靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告

1、泓域咨詢/靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告MACRO 泓域咨詢摘要說明濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。該靶材項目計劃總投資12838.91萬元，其中：固定資產(chǎn)投資10609.22萬元，占項目總投資的82.63%；流動資金2229.69萬元，占項目總投資的17.37%。達(dá)產(chǎn)年營業(yè)收入16878.00萬元，總成本費(fèi)用12921.62萬元，稅金及附加219.27萬元，利潤總額3

2、956.38萬元，利稅總額4721.36萬元，稅后凈利潤2967.28萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1754.08萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率30.82%，投資利稅率36.77%，投資回報率23.11%，全部投資回收期5.83年，提供就業(yè)職位279個。靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作

3、用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。報告內(nèi)容：總論、投資背景及必要性分析、產(chǎn)業(yè)分析預(yù)測、項目建設(shè)方案、選址評價、土建工程方案、工藝可行性、環(huán)境保護(hù)分析、項目安全管理、項目風(fēng)險評估、節(jié)能方案分析、項目實施進(jìn)度計劃、項目投資分析、經(jīng)濟(jì)評價、綜合評價結(jié)論等。規(guī)劃設(shè)計/投資分析/產(chǎn)業(yè)運(yùn)營靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告目錄第一章 總論第二章 投資背景及必要性分析第三章 產(chǎn)業(yè)分析預(yù)測第四章 項目建設(shè)方案第五章 選址評價第六章 土建工程方案第七章 工藝可行性第八章 環(huán)

4、境保護(hù)分析第九章 項目安全管理第十章 項目風(fēng)險評估第十一章 節(jié)能方案分析第十二章 項目實施進(jìn)度計劃第十三章 項目投資分析第十四章 經(jīng)濟(jì)評價第十五章 招標(biāo)方案第十六章 綜合評價結(jié)論第一章 總論一、項目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx科技公司（二）公司簡介經(jīng)過10余年的發(fā)展，公司擁有雄厚的技術(shù)實力，完善的加工制造手段，豐富的生產(chǎn)經(jīng)營管理經(jīng)驗和可靠的產(chǎn)品質(zhì)量保證體系，綜合實力進(jìn)一步增強(qiáng)。公司將繼續(xù)提升供應(yīng)鏈構(gòu)建與管理、新技術(shù)新工藝新材料應(yīng)用研發(fā)。集團(tuán)成立至今，始終堅持以人為本、質(zhì)量第一、自主創(chuàng)新、持續(xù)改進(jìn)，以技術(shù)領(lǐng)先求發(fā)展的方針。公司是按照現(xiàn)代企業(yè)制度建立的有限責(zé)任公司，公司最高機(jī)構(gòu)為股東大會，

5、日常經(jīng)營管理為總經(jīng)理負(fù)責(zé)制，企業(yè)設(shè)有技術(shù)、質(zhì)量、采購、銷售、客戶服務(wù)、生產(chǎn)、綜合管理、后勤及財務(wù)等部門，公司致力于為市場提供品質(zhì)優(yōu)良的項目產(chǎn)品，憑借強(qiáng)大的技術(shù)支持和全新服務(wù)理念，不斷為顧客提供系統(tǒng)的解決方案、優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和貼心的服務(wù)。公司注重建設(shè)、培養(yǎng)人才梯隊，與眾多高校建立了良好的校企合作關(guān)系，學(xué)校為企業(yè)輸入滿足不同崗位需求的技術(shù)人員，達(dá)到企業(yè)人才吸收、培養(yǎng)和校企互惠的效果。公司籌建了實習(xí)培訓(xùn)基地，幫助學(xué)校優(yōu)化教學(xué)科目，并從公司內(nèi)部選拔優(yōu)秀員工為學(xué)生授課，讓學(xué)生親身參與實踐工作。在此過程中，公司直接從實習(xí)基地選拔優(yōu)秀人才，為公司長期的業(yè)務(wù)發(fā)展輸送穩(wěn)定可靠的人才隊伍。公司的良好人才梯隊和人才優(yōu)勢

6、使得本次募投項目具備扎實的人力資源基礎(chǔ)。隨著公司近年來的快速發(fā)展，業(yè)務(wù)規(guī)模及人員規(guī)模迅速擴(kuò)張，企業(yè)規(guī)模將得到進(jìn)一步提升，產(chǎn)線的自動化，信息化水平將進(jìn)一步提升，這需要公司管理流程不斷調(diào)整改進(jìn)，公司管理團(tuán)隊管理水平不斷提升。公司將繼續(xù)堅持以客戶需求為導(dǎo)向，以產(chǎn)品開發(fā)與服務(wù)創(chuàng)新為根本，以持續(xù)研發(fā)投入為保障，以規(guī)范管理為基礎(chǔ)，繼續(xù)在細(xì)分領(lǐng)域內(nèi)穩(wěn)步發(fā)展，做大做強(qiáng)，不斷推出符合客戶需求的產(chǎn)品和服務(wù)，保持企業(yè)行業(yè)領(lǐng)先地位和較快速發(fā)展勢頭。（三）公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx集團(tuán)實現(xiàn)營業(yè)收入10099.15萬元，同比增長13.01%（1162.79萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)靶材生產(chǎn)及銷售收入為9354.22萬

7、元，占營業(yè)總收入的92.62%。根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額2868.95萬元，較去年同期相比增長414.23萬元，增長率16.88%；實現(xiàn)凈利潤2151.71萬元，較去年同期相比增長200.53萬元，增長率10.28%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元10099.15完成主營業(yè)務(wù)收入萬元9354.22主營業(yè)務(wù)收入占比92.62%營業(yè)收入增長率（同比）13.01%營業(yè)收入增長量（同比）萬元1162.79利潤總額萬元2868.95利潤總額增長率16.88%利潤總額增長量萬元414.23凈利潤萬元2151.71凈利潤增長率10.28%凈利潤增長量萬元200.53投資利潤率33.

8、90%投資回報率25.42%財務(wù)內(nèi)部收益率21.50%企業(yè)總資產(chǎn)萬元29901.61流動資產(chǎn)總額占比萬元32.89%流動資產(chǎn)總額萬元9834.04資產(chǎn)負(fù)債率48.06%二、項目概況（一）項目名稱靶材生產(chǎn)制造項目靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積

9、在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。（二）項目選址某某科技園（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積38445.88平方米（折合約57.64畝）。（四）項目用地控制指標(biāo)該工程規(guī)劃建筑系數(shù)71.25%，建筑容積率1.03，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率5.29%，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度184.06萬元/畝。（五）土建工程指標(biāo)項目凈用地面積38445.88平方米，建筑物基底占地面積27392.69平方米，總建筑面積39599.26平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程25410.61平方米，項目規(guī)劃綠化面積2096.63平方米。（六）設(shè)備選型方案項目計劃購置設(shè)備共計100臺（套），設(shè)備購置費(fèi)3418.

10、33萬元。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量919435.80千瓦時，折合113.00噸標(biāo)準(zhǔn)煤。2、項目年總用水量10846.26立方米，折合0.93噸標(biāo)準(zhǔn)煤。3、“靶材生產(chǎn)制造項目投資建設(shè)項目”，年用電量919435.80千瓦時，年總用水量10846.26立方米，項目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）113.93噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達(dá)產(chǎn)年綜合節(jié)能量46.53噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項目總節(jié)能率24.29%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護(hù)項目符合某某科技園發(fā)展規(guī)劃，符合某某科技園產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項目建設(shè)不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)

11、生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構(gòu)成項目預(yù)計總投資12838.91萬元，其中：固定資產(chǎn)投資10609.22萬元，占項目總投資的82.63%；流動資金2229.69萬元，占項目總投資的17.37%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)預(yù)期達(dá)產(chǎn)年營業(yè)收入16878.00萬元，總成本費(fèi)用12921.62萬元，稅金及附加219.27萬元，利潤總額3956.38萬元，利稅總額4721.36萬元，稅后凈利潤2967.28萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1754.08萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率30.82%，投資利稅率36.77%，投資回報率23.11%，全部投資回收期5.83年，

12、提供就業(yè)職位279個。（十二）進(jìn)度規(guī)劃本期工程項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。將整個項目分期、分段建設(shè)，進(jìn)行項目分解、工期目標(biāo)分解，按項目的適應(yīng)性安排施工，各主體工程的施工期叉開實施。三、項目評價1、本期工程項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某某科技園及某某科技園靶材行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項目的建設(shè)對促進(jìn)某某科技園靶材產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx集團(tuán)為適應(yīng)國內(nèi)外市場需求，擬建“靶材生產(chǎn)制造項目”，本期工程項目的建設(shè)能夠有力促進(jìn)某某科技園經(jīng)濟(jì)發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位279個，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1754.08萬元，可以促進(jìn)某某科技園區(qū)域經(jīng)濟(jì)的繁榮發(fā)展

13、和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項目達(dá)產(chǎn)年投資利潤率30.82%，投資利稅率36.77%，全部投資回報率23.11%，全部投資回收期5.83年，固定資產(chǎn)投資回收期5.83年（含建設(shè)期），項目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險能力。4、在我國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展中，制造業(yè)領(lǐng)域民營企業(yè)數(shù)量占比已達(dá)90%以上，民間投資的比重超過85%，成為推動制造業(yè)發(fā)展的重要力量。近年來，受多重因素影響，制造業(yè)民間投資增速明顯放緩，2015年首次低于10%，2016年繼續(xù)下滑至3.6%。黨中央、國務(wù)院高度重視民間投資工作，近年來部署出臺了一系列有針對性的政策措施并開展了專項督查，民間投資增速企穩(wěn)回升，今年1-1

14、0月，制造業(yè)民間投資增長4.1%，高于去年同期1.5個百分點(diǎn)。綜上所述，項目的建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟(jì)效益、社會效益還是環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。四、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米38445.8857.64畝1.1容積率1.031.2建筑系數(shù)71.25%1.3投資強(qiáng)度萬元/畝184.061.4基底面積平方米27392.691.5總建筑面積平方米39599.261.6綠化面積平方米2096.63綠化率5.29%2總投資萬元12838.912.1固定資產(chǎn)投資萬元10609.222.1.1土建工程投資萬元3024.872.1.1.1土建工程投資占比萬元23.5

15、6%2.1.2設(shè)備投資萬元3418.332.1.2.1設(shè)備投資占比26.62%2.1.3其它投資萬元4166.022.1.3.1其它投資占比32.45%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比82.63%2.2流動資金萬元2229.692.2.1流動資金占比17.37%3收入萬元16878.004總成本萬元12921.625利潤總額萬元3956.386凈利潤萬元2967.287所得稅萬元1.038增值稅萬元545.719稅金及附加萬元219.2710納稅總額萬元1754.0811利稅總額萬元4721.3612投資利潤率30.82%13投資利稅率36.77%14投資回報率23.11%15回收期年5.8316設(shè)

16、備數(shù)量臺（套）10017年用電量千瓦時919435.8018年用水量立方米10846.2619總能耗噸標(biāo)準(zhǔn)煤113.9320節(jié)能率24.29%21節(jié)能量噸標(biāo)準(zhǔn)煤46.5322員工數(shù)量人279第二章 投資背景及必要性分析一、靶材項目背景分析靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互

17、作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機(jī)的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁

18、性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。日本。就美國而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時間，亞洲的一些國家和地區(qū)，如臺灣.韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達(dá)到國外最頂尖的技術(shù)水平。2

19、010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計報告指出，全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內(nèi)持續(xù)增長，估計銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價值的特種電子材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲器以及光學(xué)鍍膜等產(chǎn)業(yè)上，用以濺射用于尖端技術(shù)的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材

20、來計算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統(tǒng)計資料，則是平均化后的結(jié)果。在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的

21、需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場，亦將帶動ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材，利用LIRF反應(yīng)濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導(dǎo)率高，薄膜的一致性好，與基板的附著

22、力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。在儲存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復(fù)無接觸擦寫的特點(diǎn)。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則

23、可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來說都是很重要的特征。二、靶材項目建設(shè)必要性分析濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要

24、求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。中國濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)，受益于國家戰(zhàn)略的支持，已經(jīng)開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發(fā)出一批高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場化條件。靶材全球市場預(yù)計16-19復(fù)合增速13%。2016年全球濺射靶材市場容量達(dá)113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長20%。預(yù)測2016-2019年均復(fù)合增長率達(dá)13%，到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元。2016年全球靶材市場的

25、下游結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占比10%、平板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場集中度高，日、美占據(jù)80%高端靶材市場。濺射靶材由于其高技術(shù)、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)?；a(chǎn)能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據(jù)全球約80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個環(huán)節(jié)，主導(dǎo)高端的半導(dǎo)體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)擅長磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域，原料多從國外進(jìn)口；中國靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，逐步切入以原料以進(jìn)口為主的全球主流半導(dǎo)體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預(yù)計20

26、18-2020年國內(nèi)顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國大陸從上世紀(jì)80年代開始進(jìn)入液晶顯示領(lǐng)域，在政府政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到1500億元，同比增長25.99%；2012-2016年國內(nèi)平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國內(nèi)LCD國產(chǎn)替代進(jìn)程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預(yù)計2018-2020年國內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在20-25%；對應(yīng)到國內(nèi)顯示靶材的需求也將相應(yīng)增加。靶材應(yīng)用的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導(dǎo)體增速有望超預(yù)期，17年國內(nèi)半導(dǎo)體增速24.81

27、%。半導(dǎo)體靶材性能要求位居各類應(yīng)用之首。半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達(dá)99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期增速21.62%，從下游需求結(jié)構(gòu)看，17年增長主要源于半導(dǎo)體的主要應(yīng)用是集成電路中的存儲器，增速達(dá)到61.49%，增量來源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒枨罂焖偬嵘?。?5年開始國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從臺灣向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢比較確定，國內(nèi)政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。

28、，至少帶動省市地方基金共4,651億元，拉動國內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長和海外并購。未來第二期基金計劃啟動，也將持續(xù)拉動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長。2011-2016全球半導(dǎo)體用靶材年復(fù)合增長率3.17%，預(yù)計2018-2020國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求增速在20%左右。國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)全球半導(dǎo)體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復(fù)合增長率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復(fù)合增長率為2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復(fù)合增長率為4.65%。2016年我國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模約14億元，年增速達(dá)20%。供給端，隨著國產(chǎn)濺射靶材技術(shù)成熟，尤其是國產(chǎn)濺射靶

29、材具備一定性價比優(yōu)勢，并且符合濺射靶材國產(chǎn)化的政策導(dǎo)向；需求端，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢已基本確立，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起將推動國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求的提升。預(yù)計2018-2020年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大，復(fù)合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽能用靶材增速保持20%以上。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間，2016年全球太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模23.4億美元，在全球靶材市場中占比約21%。2011-2016年全球太陽能靶材規(guī)模增速一直保持在20%以上。國內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速。2015國內(nèi)靶材需

30、求全球占比近25%，年速約20%；但國內(nèi)靶材企業(yè)市場份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國內(nèi)濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高，我國靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢明顯，靶材原料之一高純鋁的國內(nèi)進(jìn)出口量差距也在逐步縮小。隨著2019年國家進(jìn)口靶材免稅期結(jié)束，國內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢更加突出。預(yù)計2018-2020年國內(nèi)靶材需求將維持20%以上高速增長，市場份額有望進(jìn)一步擴(kuò)大。第三章 產(chǎn)業(yè)分析預(yù)測一、靶材行業(yè)分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。高純度濺射靶材主要應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PV

31、D）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動國內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力，帶動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級換代，我國制定了一系列靶材行業(yè)相關(guān)支持政策。靶材行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。靶材產(chǎn)業(yè)下游包括半導(dǎo)體、光伏電池、平板顯示器等等，其中，半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。其中，在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，

32、半導(dǎo)體芯片對靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領(lǐng)域。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導(dǎo)線工藝的應(yīng)用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主

33、要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商，靶材銷售額約占全球市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。目前，國內(nèi)靶材廠商主要聚焦在低端產(chǎn)品領(lǐng)域，在半導(dǎo)體、平板顯示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭全面競爭。但是，依靠國內(nèi)的巨大市場潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價格優(yōu)勢，它們已經(jīng)在國內(nèi)市場占有一定的市場份額，并逐步在個別細(xì)分領(lǐng)域搶占了部分國際大廠的市場空間。近年來，我國政府制定了

34、一系列產(chǎn)業(yè)政策，如863計劃、02專項基金等來加速濺射靶材供應(yīng)的本土化進(jìn)程，推動國產(chǎn)靶材在多個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從無到有的跨越。這些都從國家戰(zhàn)略高度扶植并推動著濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大。二、靶材市場分析預(yù)測超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成

35、，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強(qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺內(nèi)完成濺射過程，機(jī)臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因此，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價

36、格也最為昂貴；相較于半導(dǎo)體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機(jī)臺內(nèi)完成濺射過程，濺射機(jī)臺專用性強(qiáng)，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過高，則形成的薄膜無法達(dá)到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質(zhì)，需

37、要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經(jīng)過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮?dú)獾榷嘤鄽怏w；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細(xì)且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。

38、濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標(biāo)基板上而制成薄膜的過程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質(zhì)對下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺專用性強(qiáng)、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團(tuán)壟斷，主要設(shè)備提供商包括AMAT（美國）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國）等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。終端應(yīng)用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產(chǎn)品，包括汽車電子、智能手機(jī)、平板電腦、家用電器等終端消費(fèi)電

39、子產(chǎn)品。通常情況下，在半導(dǎo)體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進(jìn)行芯片封裝。封裝是指將電路用導(dǎo)線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護(hù)芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路造成腐蝕而損害導(dǎo)電性能。此外，終端應(yīng)用也包括制備太陽能電池、光學(xué)鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環(huán)節(jié)技術(shù)面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。全球范圍內(nèi)，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時開展金屬提純業(yè)務(wù)，將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領(lǐng)域；部分企業(yè)只擁有

40、濺射靶材生產(chǎn)能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應(yīng)。濺射靶材最高端的應(yīng)用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領(lǐng)域，這個領(lǐng)域只有美國和日本的少數(shù)公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關(guān)業(yè)務(wù)，是一個被跨國公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較多，但質(zhì)量參差不齊，美國、歐洲、日本、韓國等知名企業(yè)居于技術(shù)領(lǐng)先地位，品牌知名度高、市場影響力大，通常會將產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)展至下游應(yīng)用領(lǐng)域，利用技術(shù)先導(dǎo)優(yōu)勢和高端品牌迅速占領(lǐng)終端消費(fèi)市場，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應(yīng)用環(huán)節(jié)是整個產(chǎn)業(yè)鏈中規(guī)模最大的領(lǐng)域，其產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)分散在各個行業(yè)領(lǐng)域，同時，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動密

41、集性特點(diǎn)，參與企業(yè)數(shù)量最多，機(jī)器設(shè)備投資一般，主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等，并逐漸將生產(chǎn)工廠向人力成本低的國家和地區(qū)轉(zhuǎn)移。濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國、日本跨國集團(tuán)產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)在磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早，促使服務(wù)分工明確，可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務(wù)，將上游基礎(chǔ)材料和下游終端應(yīng)用對接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動上游濺射靶材的

42、產(chǎn)品開發(fā)和市場擴(kuò)展。但是上述地區(qū)的靶材服務(wù)廠商缺少核心技術(shù)及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術(shù)領(lǐng)域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進(jìn)口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴(kuò)展產(chǎn)能。從全球來看，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國大陸轉(zhuǎn)移趨勢愈演愈烈，中國正在迎來這一領(lǐng)域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應(yīng)用市場需求正在快速增長。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專業(yè)應(yīng)用性強(qiáng)，因此，長期以來全球濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以

43、霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球濺射靶材市場的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個應(yīng)用領(lǐng)域，牢牢把握著全球濺射靶材市場的主動權(quán)，并引領(lǐng)著全球濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存

44、在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領(lǐng)域，全球高純?yōu)R射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強(qiáng)的產(chǎn)品開發(fā)能力，研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球濺射靶材市場中占得一席之地。半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游工業(yè)對產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應(yīng)商時，供應(yīng)商資格認(rèn)證壁壘較高，且認(rèn)證周期較長。我國高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進(jìn)入國際市場，首先要通過部分國際組織和行業(yè)協(xié)會為高純?yōu)R

45、射靶材設(shè)置的行業(yè)性質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)，例如，應(yīng)用于汽車電子的半導(dǎo)體廠商普遍要求上游濺射靶材供應(yīng)商能夠通過ISO/TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證，應(yīng)用于電器設(shè)備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿足歐盟制定的RoHS強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)；其次，半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認(rèn)證體系，在高純?yōu)R射靶材供應(yīng)商滿足行業(yè)性質(zhì)量管理體系認(rèn)證的基礎(chǔ)上，下游客戶往往還會根據(jù)自身的質(zhì)量管理要求再對供應(yīng)商進(jìn)行合格供應(yīng)商認(rèn)證。認(rèn)證過程主要包括技術(shù)評審、產(chǎn)品報價、樣品檢測、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個階段，認(rèn)證過程相當(dāng)苛刻，從新產(chǎn)品開發(fā)到實現(xiàn)大批量供貨，整個過程一般需要2-3年時間。為了降低供應(yīng)商開發(fā)與維護(hù)

46、成本，保證產(chǎn)品質(zhì)量的持續(xù)性，濺射靶材供應(yīng)商在通過下游客戶的資格認(rèn)證后，下游客戶會與濺射靶材供應(yīng)商保持長期穩(wěn)定的合作關(guān)系，不會輕易更換供應(yīng)商，并在技術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商傾斜。近年來，受益于國家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國國內(nèi)開始出現(xiàn)不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，并成功開發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場化條件。通過將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國際化市場競爭，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場方面都取得了長足的進(jìn)步，改變了高純?yōu)R射靶材長期依賴進(jìn)口的不利局面。目前，包括長沙鑫康在

47、內(nèi)的一些國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，擁有了一定的市場知名度，獲得了全球知名客戶的認(rèn)可。第四章 項目建設(shè)方案一、產(chǎn)品規(guī)劃項目主要產(chǎn)品為靶材，根據(jù)市場情況，預(yù)計年產(chǎn)值16878.00萬元。通過以上分析表明，項目承辦單位所生產(chǎn)的項目產(chǎn)品市場風(fēng)險較低，具有較強(qiáng)的市場競爭力和廣闊的市場發(fā)展空間，因此，項目產(chǎn)品市場前景良好，投資項目建設(shè)具有良好的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益，其市場可拓展的空間巨大，倍增效應(yīng)顯著，具有較強(qiáng)的市場競爭力和廣闊的市場空間。進(jìn)入二十一世紀(jì)以來，隨著我國國民經(jīng)濟(jì)的快速持續(xù)發(fā)展，經(jīng)濟(jì)建設(shè)提出了走新型工業(yè)化發(fā)展道路的目標(biāo)，國家出臺并實施了加快經(jīng)濟(jì)發(fā)展的

48、一系列政策，對于相關(guān)行業(yè)來說，調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、提高管理水平、籌措發(fā)展資金、參與國際分工，都將起到積極的推動作用，尤其是隨著我國國民經(jīng)濟(jì)逐漸融入全球經(jīng)濟(jì)大循環(huán)，各行各業(yè)面臨市場國際化，相應(yīng)企業(yè)將面對極具技術(shù)優(yōu)勢、管理優(yōu)勢、品牌優(yōu)勢的競爭對手，市場份額將會形成新的分配格局。項目承辦單位計劃在項目建設(shè)地建設(shè)項目，具有得天獨(dú)厚的地理條件，與xx省同行業(yè)其他企業(yè)相比，擁有“立地條件好、經(jīng)營成本低、投資效益高、比較競爭力強(qiáng)”的優(yōu)勢，因此，發(fā)展相關(guān)產(chǎn)業(yè)前景廣闊。二、建設(shè)規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積38445.88平方米（折合約57.64畝），其中：凈用地面積38445.88平方米（紅線范圍折合約57.6

49、4畝）。項目規(guī)劃總建筑面積39599.26平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程25410.61平方米，計容建筑面積39599.26平方米；預(yù)計建筑工程投資3024.87萬元。（二）設(shè)備購置項目計劃購置設(shè)備共計100臺（套），設(shè)備購置費(fèi)3418.33萬元。（三）產(chǎn)能規(guī)模項目計劃總投資12838.91萬元；預(yù)計年實現(xiàn)營業(yè)收入16878.00萬元。第五章 選址評價一、項目選址原則對周圍環(huán)境不應(yīng)產(chǎn)生污染或?qū)χ車h(huán)境污染不超過國家有關(guān)法律和現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)的允許范圍，不會引起當(dāng)?shù)鼐用竦牟粷M，不會造成不良的社會影響。項目建設(shè)方案力求在滿足項目產(chǎn)品生產(chǎn)工藝、消防安全、環(huán)境保護(hù)衛(wèi)生等要求的前提下盡量合并建筑；充分利用自然空

50、間，堅決貫徹執(zhí)行“十分珍惜和合理利用土地”的基本國策，因地制宜合理布置。二、項目選址該項目選址位于某某科技園。三、建設(shè)條件分析項目承辦單位自成立以來始終堅持“自主創(chuàng)新、自主研發(fā)”的理念，始終把提升創(chuàng)新能力作為企業(yè)競爭的最重要手段，因此，積累了一定的項目產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢。項目承辦單位在項目產(chǎn)品開發(fā)、設(shè)計、制造、檢測等方面形成了一套完整的質(zhì)量保證和管理體系，通過了ISO9000質(zhì)量體系認(rèn)證，贏得了用戶的信賴和認(rèn)可。四、用地控制指標(biāo)根據(jù)測算，投資項目固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度完全符合國土資源部發(fā)布的工業(yè)項目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國土資發(fā)【2008】24號）中規(guī)定的產(chǎn)品制造行業(yè)固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度1259.00萬元/公頃的

51、規(guī)定；同時，滿足項目建設(shè)地確定的“固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度4500.00萬元/公頃”的具體要求。該項目均按照項目建設(shè)地建設(shè)用地規(guī)劃許可證及建設(shè)用地規(guī)劃設(shè)計要求進(jìn)行設(shè)計，同時，嚴(yán)格按照項目建設(shè)地建設(shè)規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點(diǎn)坐標(biāo)及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。投資項目占地稅收產(chǎn)出率符合國土資源部發(fā)布的工業(yè)項目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國土資發(fā)【2008】24號）中規(guī)定的產(chǎn)品制造行業(yè)占地稅收產(chǎn)出率150.00萬元/公頃的規(guī)定；同時，滿足項目建設(shè)地確定的“占地稅收產(chǎn)出率150.00萬元/公頃”的具體要求。五、地總體要求本期工程項目建設(shè)規(guī)劃建筑系數(shù)71.25%，建筑容積率1.03，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率5.29

52、%，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度184.06萬元/畝。土建工程投資一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米38445.8857.64畝2基底面積平方米27392.693建筑面積平方米39599.263024.87萬元4容積率1.035建筑系數(shù)71.25%6主體工程平方米25410.617綠化面積平方米2096.638綠化率5.29%9投資強(qiáng)度萬元/畝184.06六、節(jié)約用地措施投資項目建設(shè)認(rèn)真貫徹執(zhí)行專業(yè)化生產(chǎn)的原則，除了主要生產(chǎn)過程和關(guān)鍵工序由項目承辦單位實施外，其他附屬商品采取外協(xié)（外購）的方式，從而減少重復(fù)建設(shè)，節(jié)約了資金、能源和土地資源。投資項目依托項目建設(shè)地已有生活設(shè)施、公共設(shè)施、交通運(yùn)輸設(shè)施

53、，建設(shè)區(qū)域少建非生產(chǎn)性設(shè)施，因此，有利于節(jié)約土地資源和節(jié)省建設(shè)投資。七、總圖布置方案（一）平面布置總體設(shè)計原則同時考慮用地少、施工費(fèi)用節(jié)約等要求，沿圍墻、路邊和可利用場地種植花卉、樹木、草坪及常綠植物，改善和美化生產(chǎn)環(huán)境。（二）主要工程布置設(shè)計要求車間布置方案需要達(dá)到“物料流向最經(jīng)濟(jì)、操作控制最有利、檢測維修最方便”的要求。（三）綠化設(shè)計場區(qū)植物配置以本地區(qū)樹種為主，綠化設(shè)計的樹木花草配置應(yīng)依據(jù)項目建設(shè)區(qū)域的總體布置、豎向、道路及管線綜合布置等要求，并適合當(dāng)?shù)貧庀?、土壤、生態(tài)習(xí)性與防護(hù)性能，疏密適當(dāng)高低錯落，形成一定的層次感。場區(qū)綠化設(shè)計要達(dá)到“營造嚴(yán)謹(jǐn)開放的交流環(huán)境，催人奮進(jìn)的工作環(huán)境，舒適

54、宜人的休閑環(huán)境，和諧統(tǒng)一的生態(tài)環(huán)境”之目的。投資項目綠化的重點(diǎn)是場區(qū)周邊、辦公區(qū)及主要道路兩側(cè)的空地，美化的重點(diǎn)是辦公區(qū)，場區(qū)周邊以高大喬木為主，辦公區(qū)以綠色草坪、花壇為主，道路兩側(cè)以觀賞樹木、綠籬、草坪為主，適當(dāng)結(jié)合花壇和垂直綠化，起到環(huán)境保護(hù)與美觀的作用，創(chuàng)造一個“環(huán)境優(yōu)美、統(tǒng)一協(xié)調(diào)”的建筑空間。（四）輔助工程設(shè)計1、投資項目采用雨、污分流制排水系統(tǒng)，分別匯集后排入項目建設(shè)區(qū)不同污水管網(wǎng)。場內(nèi)供水采用生活供水系統(tǒng)、消防供水系統(tǒng)、生產(chǎn)補(bǔ)給水系統(tǒng)，消防供水系統(tǒng)在場區(qū)內(nèi)形成供水管網(wǎng)。2、投資項目水源來自場界外的項目建設(shè)地市政供水管網(wǎng)，項目建設(shè)區(qū)現(xiàn)有給、排水系統(tǒng)設(shè)施完備可以滿足投資項目使用要求。投

55、資項目水源來自場界外的項目建設(shè)地市政供水管網(wǎng)，項目建設(shè)區(qū)現(xiàn)有給、排水系統(tǒng)設(shè)施完備可以滿足投資項目使用要求。項目用水由項目建設(shè)地市政管網(wǎng)給水干管統(tǒng)一提供，供水管網(wǎng)水壓大于0.40Mpa可以滿足項目用水需求；進(jìn)廠總管徑選用DN300?L，各車間分管選用DN50?L-DN100?L，給水管道在場區(qū)內(nèi)形成完善的環(huán)狀給水管網(wǎng)，各單體用水從場區(qū)環(huán)網(wǎng)上分別接出支管，以滿足各單體的生產(chǎn)、生活、消防用水的需要；室外給水主管道采用PP-R給水管，消防管道采用熱鍍鋅鋼管。3、項目承辦單位采用高壓計度方式結(jié)算電費(fèi)，低壓回路裝有電度表，便于各車間成本核算；在10KV電源進(jìn)線處設(shè)置電能總計量；每路10KV出線柜均裝設(shè)有功

56、電度表和無功電度表。場區(qū)照明采用透露性強(qiáng)的高壓鈉燈和路燈專用燈具；各車間通道的上方裝設(shè)平時作為工作照明一部分的金屬鹵化物燈作為值班照明；各車間的工作照明分片集中控制；值班照明為常明燈，常年不斷電單獨(dú)控制；車間生活和辦公室等場所的照明均采用分散控制。4、場外運(yùn)輸主要為原材料的供給以及產(chǎn)品的外運(yùn)；產(chǎn)品的遠(yuǎn)距離運(yùn)輸由汽車或鐵路運(yùn)輸解決，項目建設(shè)地社會運(yùn)輸力量充足，可滿足投資項目場外遠(yuǎn)距離運(yùn)輸?shù)男枨?。場?nèi)運(yùn)輸主要為原材料的卸車進(jìn)庫；生產(chǎn)過程中原材料、半成品和成品的轉(zhuǎn)運(yùn)，以及成品的裝車外運(yùn)；場內(nèi)運(yùn)輸由裝載機(jī)、叉車及膠輪車承擔(dān)，其費(fèi)用記入主車間設(shè)備配套費(fèi)中，投資項目資源配置可滿足場內(nèi)運(yùn)輸?shù)男枨蟆?、車間采用傳統(tǒng)的熱水循環(huán)取暖形式，其他廠房及辦公室采用燃?xì)廨椛洳膳问?。有空調(diào)要求的辦公室和生活間夏季設(shè)置空調(diào)，空調(diào)溫度范圍要求為26.00-28.00，空調(diào)設(shè)備采用分體式空調(diào)控制器。冬季室內(nèi)采