10集成電路測試-FT

集成電路測試與分析目錄/CONTENTS010203概述CP測試FT測試集成電路成品測試（FT)03PartOne集成電路測試的基本原理測試的基本任務(wù)是生成測試輸入，而測試系統(tǒng)的基本任務(wù)則是將測試輸人應(yīng)用于被測器件，并分析其輸出的正確性。測試過程中，測試系統(tǒng)首先生成輸入定時波形信號施加到被測器件的原始輸入管腳，第二步是從被測器件的原始輸出管腳采樣輸出回應(yīng)，最后經(jīng)過分析處理得到測試結(jié)果。模擬電路的測試兩類測試：直流特性測試：主要包括端子電壓特性、端子電流特性等交流特性測試：這些交流特性和該電路完成的特定功能密切有關(guān)，比如一塊音頻功放電路，其增益指標(biāo)、輸出功率、失真指標(biāo)等都是很重要的參數(shù)模擬IC自動測試系統(tǒng)框圖被測電路DUT（DeviceUnderTest）PMU可以實(shí)現(xiàn)兩種功能：FVMI（加電壓測電流）功能和FIMV（加電流測電壓）功能。/article/332880.html數(shù)字電路的測試數(shù)字集成電路最主要的是測試其功能、時序關(guān)系和邏輯關(guān)系等典型的數(shù)字集成電路測試順序1.接觸測試：在DUT的每一個管腳上都施加一電流，隨后測量其相應(yīng)電壓，如果所得電壓值超出了特定的電壓范圍，則可認(rèn)為管腳與測試儀的接觸是斷開的，即開路。2.功能測試：只有邏輯功能正確的電路，才有必要進(jìn)行隨后的測試。3.直流參數(shù)測試：在DUT管腳進(jìn)行電壓或電流測試。4.交流參數(shù)測試：大多數(shù)自動數(shù)字測試系統(tǒng)都有可以選擇的數(shù)字測量分辨率，通過逐次逼近或線性遞歸的測量方法即可準(zhǔn)確測出傳輸延遲及上升沿、下降沿時間等。失效分析(FA)：對失效器件進(jìn)行進(jìn)行各種測試和物理、化學(xué)、金相試驗，確定器件失效的形式（失效模式），分析造成器件失效的物理和化學(xué)過程（失效機(jī)理），尋找器件失效原因，制定糾正和改進(jìn)措施?？煽啃苑治?RA)：對半導(dǎo)體器件可靠性測量與測試，評估器件壽命、特性退化規(guī)律等，用于指導(dǎo)生產(chǎn)過程中提高元器件可靠性。材料分析(MA)：對材料的組分，形貌，晶體結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)、位錯等缺陷，界面缺陷等研究。主要分析技術(shù)——FA、MA、RA

主要技術(shù)指標(biāo)：

主要附件：探測器:ET-SEdetector；AsB-detector；In-lensSE-detector；

Multi-modeSTEMEDS/EBSD能譜探頭:X-MaxN80主要用途：表面形貌分析能譜分析材料組織結(jié)構(gòu)分析電子束系統(tǒng)分辨率:

1.0nmat15kV1.9nmat1kV電子束加速電壓:0.02kV-30kV電子束流:

4pA-20nA放大倍數(shù):10-1.000.000x場發(fā)射掃描電子顯微鏡

FieldEmissionScanningElectronMicroscope(FE-SEM)主要分析設(shè)備及耗電量1313

主要技術(shù)指標(biāo)：電子束系統(tǒng)分辨率:1.1nm(20kV)/1.5nm(10kV)/2.5nm(1kV)離子束系統(tǒng)分辨率:5nm(30kV,1pA)電子束加速電壓:0.1-30kV離子束加速電壓:0.5-30kV電子束流:4pA-100nA離子束流:

1pA-50nA

主要附件：Everhart-Thornley二次電子探測器組合式二次電子二次離子(SESI)探測器多路GIS氣體注入系統(tǒng)

主要用途：焊點(diǎn)可靠性失效橫截面故障分析完整的銅制程橫截面結(jié)構(gòu)觀察熱點(diǎn)測試失效橫截面結(jié)構(gòu)分析材料橫截面結(jié)構(gòu)觀察TSV轉(zhuǎn)接板LED芯片BGA焊球CISLensWirebondNCAPConfidential&Proprietary聚焦離子束場發(fā)射掃描電子顯微鏡DualBeamFocusedIonBeam主要設(shè)備——FIB

主要技術(shù)指標(biāo)：

設(shè)備特點(diǎn)：配備100LPI，300LPI兩種光柵紅外加熱，可模擬回流曲線下的變形情況與溫度曲線對應(yīng)的實(shí)時變形量測量支持多樣品同時測試最大樣品尺寸400×400mm2標(biāo)準(zhǔn)誤差小于1μm共面性低于1μm最大加熱溫度為300℃最高每秒加熱1℃熱變形外貌檢測儀ShadowMoiré

主要技術(shù)指標(biāo)：PEMInGaAs探測器

TIVA1340nm激光源，配置TIVALaserPulsingTechnique；12inch測試載樣臺；MacroLens0.8x/2.5x/5x/10x/20x/50xforPEMandTIVA；

設(shè)備特點(diǎn)：具備光發(fā)射顯微鏡PEM(PhotonEmissionMicroscopy)和激光激發(fā)-熱感生電壓變化TIVA（ThermalInducedVoltageAlteration）技術(shù)。廣泛應(yīng)用于偵測各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，包括閘極氧化層缺陷(Gateoxidedefects)、靜電放電破壞(ESDFailure)、閂鎖效應(yīng)(LatchUp)、漏電(Leakage)、接面漏電(JunctionLeakage)、順向偏壓(ForwardBias)等。<PEM探測器接收波長><LaserPulsing信號加強(qiáng)

>熱點(diǎn)檢測微光顯微鏡PhotonEmissionMicroscope&TIVA

檢測項目：封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部裂紋封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部分層缺陷封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部空洞、氣泡、空隙等缺陷,樣品臺長寬：29x12cm檢測模式：A-Scanmode-點(diǎn)掃描B-Scanmode-塊掃描C-Scanmode-層掃描ThroughScanmode-穿透式掃描Q-BAM-虛擬橫截面掃描Multi-Scanmode-多層面掃描探頭頻率：15MHz/30MHz/50MHz/100MHz/230MHz三極管檢測晶圓鍵合檢測FC檢測晶圓鍵合檢測晶圓檢測超聲波掃描電子顯微鏡ScanningAcousticMicroscope(C-SAM)主要技術(shù)指標(biāo)：設(shè)備特點(diǎn)：測試K系數(shù)：建立結(jié)溫與電壓之間的關(guān)系采樣率達(dá)1微秒，測試延遲時間1微秒，結(jié)溫分辨率0.01℃主機(jī)承載的最大電