整理)常用電子元器件命名(總11頁

1、常用電子元器件型號命名法一電阻器1 電阻器型號命名方法表1電阻器型號命名方法第一部分：主稱第二部分：材料第三部分：特征分類第四部分：序號符號意義符號意義符號意義電阻器電位器R電阻器T碳膜1普通普通對主稱、材料相同，僅性能指標、尺寸大小有差別，但基本不影響互換使用的產(chǎn)品，給予同一序號；若性能指標、尺寸大小明顯影響互換時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)別代號。W電位器H合成膜2普通普通S有機實芯3超高頻N無機實芯4高阻J金屬膜5高溫Y氧化膜6C沉積膜7精密精密I玻璃釉膜8高壓特殊函數(shù)P硼碳膜9特殊特殊U硅碳膜G高功率X線繞T可調(diào)M壓敏W微調(diào)G光敏D多圈R熱敏B溫度補償用C溫度測量用P旁熱式W穩(wěn)壓式Z

2、正溫度系數(shù)示例：(1) 精密金屬膜電阻器RJ7 3 第四部分：序號 第三部分：類別（精密） 第二部分：材料（金屬膜） 第一部分：主稱（電阻器） (2) 多圈線繞電位器WXD3 第四部分：序號 第三部分：類別（多圈） 第二部分：材料（線繞） 第一部分：主稱（電位器） 2電阻器的標志內(nèi)容及方法(1) 文字符號直標法：用阿拉伯數(shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，額定功率、允許誤差等級等。符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值，其文字符號所表示的單位如表5所示。如1R5表示1.5W，2K7表示2.7kW，表文字符號RKMGT表示單位歐姆(W)千歐姆(10

3、3W)兆歐姆(106W)千兆歐姆(109W)兆兆歐姆(1012W)例如：RJ710.1255k1II 允許誤差10% 標稱阻值(5.1kW) 額定功率1/8W 型號由標號可知，它是精密金屬膜電阻器，額定功率為1/8W，標稱阻值為5.1kW，允許誤差為10%。(2) 色標法：色標法是將電阻器的類別及主要技術(shù)參數(shù)的數(shù)值用顏色（色環(huán)或色點）標注在它的外表面上。色標電阻（色環(huán)電阻）器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標法。其含義如圖1和圖2所示。 標稱值第一位有效數(shù)字 標稱值第二位有效數(shù)字 標稱值有效數(shù)字后0的個數(shù) 允許誤差顏 色第一位有效值第二位有效值倍 率允 許 偏 差黑00棕11紅22橙33黃44綠55

4、藍66紫77灰88白9920% +50%金5%銀10%無色20%圖1 兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱電阻值（允許誤差均為20%）。例如，色環(huán)為棕黑紅，表示101021.0kW20%的電阻器。四色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱值（二位有效數(shù)字）及精度。例如，色環(huán)為棕綠橙金表示1510315kW5%的電阻器。五色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱值（三位有效數(shù)字）及精度。例如，色環(huán)為紅紫綠黃棕表示2751042.75MW1%的電阻器。一般四色環(huán)和五色環(huán)電阻器表示允許誤差的色環(huán)的特點是該環(huán)離其它環(huán)的距離較遠。較標準的表示應是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的（1.52）倍。有些色環(huán)電阻器由于廠

5、家生產(chǎn)不規(guī)范，無法用上面的特征判斷，這時只能借助萬用表判斷。 標稱值第一位有效數(shù)字 標稱值第二位有效數(shù)字 標稱值第三位有效數(shù)字 標稱值有效數(shù)字后0的個數(shù) 允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍 率允許偏差黑000棕1111%紅2222%橙333黃444綠5550.5%藍6660.25紫7770.1%灰888白999金銀 圖2 三位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法 二電容器 1電容器型號命名法表6電容器型號命名法第一部分：主稱第二部分：材料第三部分：特征、分類第四部分：序號符號意義符號意義符號意義瓷介云母玻璃電解其他電容器C瓷介1（1）環(huán)境的使用價值。環(huán)境的使用價值（UV）又稱有用性價值，是

6、指環(huán)境資源被生產(chǎn)者或消費者使用時，滿足人們某種需要或偏好所表現(xiàn)出的價值，又分為直接使用價值、間接使用價值和選擇價值。圓片（2）是否符合國家產(chǎn)業(yè)政策和清潔生產(chǎn)標準或要求。非密封（1）報送審批綜合性規(guī)劃草案和專項規(guī)劃中的指導性規(guī)劃草案時，將環(huán)境影響篇章或者說明一并報送。箔式第五章環(huán)境影響評價與安全預評價非密封對主稱、材料相同，僅尺寸、性能指標略有不同，但基本不影響互使用的產(chǎn)品，給予同一序號；若尺寸性能指標的差別明顯；影響互換使用時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)別代號。答疑編號502334050102Y云母2（二）規(guī)劃環(huán)境影響評價的技術(shù)依據(jù)和基本內(nèi)容管形大綱要求非密封對于安全預評價的內(nèi)容，要注意安全

7、預評價的目的、時間，安全預評價報告的內(nèi)容等知識點。箔式（1）資質(zhì)等級。評價機構(gòu)的環(huán)評資質(zhì)分為甲、乙兩個等級。環(huán)評證書在全國范圍內(nèi)使用，有效期為4年。非密封I玻璃釉3迭片密封燒結(jié)粉固體密封O玻璃膜4獨石密封燒結(jié)粉固體密封Z紙介5穿心穿心J金屬化紙6支柱B聚苯乙烯7無極性L滌綸8高壓高壓高壓Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸脂J金屬膜H復合介質(zhì)W微調(diào)D鋁A鉭N鈮G合金T鈦E其他示例：(1) 鋁電解電容器CD11 第四部分：序號 第三部分：特征分類（箔式） 第二部分：材料（鋁） 第一部分：主稱（電容器）(2) 圓片形瓷介電容器CC11 第四部分：序號 第三部分：特征分類（圓片） 第二部分：材料（瓷介質(zhì)） 第一

8、部分：主稱（電容器）(3)紙介金屬膜電容器CZJX 第四部分：序號 第三部分：特征分類（金屬膜） 第二部分：材料（紙介） 第一部分：主稱（電容器） 2電容器的標志方法(1) 直標法容量單位：F（法拉）、mF（微法）、nF（納法）、pF（皮法或微微法）。 1法拉=微法=微微法， 1微法=納法=微微法 1納法=微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22mF，51 表示51pF。 有時用大于1的兩位以上的數(shù)字表示單位為pF的電容，例如101表示100 pF；用小于1的數(shù)字表示單位為mF 的電容，例如0.1表示0.1mF。 (2) 數(shù)碼表示法一般用三位數(shù)字來表示容量的大小

9、，單位為pF。前兩位為有效數(shù)字，后一位表示位率。即乘以10i，i為第三位數(shù)字，若第三位數(shù)字9，則乘10-1。如223J代表22103pF22000pF0.22mF，允許誤差為5%；又如479K代表4710-1pF，允許誤差為5%的電容。這種表示方法最為常見。 （3）色碼表示法這種表示法與電阻器的色環(huán)表示法類似，顏色涂于電容器的一端或從頂端向引線排列。色碼一般只有三種顏色，前兩環(huán)為有效數(shù)字，第三環(huán)為位率，單位為pF。有時色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個紅色環(huán)涂成一個寬的，表示22000pF。三電感器 1電感器的分類常用的電感器有固定電感器、微調(diào)電感器、色碼電感器等。變壓器、阻流圈、振蕩線圈、偏轉(zhuǎn)線圈、天

10、線線圈、中周、繼電器以及延遲線和磁頭等，都屬電感器種類。 2電感器電感量的標志方法(1) 直標法。單位H（亨利）、mH（毫亨）、mH（微亨）、(2) 數(shù)碼表示法。方法與電容器的表示方法相同。(2) 色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標法相似，色碼一般有四種顏色，前兩種顏色為有效數(shù)字，第三種顏色為倍率，單位為mH，第四種顏色是誤差位。四半導體分立器件 1半導體分立器件的命名方法 （1） 我國半導體分立器件的命名法表9國產(chǎn)半導體分立器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件電極的數(shù)目用漢語拼音字母表示器件的材料和極性用漢語拼音字母表示器件的類型用數(shù)字表示器件序號用漢語拼

11、音表示規(guī)格的區(qū)別代號符號意義符號意義符號意義符號意義23二極管三極管ABCDABCDE N型，鍺材料P型，鍺材料N型，硅材料P型，硅材料PNP型，鍺材料NPN型，鍺材料PNP型，硅材料NPN型，硅材料化合物材料PVWCZLSNUKXG普通管微波管穩(wěn)壓管參量管整流管整流堆隧道管阻尼管光電器件開關(guān)管低頻小功率管（3MHz,PC1W）高頻小功率管（3MHzPC1W）DATYBJCSBTFHPINJG低頻大功率管（3MHz,PC1W)高頻大功率管（3MHzPC1W）半導體閘流管(可控硅整流器)體效應器件雪崩管階躍恢復管場效應器件半導體特殊器件復合管PIN型管激光器件例：1) 鍺材料PNP型低頻大功率三

12、極管： 2) 硅材料NPN型高頻小功率三極管： 3AD50C 3DG 201 B 規(guī)格號 規(guī)格號 序號 序號 低頻大功率 低頻大功率 PNP型、鍺材料 PNP型、鍺材料 三極管 三極管 3) N型硅材料穩(wěn)壓二極管：4) 單結(jié)晶體管： 2CW51 BT3 3 E 序號 規(guī)格號 穩(wěn)壓管 耗散功率 N型、硅材料 三個電極 二極管 特種管 半導體 （2）國際電子聯(lián)合會半導體器件命名法表10 國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使用的材料用字母表示類型及主要特性用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號用字母對同一型號者分檔符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義A鍺材料A檢波

13、、開關(guān)和混頻二極管M封閉磁路中的霍爾元件三位數(shù)字通用半導體器件的登記序號（同一類型器件使用同一登記號）ABCDEL同一型號器件按某一參數(shù)進行分檔的標志B變?nèi)荻O管P光敏元件B硅材料C低頻小功率三極管Q發(fā)光器件D低頻大功率三極管R小功率可控硅C砷化鎵E隧道二極管S小功率開關(guān)管F高頻小功率三極管T大功率可控硅一個字母加兩位數(shù)字專用半導體器件的登記序號（同一類型器件使用同一登記號）D銻化銦G復合器件及其它器件U大功率開關(guān)管H磁敏二極管X倍增二極管R復合材料K開放磁路中的霍爾元件Y整流二極管L高頻大功率三極管Z穩(wěn)壓二極管即齊納二極管示例（命名）：AF239S AF239型某一參數(shù)的S檔 普通用登記序號

14、 高頻小功率三極管 鍺材料國際電子聯(lián)合會晶體管型號命名法的特點：1) 這種命名法被歐洲許多國家采用。因此，凡型號以兩個字母開頭，并且第一個字母是A，B，C，D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠家專利生產(chǎn)的產(chǎn)品。2) 第一個字母表示材料（A表示鍺管，B表示硅管），但不表示極性（NPN型或PNP型）。3) 第二個字母表示器件的類別和主要特點。如C表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。若記住了這些字母的意義，不查手冊也可以判斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。4) 第三部分表示登記順序號。三位數(shù)字者為通用品；一個字母

15、加兩位數(shù)字者為專用品，順序號相鄰的兩個型號的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185則為NPN型。5) 第四部分字母表示同一型號的某一參數(shù)（如hFE或NF）進行分檔。6) 型號中的符號均不反映器件的極性（指NPN或PNP）。極性的確定需查閱手冊或測量。 (3) 美國半導體器件型號命名法美國晶體管或其它半導體器件的型號命名法較混亂。這里介紹的是美國晶體管標準型號命名法，即美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）規(guī)定的晶體管分立器件型號的命名法。如表11所示。表11美國電子工業(yè)協(xié)會半導體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符號表示用途的類型用數(shù)字表示PN結(jié)的數(shù)目美國電子工業(yè)

16、協(xié)會(EIA)注冊標志美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)登記順序號用字母表示器件分檔符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義JAN或J軍用品1二極管N該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會注冊登記多位數(shù)字該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號ABCDL同一型號的不同檔別2三極管無非軍用品3三個PN結(jié)器件nn個PN結(jié)器件例：1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N2904 1N4001 EIA登記序號 EIA登記序號 EIA注冊標志 EIA注冊標志 三極管 二極管 軍用品美國晶體管型號命名法的特點：1) 型號命名法規(guī)定較早，又未作過改進，型號內(nèi)容很不完備。例如，對于材料、極性、主要特性和類型，在型號中不能

17、反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號命名法命名。2) 組成型號的第一部分是前綴，第五部分是后綴，中間的三部分為型號的基本部分。3) 除去前綴以外，凡型號以1N、2N或3NLL開頭的晶體管分立器件，大都是美國制造的，或按美國專利在其它國家制造的產(chǎn)品。4) 第四部分數(shù)字只表示登記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN，高頻大功率管，而2N3465為N溝道場效應管。5) 不同廠家生產(chǎn)的性能基本一致的器件，都使用同一個登記號。同一型號中某些參數(shù)的差異常用后綴字母表示。因此，型號相同的器件可

18、以通用。6) 登記序號數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。 (4) 日本半導體器件型號命名法日本半導體分立器件（包括晶體管）或其它國家按日本專利生產(chǎn)的這類器件，都是按日本工業(yè)標準（JIS）規(guī)定的命名法（JISC702）命名的。日本半導體分立器件的型號，由五至七部分組成。通常只用到前五部分。前五部分符號及意義如表12所示。第六、七部分的符號及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六部分的符號表示特殊的用途及特性，其常用的符號有：M松下公司用來表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)隊參謀部有關(guān)標準登記的產(chǎn)品。N松下公司用來表示該器件符合日本廣播協(xié)會（NHK）有關(guān)標準的登記產(chǎn)品。Z松下公司用來表示專用通信用的可靠性高的器件。H

19、日立公司用來表示專為通信用的可靠性高的器件。K日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。T日立公司用來表示收發(fā)報機用的推薦產(chǎn)品。G東芝公司用來表示專為通信用的設備制造的器件。S三洋公司用來表示專為通信設備制造的器件。第七部分的符號，常被用來作為器件某個參數(shù)的分檔標志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作為直流放大系數(shù)hFE的分檔標志。表12日本半導體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示類型或有效電極數(shù)S表示日本電子工業(yè)協(xié)會（EIAJ）的注冊產(chǎn)品用字母表示器件的極性及類型用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號用字母表示

20、對原來型號的改進產(chǎn)品符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義0光電(即光敏)二極管、晶體管及其組合管S表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(EIAJ)注冊登記的半導體分立器件APNP型高頻管四位以上的數(shù)字從11開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會注冊登記的順序號，不同公司性能相同的器件可以使用同一順序號，其數(shù)字越大越是近期產(chǎn)品ABCDEFLL用字母表示對原來型號的改進產(chǎn)品BPNP型低頻管CNPN型高頻管DNPN型低頻管1二極管FP控制極可控硅2三極管、具有兩個以上PN結(jié)的其他晶體管GN控制極可控硅HN基極單結(jié)晶體管JP溝道場效應管KN溝道場效應管3LL具有四個有效電極或具有三個PN結(jié)的晶體管M雙向可控硅n-1具有

21、n個有效電極或具有n-1個PN結(jié)的晶體管示例： 1）2SC502A（日本收音機中常用的中頻放大管）2SC502A 2SC502型的改進產(chǎn)品 日本電子工業(yè)協(xié)會登記順序號 NPN型高頻三極管 日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品 三極管（兩個PN結(jié)） 2）2SA495（日本夏普公司GF9494收錄機用小功率管）2SA495 日本電子工業(yè)協(xié)會登記順序號 PNP高頻管 日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品 三極管（兩個PN結(jié)）日本半導體器件型號命名法有如下特點：1) 型號中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。2) 第二部分均為字母S，表示

22、日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品，而不表示材料和極性。3) 第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場效應三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4) 第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會（EIAJ）注冊登記的順序號，并不反映器件的性能，順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號能反映產(chǎn)品時間的先后。登記順序號的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。5) 第六、七兩部分的符號和意義各公司不完全相同。6) 日本有些半導體分立器件的外殼上標記的型號，常采用簡化標記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡化為D764，2SC502A簡化為C502A。7) 在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當高頻管用。8) 日本通常把Pcm1W的管子，稱做大功率管。 五模擬集成電路 1.模擬集成電路命名方法（國產(chǎn)）表23器件型號的組成第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示器件符合國家標準用字母表示器件的