IGBT在電焊機中的應用

1、IGBT在逆變焊機中的應用和RT4的推廣u電焊機簡介電焊機簡介u逆變焊機中逆變焊機中 IGBT 應用特點應用特點uIGBT的主要參數(shù)選擇的主要參數(shù)選擇uRT4模塊介紹及優(yōu)勢模塊介紹及優(yōu)勢內(nèi)容簡介內(nèi)容簡介電焊機簡介電焊機簡介-分類分類按焊接機理分類：按焊接機理分類：電焊機簡介電焊機簡介-發(fā)展歷程發(fā)展歷程電焊機發(fā)展歷程：電焊機發(fā)展歷程：逆變直流電焊機發(fā)展歷程：逆變直流電焊機發(fā)展歷程：晶閘管式逆變焊機晶體管式逆變焊機場效應管式逆變焊機IGBT逆變焊機變壓器型電源晶閘管整流電源逆變直流電源電焊機簡介電焊機簡介-IGBT逆變焊機種類、型號和輸出特性逆變焊機種類、型號和輸出特性種種類類CO2氣體保護氣體保

2、護焊機（焊機（NBC系列）系列）手工電弧手工電弧焊（焊（ZX7系列）系列）鎢極氬弧鎢極氬弧焊（焊（WS系列）系列）脈沖鎢極氬弧脈沖鎢極氬弧焊（焊（WSM系系列）列）等離子切割等離子切割機（機（LGK系列）系列）埋弧焊（埋弧焊（MZ系列系列）型型號號20025035050063016020025031540050063014016020031540050020025031540040608010063080010001250種類和型號：種類和型號：IGBT 應用特點應用特點逆變焊機80A - 250A中大功率逆變焊機380V input小功率逆變焊機220V input600VDiscrete

3、IGBTMOSFET250A - 630A正激正激半橋半橋600V34mm600VDiscrete IGBTMOSFET1200V IGBT34mm62mm半橋半橋全橋全橋全橋全橋IGBT的應用特點的應用特點- 在焊機中的應用在焊機中的應用IGBT的應用特點的應用特點- 焊機拓撲結(jié)構(gòu)焊機拓撲結(jié)構(gòu)焊機拓撲結(jié)構(gòu)：焊機拓撲結(jié)構(gòu)：輸入輸入 一次整流一次整流 逆變逆變 隔離降壓隔離降壓 二次整流二次整流 輸出輸出 從圖中可以看出，從圖中可以看出，IGBT主要應用在逆變單元主要應用在逆變單元IGBT的應用特點的應用特點- 逆變拓撲結(jié)構(gòu)逆變拓撲結(jié)構(gòu)半橋拓撲半橋拓撲全橋拓撲全橋拓撲硬開關(guān)全橋拓撲硬開關(guān)全橋拓撲

4、軟開關(guān)全橋拓撲軟開關(guān)全橋拓撲零電壓軟開關(guān)全橋拓撲零電壓軟開關(guān)全橋拓撲零電流軟開關(guān)全橋拓撲零電流軟開關(guān)全橋拓撲焊機中常用的逆變拓撲結(jié)構(gòu)：焊機中常用的逆變拓撲結(jié)構(gòu)：IGBT的應用特點的應用特點- 硬開關(guān)、軟開關(guān)硬開關(guān)、軟開關(guān)1234ABCD4321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:20-Dec-2007Sheet of File:C:Documents and Settingsye桌面新建文件夾MyDesign.ddbDrawn By:ttttupip硬開關(guān)開通過程硬開關(guān)開通過程硬開關(guān)關(guān)斷過程硬開關(guān)關(guān)斷過程軟開關(guān)開通過程軟開關(guān)開通過程軟開關(guān)關(guān)斷過程軟開關(guān)關(guān)斷過程 從

5、圖中可以看出，在硬開關(guān)時，從圖中可以看出，在硬開關(guān)時，IGBT開關(guān)時電流與電壓有交點，開關(guān)時電流與電壓有交點，IGBT損耗交大，軟開關(guān)時，損耗交大，軟開關(guān)時，IGBT的電流與電壓沒有交點，損耗為零。的電流與電壓沒有交點，損耗為零。 零電流（零電流（ZCS)：指：指IGBT開關(guān)時電流為零。開關(guān)時電流為零。 零電壓（零電壓（ZVS)：指：指IGBT開關(guān)時電壓為零開關(guān)時電壓為零IGBT的應用特點的應用特點- 半橋型電路半橋型電路拓撲特點拓撲特點： IGBT 開關(guān)損耗大；IGBT上承受的電流為全橋時的兩倍。建議：建議： 選用關(guān)斷損耗小的 IGBT。推薦：推薦：采用采用 INFINEON 開關(guān)損耗小的開

6、關(guān)損耗小的KS4 芯片封裝的芯片封裝的100 300A/1200V 的的IGBT模塊模塊。123Q1123Q2123Q3123Q4VDCLpLs1Ls2TX1D1D212LRC1R5C3C2C4R6R1R3C5R2C6R4拓撲特點拓撲特點： IGBT 開關(guān)時電壓、電流不為零，開關(guān)損耗大。建議：建議： 選用關(guān)斷損耗小的 IGBT。推薦：推薦：采用采用 INFINEON開關(guān)損耗小開關(guān)損耗小S4 芯片封裝的的芯片封裝的的IGBT模塊模塊。IGBT的應用特點的應用特點- 硬開關(guān)全橋電路硬開關(guān)全橋電路123Q1123Q2123Q3123Q4VDCLpLs1Ls2TXD1D212LRC1C3R1C2C4R

7、2C5C612Lr電路特點電路特點：u IGBT 導通時間長，損耗主要為通態(tài)損耗建議：建議： 選擇通態(tài)損耗小的 IGBT。推薦：推薦：采用采用 INFINEON 導通損耗小的導通損耗小的 DN2、T4芯片封裝的芯片封裝的 IGBT 模塊。模塊。IGBT的應用特點的應用特點- 軟開關(guān)軟開關(guān)ZVS全橋型電路全橋型電路電路特點：電路特點：u超前臂實現(xiàn)ZVS，IGBT開關(guān)損耗小，導通損耗占總損耗比重大。u滯后臂實現(xiàn)ZCS，IGBT導通時間長，通態(tài)損耗大。u建議：建議： 選擇IGBT通態(tài)損耗小的IGBT，即低通態(tài)型IGBT模塊。推薦：推薦：采用采用 INFINEON 導通損耗小的導通損耗小的DN2、T4

8、芯片封裝的芯片封裝的 IGBT 模塊。模塊。IGBT的應用特點的應用特點- 軟開關(guān)軟開關(guān)ZVZCS全橋型電路全橋型電路IGBT 主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇-電焊機主要參數(shù)電焊機主要參數(shù)電壓：電壓：三相交流輸入經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：三相交流輸入經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：VDC= ，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，可以選額定電壓值的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，可以選額定電壓值1200V。V51338023 電焊機主要參數(shù)：以一臺電焊機主要參數(shù)：以一臺500A的電焊機為例，輸入電壓：的電焊機為例，輸入電壓：380V

9、AC,輸出輸出電流為：電流為：500A,頻率為頻率為20KHz，空載電壓為，空載電壓為70V。 500A焊機在滿負荷工作條件下，輸出濾波電感的電流的平均值為焊機在滿負荷工作條件下，輸出濾波電感的電流的平均值為500A，主變壓器變比，主變壓器變比K=513V/70V=7.3。 變壓器原邊平均電流為變壓器原邊平均電流為500A/7.3=68.5A，在選用耗散功率足夠的，在選用耗散功率足夠的散熱器和良好的風道設計的條件，選在散熱器和良好的風道設計的條件，選在 IGBT 的的IC=100A。電流：電流：17u 通通 態(tài)態(tài) 壓壓 降：低通態(tài)損耗，適用于軟開關(guān)。降：低通態(tài)損耗，適用于軟開關(guān)。 u 開開 關(guān)

10、關(guān) 損損 耗：低開關(guān)損耗，高頻或硬開關(guān)。耗：低開關(guān)損耗，高頻或硬開關(guān)。u 溫溫 度度 系系 數(shù)：正溫度系數(shù)適合于多管芯并聯(lián)。數(shù)：正溫度系數(shù)適合于多管芯并聯(lián)。u 熱熱 阻：決定了阻：決定了IGBT的溫升。的溫升。u 功率循環(huán)周次：決定功率循環(huán)周次：決定IGBT的壽命。的壽命。u 熱熱 循循 環(huán)環(huán) 周周 次：決定次：決定IGBT的壽命。的壽命。17主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇-選型時應注意的問題選型時應注意的問題選型時應該主要的問題：選型時應該主要的問題：主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇-推薦表推薦表裕能達推薦表裕能達推薦表焊機規(guī)格焊機規(guī)格全橋電路全橋電路半橋電路半橋電路315A軟開關(guān)軟開關(guān)FF50R12RT

11、4硬開關(guān)硬開關(guān)F4-50R12MS4/ F4-50R12KS4FF100R12KS4/FF150R12RT4400A軟開關(guān)軟開關(guān)FF75R12RT4硬開關(guān)硬開關(guān)F4-75R12MS4/ F4-75R12KS4FF150R12KS4500A軟開關(guān)軟開關(guān)FF100R12RT4硬開關(guān)硬開關(guān)FF100R12KS4/FF150R12RT4FF200R12KS4630A軟開關(guān)軟開關(guān)FF150R12RT4硬開關(guān)硬開關(guān)FF150R12KS4FF300R12KS4RT4芯片介紹及優(yōu)勢芯片介紹及優(yōu)勢IGBT4模塊：Tvjop,max = ！n概念概念：在開關(guān)工作條件下，IGBT4模塊的最高允許結(jié)溫規(guī)格為 ，比IG

12、BT3/IGBT2模塊（1200V和1700V）的規(guī)格提高！n出發(fā)點出發(fā)點：適應芯片小型化n實現(xiàn)實現(xiàn)：IGBT4模塊內(nèi)部焊線工藝的改進n可靠性因素可靠性因素：焊線工藝決定了模塊的可靠性指標之一-功率循環(huán)（PC）次數(shù)。PC次數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，在相同的結(jié)溫擺幅下，結(jié)溫越高，PC次數(shù)越低。要提高結(jié)溫規(guī)格，必須改進焊線工藝，才能保證模塊用于更高的結(jié)溫時，其PC次數(shù)（使用壽命）不減。n結(jié)果結(jié)果： 1）IGBT4模塊的可靠性（PC次數(shù)）大幅增加 2）IGBT4模塊的電流輸出能力增大（應用功率） 3）以較小的封裝尺寸實現(xiàn)相同的電流規(guī)格（功率密度）RT4模塊模塊-優(yōu)點優(yōu)點50A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模

13、塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM50GB120DN2FF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容，Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好,導通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off2215驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon7mJ6.5mJRT4的性能稍好，開關(guān)損耗有所降低。Eoff4.5mJ4mjRjc(IGBT) 0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余

14、量.Rjc(Diode) 0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用結(jié)論：用RT4代替代替DN2只需更改驅(qū)動電路，替代容易！只需更改驅(qū)動電路，替代容易！RT4模塊模塊-與與INFINEON DN2系列模塊的比較系列模塊的比較75A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM75GB120DN2FF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)3.1V2.1

15、5VRT4性能更好，導通損耗小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動電阻推薦值差別較大，驅(qū)動電路要做更改。Eon13mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff8mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode) 0.5K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：用結(jié)論：用RT4代替代替DN2只需對驅(qū)動電路進行修改，代替起來比較容易。只需對驅(qū)動電路進行修改，代替起來比較容易。RT4模塊模塊-與與INFINE

16、ON DN2系列模塊的比較系列模塊的比較100A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2FF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmDN2K與RT4散熱器安裝尺寸完全兼容，DN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)3.1V3.1V2.05VRT4性能更好,導通損耗小Tj(度）150150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.86.81.

17、6驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ17.5mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小Eoff11mJ11mJ9mjRjc(IGBT) 0.18K/W0.16K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.36K/W0.3K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4代替代替DN2K只需對驅(qū)動電路進行修改，但代替只需對驅(qū)動電路進行修改，但代替DN2還需對散熱器進行修改。還需對散熱器進行修改。RT4模塊模塊-與與INFINEON DN2系列模塊的比較系

18、列模塊的比較150A的的RT4和和DN2模塊的性能比較模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號BSM150GB120DN2FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)3.1V2.05VRT4性能更好,導通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.11.1驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ13.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于ND2Eoff11mJ13.5mjRjc(IGBT)

19、0.1K/W0.19K/WRT4的熱阻比較大！Rjc(Diode) 0.25K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：150A的的RT4代替代替150A的的DN2比較困難！比較困難！RT4模塊模塊-與與INFINEON DN2系列模塊的比較系列模塊的比較150A的的RT4和和100A的的KS4 的模塊的性能比較的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF100R12KS4FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmKS4與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大V

20、cesat(Ic=80A,Vge=15v,)3.85V1.65VRT4性能更好,導通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.11.1驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ9.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于KS4Eoff7.7mJ11 mJRjc(IGBT) 0.16K/W0.19K/WRT4的熱阻稍大！Rjc(Diode) 0.3K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用結(jié)論：用150A的的RT4代替代替100A的的KS4,要根據(jù)實際電路來確定能否替代。要根據(jù)實際電路來確定能否替代。RT4模

21、塊模塊-與與INFINEON KS4系列模塊的比較系列模塊的比較 總的來說，總的來說，RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低，開關(guān)損耗也有所降低，特別適合軟開關(guān)拓撲降低，開關(guān)損耗也有所降低，特別適合軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的焊機。但是結(jié)構(gòu)的焊機。但是RT4系列產(chǎn)品的熱阻相當于系列產(chǎn)品的熱阻相當于DN2系列來說都要大一些。還有就是系列來說都要大一些。還有就是RT4系列的推薦驅(qū)系列的推薦驅(qū)動電阻值都比較小，替換時要注意對驅(qū)動電路進行動電阻值都比較小，替換時要注意對驅(qū)動電路進行修改。修改。RT4模塊模塊-與與INFINEON 模塊的比較模塊的比較RT4模塊模塊-與與SEMIKRON 模

22、塊的比較模塊的比較SEMIKRON 在焊機應用上主要有以下幾款：在焊機應用上主要有以下幾款：123系列：SKM75GB123D SKM100GB123D SKM150GB123D SKM200GB123D128系列：SKM75GB128D SKM100GB128D SKM150GB128D SKM200GB128DT4系列：SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 SKM100GB12T4G SKM150GB12T4 SKM150GB12T4G SKM200GB12T4 SKM300GB12T4 （正在推廣）RT4模塊模塊-與與SEMIKRON的比較的比較50的的RT4和西門康的模塊的

23、性能比較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF50R12RT4SKM75GB123DSKM50GB12T4SKM75GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)50A49A52A59A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.15V25V2.2V2.1V128D的導通損耗最小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫較高。Rgon/off15228.26驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改。Eon6.5mJ8mJ5.5mJ6mJ123D的開關(guān)損耗較大。Eoff4mJ5mJ4

24、.5mJ8mJRjc(IGBT) 0.53K/W0.27K/W0.53K/W0.3K/W123D的熱阻小。Rjc(Diode) 0.84K/W0.5K/W0.84K/W0.6K/WVf(V)1.65V1.6V2.18V1.8V123D的反并二極管管壓降最低。結(jié)論：結(jié)論：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻較大。與較大。與128D相比開關(guān)損耗較低。與西門康最新的相比開關(guān)損耗較低。與西門康最新的T4系列性能相差不大。系列性能相差不大。75的的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說

25、明Tj=125）型號FF75R12RT4SKM100GB123DSKM75GB12T4SKM100GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)75A81A75A85A128D的電流能力最大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.15V3.1V2.25V2.1VRT4和128D的性能較好,導通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高。Rgon/off2.21514.7驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ10mJ11mJ9mJRT4的開關(guān)損耗較小。Eoff6.5mj8mJ6.9mJ7.5mJRjc(

26、IGBT) 0.38K/W0.18K/W0.38K/W0.21K/W123D的熱阻小！Rjc(Diode) 0.58K/W0.5K/W0.58K/W0.5K/WVf(V)1.65V1.8V2.11V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。RT4模塊模塊-與與SEMIKRON的比較的比較結(jié)論：結(jié)論：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與交大。與128D和西門康最新的和西門康最新的T4系列性能相差不大。系列性能相差不大。RT4模塊模塊-與與SEMIKRON 模塊的比較模塊的比較100的的RT4和西門康的模塊的性能比

27、較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF100R12RT4SKM150GB123DSKM100GB12T4SKM150GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100)100A100A100A108A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.66.88.28驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ13mJ16.1mJ10mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eof

28、f9mJ11mJ8.6mJ9mJRjc(IGBT) 0.27K/W0.15K/W0.29K/W0.15K/W123D的熱阻??！Rjc(Diode) 0.48K/W0.3K/W0.49K/W0.3K/WVf(V)1.65V1.8V2.18V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：結(jié)論：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列相比，開關(guān)損耗較小。系列相比，開關(guān)損耗較小。RT4模塊模塊-與與SEMIKRON 模塊的比較模塊的比較1

29、50的的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號FF150R12RT4SKM200GB123DSKM150GB12T4SKM200GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100)150A145A150A180A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.15.617驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon13.5mJ24mJ19.2mJ18

30、mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eoff13.5mj17mJ15.8mJ15mJRjc(IGBT) 0.19K/W0.09K/W0.19K/W0.095K/W123D的熱阻?。jc(Diode) 0.31K/W0.18K/W0.31K/W0.25K/WVf(V)1.65V1.8V2.07V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：結(jié)論：RT4與與123D相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻相比，在開關(guān)損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與交大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列相比，開關(guān)損耗較系列相比，開關(guān)損耗較小。小。RT4模塊

31、模塊-與斯達模塊的比較與斯達模塊的比較斯達在焊機應用上主要有以下幾款：斯達在焊機應用上主要有以下幾款：HFL系列(低損耗快速）：GD50HFL120C1S GD75HFL120C1S GD100HFL120C1S GD100HFL120C2S GD150HFL120C2S50A的的RT4和斯達模塊的性能比較和斯達模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD50HFL120C1SFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達模

32、塊的導通損耗小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off1815驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon4.1mJ6.5mJ斯達模塊的性能更好，導通損耗小。Eoff4.7mJ4mjRjc(IGBT) 0.38K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.65K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好RT4模塊模塊-與斯達模塊的比較與斯達模塊的比較結(jié)論：斯達模塊的飽和壓降和開關(guān)損耗都比較低。結(jié)論：斯達模塊的飽和壓降和開關(guān)損耗都比較低。RT4模塊模塊-與斯達模

33、塊的比較與斯達模塊的比較75A的的RT4和斯達模塊的性能比較和斯達模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD75HFL120C1SFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達模塊的導通損耗略小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon9.0mJ9.5mJ開關(guān)損耗相差不大。Eoff7.4mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.19K/W0

34、.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.48K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.0V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4模塊的熱阻較高，其他性能相差不大。模塊的熱阻較高，其他性能相差不大。RT4模塊模塊-與斯達模塊的比較與斯達模塊的比較100A的的RT4和斯達模塊的性能比較和斯達模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD100HFL120C1SGD75HFL120C2SFF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmRT4與C1尺寸兼容，與C2尺寸不兼容，需要修改散熱器。Ic100A(Tc=80)

35、100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.0V2.0V2.05V斯達模塊的性能略好。Tj(度）150150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off381.6驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.8mJ8.4mJ9.5mJ開關(guān)損耗相差不大。Eoff8.7mJ5.8mJ9mjRjc(IGBT) 0.16K/W0.15K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.34K/W0.29K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V2.2V1.

36、65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4與斯達模塊的飽和壓降和導通損耗相差不大，但是熱阻較大。與斯達模塊的飽和壓降和導通損耗相差不大，但是熱阻較大。RT4模塊模塊-與斯達模塊的比較與斯達模塊的比較150A的的RT4和斯達模塊的性能比較和斯達模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號GD150HFL120C2SFF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.1V2.05VRT4性能更好,導通損耗略小Tj(度）15017

37、5RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.81.1驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon16.7mJ13.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff15.3mJ13.5mjRjc(IGBT) 0.09K/W0.19K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.24K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4的導通損耗要比斯達的小，熱阻稍大。的導通損耗要比斯達的小，熱阻稍大。RT4模塊模塊-與斯達模塊的比較與斯達模塊的比較 斯達斯達50、75、100A的模塊從飽和壓降和開關(guān)損耗

38、、的模塊從飽和壓降和開關(guān)損耗、熱阻等方面來說要高于我們的熱阻等方面來說要高于我們的RT4芯片，但是在市場上芯片，但是在市場上客戶對他們的模塊的反應并不是很好！這主要是因為他客戶對他們的模塊的反應并不是很好！這主要是因為他們的模塊穩(wěn)定性不好！這就涉及到了們的模塊穩(wěn)定性不好！這就涉及到了IGBT的另外一個性的另外一個性能能熱循環(huán)周次和功率循環(huán)周次。熱循環(huán)周次和功率循環(huán)周次。熱循環(huán)周次：在每次傳熱時，DCB和銅基板也會產(chǎn)生熱脹冷縮，因為膨脹率不同，長時間后，就會使DCB與銅基板接觸不良，使IGBT失效。功率循環(huán)周次：綁定線，通過電流發(fā)熱后，會熱脹冷縮發(fā)生變形。在一定次數(shù)后就會出現(xiàn)裂紋，導致IGBT失

39、效。RT4模塊模塊-與斯達模塊的比較與斯達模塊的比較RT4模塊模塊-與宏微模塊的比較與宏微模塊的比較宏微在焊機應用上主要有以下幾款：宏微在焊機應用上主要有以下幾款：B系列(ABB芯片）：MMG50S120B MMG75S120B MMG100S120B MMG100D120B MMG150D120BRT4模塊模塊-與宏微模塊的比較與宏微模塊的比較50A的的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號MMG50S120BFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，

40、電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off1815驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon8.4mJ6.5mJRT4的性能好，開關(guān)損耗低。Eoff5.8mJ4mjRjc(IGBT) 0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.9V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：結(jié)論：RT4的各項性能幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用的各項性能幾乎都優(yōu)于宏微

41、的模塊，用RT4代替宏微的模塊只需更改驅(qū)代替宏微的模塊只需更改驅(qū)動電路，替代容易！動電路，替代容易！RT4模塊模塊-與宏微模塊的比較與宏微模塊的比較75A的的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125）型號MMG75S120BFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動電阻推薦值差別較大，驅(qū)動電路要做更改。Eon10.3mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff7.8mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.2K/W0.38K/WRT4的熱