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文檔簡介

13.1外延生長3.2掩膜制作3.3光刻原理與流程

3.4氧化

3.5淀積與刻蝕3.6摻雜原理與工藝關心每一步工藝對器件性能的影響，讀懂PDK，挖掘工藝潛力。第3章集成電路基本工藝2圖3.12

場氧除了作為柵的絕緣材料外，二氧化硅在很多制造工序中可以作為保護層。在器件之間的區(qū)域，也可以生成一層稱為“場氧”（FOX）的厚SiO2層，使后面的工序可以在其上制作互連線。3.4氧化33.1外延生長3.2掩膜制作3.3光刻原理與流程

3.4氧化

3.5淀積與刻蝕3.6摻雜原理與工藝關心每一步工藝對器件性能的影響，讀懂PDK，挖掘工藝潛力。第3章集成電路基本工藝43.5淀積與刻蝕器件的制造需要各種材料的淀積。這些材料包括多晶硅、隔離互連層的絕緣材料以及作為互連的金屬層。刻蝕的作用: 制作不同的器件結構，如線條、接觸孔、臺式晶體管、凸紋、柵等。被刻蝕的材料: 半導體，絕緣體，金屬等?？涛g的兩種方法：

濕法和干法5濕法刻蝕首先要用適當(包含有可以分解表面薄層的反應物)的溶液浸潤刻蝕面，然后清除被分解的材料.。如SiO2在室溫下可被HF酸刻蝕。濕法刻蝕在VLSI制造中的問題:接觸孔的面積變得越來越小,抗蝕材料層中的小窗口會由于毛細作用而使得接觸孔不能被有效的浸潤。是被分解的材料不能被有效的從反應區(qū)的小窗口內清除出來。6干法刻蝕

—分為：等離子體刻蝕,反應離子刻蝕RIE等RIE發(fā)生在反應爐中，基片(晶圓)被放在一個已被用氮氣清洗過的托盤上，然后，托盤被送進刻蝕室中，在那里托盤被接在下方的電極上。刻蝕氣體通過左方的噴口進入刻蝕室。RIE的基板是帶負電的。正離子受帶負電的基板吸引，最終以近乎垂

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