SJ-T 11856.1-2022 光纖通信用半導體激光器芯片技術(shù)規(guī)范 第1部分：光源用法布里-泊羅型及分布式反饋型半導

光纖通信用半導體激光器芯片技術(shù)規(guī)范第1部分：光源用法布里-泊羅型及分布式反饋型半導體激光器芯片Part1:Fabry-Perotanddistributedfeed01實施20230101實施202301I前言 引言 IV1范圍 1 1 9 9 8.1包裝 9其他 SJ/T11856.1—2022附錄A(規(guī)范性)波長分配表121光纖通信用半導體激光器芯片技術(shù)規(guī)范第1部分：光源用法布里-泊羅型及分布式反饋型半導體激光器芯片本文件規(guī)定了光纖通信用法布里-泊羅型及分布式反饋型半導體激光器芯片(以下簡稱“芯片”)的術(shù)語和定義、縮略語、分類、技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標志、產(chǎn)品說明書和貯存等。本文件適用于10Gbaud(NRZ)、25Gbaud(NRZ)和25Gbaud(PAM4)光纖通信系統(tǒng)中法布里-泊羅激光二極管(FP-LD)和分布反饋激光二極管(DEB-LD2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本GB/T2828個計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分，按接收質(zhì)量限AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T2548=2008光通信用高速直接調(diào)制半導體激光器的測量方法GB/T1958-2015半導體激光器總規(guī)范GB/T3125-2015半導體激光器測試方法GB/T33768-2017通信用光電子器件可盤性試驗方法GB/T35010.3-2018半導體芯片產(chǎn)品第3部分，操作、包裝和貯存指南SJ/T2749-2016半導體激光二極管測試方法3術(shù)語和定義GB/Ta542008和GBT31358=2015界定的以及下列術(shù)語和定義適用文庫。激光器光語中主秋模光功率峰值強度與最大邊模光功率峰值強度之比的對數(shù)。激光器發(fā)射光譜分有的標準偏差，示意圖參見圖1度度圖1均方根譜寬圖2AQL——接收質(zhì)量限(AcceptanceQualityLimit)FP——法布里-泊羅(Fabry-Perot)LD——激光二極管(LaserDiode)NRZ非歸零(NonReturntoZero)35技術(shù)要求芯片按照結(jié)構(gòu)可分為：——FP;5.2光電特性5.2.1絕對最大額定值芯片絕對最大額定值見表1。符號V2I℃5.2.2光電技術(shù)指標特性1310nmFP型芯片的光電技術(shù)指標特性見表2。工作溫度范圍在0℃~702C的1310nmDFB芯片光電技術(shù)措標見表β。工作攝度范圍在-40℃~85℃的1310nnDFB芯片光電技術(shù)指標見表4。波分應用下芯片的中心波長應符合A.1,A.2和A.3的規(guī)定。數(shù)664閥值電流0 ——中心波長λ均方根譜寬(RMS)一 V帶寬10Gbaud(NRZ)8 4表31310nmDFB芯片光電技術(shù)指標(0℃~70℃)P44一3閾值電流 中心波長中心波長 光譜寬(-20dB) 一V調(diào)制帶寬88一一一一一LWDM應用下光譜寬為0.6nm。5表41310nmDFB芯片光電技術(shù)指標(-40℃~85℃)P4一4 —閥值電流一 7一—中心波長——一 V一調(diào)制帶寬88—LWDM應用下光譜寬為0.6nm.65.3芯片材料芯片應使用磷化銦系列材料。5.4表面質(zhì)量芯片表面應無明顯劃痕，無沾污，無裂紋，邊角完整。5.5芯片尺寸芯片尺寸應根據(jù)具體應用在產(chǎn)品設(shè)計文件中進行規(guī)定。其長度公差應不超過20μm,寬度公差應不5.6剪切力和金絲鍵合強度5.4.7的規(guī)定。5.8高溫貯存溫度循環(huán)高溫壽命lhf試驗后的閾值電流；Inb——試驗前的閾值電流。5.13恒定濕熱(工作)按6.5.6進行，試驗前后的25℃下的輸出功率變化的絕對值不超過1dB。對于波分應用下的芯片，其試驗前后的波長要符合表A.4的規(guī)定。7按GB/T31359—2015的5.9進行測量。按GB/T31359—2015的5.10進行測量。6.3.3中心波長按GB/T31359—2015的5.15進行測量。按GB/T31359—2015的5.22進行測量。按GB/T31359—2015的5.8進行測量。按GB/T31359—2015的5.1進行測量。衰減器接衰減器接標準光接收機電壓源8a)按圖3中測試框圖配置，連接好線路，并校準矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；c)通過光衰減器調(diào)整待測樣品輸出，接入標準光接收機(標準光接收機帶寬要遠大于待測激光器帶寬);e)將光接收機的輸出端接入矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，獲取矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀掃描出的幅頻響應曲線，取按照SJ/T2749—2016的5.16進行測量。6.46.4物理特性6.4.1表面質(zhì)量在100倍顯微鏡下目視觀家按GB/T33766-207中6.1.2的規(guī)定進行。6.4.3金絲鍵合強度按GB/Ts3768-2017中5.4.7的規(guī)定進行6.4.4剪切力按GBTa?8-2017中54.3的規(guī)定進。按GB/T83768+2017中5.3.1的規(guī)定進行。6.5.2低溫貯存按GBT33708-2017中53.2的規(guī)定進行。按GBIT33768-2017中543的腳定進行6.5.4恒定濕熱按GB/T33768-2017中5.3.4的規(guī)定進行。6.5.5高溫壽命按GB/T33768—2017中5.3.6的規(guī)定進行。6.5.6恒定濕熱(工作)按GB/T33768—2017中5.3.4的規(guī)定進行。9篩選項目在5.2.2規(guī)定的25℃和高溫條件下按5.2.2測試除‘低溫測試根據(jù)應用需求進行。試驗項目芯片尺寸剪切力7.4型式檢驗c)正常生產(chǎn)24個月后；d)停產(chǎn)12個月以上，恢復生產(chǎn)時；型式檢驗應符合表7規(guī)定。組別試驗項目A6.3按32.2進行測試B芯片尺寸5于合類型剪切力556.4.5,人體放電模型，250V下施加3個正脈沖，3個負的脈沖C6.5.1,溫度：85℃,時間：200006253圍C895C溫度變化速率：1gCmin.極限度的停留時間：≥15min,循環(huán)次數(shù)：500次6.5.4,溫度：85℃,相對濕度：85%,時間：1000hD6.5.5,最高工作溫度，最大工作電流下，時E6.5.6,溫度：85℃,相對濕度85%,工作電流取閥值電流的1.2倍，時間：2000h對于氣密樣品采用56只樣品。從經(jīng)芯片尺寸檢驗后的稅品中抽取。僅適用于非氣密封裝樣品樣母體數(shù)應是表7規(guī)定的2倍。抽樣的樣品均應經(jīng)受A組檢驗，然后按表7規(guī)定的數(shù)量進行B,