數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一

1、數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題（一） 姓名：_ _ 班級(jí)：_ 考號(hào)：_ 成績(jī)：_滿分100 分；考試時(shí)間：90 分鐘；考試方式：閉一、填空題 : （每空1分，共10分） 1 (30.25)10= ( 11110. )2 = (1e.40)16 。 2 . 邏輯函數(shù)L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為：高電平,低電平,高阻態(tài) 。 4 . 主從型JK觸發(fā)器的特性方程 =JQx+KQx 上面橫線 。 5 . 用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)4 位二進(jìn)制數(shù)。 6 . 存儲(chǔ)容量為4K8位的RAM存儲(chǔ)器，其地址線為 12條、數(shù)據(jù)線為8條。 二、選擇題： (選擇一個(gè)正確的答案填入括號(hào)內(nèi)

2、，每題3分，共30分 ) 1.設(shè)圖1中所有觸發(fā)器的初始狀態(tài)皆為0，找出圖中觸發(fā)器在時(shí)鐘信號(hào)作用下,輸出電壓波形恒為0的是：（ C ）圖。 圖 1 2.下列幾種TTL電路中，輸出端可實(shí)現(xiàn)線與功能的電路是（ D ）。 A、或非門(mén) B、與非門(mén) C、異或門(mén) D、OC門(mén) 3.對(duì)CMOS與非門(mén)電路，其多余輸入端正確的處理方法是（D ）。 A、通過(guò)大電阻接地（1.5K） B、懸空 C、通過(guò)小電阻接地（1K） D、通過(guò)電阻接VCC 4.圖2所示電路為由555定時(shí)器構(gòu)成的（A ）。 A、施密特觸發(fā)器 B、多諧振蕩器 C、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 D、T觸發(fā)器 5.請(qǐng)判斷以下哪個(gè)電路不是時(shí)序邏輯電路（C ）。 圖2A、計(jì)數(shù)器

3、 B、寄存器C、譯碼器 D、觸發(fā)器 6以下表達(dá)式中符合邏輯運(yùn)算法則的是（ B ）。 A、CC=C2 B、1+1=10 C、01 D、A+1=1 7A+BC=（ C ）。A、A+B B、A+C C、（A+B）（A+C） D、B+C8在（ A ）輸入情況下，“與非”運(yùn)算的結(jié)果是邏輯0。 A、全部輸入是0 B、任一輸入是0 C、僅一輸入是0 D、全部輸入是19、已知邏輯函數(shù) 與其相等的函數(shù)為（D ）。 A、 B、 C、 D、 10、一個(gè)數(shù)據(jù)選擇器的地址輸入端有3個(gè)時(shí)，最多可以有（ C ）個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)輸出。 A、4 B、6 C、8 D、16 四、邏輯函數(shù)化簡(jiǎn) （每題5分，共10分） 1、用公式化簡(jiǎn)法將下

4、式化為最簡(jiǎn)的與或式 Y= A + 因?yàn)?AB=（A+B)又因?yàn)?(AB)=A+B 所以 Y=A+(BCD)+(AD+B) =A(D+1)+B(CD+1) =A+B2、用卡諾圖法將下式化為最簡(jiǎn)的或與式 Y= + C +A D，約束條件：A C + A CD+AB=0 =ABD+ABCD+BCD+(AB)C(B+D)=ABD+ABCD+BCD+(A+B)(BC+CD)=ABD+ABCD+BCD+(ACD+BC+ABC+BCD)=ABD+ABCD+BCD+ACD+BC=(m9+m11)+m1+(m3+m11)+(m1+m3)+(m4+m5+m12+m13)=m(1,3,4,5,9,11,12,13)=BC+BD五、寫(xiě)出如圖4所示電路的真值表及最簡(jiǎn)邏輯表達(dá)式并分析電路具有什么功能。（12分） 圖 4 六、用如圖 5所示的8選1數(shù)據(jù)選擇器CT74LS151實(shí)現(xiàn)下列函數(shù)。（10分） Y（A,B,C,D）=m(1,5,6,7,9,11,12,13,14) 圖 5七、用 4位二進(jìn)制計(jì)數(shù)集成芯片CT74LS161采用兩種方法實(shí)現(xiàn)模值為10的計(jì)數(shù)器，要求畫(huà)出接線圖和全狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖。（CT74LS161如圖6所示，其LD端為同步置數(shù)端，CR為異步復(fù)位端）。（12分） 圖 6八、電路如圖 7所示，試寫(xiě)出電路的驅(qū)動(dòng)方程，狀態(tài)轉(zhuǎn)移方程，求出Z 1 、Z 2 、Z 3 的輸出