集成電路工藝中的化學品.ppt

1、a，1，集成電路技術中的化學物質a，2，從硅晶片或化合物半導體晶片轉化成各種復雜的集成電路，在轉化過程中利用了數(shù)百種不同復雜程度的化學反應。毫無疑問，在半導體集成電路制造業(yè)中，微電子器件的生產需要大量的特殊材料和化學物質。目前，半導體晶片加工工藝中使用的化學物質有200多種，被稱為“電子化學品”。a，3，現(xiàn)有形式的物質，a，4，薄膜制備技術及其化學光刻技術，化學晶片清洗技術，化學光刻技術及其化學蝕刻技術，化學機械拋光技術，化學載氣及其他化學品，a，5，薄膜制備技術及其化學品，a，6，薄膜制備技術及其化學品，熱氧化生長：干氧氧化：二氧化硅二氧化硅；水蒸氣氧化：二氧化硅二氧化硅；濕式氧氣氧化：氧氣

2、通過高純度的水。熱擴散摻雜固體源擴散：引入保護氣體，防止反向擴散和污染；液體源擴散：簡單、易操作、成本低、效率高、重復性和均勻性好；氣源擴散：2b2o3 si 4b3sio2p2o55si 4p5sio2離子注入摻雜物理氣相沉積化學氣相沉積，高純度、高密度、膜厚均勻、膜結構高度完整、成分可控、成分比例可控；外延，a，7，化學氣相沉積， 熱解反應：si H4(G)si(s)2 H2(G)CH3 sic 3(G)sic(s)3 HCl(G)wf6(G)w(s)3 F2(G)氫還原反應：sicl 4(G)2 H2(G)si(s)G)TiB 2(s)10 HCl(G)金屬還原反應tii 4(G)2zn

3、(s)ti(s)2 zni 2(G)TiC 4(G)2mg(s)ti(s)氯化鎂生成氮化物和碳化物四氯化鈦(g) CH4 (g) 四氯化鈦(s)HCl(g)3si H4(g)4nh3(g)Si3N 4(s)12 H2(g)，a，8，8氫氟酸/硝酸在硝酸清洗過程中的自分解：hn2 HNO 3N2O 4 H2O 42no 2 NO2 2e2no 2-2h2hno 2水分解：H2Ooh-硅氧化：硅 Si2 2e Si2 4OH- 二氧化硅2H2O二氧化硅溶解于si02 6HFh2sif 6 2H2O，a，9，平版印刷技術和化學制品，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，俗稱有機玻璃，可以通過旋涂形成良好的膜

4、，并具有良好的介電性能。盡管它的靈敏度和耐干腐蝕性相對較差，但它具有良好的附著力和良好的產品再現(xiàn)性。在深紫外光下，聚合物結合鏈斷裂，變得容易溶解；它對波長為220納米的光最敏感，如果波長高于240納米，則完全不敏感。氫倍半硅氧烷(HSQ) HSQ單體的分子式為H8Si8O12，作為光致抗蝕劑可以獲得高的特征尺寸分辨率。A，10，A，11，蝕刻技術和化學制品，濕法蝕刻：特定的溶液與待蝕刻的膜反應，以除去未被光致抗蝕劑覆蓋的區(qū)域中的膜。SiH NO3 6HFh2sif 6 NO2 h23si 4 no 3 18HF3h2sif 64 no 8 H2O干法刻蝕：通過等離子體激活的化學反應或高能離子束

5、轟擊來完成物質的去除。cf4ecf3 fesi o 2 4fSIF 4(g)o2si 4 fSIF 4(g)，a，12，化學機械拋光化學機械拋光技術及化學品，二氧化硅的化學機械拋光技術si-o-si H2O2si-oh(SIo 2)x2h2o (SIo 2)x-1si(oh)4si(oh)4鎢易溶于堿性溶液的化學機械拋光技術k3fe(cn)63k Fe(cn)63-w6fe(cn)63-3h2o64-6H金屬銅的化學機械拋光技術載氣和其他化學品、純氣體：載氣、保護氣體和稀釋氣體氮(N2)空氣的成分之一，主要作為簡單物質存在于大氣中氦(He)，一種無色無味的稀有氣體，是唯一不能在大氣壓下固化且不溶于水的物質。一、一、十四、甲烷(CH4)爆炸極限5.5-14%，自燃溫度537是最簡單的脂肪族烷烴，最簡單的有機化合物，微溶于水，溶于乙醇、乙醚等有機溶