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光束筆光刻技術(shù),1,張賀,1132920104,Beam Pen Lithography,Fengwei Huo，Gengfeng Zheng . Beam Pen Lithography. Nature Nanotechnology:2010 2010 Nano Technology,背景,遠(yuǎn)場(chǎng)曝光受到衍射限制 近場(chǎng)曝光產(chǎn)率低，損壞掩模，分辨率有限 基于近場(chǎng)掃描光學(xué)顯微鏡技術(shù)（NSOM）微孔陣列 產(chǎn)率低，掃描區(qū)域受限 基于掃描探針顯微鏡（SPM），聚合物筆光刻技術(shù),2,SPM NSOM,BPL,3,原理,陣列制作,蒸發(fā)鍍金,PMMA粘接,分離,微孔完成,聚焦離子束,4,特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)近場(chǎng)、遠(yuǎn)場(chǎng)切換 不會(huì)損壞掩基板 大波長(zhǎng)，小特征尺寸， 產(chǎn)量大、效率高 無(wú)需掩模、可形成任意圖形,5,特點(diǎn),400nm鹵素?zé)?40nm光刻膠 離子束加工微孔直徑505nm 11011nm,6,特點(diǎn),產(chǎn)量大 效率高 15000 個(gè)“筆”每平方厘米 孔的平均尺寸在700nm 30min完成1500萬(wàn)點(diǎn) 無(wú)丟失,7,特點(diǎn),無(wú)需掩模 方便、成本低 可形成任意圖案 182點(diǎn) 500nm孔徑 45070nm,8,挑戰(zhàn),“筆”的“可定址

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