人教版化學(xué)選修三重點強化教案

1V1重點強化教案本節(jié)內(nèi)容選修三重難點精析重點難點1.分子中心原子的雜化類型及分子的立體構(gòu)型2.分類比較晶體的熔沸點3.常見的晶體模型的考察4.晶胞的相關(guān)結(jié)構(gòu)考察與計算（配位數(shù)、密度、相關(guān)的計算等）教學(xué)內(nèi)容一、 基礎(chǔ)回顧【難點一 分子中心原子的雜化類型及分子的立體構(gòu)型】1.價層電子對互斥理論電子對數(shù)成鍵對數(shù)孤電子對數(shù)電子對立體構(gòu)型（VSEPR）分子立體構(gòu)型實例鍵角220直線型330三角形21440正四面體形3122（1）價層電子對互斥理論說明的是價層電子對的立體構(gòu)型（也可以叫VSEPR模型），而分子的立體構(gòu)型是指成鍵電子對的立體構(gòu)型，不包括孤電子對。（2）孤電子對數(shù)的計算公式： （a-xb）/2 2.常見物質(zhì)的雜化類型和立體模型化學(xué)式孤電子對數(shù)鍵電子對數(shù)價層電子對數(shù)VSEPR模型名稱分子或離子的立體模型名稱中心原子的雜化類型CO2ClO-HCN乙炔 / / / /H2OH2SSO2BF3SO3CO32-NO3-HCHONH3NCl3H3O+SO32-ClO3-CH4NH4+其實,任何一門學(xué)科都離不開死記硬背,關(guān)鍵是記憶有技巧,“死記”之后會“活用”。不記住那些基礎(chǔ)知識,怎么會向高層次進軍?尤其是語文學(xué)科涉獵的范圍很廣,要真正提高學(xué)生的寫作水平,單靠分析文章的寫作技巧是遠遠不夠的,必須從基礎(chǔ)知識抓起,每天擠一點時間讓學(xué)生“死記”名篇佳句、名言警句,以及豐富的詞語、新穎的材料等。這樣,就會在有限的時間、空間里給學(xué)生的腦海里注入無限的內(nèi)容。日積月累,積少成多,從而收到水滴石穿,繩鋸木斷的功效。SO42-PO43-金剛石/石墨/CH2=CH2/C6H6/CH3COOH/*等電子體原子結(jié)構(gòu)相似，如CO2是直線形分子，CNS- 、NO2+、N3-與CO2是等電子體，所以分子結(jié)構(gòu)均為直線形，中心原子均采用sp雜化?！倦y點二 分類比較晶體的熔沸點】晶體類型物質(zhì)類別及舉例晶體的熔、沸點比較及舉例分子晶體所有的非金屬氫化物（如水、硫化氫）、部分非金屬單質(zhì)（如鹵素X2）、部分非金屬氧化物（如CO2、SO2）、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)的有機物（有機鹽除外）（1） 分子間作用力越大，物質(zhì)的熔沸點越高；具有氫鍵的分子晶體，熔沸點異常地高（試比較H2O、H2S、H2Se和H2Te的熔沸點高低并說明原因） 語文課本中的文章都是精選的比較優(yōu)秀的文章,還有不少名家名篇。如果有選擇循序漸進地讓學(xué)生背誦一些優(yōu)秀篇目、精彩段落,對提高學(xué)生的水平會大有裨益?，F(xiàn)在,不少語文教師在分析課文時,把文章解體的支離破碎,總在文章的技巧方面下功夫。結(jié)果教師費勁,學(xué)生頭疼。分析完之后,學(xué)生收效甚微,沒過幾天便忘的一干二凈。造成這種事倍功半的尷尬局面的關(guān)鍵就是對文章讀的不熟。常言道“書讀百遍,其義自見”,如果有目的、有計劃地引導(dǎo)學(xué)生反復(fù)閱讀課文,或細讀、默讀、跳讀,或聽讀、范讀、輪讀、分角色朗讀,學(xué)生便可以在讀中自然領(lǐng)悟文章的思想內(nèi)容和寫作技巧,可以在讀中自然加強語感,增強語言的感受力。久而久之,這種思想內(nèi)容、寫作技巧和語感就會自然滲透到學(xué)生的語言意識之中,就會在寫作中自覺不自覺地加以運用、創(chuàng)造和發(fā)展。 （2）（3） 要練說，得練聽。聽是說的前提，聽得準確，才有條件正確模仿，才能不斷地掌握高一級水平的語言。我在教學(xué)中，注意聽說結(jié)合，訓(xùn)練幼兒聽的能力，課堂上，我特別重視教師的語言，我對幼兒說話，注意聲音清楚，高低起伏，抑揚有致，富有吸引力，這樣能引起幼兒的注意。當我發(fā)現(xiàn)有的幼兒不專心聽別人發(fā)言時，就隨時表揚那些靜聽的幼兒，或是讓他重復(fù)別人說過的內(nèi)容，抓住教育時機，要求他們專心聽，用心記。平時我還通過各種趣味活動，培養(yǎng)幼兒邊聽邊記，邊聽邊想，邊聽邊說的能力，如聽詞對詞，聽詞句說意思，聽句子辯正誤，聽故事講述故事，聽謎語猜謎底，聽智力故事，動腦筋，出主意，聽兒歌上句，接兒歌下句等，這樣幼兒學(xué)得生動活潑，輕松愉快，既訓(xùn)練了聽的能力，強化了記憶，又發(fā)展了思維，為說打下了基礎(chǔ)。組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔沸點越高，（試比較SnH4、CH4、SiH4和GeH4的熔沸點） （4） 組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對分子質(zhì)量接近），分子的極性越大，其熔沸點越 。如： （4）同分異構(gòu)體的芳香烴，其熔沸點的順序為：鄰間對位化合物原子晶體部分非金屬單質(zhì)（如金剛石、硅、晶體硼），部分非金屬化合物（如SiC、SiO2）由共價鍵形成的原子晶體中，原子的半徑小的鍵長短，鍵能大，晶體的熔沸點越高。（試比較金剛石、碳化硅、硅和石英的熔沸點高低） 離子晶體金屬氧化物（如NaCl）、強堿、絕大部分鹽一般來說，陰、陽離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，其離子晶體的熔沸點就越高。（試比較MgCl、NaCl、MgO和CsCl的熔沸點高低） 金屬晶體金屬單質(zhì)與合金（如Na、Al、Fe、青銅）一般來說，金屬半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強，金屬的熔沸點也就越高，如第A族的金屬熔沸點高低為： 【難點三 常見的晶體模型的考察】（強化記憶！）1. 原子晶體（金剛石與二氧化硅） (1) 金剛石晶體中，每個C與另外 個C形成共價鍵，C-C之間的夾角是 ，最小的環(huán)是 元環(huán)。含有1molC的金剛石中，形成的共價鍵有 mol。（2） SiO2晶體中，每個Si與 個O成鍵，每個O與 個Si成鍵，最小的環(huán)是 元環(huán)，在“硅氧”四面體中，處于中心的是 Si原子。*試比較金剛石和石墨的熔沸點高低？2. 離子晶體 （1）NaCl型：在晶體中，每個Na+同時吸引 個Cl-，每個Cl-同時吸引 個Na+,配位數(shù)為 。每個晶胞含 和Na+和 個Cl-；與Na+等距且最近的Na+有 個，與Cl-等距且最近的Cl-有 個。（2）CsCl型：在晶體中，每個Cs+同時吸引 個Cl-，每個Cl-同時吸引 個Cs+,配位數(shù)為 。每個晶胞含 和Cs+和 個Cl-；與Cs+等距且最近的Cs+有 個，與Cl-等距且最近的Cl-有 個。（3）CaF2型：在晶體中，每個Ca+同時吸引 個F-，配位數(shù)為 ，每個F-同時吸引 個Ca+,配位數(shù)為 。每個晶胞含 和Ca+和 個F-；與Ca+等距且最近的Ca+有 個，與F-等距且最近的F-有 個。3.金屬晶體簡單立方堆積-Po：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個晶胞含 個原子。體心立方堆積-K型（Na、K、Fe）：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個晶胞含 個原子。六方最密堆積-Mg型（Mg、Zn、Ti）：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個晶胞含 個原子。面心立方堆積-Cu型（Cu、Ag、Au）：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個晶胞含 個原子。二、 典例分析【例題一 高考選修三基本題型】鈣鈦礦晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示（1）該晶體結(jié)構(gòu)中氧、鈦、鈣的離子個數(shù)比是 ，化學(xué)式可表示為 （2）在該物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中，每個鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子、鈣離子各有 、 個（3）若鈣、鈦、氧三元素的相對原子質(zhì)量分別為a，b，c，晶體結(jié)構(gòu)圖中正方體邊長(鈦原子之間的距離)為dnm（1nm=10-9m），則該晶體的密度為 g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）【提升訓(xùn)練】氮化硼（BN）是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到BF3和BN，如下圖所示請回答下列問題：（1）由B2O3制備BN的化學(xué)方程式是 （2）基態(tài)B原子的電子排布式為 ；B和N相比，電負性較大的是 ，BN中B元素的化合價為 （3）在BF3分子中，F(xiàn)-B-F的鍵角是 ， B原子的雜化軌道類型為 ，BF3和過量NaF作用可生成NaBF4，BF- 4的立體構(gòu)型為 （4）在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為 ，層間作用力為 （5） 六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，其結(jié)構(gòu)與金剛石相似，硬度與金剛石相當，晶胞邊長為361.5 pm，立方氮化硼的一個晶胞中含有 個氮原子、 個硼原子，立方氮化硼的密度是 gcm-3（只要求列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA，上圖為金剛石晶胞）【例題二 考察常見晶體的基本知識點】(2019全國卷37)化學(xué)選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)碳及其化合物廣泛存在于自然界中?；卮鹣铝袉栴}:(1)處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描述。在基態(tài)14C原子中,核外存在對自旋相反的電子。(2)碳在形成化合物時,其鍵型以共價鍵為主,原因是 。(3)CS2分子中,共價鍵的類型有,C原子的雜化軌道類型是,寫出兩個與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。(4)CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5,該化合物的熔點為253 K,沸點為376 K,其固體屬于晶體。(5)碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示:在石墨烯晶體中,每個C原子連接個六元環(huán),每個六元環(huán)占有個C原子。在金剛石晶體中,C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán),每個C原子連接個六元環(huán),六元環(huán)中最多有個C原子在同一平面?！纠}三 陌生晶胞與元素推斷】 前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A，B，C，D中，A和B的價電子層中未成對電子均只有1個，平且A-和B+的電子相差為8；與B位于同一周期的C和D，它們價電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)相差為2回答下列問題：（1）D2+的價層電子排布圖為 （2）四種元素中第一電離最小的是 ，電負性最大的是 （填元素符號）（3）A、B和D三種元素組成的一個化合物的晶胞如圖所示該化合物的化學(xué)式為 ；D的配位數(shù)為 列式計算該晶體的密度 gcm-3（4）A-、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6，其中化學(xué)鍵的類型有 ；該化合物中存在一個復(fù)雜離子，該離子的化學(xué)式為 ，配位體是 【變式訓(xùn)練】（1）某晶體的部分結(jié)構(gòu)為正三棱柱，這種晶體中A、B、C三種微粒數(shù)目之比為（ ）A.394 B.142 C.294 D.384（2）前些年報道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。如圖所示是該化合物的晶體結(jié)構(gòu)單元：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有1個鎂原子，6個硼原子位于棱柱內(nèi)。則該化合物的化學(xué)式可表示為（ ）A.MgB B.MgB2 C.Mg2B D.Mg3B2【例題四】有關(guān)晶胞的計算題專練*【原子坐標參數(shù)類考題】1.晶胞有兩個基本要素：原子坐標參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標參數(shù)A為（0,0,0）；B為（，0，）；C為（，0）。則D原子的坐標參數(shù)為_。晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm，其密度為_gcm-3（列出計算式即可）。(；)；?！揪О芏阮悺?.M是第四周期元素，最外層只有1個電子，次外層的所有原子軌道均充滿電子。元素Y的負一價離子的最外層電子數(shù)與次外層的相同，M與Y形成的一種化合物的立方晶胞如圖所示。該化合物的化學(xué)式為_，已知晶胞參數(shù)a=0.542 nm，此晶體的密度為_gcm3。（寫出計算式，不要求計算結(jié)果。阿伏加德羅常數(shù)為NA）CuCl 2.A、B為前三周期原子序數(shù)依次增大的兩種元素,A2-和B+具有相同的電子構(gòu)型。A和B能夠形成化合物F,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)a=0.566 nm,F的化學(xué)式為;晶胞中A原子的配位數(shù)為;列式計算晶體F的密度(gcm-3) ?！窘獯稹扛鶕?jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知氧原子的個數(shù)=8+6=4,Na全部在晶胞中,共計是8個,則F的化學(xué)式為Na2O。以頂點氧原子為中心,與氧原子距離最近的鈉原子的個數(shù)是8個,即晶胞中A原子的配位數(shù)為8。晶體F的密度=2.27 gcm-3。3.ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為 gcm-3（列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列式表示）【與長度相關(guān)的晶胞計算題】1.某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_。若合金的密度為dg/cm3，晶胞參數(shù)a=_nm3:12. MgO 具有 NaCl 型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X 射線衍射實驗測得 MgO 的晶胞參數(shù)為 a=0.420nm，則 r(O 2- )為_nm。MnO 也屬于 NaCl 型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為 a =0.448 nm，則 r(Mn 2+ )為_nm。0.148 0.0763.晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu)，邊長為，晶胞中、分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示，與間的最短距離為_，與緊鄰的個數(shù)為_?！窘馕觥?最近的K和O是晶胞中頂點的K和面心的O，其距離為邊長的/2倍。故。從晶胞中可以看出，在一個晶胞中與頂點K緊鄰的O為含有該頂點的三個面面心的O，即為個。由于一個頂點的K被八個晶胞共用，故與一個K緊鄰的O有：（個）。4.MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實驗測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420nm，則r（O2）為 nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a=0.448nm，則r（Mn2+）為 nm。（只用列出計算式）【解析】因為O2是面心立方最密堆積方式，面對角線是O2半徑的4倍，即4r=a，解得r=(/4) 0.420nm；MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)，Mn2+構(gòu)成的是體心立方堆積，體對角線是Mn2+半徑的4倍，面上相鄰的兩個Mn2+距離是此晶胞的一半，因此有(/4) (/2) 0.448nm。【答案】(/4) 0.420 (/4) (/2) 0.448【百分率相關(guān)計算】1.GaAs的熔點為1238，密度為gcm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_,Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1 和MAs gmol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_。原子晶體；共價鍵；。三、 針對練習(xí)（課后作業(yè)）1.在下列有關(guān)晶體的敘述中錯誤的是（ ）A.分子晶體中，一定存在極性共價鍵B.原子晶體中，只存在共價鍵C.金屬晶體的熔沸點差別很大D.稀有氣體的原子能形成分子晶體2.下列有關(guān)晶體結(jié)構(gòu)的敘述中，不正確的是（ ）A.冰晶體中，每個水分子與周圍最近的4個水分子通過氫鍵相吸引，并形成四面體B.干冰晶體中，每個晶胞平均含有8個氧原子C.金剛石晶體中，碳原子與C-C鍵之比為12D.二氧化硅晶體中，最小環(huán)是由6個硅原子組成的六元環(huán)3.下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是（ ）A.熔點：NaFMgF2AlF3B.晶格能：NaFNaClNaBrC.陰離子的配位數(shù)：CsClNaClCaF2D.硬度：MgOCaOBaO4.有關(guān)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和組成如圖所示，下列說法中不正確的是（ ）A.在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體B.該氣態(tài)團簇分子的分子式為EF或FEC.在CO2 晶體中，一個CO2 分子周圍有12個CO2 分子緊鄰D.在碘晶體中，碘分子的排列有兩種不同的方向5.下圖為CaF2、H3BO3（層狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵結(jié)合）、金屬銅三種晶體的結(jié)構(gòu)示意圖，請回答下列問題： （1）圖所示的CaF2晶體中與Ca2+最近且等距離的F-數(shù)為 ，圖中未標號的銅原子形成晶體后周圍最緊鄰的銅原子數(shù)為 （2）圖所示的物質(zhì)結(jié)構(gòu)中最外能層已達8電子結(jié)構(gòu)的原子是 ，H3BO3晶體中B原子個數(shù)與極性鍵個數(shù)比為 （3）金屬銅具有很好的延展性、導(dǎo)電性、傳熱性，對此現(xiàn)象最簡單的解釋是用 理論（4）三種晶體中熔點最低的是 （填化學(xué)式），其晶體受熱熔化時，克服的微粒之間的相互作用為 （5）已知兩個距離最近的Ca2+核間距離為a10-8cm，結(jié)合CaF2晶體的晶胞示意圖，CaF2晶體的密度為 （列出表達式，MCaF2= 78 gmol-1）6.VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 （2）O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為 （3）Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 （4）H2Se的酸性比H2S （填“強”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 ，SO2- 3離子的立體構(gòu)型為 （5）H2SeO3的K1和K2分別為2.710-3和2.510-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.210-2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因 H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因 （6） ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為 gcm-3（列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列式表示）7.（2019新課標三卷）37化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式_。（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_As，第一電離能Ga_As。（填“大于”或“小于”）（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為_，其中As的雜化軌道類型為_。（4）GaF3的熔點高于1000，GaCl3的熔點為77.9，其原因是_。（5）GaAs的熔點為1238，密度為gcm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_,Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1 和MAs gmol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_。【高考真題檢測】（定時完成+自我評分）1.（2019全國卷）化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）研究發(fā)現(xiàn)，在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)（CO2+3H2=CH3OH+H2O）中，Co氧化物負載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應(yīng)用前景。回答下列問題：（1）Co基態(tài)原子核外電子排布式為_。元素Mn與O中，第一電離能較大的是_，基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是_。（2）CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為_和_。（3）在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的4種物質(zhì)中，沸點從高到低的順序為_，原因是_。（4）硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料，Mn(NO3)2中的化學(xué)鍵除了鍵外，還存在_。（5）MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實驗測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420 nm，則r(O2-)為_nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a =0.448 nm，則r(Mn2+)為_nm?！敬鸢浮浚?）1s22s22p63s23p63d74s2或Ar3d74s2 O Mn（2）sp sp3（3）H2OCH3OHCO2H2H2O與CH3OH均為極性分子，H2O中氫鍵比甲醇多；CO2與H2均為非極性分子，CO2分子量較大、范德華力較大（4）離子鍵和鍵（或鍵） （5）0.148 0.0762.（2019全國卷）化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：（1）元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對應(yīng)的輻射波長為_nm（填標號）。A404.4B553.5 C589.2D670.8 E766.5（2）基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號是_，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為_。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點、沸點等都比金屬Cr低，原因是_。（3）X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在離子。離子的幾何構(gòu)型為_，中心原子的雜化形式為_。（4）KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu)，邊長為a=0.446 nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。K與O間的最短距離為_nm，與K緊鄰的O個數(shù)為_。（5）在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則K處于_位置，O處于_位置。3.（2019全國卷）化學(xué)選修