài)參數(shù)。

c)試驗(yàn)結(jié)束后,合閘放電開關(guān),對(duì)母線電容器進(jìn)行放電。

試驗(yàn)中需要測(cè)量開通關(guān)斷過程中的特性參數(shù),所有特性參數(shù)應(yīng)適合所選用的IGBT器件型號(hào),并滿

足用戶需求和手冊(cè)規(guī)定,不應(yīng)發(fā)生電壓或電流過沖損壞器件。其中開通關(guān)斷過程中的特性參數(shù)見表2所

示。

表2開通關(guān)斷特性參數(shù)

項(xiàng)目特性參數(shù)

開通延時(shí)

上升時(shí)間

開通時(shí)間

開通特性

開通損耗

電流變化率

電流過沖峰值

關(guān)斷延時(shí)

下降時(shí)間

關(guān)斷時(shí)間

關(guān)斷特性

關(guān)斷損耗

關(guān)斷電壓變化率

關(guān)斷電壓過沖峰值

反向恢復(fù)電流

反向恢復(fù)電流變化率

二極管反向恢復(fù)特性

反向恢復(fù)損耗

反向恢復(fù)功率

9

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8.1.2.12退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)接線如圖1所示,但負(fù)載電抗應(yīng)更換為短接線,具體試驗(yàn)方法如下:

a)隔離開關(guān)合閘,直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓;

b)隔離開關(guān)分閘,T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出單脈沖信號(hào),控制T2開通和關(guān)斷,示波器記錄T2集

電極電壓、集電極電流及柵極電壓。

c)試驗(yàn)結(jié)束后,合閘放電開關(guān),對(duì)母線電容器進(jìn)行放電。

當(dāng)短路電流超過IGBT器件手冊(cè)規(guī)定的短路電流值,且持續(xù)時(shí)間達(dá)到規(guī)定的短路判定時(shí)間,驅(qū)動(dòng)器

應(yīng)安全關(guān)斷IGBT器件,IGBT無損壞,且退飽和短路故障報(bào)告信號(hào)正確。

故障報(bào)告信號(hào)由廠商和用戶協(xié)商確定,脈沖寬度偏差≤100ns。

8.1.2.13di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)接線如圖1所示,但負(fù)載電抗應(yīng)更換為短接線,具體試驗(yàn)方法如下:

a)隔離開關(guān)合閘,直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓;

b)隔離開關(guān)分閘,T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出單脈沖信號(hào),控制T2開通和關(guān)斷,示波器記錄T2集

電極電壓、集電極電流及柵極電壓。

c)試驗(yàn)結(jié)束后,合閘放電開關(guān),對(duì)母線電容器進(jìn)行放電。

當(dāng)開通過程中di/dt超過設(shè)定的電流變化率保護(hù)值,且持續(xù)時(shí)間達(dá)到規(guī)定的判定時(shí)間,驅(qū)動(dòng)器應(yīng)安全

關(guān)斷IGBT器件,IGBT無損壞,且di/dt短路故障報(bào)告信號(hào)正確。

故障報(bào)告信號(hào)由廠商和用戶協(xié)商確定,脈沖寬度偏差≤100ns。

8.1.2.14欠壓保護(hù)試驗(yàn)

驅(qū)動(dòng)器采用直流可調(diào)節(jié)電源供電,保持IGBT驅(qū)動(dòng)器處于持續(xù)開通狀態(tài),然后向下調(diào)節(jié)直流電源供

電電壓,并示波器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器隔離變壓器輸出電壓和柵極輸出電壓。

當(dāng)隔離變壓器輸出電壓低于設(shè)定的保護(hù)值時(shí)(推薦值見7.1.10),驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷IGBT,并正確報(bào)告故

障信息。故障報(bào)告信號(hào)由廠商和用戶協(xié)商確定,脈沖寬度偏差≤100ns。

8.1.2.15過溫保護(hù)試驗(yàn)

驅(qū)動(dòng)器在供電條件下,分別在開通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)下,短接驅(qū)動(dòng)器上IGBT溫度監(jiān)測(cè)端口,制造過

溫故障,驅(qū)動(dòng)器應(yīng)產(chǎn)生過溫告警信號(hào),并正確報(bào)告,如需關(guān)斷IGBT,應(yīng)可靠關(guān)斷。

8.1.2.16觸發(fā)頻率超限保護(hù)試驗(yàn)

驅(qū)動(dòng)器處于正常關(guān)斷狀態(tài),信號(hào)發(fā)生器給驅(qū)動(dòng)器提供雙脈沖進(jìn)行觸發(fā)動(dòng)作,逐漸調(diào)節(jié)兩個(gè)脈沖間隔

寬度,示波器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器柵極輸出電壓波形。

當(dāng)脈沖間隔寬度低于保護(hù)設(shè)定值時(shí)(推薦值見7.1.12),驅(qū)動(dòng)器僅響應(yīng)第一個(gè)觸發(fā)脈沖,柵極輸出

正確的開通波形;第二個(gè)觸發(fā)脈沖不響應(yīng),保持關(guān)斷狀態(tài)。

當(dāng)脈沖間隔寬度高于設(shè)定保護(hù)值時(shí),驅(qū)動(dòng)器能夠正確響應(yīng)兩個(gè)觸發(fā)脈沖。

8.1.2.17有源鉗位保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)接線如圖1所示,具體試驗(yàn)方法如下:

a)隔離開關(guān)合閘,直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓;

b)隔離開關(guān)分閘,T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出單脈沖信號(hào),控制T2開通和關(guān)斷,示波器記錄T2集

電極電壓、集電極電流及柵極電壓。

11

GB/TXXXXX—XXXX

c)工作環(huán)境溫度-5℃~+70℃,高低溫極限下各停留30min,加電,循環(huán)10次,高低溫極限溫

度是應(yīng)進(jìn)行通信、誤碼等基本功能測(cè)試。

8.1.3.4交變濕熱試驗(yàn)

按照GB/T2423.4—2008中7.3規(guī)定的試驗(yàn)程序執(zhí)行。試驗(yàn)條件如下:

a)溫度變化范圍25℃~60℃;

b)相對(duì)濕度95%±5%,試驗(yàn)最后階段允許濕度降低至90%;

c)高溫度維持12h,低溫度維持12h,每24h一個(gè)循環(huán),共進(jìn)行10個(gè)循環(huán);

d)試驗(yàn)結(jié)束后,常溫環(huán)境下恢復(fù)2h,電氣動(dòng)能測(cè)試應(yīng)正常。

8.1.3.5振動(dòng)試驗(yàn)

按照GB/T2423.10—2019中8.2規(guī)定的試驗(yàn)程序執(zhí)行。試驗(yàn)條件如下:

a)頻率范圍5Hz~150Hz,加速度2g;

b)X/Y/Z每個(gè)方向進(jìn)行2h;

c)試驗(yàn)結(jié)束后需要進(jìn)行電性能測(cè)試,要求驅(qū)動(dòng)器功能正常。

8.1.3.6自由跌落試驗(yàn)(適用時(shí))

按照GB/T2423.7—2018中5.2規(guī)定的自由跌落方法1執(zhí)行。試品預(yù)先在安裝盒之內(nèi),跌落高度1m,

規(guī)定的姿態(tài)下跌落2次。

要求驅(qū)動(dòng)器外觀應(yīng)無嚴(yán)重?fù)p傷,各項(xiàng)功能正常。

8.1.3.7鹽霧試驗(yàn)

鹽霧試驗(yàn)分為?;秃I掀脚_(tái)兩種情形:

a)?;ê_叄?/p>

按照GB/T2423.17—2008中第6章規(guī)定的試驗(yàn)條件執(zhí)行,并作如下補(bǔ)充:

——鹽霧濃度(5±1)%,溫度(35±2)℃,

——暴露環(huán)境中,霧化沉積溶液用80cm2器皿收集,平均每小時(shí)收集量1mL~2mL,收集

時(shí)間不低于16h,連續(xù)噴霧48h;

——常溫恢復(fù)1h后,進(jìn)行帶電測(cè)試,要求驅(qū)動(dòng)器功能正常。

b)海上平臺(tái)

按照GB/T2423.17-2008中第7章規(guī)定的方法進(jìn)行,并作如下補(bǔ)充:

試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)滿足ISO12944-2:2007規(guī)定的C4級(jí)。

超出本文件規(guī)定時(shí),可由制造廠和用戶協(xié)商確定。

8.1.3.8長霉試驗(yàn)

按照GB/T2423.16-2008第5章規(guī)定的試驗(yàn)方法1進(jìn)行,并做如下補(bǔ)充:

——試驗(yàn)溫度:(29±1)°C;

——相對(duì)濕度:90%~100%;

——保持時(shí)間:28天。

8.1.3.9壽命老化試驗(yàn)

70℃環(huán)境溫度下,驅(qū)動(dòng)器在額定工作電壓、額定負(fù)載工況,進(jìn)行IGBT開通和關(guān)斷動(dòng)作,開關(guān)頻率

為1kHz,試驗(yàn)時(shí)間持續(xù)進(jìn)行1000h。

13

GB/TXXXXX—XXXX

8.1.4.10阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

按照GB/T17626.18—2016第8章規(guī)定的方法進(jìn)行,并做如下補(bǔ)充:

——阻尼振蕩波試驗(yàn)等級(jí)強(qiáng)度不低于3級(jí)。

8.1.4.11抗電磁騷擾試驗(yàn)

按照GB/T33348—2016第12章規(guī)定的方法進(jìn)行,試驗(yàn)要求驅(qū)動(dòng)器應(yīng)運(yùn)行正常,能夠正確做出控制及

保護(hù)動(dòng)作,但不應(yīng)出現(xiàn)故障誤報(bào)和控制失效等異常問題。

8.2例行試驗(yàn)

8.2.1試驗(yàn)?zāi)康?/p>

例行試驗(yàn)的目的是為了通過驗(yàn)證下述幾種情況,來證明IGBT驅(qū)動(dòng)器批量制造的正確性.

——IGBT驅(qū)動(dòng)器所有元器件焊接或安裝正確;

——IGBT驅(qū)動(dòng)器的所有預(yù)期功能和參數(shù)在規(guī)定的設(shè)計(jì)范圍之內(nèi);

——實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)制造的一致性。

8.2.2試驗(yàn)對(duì)象

IGBT驅(qū)動(dòng)器

8.2.3例行試驗(yàn)項(xiàng)目

IGBT驅(qū)動(dòng)器的例行試驗(yàn)項(xiàng)目見表3。

表3IGBT驅(qū)動(dòng)器例行試驗(yàn)項(xiàng)目

序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目對(duì)應(yīng)條款

1外觀檢查8.2.4

2功耗測(cè)量8.2.5

3柵極輸出電壓測(cè)試8.2.6

4開通關(guān)斷測(cè)試8.2.7

5故障軟關(guān)斷功能測(cè)試8.2.8

6故障保持和清除功能試驗(yàn)8.2.9

7過流保護(hù)試驗(yàn)8.2.10

8退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)8.2.11

9di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)8.2.12

10欠壓保護(hù)試驗(yàn)8.2.13

11過溫保護(hù)試驗(yàn)8.2.14

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GB/TXXXXX—XXXX

8.2.11退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)

IGBT驅(qū)動(dòng)器在無負(fù)載持續(xù)開通狀態(tài)下,在驅(qū)動(dòng)器集電極與發(fā)射極端并聯(lián)可調(diào)節(jié)直流電壓源,示波

器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器柵極電壓與故障報(bào)告信號(hào)。

調(diào)節(jié)直流電壓源,使得輸出電壓從零逐漸增大,當(dāng)電壓大于退飽和短路保護(hù)值對(duì)應(yīng)的集射極電壓時(shí),

IGBT驅(qū)動(dòng)器柵極輸出關(guān)斷狀態(tài)的負(fù)電平,并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的短路故障信號(hào)。

8.2.12di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)

IGBT驅(qū)動(dòng)器在無負(fù)載持續(xù)開通狀態(tài)下,在IGBT驅(qū)動(dòng)器di/dt短路檢測(cè)端口并聯(lián)可調(diào)節(jié)直流電壓源,

示波器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器柵極電壓與故障報(bào)告信號(hào)。

調(diào)節(jié)直流電壓源,使得輸出電壓從零逐漸增大,當(dāng)電壓大于di/dt短路保護(hù)值對(duì)應(yīng)電壓時(shí),IGBT驅(qū)

動(dòng)器柵極輸出關(guān)斷狀態(tài)的負(fù)電平,并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的短路故障信號(hào)

8.2.13欠壓保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.13的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.14過溫保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.14的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.15觸發(fā)頻率超限保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.15的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.16有源鉗位保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)應(yīng)在IGBT驅(qū)動(dòng)器具備本功能的集電極端子與發(fā)射極端子間,采用絕緣耐壓儀器施加直流電壓,

緩慢調(diào)節(jié)儀器輸出電壓,直至達(dá)到有源鉗位保護(hù)動(dòng)作值,漏電流大于1mA,絕緣耐壓儀告警。

8.2.17接收通信異常保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.17的規(guī)定進(jìn)行

8.2.18光強(qiáng)度測(cè)試(適用時(shí))

按8.1.2.18的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.19高溫試驗(yàn)

按照GB/T2423.2—2008中5.3規(guī)定的試驗(yàn)執(zhí)行。試驗(yàn)分為高溫不帶電過程和高溫帶電過程兩個(gè)程

序,帶電過程中要求控制器板卡帶電運(yùn)行正常、無任何故障及異常情況的判定為合格:

a)高溫不帶電過程:溫度為65℃,持續(xù)16h;

b)高溫帶電過程:溫度65℃,持續(xù)帶電2h。

8.2.20溫度變化試驗(yàn)

按照GB/T2423.22—2012中第8章規(guī)定的試驗(yàn)進(jìn)行,試驗(yàn)結(jié)束后測(cè)試驅(qū)動(dòng)器功能應(yīng)正常。試驗(yàn)條件

如下:

a)溫度變化速率5℃/min;

b)貯存環(huán)境溫度-40℃~+65℃,高低溫極限下各停留30mim,不加電,循環(huán)12次;

17

GB/TXXXXX—XXXX

A

A

附錄A

(資料性)

柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器簡介

IGBT驅(qū)動(dòng)器是對(duì)IGBT進(jìn)行整體調(diào)控和保護(hù)的裝置,不僅直接影響IGBT的動(dòng)態(tài)性能,同時(shí)也影響系

統(tǒng)的成本和可靠性。IGBT驅(qū)動(dòng)器將控制器輸出的控制信號(hào),轉(zhuǎn)換為作用在IGBT柵極-發(fā)射極之間的電壓

信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)IGBT開通或者關(guān)斷動(dòng)態(tài)控制,當(dāng)發(fā)生過流、過壓或短路等故障情況下,也可通過自身的保

護(hù)功能對(duì)IGBT進(jìn)行可靠有效的保護(hù),從而保證整個(gè)系統(tǒng)工作的高效性、可靠性和安全性。驅(qū)動(dòng)器的具

體功能、關(guān)鍵設(shè)計(jì)要素及應(yīng)用案例可參見書籍《IGBTModulesTechnologies,DriverandApplication》。

柔性直流輸電作為新一代的直流輸電技術(shù),主要以電壓源換流器、可控關(guān)斷器件和脈寬調(diào)制技術(shù)為

基礎(chǔ),實(shí)現(xiàn)交流-直流-交流變換輸電功能。整體結(jié)構(gòu)上,目前國外內(nèi)柔性直流輸電多采用模塊化多電平

換流器(MMC)結(jié)構(gòu),橋臂由幾百個(gè)子模塊串聯(lián)組成,且每個(gè)子模塊單元可進(jìn)行獨(dú)立控制,結(jié)構(gòu)一般采

用全橋或半橋結(jié)構(gòu),見圖A.1所示。IGBT控制方面,閥基控制器通過系統(tǒng)整體控制要求,向子模塊功率

單元控制器下發(fā)控制命令,IGBT驅(qū)動(dòng)器將控制命令轉(zhuǎn)化為IGBT可響應(yīng)的柵極控制電壓,以實(shí)現(xiàn)閥基控

制器的整體調(diào)控,并對(duì)IGBT進(jìn)行監(jiān)測(cè)與保護(hù),確保系統(tǒng)運(yùn)行的正確性。子模塊內(nèi)部IGBT驅(qū)動(dòng)器位置及

控制接線關(guān)系如圖A.2所示,圖中所示內(nèi)容如下:

①示出閥基控制器與子模塊控制器采用光通信方式,且獨(dú)立控制;

②示出子模塊控制器與IGBT驅(qū)動(dòng)器采用光通信方式,且獨(dú)立控制;

③示出IGBT驅(qū)動(dòng)器連接集電極,用于檢測(cè)集射極電壓,實(shí)現(xiàn)過流、退飽和短路和有源鉗位保護(hù)功

能;

④示出IGBT驅(qū)動(dòng)器連接?xùn)艠O,用于提供IGBT開關(guān)控制電壓,實(shí)現(xiàn)IGBT的開關(guān)控制動(dòng)作;

⑤示出IGBT驅(qū)動(dòng)器連接發(fā)射極,用于檢測(cè)發(fā)射極雜散電感電壓,實(shí)現(xiàn)di/dt短路保護(hù)功能。

圖A.1MMC柔性直流換流閥結(jié)構(gòu)

19

GB/TXXXXX—XXXX

附錄B

(資料性)

柔性直流用典型IGBT驅(qū)動(dòng)器主要參數(shù)

依據(jù)國內(nèi)廈門柔性直流工程、渝鄂背靠背柔性直流工程、張北直流電網(wǎng)工程和白鶴灘混合直流工程

使用數(shù)量最多的5SNA1500E33035(ABB)、TIM1500ESM33-PSA(CRRC)、5SNA3000K452300(ABB)和

TG3000SW45ZC-P200(CRRC)型號(hào)IGBT器件為例,給出的3300V/1500A和4500V/3000A器件的典型

IGBT驅(qū)動(dòng)器主要參數(shù),分別見表B.1和B.2所示。

表B.1IGBT驅(qū)動(dòng)器參數(shù)值(3300V/1500A器件)

名稱5SNA1500E33035TIM1500ESM33-PSA單位規(guī)定條件

號(hào)

1驅(qū)動(dòng)器供電電壓范圍13~1713~17V/

2驅(qū)動(dòng)器開通額定電壓14.8~15.414.8~15.4V/

3驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷額定電壓-15.4~-14.8-15.4~-14.8V/

4≤2≤2W無負(fù)載,無開關(guān)動(dòng)作

驅(qū)動(dòng)器單通道功耗

5≤2.5≤2.5W1kHz開關(guān)頻率,帶負(fù)載IGBT

6驅(qū)動(dòng)器觸發(fā)頻率范圍0~20~2kHz/

7驅(qū)動(dòng)器隔離耐受電壓1010kV交流電壓;耐受時(shí)間1min

8集射極耐受電壓值33003300V不低于IGBT集射極電壓

9輸出光強(qiáng)度范圍-14~-8-14~-8dBm/

10柵極開通電阻2.22.55Ω

11柵極關(guān)斷電阻4.74.1Ω母線電壓1800V;集電極電

流1500A

12開通延遲時(shí)間7001100ns

13關(guān)斷延遲時(shí)間28005400ns

14欠壓保護(hù)值10~1210~12V室溫下

15有源鉗位保護(hù)值2800±1002800±100V/

16退飽和過流保護(hù)值3000~35003000~3500A結(jié)溫100℃

17di/dt過流保護(hù)值800~1000800~1000A/μs結(jié)溫100℃

18脈沖間隔過窄保護(hù)5050μs/

19窄脈沖保護(hù)11μs/

20狀態(tài)報(bào)告光信號(hào)編碼脈沖光信號(hào)編碼脈沖//

21

GB/TXXXXX—XXXX

附錄C

(資料性)

柔性直流用IGBT驅(qū)動(dòng)器電磁兼容試驗(yàn)等級(jí)分析

C.1靜電放電騷擾

在換流器系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí),柔性直流換流器受到靜電放電騷擾的概率極低。在對(duì)柔性直流換流器子

模塊進(jìn)行調(diào)試檢修時(shí),操作者可能會(huì)對(duì)監(jiān)控電路形成靜電放電。這一放電特性與GB/T17626.2-2018規(guī)

定相同,即放電電流上升時(shí)間0.7ns~1ns,持續(xù)時(shí)間100ns左右,對(duì)應(yīng)頻譜分量可由直流高至1GHz。

鑒于柔性直流輸電工程對(duì)于可靠性的較高要求,對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器電路宜采用抗擾度等級(jí)不低于4級(jí)的

試驗(yàn)等級(jí),即接觸放電不低于8kV、空氣放電不低于15kV。

C.2直流電場(chǎng)和磁場(chǎng)騷擾

柔性直流換流站閥廳內(nèi)的直流電場(chǎng)來自于直流極導(dǎo)線的電壓,換流器監(jiān)控電路位置的直流電場(chǎng)可達(dá)

幾kV/m。一方面,由于金屬架構(gòu)和監(jiān)控電路外殼的屏蔽作用,使得直流電場(chǎng)的作用大為削弱;另一方

面,監(jiān)控電路對(duì)于直流電場(chǎng)不敏感,因此暫不建議將直流電場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)納入檢測(cè)內(nèi)容。

閥廳內(nèi)的直流磁場(chǎng)來自于直流極導(dǎo)線的電流,設(shè)電流為3000A,則距離導(dǎo)線1m處的磁場(chǎng)強(qiáng)度約

為500A/m(60mT)。直流磁場(chǎng)不會(huì)在監(jiān)控電路上感應(yīng)騷擾信號(hào),僅可能影響霍爾器件的工作,因此

對(duì)于不含該類器件的監(jiān)控電路板,直流磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)不宜納入檢測(cè)內(nèi)容。

C.3工頻電場(chǎng)和磁場(chǎng)騷擾

柔性直流換流站閥廳內(nèi)的工頻電場(chǎng)來自于交流引線的電壓,IGBT驅(qū)動(dòng)器電路位置的工頻電場(chǎng)具有

與直流電場(chǎng)相近的場(chǎng)強(qiáng),可達(dá)幾kV/m。同樣由于金屬架構(gòu)和監(jiān)控電路外殼的屏蔽作用,使得工頻電場(chǎng)

的作用大為削弱,因此暫不建議將工頻電場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)納入檢測(cè)內(nèi)容。

閥廳內(nèi)的工頻磁場(chǎng)來自于交流線的電流,分析表明監(jiān)控電路板處的工頻磁場(chǎng)低于100A/m。工頻磁

場(chǎng)對(duì)于霍爾器件和陰極射線管(CRT)類的影響十分明顯,即使不含這類器件也會(huì)在電路板上感應(yīng)出感

生電壓和感生電流,因此建議保留工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)。宜采用GB/T17626.8—2006中工頻磁場(chǎng)抗擾性

試驗(yàn)的等級(jí)5,磁場(chǎng)強(qiáng)度500A/m(3s短時(shí)),磁場(chǎng)強(qiáng)度100A/m(持續(xù))。

C.4無線電干擾

柔性直流換流器子模塊端口的電壓和電流在IGBT導(dǎo)通和關(guān)斷過程中快速變化,產(chǎn)生前后沿非常陡

的脈沖,這種高頻分量通過銅排向空間輻射電磁能量產(chǎn)生輻射電場(chǎng)。高電壓等級(jí)柔性直流換流器與低電

壓等級(jí)的柔性直流換流器相比,換流器總數(shù)更多、閥塔尺寸更大,輻射結(jié)構(gòu)及耦合路徑更復(fù)雜,子模塊

間雜散參數(shù)影響較大且不能忽略。其運(yùn)行時(shí)動(dòng)作子模塊數(shù)更多,電壓電流的上升沿更陡頻帶更寬。宜采

用GB/T17626.3—2016中射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)的等級(jí)4,試驗(yàn)強(qiáng)度不低于30V/m,頻率80MHz~

2000MHz。

C.5瞬態(tài)電流和電壓

C.5.1浪涌沖擊抗擾度

柔性直流換流站中,主要考慮由雷電侵入導(dǎo)致的浪涌沖擊電壓。依據(jù)柔性直流換流站內(nèi)雷擊過電壓,

考慮橋臂限流電抗器和避雷器的影響,閥廳內(nèi)過電壓會(huì)大大下降,近似認(rèn)為上述瞬態(tài)過電壓在功率模組

上均勻分布,再考慮直流支撐電容器對(duì)浪涌電壓的吸收作用,殘留在驅(qū)動(dòng)器電壓輸入端口的沖擊電壓不

23

GB/TXXXXX—XXXX

參考文獻(xiàn)

[1]AndreasVolke,MichaelHornkamp.IGBTModulesTechnologies,DriverandApplication;

[2]國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目《高壓大容量柔性直流電網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)研究與示范》課題技術(shù)報(bào)告。

25

GB/TXXXXX—XXXX

目次

前言..................................................................................II

1范圍................................................................................1

2規(guī)范性引用文件......................................................................1

3術(shù)語和定義..........................................................................2

4使用條件............................................................................3

4.1正常使用條件....................................................................3

4.2特殊使用條件....................................................................3

5總體要求............................................................................3

6主要參數(shù)............................................................................3

7技術(shù)要求............................................................................4

7.1功能要求........................................................................4

7.2接口要求........................................................................6

7.3電磁兼容性要求..................................................................6

8試驗(yàn)................................................................................7

8.1型式試驗(yàn)........................................................................7

8.2例行試驗(yàn).......................................................................15

9包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存.............................................................18

9.1包裝...........................................................................18

9.2標(biāo)志...........................................................................18

9.3運(yùn)輸...........................................................................18

9.4貯存...........................................................................18

附錄A(資料性)柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器簡介......................................19

附錄B(資料性)柔性直流用典型IGBT驅(qū)動(dòng)器主要參數(shù)....................................21

附錄C(資料性)柔性直流用IGBT驅(qū)動(dòng)器電磁兼容試驗(yàn)等級(jí)分析...........................23

參考文獻(xiàn)..............................................................................25

I

GB/TXXXXX—XXXX

柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動(dòng)器的使用條件、總體要求、主要參數(shù)、技術(shù)要

求、試驗(yàn)、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于±800kV及以下采用模塊化多電平換流器的柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本

文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T4798.2電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件第2部分:運(yùn)輸

GB/T13384機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

GB/T14598.27度量繼電器和保護(hù)裝置第27部分:產(chǎn)品安全要求

GB/T16935.1低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分:原理、要求和試驗(yàn)

GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.6—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.8—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.9—2011電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.10—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.12—2013電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T2423.1—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫

GB/T2423.2—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

GB/T2423.4—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db:交變濕熱

GB/T2423.7—2018電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec:粗率操作造成的沖擊

GB/T2423.10—2019電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(dòng)(正弦)

GB/T2423.16—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J及導(dǎo)則:長霉

GB/T2423.17—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka:鹽霧

GB/T2423.22—2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化

GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

GB/T33348—2016高壓直流輸電用電壓源換流器閥電氣試驗(yàn)

GB/T34118—2017高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器術(shù)語

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GB/TXXXXX—XXXX

驅(qū)動(dòng)器柵極控制IGBT開通關(guān)斷過程中,

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