集成電路制造相關(guān)術(shù)語

1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)3. ACCESS：一個(gè)EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng)6. Align mark(key)：對位標(biāo)記9. Ammonia氨10. Ammonium fluoride氟化銨11. Ammonium hydroxide氫氧化銨12. Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模擬的14. Angstrom15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH 16. AQL(Acceptance Qualit

2、y Level)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）18. Antimony(Sb)銻22. Arsine 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）25. Auto doping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?8. Benchmark：基準(zhǔn)30. Boat：擴(kuò)散用（石英）舟32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特

3、性的一個(gè)方形區(qū)域。36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。39. Compensation doping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。41. Computer-aided design（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。42. Conductivity type：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型

4、材料中多數(shù)載流子是空穴。43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。44. Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45. Correlation：相關(guān)性。46. Cp：工藝能力，詳見process capability。47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。48. Cycle time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。49. Damage：損傷。50. Defect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。51. Depletion implant：耗盡注入。一

5、種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）52. Depletion layer：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。 53. Depletion width：耗盡寬度。55. Depth of focus（DOF）：焦深。56. design of experiments (DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。58. developer：）顯影設(shè)備； ）顯影液59. diborane (B2H6)：乙硼烷，60. dichloromethan

6、e (CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。0 62. die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。63. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； 64. diffused layer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一種

7、無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。66. drive-in 68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。70. epitaxial layer：外延層。75. feature size：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。76. field-effect transistor（FET）：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端。

8、78. flat：平邊79. flatband capacitanse：平帶電容80. flatband voltage：平帶電壓81. flow coefficicent：流動(dòng)系數(shù)82. flow velocity：流速計(jì)83. flow volume：流量計(jì), 84. flux：單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)85. forbidden energy gap：禁帶86. four-point probe：四點(diǎn)探針臺(tái)87. functional area：功能區(qū)89. glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90. gowning：凈化服91. gray are

9、a：灰區(qū)92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀93. hard bake：后烘94. heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒! 97. host：主機(jī)98. hot carriers：熱載流子99. hydrophilic：親水性100. hydrophobic：疏水性10

10、1. impurity：雜質(zhì). 摻雜102. inductive coupled plasma(ICP)：感應(yīng)等離子體103. inert gas：惰性氣體104. initial oxide：一氧105. insulator：絕緣106. isolated line：隔離線109. junction : 結(jié)110. junction spiking n :鋁穿刺111. kerf :劃片槽113. lithography n 制版114. maintainability, equipment : 設(shè)備產(chǎn)能116. majority carrier n :多數(shù)載流子117. masks, de

11、vice series of n : 一成套光刻版118. material n :原料119. matrix n 1 :矩陣120. mean n : 平均值122. median n :中間值123. memory n : 記憶體125. nanometer (nm) n ：納米126. nanosecond (ns) n ：納秒127. nitride etch n ：氮化物刻蝕130. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻131. orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向132. overlap n ： 交迭區(qū)134. phosphorus (P)

12、n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版136. photomask, negative n：反刻137. images：去掉圖形區(qū)域的版138. photomask, positive n：正刻139. pilot n ：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝143. pn junction n：pn結(jié)144. pocked bead n：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145. polarization

13、n：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語146. polycide n：多晶硅 /金屬硅化物， 解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（5E19）的硅，能導(dǎo)電。148. polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象149. prober n :探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。150. process control n :過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 151. proximity X-ray n :近X射線：一種

14、光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。152. pure water n : 純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153. quantum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。154. quartz carrier n :石英舟。155. random access memory (RAM) n :隨機(jī)存儲(chǔ)器。156. random logic device n :隨機(jī)邏輯器件。157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。159. reactor n :反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔

15、離腔。 162. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。163. scheduled downtime n : (設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。164. Schottky barrier diodes n :肖特基二極管。165. scribe line n :劃片槽。166. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。169. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。170. sil

16、icon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片171. small scale integration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。172. source code:原代碼173. spectral line: 光譜線，光譜鑷制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。(176. stacking fault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。177. steam bath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其

17、他溫度熱源的暴光。178. step response time:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛 到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。179. stepper: 步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來曝光）180. stress test: 應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。, - 182. symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識。183. tack weld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。184. Tayl

18、or tray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185. temperature cycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186. testability:易測性，對于一個(gè)已給電路來說，哪些測試是適用它的。187. thermal deposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。189. titanium(Ti): 鈦。190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶

19、劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。194. tinning: 金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。196. watt(W): 瓦。能量單位。197. wafer flat: 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向

20、，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。203. window: 在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。205. vapor pressure: 當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。207. transition metals: 過渡金屬PAC感光化合物ASIC特殊應(yīng)用集成電路Solvent 溶劑: Carbide碳Refractive折射Expansion膨脹TM: top mental 頂層金屬層WEE 周邊曝光POD 裝晶舟和晶片的盒子Reticle 光罩Spin 旋轉(zhuǎn)A/D 軍 Analog.Digital, 模擬/數(shù)字AC

21、 Magnitude 交流幅度AC Phase 交流相位Accuracy 精度Activity ModelActivity Model 活動(dòng)模型Additive Process 加成工藝Adhesion 附著力Aggressor 干擾源Analog Source 模擬源AOI,Automated Optical Inspection 自動(dòng)光學(xué)檢查Assembly Variant 不同的裝配版本輸出Attributes 屬性AXI,Automated X-ray Inspection 自動(dòng)X光檢查BIST,Built-in Self Test 內(nèi)建的自測試Bus Route 總線布線Circui

22、t 電路基準(zhǔn). circuit diagram 電路圖Clementine 專用共形開線設(shè)計(jì)Cluster Placement 簇布局CM 合約制造商Common Impedance 共模阻抗Concurrent 并行設(shè)計(jì)Constant Source 恒壓源Cooper Pour 智能覆銅Crosstalk 串?dāng)_CVT,Component Verification and Tracking 元件確認(rèn)與跟蹤DC Magnitude 直流幅度Delays 延時(shí)Design for Testing 可測試性設(shè)計(jì)Designator 標(biāo)識DFC, Design for Cost 面向成本的設(shè)計(jì)DFM

23、, Design for Manufacturing 面向制造過程的設(shè)計(jì)DFR, Design for Reliability 面向可靠性的設(shè)計(jì)DFT, Design for Test 面向測試的設(shè)計(jì)DFX, Design for X 面向產(chǎn)品的整個(gè)生命周期或某個(gè)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)DSM, Dynamic Setup Management 動(dòng)態(tài)設(shè)定管理Dynamic Route 動(dòng)態(tài)布線EDIF,The Electronic Design Interchange Format 電子設(shè)計(jì)交互格式EIA,Electronic Industries Association 電子工業(yè)協(xié)會(huì)Electro Dyn

24、amic Check 動(dòng)態(tài)電性能分析Electromagnetic Disturbance 電磁干擾Electromagnetic Noise 電磁噪聲EMC, Elctromagnetic Compatibilt 電磁兼容EMI, Electromagnetic Interference 電磁干擾Emulation 硬件仿真Engineering Change Order 原理圖與PCB版圖的自動(dòng)對應(yīng)修改Ensemble 多層平面電磁場仿真ESD 靜電釋放Fall Time 下降時(shí)間False Clocking 假時(shí)鐘FEP 氟化乙丙烯FFT,Fast Fourier Transform 快

25、速傅里葉變換Float License 網(wǎng)絡(luò)浮動(dòng)Frequency Domain 頻域Gaussian Distribution 高斯分布Global flducial 板基準(zhǔn)Ground Bounce 地彈反射GUI, Graphical User Interface 圖形用戶界面Harmonica 射頻微波電路仿真HFSS 三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真IBIS, Input/Output Buffer Information Specification 模型ICAM, Integrated Computer Aided Manufacturing 在ECCE項(xiàng)目里就是指制作PCB$IEEE, T

26、he Institute of Electrical and Electronic Engineers 國際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)IGES, Initial Graphics Exchange Specification 三維立體幾何模型和工程描述的標(biāo)準(zhǔn)Image Fiducial 電路基準(zhǔn)Impedance 阻抗! In-Circuit-Test 在線測試Initial Voltage 初始電壓Input Rise Time 輸入躍升時(shí)間IPC,The Institute for Packaging and Interconnect 封裝與互連協(xié)會(huì)IPO,Interactive Process

27、 Optimizaton 交互過程優(yōu)化* ISO,The International Standards Organization 國際標(biāo)準(zhǔn)化組織Jumper 跳線Linear Design Suit 線性設(shè)計(jì)軟件包Local Fiducial 個(gè)別基準(zhǔn)manufacturing 制造業(yè)MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片組件MDE,Maxwell Design Environment Nonlinear Design Suit 非線性設(shè)計(jì)軟件包ODB+ Open Data Base 公開數(shù)據(jù)庫OEM 原設(shè)備制造商OLE Automation 目標(biāo)連接與嵌入On-line D

28、RC 在線設(shè)計(jì)規(guī)則檢查Optimetrics 優(yōu)化和參數(shù)掃描Overshoot 過沖Panel fiducial 板基準(zhǔn)PCB PC Board Layout Tools 電路板布局布線PCB, Printed Circuit Board 印制電路板Period 周期Periodic Pulse Source 周期脈沖源Physical Design Reuse 物理設(shè)計(jì)可重復(fù)PI,Power Integrity 電源完整性Piece-Wise-linear Source 分段線性源Preview 輸出預(yù)覽Pulse Width 脈沖寬度Pulsed Voltage 脈沖電壓Quiescent

29、 Line 靜態(tài)線Radial Array Placement 極坐標(biāo)方式的元件布局Reflection 反射Reuse 實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)重用Rise Time 上升時(shí) 間Rnging 振蕩,信號的振鈴Rounding 環(huán)繞振蕩 Rules Driven 規(guī)則驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)Sax Basic Engine 設(shè)計(jì)系統(tǒng)中嵌入SDE,Serenade Design EnvironmentSDT,Schematic Design Tools 電路原理設(shè)計(jì)工具Settling Time 建立時(shí)間Shape Base 以外形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線Shove 元器件的推擠布局SI,Signal Integrity 信號完整性

30、Simulation 軟件仿真Sketch 草圖法布線Skew 偏移Slew Rate 斜率SPC,Statictical Process Control 統(tǒng)計(jì)過程控制SPI,Signal-Power Integrity 將信號完整性和電源完整性集成于一體的分析工具SPICE,Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 集成電路模擬的仿真程序/ Split/Mixed Layer 多電源/地線的自動(dòng)分隔SSO 同步交換STEP,Standard for the Exchange of Product Model Data Sympho

31、ny 系統(tǒng)仿真Time domain 時(shí)域Timestep Setting 步進(jìn)時(shí)間設(shè)置. UHDL,VHSIC Hardware Description Language 硬件描述語言Undershoot 下沖Uniform Distribution 均勻分布Variant 派生VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架聯(lián)盟Victim 被干擾對象Virtual System Prototype 虛擬系統(tǒng)原型VST,Verfication and Simulation Tools 驗(yàn)證和仿真工具Wizard 智能建庫工具,向?qū)?. 專業(yè)術(shù)語術(shù)語 英文意義 中文解

32、釋LCD Liquid Crystal Display 液晶顯示LCM Liquid Crystal Module 液晶模塊TN Twisted Nematic 扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度STN Super Twisted Nematic 超級扭曲向列。約180270度扭曲向列FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超級扭曲向列。一層光程補(bǔ)償偏甲于STN，用于單色顯示TFT Thin Film Transistor 薄膜晶體管Backlight - 背光Inverter - 逆變器OSD On Screen Display 在屏上顯示DVI

33、 Digital Visual Interface （VGA）數(shù)字接口TMDS Transition Minimized Differential SingnalingLVDS Low Voltage Differential Signaling 低壓差分信號Panelink -TCP Tape Carrier Package 柔性線路板COB Chip On Board 通過綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上COF Chip On FPC 將IC固定于柔性線路板上COG Chip On Glass 將芯偏固定于玻璃上Duty - 占空比，高出點(diǎn)亮的閥值電壓的部分在一個(gè)周期中所占的比率EL El

34、extro Luminescence 電致發(fā)光。EL層由高分子量薄片構(gòu)成CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷陰極熒光燈PDP Plasma Display Panel 等離子顯示屏CRT Cathode Radial Tude 陰極射線管VGA Video Graphic Anay 視頻圖形陳列PCB Printed Circuit Board 印刷電路板Composite video - 復(fù)合視頻component video - 分量視頻S-video - S端子，與復(fù)合視頻信號比，將對比和顏色分離傳輸NTSC National

35、Television Systems Committee NTSC制式。全國電視系統(tǒng)委員會(huì)制式Phase Alrernating Line PAL制式（逐行倒相制式）SEquential Couleur Avec Memoire SECAM制式（順序與存儲(chǔ)彩色電視系統(tǒng)）Video On Demand 視頻點(diǎn)播DPI Dot Per Inch 點(diǎn)每英寸. 3. A.M.U 原子質(zhì)量數(shù)4. ADI After develop inspection顯影后檢視6. Alignment 排成一直線，對平7. Alloy 融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值8. ARC： anti-reflect

36、coating 防反射層10. ASI 光阻去除后檢查13. Beam-Current 電子束電流15. Break 中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)中途停止鍵20. Child lot 子批21. Chip (die) 晶粒23. Coater 光阻覆蓋（機(jī)臺(tái)）25. Contact Hole 接觸窗 26. Control Wafer 控片27. Critical layer 重要層29. Cycle time 生產(chǎn)周期32. Descum 預(yù)處理35. DG: dual gate 雙門38. Doping 摻雜39. Dose 劑量9 40. Downgrade 降級41. DRC: design rule check 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 靜電離子損傷53. FIB: focused ion beam 聚焦離子束55. Flatness 平