中國科學院微電子研究所項目成果一

中國科學院微電子研究所

情況介紹中國科學院微電子研究所的前身原中國科學院109廠成立于1958年，1986年中國科學院半導體研究所微電子學部加入，合并為中國科學院微電子中心，2003年9月正式更名為中國科學院微電子研究所。微電子研究所是一所專門從事微電子領(lǐng)域研究與開發(fā)的國立研究機構(gòu)，是中國科學院微電子技術(shù)總體和中國科學院EDA中心的依托單位。微電子研究所現(xiàn)有11個研究室，在職員工750人，科研與專業(yè)技術(shù)人員628人（其中科學院院士2名，高級研究人員179名）。設(shè)有博士和碩士學位授予點和博士后流動站，在讀研究生400人。中國科學院微電子研究所歷史輝煌，1958年，因研制“兩彈一星”和高頻晶體管計算機，微電子研究所的前身中國科學院109廠應(yīng)運而生，并先后為我國第一臺鍺晶體管計算機——“109乙機”研制出合格的半導體晶體管；為我國第一臺硅晶體管計算機——“109丙機”研究生產(chǎn)硅平面晶體管，提供了半導體器件；為我國第一顆人造衛(wèi)星“東方紅”一號提供了半導體晶體管；為我國首臺1000萬次/秒的晶體管計算機757機承擔全部集成電路的研制生產(chǎn)任務(wù)。在幾十年的變革與發(fā)展歷史中，微電子研究所幾代科技工作者為中國微電子技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展付出了持續(xù)不懈的艱苦努力。承擔并完成了上百項國家科研任務(wù)，取得了豐碩的成果，為中國微電子技術(shù)的進步作出了重要貢獻。在新的歷史時期，中國科學院微電子研究所作為中國科學院“知識創(chuàng)新工程”試點單位，秉承“惟精惟一、求是求新”的辦所精神，確立了當前的辦所方針和發(fā)展目標；打造現(xiàn)代化的高技術(shù)研究機構(gòu)。面向國家在微電子領(lǐng)域的戰(zhàn)略需求，加強關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新與集成，承擔重點科技攻關(guān)與產(chǎn)品開發(fā)；面向產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，建設(shè)開放平臺，通過全方位合作積極推進成果的應(yīng)用開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化；拓展前沿技術(shù)與基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，發(fā)展交叉學科方向，成為我國IC技術(shù)和產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域一個技術(shù)創(chuàng)新基地和高素質(zhì)高層次人才培養(yǎng)基地，為促進國家微電子技術(shù)進步和自主創(chuàng)新，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展作出貢獻。項目成果基于硅液晶微顯示芯片硅器件與集成技術(shù)研究室微顯示驅(qū)動課題組成功研制出基于硅基液晶（LiquidCrystalonSilicon，LCoS）微顯示芯片，分辨率為SVGA（800×600）彩色微型投影顯示器。微型投影顯示器的關(guān)鍵部件是LCoS芯片，它除了應(yīng)用于微型投影顯示外，還可以應(yīng)用于大屏幕高分辨率投影顯示、3D顯示、軍用頭盔顯示器等領(lǐng)域，是目前公認的最有市場潛力、可便攜的小尺寸，獲得大屏幕顯示的器件之一。該LCoS芯片的設(shè)計采用自主知識產(chǎn)權(quán)的場緩存像素電路，基于中芯國際0.35μmmix-signalCMOS工藝，應(yīng)用浙江大學研制的微型投影機LED三色光源，采用時序彩色的方式，實現(xiàn)8bit256級灰度彩色顯示。除此以外，課題組還對LCoS液晶盒的制備與液晶灌裝的關(guān)鍵技術(shù)進行研究和開發(fā)，并基于FPGA芯片成功開發(fā)了LCoS芯片視頻驅(qū)動系統(tǒng)，實現(xiàn)整機的完全國產(chǎn)化，為LCoS微顯示技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化打下很好的基礎(chǔ)?；诠枰壕@示芯片IGBT系列產(chǎn)品中國科學院微電子研究所是國內(nèi)最早從事IGBT、VDMOS等功率器件開發(fā)的單位之一，技術(shù)領(lǐng)先實力雄厚。目前硅器件與集成技術(shù)研究室已開發(fā)完成15-100A/1200V、20-100A/1700V非穿通型平面柵和溝槽柵IGBT系列產(chǎn)品以及配套FRD產(chǎn)品，已完成6500V系列IGBT芯片樣品的開發(fā)，正在開發(fā)2500V，3300V和4500V系列產(chǎn)品。IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)、高速列車、新能源發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)變頻、家用電器等諸多領(lǐng)域，是關(guān)系國家能源、交通、工業(yè)、家電等國計民生的核心電子元器件，具有重要的戰(zhàn)略意義。目前我國IGBT與FRD產(chǎn)品的技術(shù)和市場完全被少數(shù)國外企業(yè)壟斷，尤其在高端應(yīng)用領(lǐng)域。目前1200V、1700V的IGBT已經(jīng)面向產(chǎn)業(yè)化，后續(xù)的3300V、6500V。產(chǎn)品也已投入研發(fā)，保持了較好的研發(fā)層次性。自主研發(fā)的1200V、1700V的IGBT產(chǎn)品與國外同類產(chǎn)品的技術(shù)指標對比如下表所示：擊穿電導通壓開關(guān)損產(chǎn)品名產(chǎn)品規(guī)格制造商壓降耗KWBW25N120S微電子>1200V1.9V6.0mJ所KWBW25N120F1200V/25A>1200V2.2V5.5mJSKW25N120英飛凌>1200V3.1V3.7mJ微電子KWMFZ800N170F>1700V2.8V310mJ1700V/800A所FZ800R17KF6C_B2英飛凌>1700V2.6V625mJ從表中可以看出，自主研發(fā)的產(chǎn)品達到和國外產(chǎn)品同類水平，部分技術(shù)指標優(yōu)于國外同類產(chǎn)品。已開發(fā)出的1200V/1700VIGBT芯片/器件/模塊產(chǎn)品IGBT器件結(jié)構(gòu)：（a）平面柵非穿通型（b）溝道柵非穿通型（c）平面柵場截止型和（d）溝道柵場截止型IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)、高鐵、新能源、新能源汽車、家用電器等領(lǐng)域高可靠功率VDMOS晶體管系列產(chǎn)品硅器件與集成技術(shù)研究室研發(fā)成功國內(nèi)首款高可靠功率VDMOS晶體管系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品已經(jīng)順利通過設(shè)計定型，并已經(jīng)開始批量供貨（已供貨4000多只）。所研制產(chǎn)品采用具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的高可靠VDMOS晶體管工藝和設(shè)計等方面的加固技術(shù)，該系列產(chǎn)品的質(zhì)量等級已達到JCT級，產(chǎn)品抗總劑量（大于300krad（Si））和抗中子注量（大于5E13n/cm2）等主要技術(shù)指標均處于國內(nèi)領(lǐng)先水平，多項關(guān)鍵技術(shù)填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白，達到世界先進水平，并得到行業(yè)專家與用戶專家的高度肯定，作為重點行業(yè)領(lǐng)域“十一五”成果展的重要亮點，是我國正在實施的多項重大工程急需產(chǎn)品，具有重要的戰(zhàn)略價值和社會效益。高可靠功率VDMOS晶體管系列產(chǎn)品極低功耗語音信號處理器FlexEngine智能數(shù)字助聽器系統(tǒng)由麥克風、揚聲器、鋅空氣電池、開關(guān)/音量旋鈕和助聽器SOC核心芯片組成。其中SoC芯片是核心，它通過ADC將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，然后在數(shù)字域?qū)β曇籼幚?，最后利用DAC將結(jié)果轉(zhuǎn)換成模擬信號，輸出至揚聲器。專用集成電路與系統(tǒng)研究室相關(guān)團隊突破SOC芯片極低功耗的關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)出面向數(shù)字助聽器應(yīng)用的極低功耗語音信號處理器平lexEngine，可以根據(jù)不同聽障患者的聽力損失情況，定制個性化的多通道聽力補償，同時具有自動背景噪聲消除、自動反饋聲抑制等核心功能，能有效提高患者的聆聽舒適度。該平臺在5MHz頻率下工作，功耗僅為600μW。性能和功耗指標均達到國內(nèi)知名助聽器廠商的中、高端產(chǎn)品要求。智能數(shù)字助聽器結(jié)構(gòu)演示圖助聽器SOC芯片版圖FlexEngine測試系統(tǒng)以及技術(shù)發(fā)展歷程動力電池組監(jiān)控與管理模擬前端芯片與系統(tǒng)動力電池管理系統(tǒng)（BMS）的核心之一是電池組監(jiān)視模擬前端關(guān)鍵芯片技術(shù)。電池組管理系統(tǒng)模擬前端芯片作為電動汽車技術(shù)研究當中的一個重要組成部分，在電動汽車的產(chǎn)業(yè)化、市場化發(fā)展中起到重要的作用。電池組管理芯片不僅可以為電動汽車的動力電池組提供安全良好的運行保證，還可以降低電動汽車的整車成本以普及電動汽車的大眾化要求?？傊?，電池管理系統(tǒng)前端芯片技術(shù)，對于電動汽車發(fā)展起著重要作用，扮演著重要角色。它對電池及能量的每一分監(jiān)測與優(yōu)化，都是電動汽車技術(shù)發(fā)展的每一步前進。動力電池組的應(yīng)用領(lǐng)域動力電池組管理系統(tǒng)監(jiān)控軟件界面動力電池組管理系統(tǒng)與實物超大規(guī)模高可靠SOI專用集成電路2011年，微電子所專用集成電路與系統(tǒng)研究室在推進超大規(guī)模高可靠SOI工藝專用集成電路（ASIC）設(shè)計和開發(fā)方面取得了突出的成績：1、全定制自主設(shè)計單元庫（0.35um）完整版release；2、基于單元庫成功實現(xiàn)100萬門級專用集成電路。該芯片基于0.35um高可靠SOI工藝，電路規(guī)模、工作頻率、抗總劑量等關(guān)鍵技術(shù)指標，在國內(nèi)SOI高可靠ASIC領(lǐng)域居于領(lǐng)先地位，這標志著我所的高可靠產(chǎn)品布局得到進一步完善。高可靠性專用集成電路設(shè)計組，得到了一室加固工藝支撐和實驗團隊的大力支持，在SOI工藝研發(fā)與優(yōu)化的同時，掌握自主建立高可靠標準單元庫的流程和方法，完成基于自主研發(fā)單元庫的超大規(guī)模高可靠SOI工藝ASIC設(shè)計、加工和試驗。高可靠性專用集成電路設(shè)計組積極打造“一站式”高可靠ASIC服務(wù)平臺，在集成電路設(shè)計過程的各個層面和階段進行加固設(shè)計手段的介入，高效、快速滿足復(fù)雜、高性能、高可靠電子器件的設(shè)計需求。對促進我國重點工程領(lǐng)域電子器件國產(chǎn)化，突破國外技術(shù)壁壘封鎖具有重要作用。超大規(guī)模高可靠SOI專用集成電路基于原位顯微探測技術(shù)的阻變存儲器阻變存儲器(RRAM)是下一代高密度非易失存儲器的有力競爭者之一。然而，阻變機理的不清晰阻礙了其快速發(fā)展。從微觀層面探討RRAM阻變機制，對于控制和提高器件存儲特性、建立和分析器件失效模型具有非常重要作用。阻變存儲器是32nm節(jié)點以下的非揮發(fā)性存儲器的一種重要的替代方案，具有存儲單元尺寸小、高速度、非揮發(fā)性、高耐受性、穩(wěn)定性好、功耗低、工藝及器件結(jié)構(gòu)簡單和可嵌入功能強等優(yōu)點，綜合性能優(yōu)于現(xiàn)有主流存儲器，在新型存儲技術(shù)中居于前列，其中過渡金屬氧化物RRAM在近兩年內(nèi)得到國際重要大公司的同時力推，包括三星、SHARP、IBM、NEC等。目前研究成果均為試驗芯片，研究進展也主要集中在材料、單元和關(guān)鍵工藝的研究和小規(guī)模演示電路的水平。RRAM目前存在的主要問題是電阻轉(zhuǎn)變機理不明確，限制了RRAM性能尤其是穩(wěn)定性的提高。納米加工與新器件集成技術(shù)研究室相關(guān)課題組針對阻變機制開展了深入系統(tǒng)的研究，從電學上間接證明了多根金屬性導電細絲形成和破滅主導的阻變機制(APL,223506,2008；APL,023501,2009)；隨后通過TEM證實了導電細絲的存在，并實現(xiàn)了細絲生長的可控性(ACSNano,6162,2010)。與東南大學合作，基于原位顯微探測技術(shù)，成功獲得導電細絲生長和破滅的動態(tài)過程，建立了細絲生長/破滅的動力學模型，獲得了AdvancedMaterials審稿人高度評價，被認為是“本領(lǐng)域的重要發(fā)現(xiàn)”。基于原位顯微探測技術(shù)獲取的RRAM導電細絲生長和破滅動態(tài)過程石墨烯電子器件作為國家集成電路重大專項計劃，本課題涉及的前瞻性研究的目的是探索研究新材料石墨烯在大規(guī)模集成電路應(yīng)用方面的可行性和潛力。充分發(fā)揮石墨烯優(yōu)良的材料特性與硅集成電路技術(shù)相融合的特點，以生產(chǎn)應(yīng)用為目標，形成新器件與電路設(shè)計、制造所需的設(shè)備、工藝、材料綜合解決方案。本課題采用微機械剝離方法、SiC外延生長法和化學氣相淀積(CVD)法生長出新型石墨烯材料上，成功研制出高性能石墨烯電子器件。石墨烯電子器件SEM照片(b)石墨烯器件測試結(jié)果微機械剝離法得到大面積石墨烯材料，創(chuàng)新的采用了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的復(fù)合柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)，器件最高截止頻率達到18GHz(圖(b)所示)，達到國內(nèi)石墨烯電子器件的最高水平。采用SiC外延生長法制備晶圓級石墨烯電子器件照片(b)石墨烯器件測試結(jié)果SiC外延生長石墨烯上器件最高截止頻率ft達到4.6GHz(圖(b)所示)，器件成品率達到90%以上；在CVD方法生長石墨烯上器件最高截止頻率ft達到6GHz，fmax達到7GHz(圖3所示)，器件成品率達到80%以上，成為國內(nèi)首家公開報道在SiC外延方法生長石墨烯和在CVD方法生長石墨烯上制備出截止頻率達GHz以上的團隊。采用CVD方法生長石墨烯制備晶圓級器件測試結(jié)果以上研究成果利用石墨烯優(yōu)良的材料特性，實現(xiàn)了石墨烯從機理和材料到器件研究的突破，開拓出一條延續(xù)摩爾定律和超越硅CMOS技術(shù)的新途徑，打造石墨烯從材料到器件的完整科研鏈條，為推進微電子器件和集成電路的可持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新跨越奠定基礎(chǔ)?！昂叫?號”商用型高性能衛(wèi)星導航基帶芯片通信與多媒體SOC研究室在導航方面有深厚積累，研發(fā)的“航芯3號”GPS基帶芯片和“航芯4號”GPS/Galileo雙模基帶芯片采用主從式結(jié)構(gòu)，有效降低了系統(tǒng)成本和功耗，捕獲靈敏度到-147dbm，跟蹤靈敏度達到-162dbm，定位精度達到2.5米，首次定位時間小于40秒，以上核心指標均達到或接近國際一流芯片水平。在上述“航芯3號”和“航芯4號”的基礎(chǔ)上，通過與合作伙伴德賽集團車載GPS導航部門充分溝通，采用多項創(chuàng)新性算法完成了“航芯5號”的原型機開發(fā)?！昂叫?號”芯片作為微電子所和德賽集團合資創(chuàng)辦的高技術(shù)公司的首款核心芯片產(chǎn)品，瞄準業(yè)界最好的SiRF-4芯片進行開發(fā)，努力改善用戶體驗和極端情況下的接收機性能，并保持良好的性價比優(yōu)勢。“航芯5號”芯片的主要創(chuàng)新性技術(shù)如下：（1）研制了一款高速GPS衛(wèi)星信號捕獲引擎，可以在0.5秒內(nèi)完成所有32顆GPS衛(wèi)星的搜索，冷啟動首次定位時間（TTFF）為30秒，冷啟捕獲靈敏度可達-147dBm；（2）針對衛(wèi)星導航定位應(yīng)用，專門研制了一款電路規(guī)模小、靈活性高的導航專用處理器“SmartDSP”及導航專用加速協(xié)處理器。該架構(gòu)與ASIC導航基帶芯片相比，大幅度提高了靈活性、減小了電路規(guī)模；（3）研制了一款新型自適應(yīng)跟蹤引擎，該跟蹤引擎綜合了多種跟蹤模式，能在各種模式下自適應(yīng)工作，大幅度提高了弱信號跟蹤靈敏度；（4）提出了新型“多徑和互相關(guān)消除算法”，使芯片在惡劣環(huán)境下的定位能力大幅度提高。目前該原型機的TTFF、捕獲靈敏度、跟蹤靈敏度等多項核心指標接近了市場主流芯片SiRF-4指標，在車載GPS導航儀和智能手機GPS等領(lǐng)域擁有廣闊的市場前景。中國科學院微電子研究所研制的衛(wèi)星導航芯片是一種支持GPS定位系統(tǒng)的基帶芯片，主要針對車載和智能移動終端市場，并可擴展至授時、交通運輸、物流等行業(yè)應(yīng)用。目前，我國的衛(wèi)星導航定位市場以車載和個人娛樂等消費類應(yīng)用為主，已經(jīng)成為世界上最主要的衛(wèi)星導航產(chǎn)業(yè)新興市場。未來隨著我國北斗二代系統(tǒng)的建設(shè)，我國衛(wèi)星導航市場將迎來爆發(fā)式的增長?！昂叫?號”原型機的復(fù)雜測試場景所示測試場景的跟蹤結(jié)果（左圖為頻率跟蹤、右圖為載噪比計算）低功耗無線傳感器網(wǎng)絡(luò)核心芯片及片上系統(tǒng)由微電子所電子系統(tǒng)總體研究室牽頭6家單位組成的聯(lián)合課題組在低功耗無線傳感器網(wǎng)絡(luò)核心芯片及片上系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究上取得突破，由聯(lián)合課題組自主研制的低功耗和高性能兩款SiP芯片組成的無線傳感網(wǎng)于2011年11月通過了相關(guān)標準測試，作為物聯(lián)網(wǎng)的一個重要支撐，這些即將量產(chǎn)的芯片將推動中國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。每款芯片由一個通信芯片和一個MCUSoC芯片組成，通信芯片集成了780MHzRF電路、基帶電路、ADC和DAC，MCUSoC芯片集成了32位RISCCPU、SRAM、FlashMemory和低功耗高精度傳感器接口等電路，芯片在同等功耗下與國外先進產(chǎn)品性能相當。低功耗無線傳感器網(wǎng)絡(luò)核心芯片及片上系統(tǒng)無線傳感網(wǎng)絡(luò)芯片無線傳感網(wǎng)節(jié)點芯片作為無線傳感器網(wǎng)絡(luò)主要組成部件，實現(xiàn)了節(jié)點傳感器信號采集、處理和無線傳輸。通過系統(tǒng)封裝技術(shù)將數(shù)字基帶芯片和射頻收發(fā)芯片封裝在單芯片中，極大地減少了系統(tǒng)面積，且功耗低、效能高、配置靈活，支持大規(guī)模組網(wǎng)應(yīng)用。該芯片接收最大電流6mA，發(fā)射功率0dBm時，電流小于7mA；FSK最大通信速率達到100Kbps，整機靈敏度小于-100dBm，通訊距離大于50m。無線傳感網(wǎng)節(jié)點芯片能夠廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)、遠程醫(yī)療系統(tǒng)、煤礦生產(chǎn)安全系統(tǒng)、智能交通系統(tǒng)等領(lǐng)域，具有很強的創(chuàng)新性和實用價值，且產(chǎn)業(yè)化前景廣闊，為物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的研究和應(yīng)用發(fā)展打下良好的基礎(chǔ)。（a）500MHz~950MHz無線傳感網(wǎng)節(jié)點芯片（b）超低功耗100MHz-500MHzFSK/OOK射頻收發(fā)前端芯片（c）低功耗10BitDAC（d）數(shù)字校正CMOS體溫傳感器芯片（e）Pipeline雙通道ADC（f）780MHz無線健康監(jiān)護網(wǎng)絡(luò)傳輸芯片高端衛(wèi)星導航定位與通信系統(tǒng)電子系統(tǒng)總體技術(shù)研究室主要從事系統(tǒng)開發(fā)、產(chǎn)品整合與核心技術(shù)研發(fā)工作，在高端衛(wèi)星導航定位與通信系統(tǒng)、射頻與微波系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用系統(tǒng)、下一代通信核心技術(shù)、高密度系統(tǒng)模塊、芯片與模塊自動測試等方面擁有雄厚實力，取得了一系列創(chuàng)新成果。研究室擁有完備的芯片、模塊及微系統(tǒng)方面的設(shè)計和測試平臺，已成功研制了高端衛(wèi)星導航接收機系統(tǒng)和系列高密度微波模塊、無線健康監(jiān)護系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)無線應(yīng)用系統(tǒng)及節(jié)點終端、通信導航一體化收發(fā)系統(tǒng)、功率放大器數(shù)字預(yù)失真系統(tǒng)，芯片開發(fā)方面的成果主要包括WCDMA手機功放芯片、物聯(lián)網(wǎng)與無線傳感網(wǎng)芯片、CMMB射頻芯片等系列產(chǎn)品，取得了引人矚目的成績。研究室作為所內(nèi)衛(wèi)星導航的總體室和核心研究部門，近幾年在衛(wèi)星導航方面承擔了大量的國家級科研項目，涵蓋了高動態(tài)、高靈敏度、高精度的三大熱點方向，涉及接收機的信號處理、后端數(shù)據(jù)處理及核心芯片設(shè)計等核心技術(shù)。另外，研究室還在GNSS/INS組合導航系統(tǒng)及航資測量系統(tǒng)方面取得了顯著成果。基于近幾年在衛(wèi)星導航領(lǐng)域的技術(shù)積累，研究室先后研制成功了GPS單模高動態(tài)衛(wèi)星導航接收機、GG（GPS/GLONASS）雙模高動態(tài)衛(wèi)星導航接收機、GGB（GPS/GLONASS/BD2）三模衛(wèi)星導航接收機和AHRS航姿參考系統(tǒng)，并已交相關(guān)用戶使用。GNSS高動態(tài)衛(wèi)星導航接收機（GPS單模、GG雙模），能實時接收GNSS衛(wèi)星導航信號，實現(xiàn)高動態(tài)載體的實時高精度三位定位、三位測速、精確定時。系統(tǒng)定位精度高、啟動時間短、體積小、功耗低、性能可靠、具有很好的抗沖擊、抗干擾能力，適應(yīng)各類載體。系統(tǒng)主要功能：支持GPSL1、GLONASSL1多頻點，具有高動態(tài)條件下的單系統(tǒng)單獨定位和多系統(tǒng)聯(lián)合定位功能；實時輸出載體的位置信息(經(jīng)度、緯度、高度)；實時輸出載體的速度信息(水平方向、垂直方向)；支持衛(wèi)星星歷和歷書的存儲、輸入；支持GNSS的原始數(shù)據(jù)輸出。主要性能指標：（1）接收信號：GPS/GLONASS；（2）通道數(shù)：并行48通道；（3）定位精度：≤5m；（4）測速精度：≤0.1m/s；（5）1PPS：50ns；（6）平均冷啟動時間：≤35s;（7）平均溫啟動時間：≤30s；（8）平均熱啟動時間：≤1s；（9）失鎖重捕時間：＜1s；（10）捕獲靈敏度：-142dBm（天線口功率）；（11）跟蹤靈敏度：-148dBm（天線口功率）；（12）測速范圍：≤4000m/s（可無限制）；（13）加速度：≤80g；（14）使用高度：無限制；（15）定位更新率：1～50Hz;（16）供電電壓：5VDC±10%（17）功耗：≤2.0W。航姿參考系統(tǒng)：該系統(tǒng)為捷聯(lián)式航姿參考系統(tǒng)，系統(tǒng)采用基于MEMS技術(shù)的陀螺儀、加速度計和磁傳感器，集成度高、體積小、重量輕、成本低，可以對運動載體進行全姿態(tài)測量，實時輸出載體的姿態(tài)角(俯仰角、橫滾角、航向角)信息。同時，系統(tǒng)具有很好的抗干擾能力。系統(tǒng)主要功能包括：實時輸出載體的姿態(tài)角(俯仰角、橫滾角、航向角)信息；支持歐拉角輸出；支持四元數(shù)輸出；支持傳感器(陀螺儀、加速度計、磁傳感器)原始數(shù)據(jù)的輸出。系統(tǒng)主要應(yīng)用于車輛的導航與控制、船舶姿態(tài)的動態(tài)測量、平臺穩(wěn)定、機器人和集裝箱跟蹤。AHRS航姿參考系統(tǒng)主要技術(shù)指標：（1）更新頻率：１～10０Ｈｚ；（2）啟動時間：<1s；（3）初始化時間：60s航向角：（1）范圍：±１８０°；（2）正常條件下靜態(tài)精度：＜0.5°；（3）全溫度的靜態(tài)精度：<1°；（4）動態(tài)精度：1.5°(RMS)；（5）噪聲：0.01°(RMS)；（6）分辨率：0.1°。姿態(tài)角(俯仰角、橫滾角)：（1）范圍：±90°，±180°；（2）在正常條件下靜態(tài)精度：<0.2°；（3）全溫度的靜態(tài)精度：0.3°；（4）動態(tài)精度：0.5°(RMS)；（5）噪聲：0.01°(RMS)；（6）分辨率：0.1°。寬帶無線接入基帶芯片電子設(shè)計平臺與共性技術(shù)研究室研發(fā)的寬帶無線接入基帶芯片，作為寬帶無線接入系統(tǒng)的重要組成部分，不僅解決了國內(nèi)相關(guān)核心芯片缺失的問題，同時實現(xiàn)了低功耗分析技術(shù)，具有高帶寬、高利用率和切換靈活等優(yōu)點，能夠?qū)崿F(xiàn)寬帶無線通信由點到面的覆蓋。該芯片采用ARM926+ZSP500架構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)終端物理層、媒體訪問層和應(yīng)用層，具有先進的處理能力。工作頻段為300MHz-4GHz；調(diào)制方式為QPSK，16QAM，64QAM可選；支持長度為2048、1024、512和128的FFT點數(shù)；可在時分雙工模式(TDD)下工作；帶寬為10MHz；支持120km/h移動接入；數(shù)據(jù)吞吐量為3Mbps。該芯片采用AMBA2.0總線架構(gòu)，搭建基于ARM+DSP+FPGA的功耗硬件分析平臺，通過實時監(jiān)控系統(tǒng)的時鐘頻率、邏輯資源利用量、端口電壓、節(jié)點的反轉(zhuǎn)率等參數(shù)，對系統(tǒng)的功耗進行實時統(tǒng)計。該芯片中的電源模塊應(yīng)用于無線寬帶接入系統(tǒng)芯片中的各功能單元，主要有：主CPUARM處理器內(nèi)核，用于協(xié)調(diào)各外設(shè)之間的工作；信息處理單元ZSP500內(nèi)核，用于信息處理及數(shù)學運算；還有其他控制及通信模塊等。通過動態(tài)切換處理工作模式，使無線寬帶接入系統(tǒng)芯片在不工作時采用待機運行模式，使外圍器