Array基板Process flow

1、Array基板Process flow,AFFS LTPS 12PEP,From：LTPS training 20140425 8th,PEP1 （LS）,沉膜前清洗，去除Particle LS (遮光層)：材料可為a-Si，metal等吸遮光材料。防止Poly受到強光照射產(chǎn)生光生載流子，導(dǎo)致器件漏電流增大。 LS作用：遮蔽背光，減少其對半導(dǎo)體電性的影響。LTPS 采取Top Gate設(shè)計 （頂柵結(jié)構(gòu)，TN產(chǎn)品為Bottom Gate，頂柵結(jié)構(gòu)）LTPS受背光源影響，會產(chǎn)生光電漏電，影響Device性能,PEP2(poly),NMOS,PMOS,Pad,a-Si,Poly,Poly,3Laye

2、r的作用：緩沖層，防止玻璃基板中的雜質(zhì)在熱制程中擴散到LTPS中，降低漏電流。 （SiNx隔絕離子的能力較強與玻璃接觸的應(yīng)力較小，SiOx與多晶硅界面潤濕角比較好，故采用SiNx/SiOx的堆疊方式). ELA：Excimer Laser Annealing 即準分子激光退火，指通過準分子激光對a-Si進行照射，實現(xiàn)a-Si薄膜向多晶硅薄膜（Poly-Si）的轉(zhuǎn)變,SiO2,SiNx,PEP3(NCD),NCD:N Channel doping，調(diào)整TFT Vth閾值電壓。所用氣體為BF3. Ash目的: 由于implant導(dǎo)致PR表面發(fā)生碳化，膜質(zhì)變的致密難剝離。通過對PR表面轟擊&蝕刻將硬

3、化膜Ash。利于PR剝離。,PEP4(NP),N+ Doping：高濃度P離子注入，控制形成NMOS源漏極區(qū)，所用氣體為PH3. NMOS(N-Mental-Oxide-Semiconductor)意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 PMOS即為P型，CMOS為同時存在NMOS與PMOS的晶體管,PEP5(GE),GI： SiOx/SiNx （連接&隔絕）：SiNx具有高的擊穿電壓可做為柵極絕緣層，但其與多晶硅界面存在過多的缺陷，故采用SiOx與SiNx堆疊的方式，同時SiOx與多晶硅表面的晶界匹配、應(yīng)力匹配及具有良好的臺階覆蓋性特優(yōu)點。,PEP6(

4、PP),P+ Doping: 高濃度B離子注入?？刂菩纬蒔MOS源漏極區(qū)域。使用BF3氣體,PEP7(ILD),RTA：活化（修復(fù)受損晶格，讓雜質(zhì)進行活性位置）&氫化（多晶硅晶粒間存在粒界態(tài)，多晶硅與氧化層間存在界面態(tài)，影響晶體管電性。氫化處理以氫原子填補多晶硅原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵，粒界態(tài)，氧化層缺陷，以及界面態(tài)，來減少不穩(wěn)態(tài)數(shù)目，提升電特性：遷移率，閾值電壓均勻性等,PEP8(SD),DHF CLN：除去poly表面的氧化層，降低M2 poly接觸阻抗。 Anneal：熱退火，形成Mo/Si固溶體，發(fā)生歐姆接觸，提高電子遷移率。,PEP9(PLN),PLN：平坦層目的：1. 平坦化，使配向更均勻；2. 減小couple電容，降低data line loading,PEP10(BITO),Anneal目的：提高ITO膜層的穩(wěn)定性，ITO晶化，增加導(dǎo)電率。低溫成膜，多數(shù)是低價的銦錫氧化物，在高溫環(huán)境下會繼續(xù)與氧發(fā)生反應(yīng)，形成高價的氧化物。為了讓膜質(zhì)穩(wěn)定，要進行熱處理。,PEP11(PV),PL,NMOS,PMOS,a-Si,Poly,GI,ILD