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文檔簡介
1、a,1,集成電路技術中的化學物質a,2,從硅晶片或化合物半導體晶片轉化成各種復雜的集成電路,在轉化過程中利用了數(shù)百種不同復雜程度的化學反應。毫無疑問,在半導體集成電路制造業(yè)中,微電子器件的生產需要大量的特殊材料和化學物質。目前,半導體晶片加工工藝中使用的化學物質有200多種,被稱為“電子化學品”。a,3,現(xiàn)有形式的物質,a,4,薄膜制備技術及其化學光刻技術,化學晶片清洗技術,化學光刻技術及其化學蝕刻技術,化學機械拋光技術,化學載氣及其他化學品,a,5,薄膜制備技術及其化學品,a,6,薄膜制備技術及其化學品,熱氧化生長:干氧氧化:二氧化硅二氧化硅;水蒸氣氧化:二氧化硅二氧化硅;濕式氧氣氧化:氧氣
2、通過高純度的水。熱擴散摻雜固體源擴散:引入保護氣體,防止反向擴散和污染;液體源擴散:簡單、易操作、成本低、效率高、重復性和均勻性好;氣源擴散:2b2o3 si 4b3sio2p2o55si 4p5sio2離子注入摻雜物理氣相沉積化學氣相沉積,高純度、高密度、膜厚均勻、膜結構高度完整、成分可控、成分比例可控;外延,a,7,化學氣相沉積, 熱解反應:si H4(G)si(s)2 H2(G)CH3 sic 3(G)sic(s)3 HCl(G)wf6(G)w(s)3 F2(G)氫還原反應:sicl 4(G)2 H2(G)si(s)G)TiB 2(s)10 HCl(G)金屬還原反應tii 4(G)2zn
3、(s)ti(s)2 zni 2(G)TiC 4(G)2mg(s)ti(s)氯化鎂生成氮化物和碳化物四氯化鈦(g) CH4 (g) 四氯化鈦(s)HCl(g)3si H4(g)4nh3(g)Si3N 4(s)12 H2(g),a,8,8氫氟酸/硝酸在硝酸清洗過程中的自分解:hn2 HNO 3N2O 4 H2O 42no 2 NO2 2e2no 2-2h2hno 2水分解:H2Ooh-硅氧化:硅 Si2 2e Si2 4OH- 二氧化硅2H2O二氧化硅溶解于si02 6HFh2sif 6 2H2O,a,9,平版印刷技術和化學制品,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),俗稱有機玻璃,可以通過旋涂形成良好的膜
4、,并具有良好的介電性能。盡管它的靈敏度和耐干腐蝕性相對較差,但它具有良好的附著力和良好的產品再現(xiàn)性。在深紫外光下,聚合物結合鏈斷裂,變得容易溶解;它對波長為220納米的光最敏感,如果波長高于240納米,則完全不敏感。氫倍半硅氧烷(HSQ) HSQ單體的分子式為H8Si8O12,作為光致抗蝕劑可以獲得高的特征尺寸分辨率。A,10,A,11,蝕刻技術和化學制品,濕法蝕刻:特定的溶液與待蝕刻的膜反應,以除去未被光致抗蝕劑覆蓋的區(qū)域中的膜。SiH NO3 6HFh2sif 6 NO2 h23si 4 no 3 18HF3h2sif 64 no 8 H2O干法刻蝕:通過等離子體激活的化學反應或高能離子束
5、轟擊來完成物質的去除。cf4ecf3 fesi o 2 4fSIF 4(g)o2si 4 fSIF 4(g),a,12,化學機械拋光化學機械拋光技術及化學品,二氧化硅的化學機械拋光技術si-o-si H2O2si-oh(SIo 2)x2h2o (SIo 2)x-1si(oh)4si(oh)4鎢易溶于堿性溶液的化學機械拋光技術k3fe(cn)63k Fe(cn)63-w6fe(cn)63-3h2o64-6H金屬銅的化學機械拋光技術載氣和其他化學品、純氣體:載氣、保護氣體和稀釋氣體氮(N2)空氣的成分之一,主要作為簡單物質存在于大氣中氦(He),一種無色無味的稀有氣體,是唯一不能在大氣壓下固化且不溶于水的物質。一、一、十四、甲烷(CH4)爆炸極限5.5-14%,自燃溫度537是最簡單的脂肪族烷烴,最簡單的有機化合物,微溶于水,溶于乙醇、乙醚等有機溶
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