物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)題

1、-作者xxxx-日期xxxx物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)題【精品文檔】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)題1、四種常見元素的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表，試根據(jù)信息回答有關(guān)問題元素ABCD性質(zhì)結(jié)構(gòu)信息原子核外有兩個(gè)電子層，最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子原子核外電子排布為Ar3d104sx，有+1、+2兩種常見化合價(jià)有兩種常見氧化物，其中有一種是冶金工業(yè)常用的還原劑（1）A元素與其同周期相鄰兩種元素原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(用元素符號(hào)表示)；試解釋其原因_。（2）B元素的低價(jià)氧化物分子中心原子的雜化方式為_，B元素的最高價(jià)氧化物分子VSEPR模型為_，B元素與D元素形成分子空間構(gòu)型為_。（3）D元

2、素最高價(jià)氧化物的熔點(diǎn)比同主族相鄰元素最高價(jià)氧化物的熔點(diǎn)_(填“高”或“低”)，其原因是_。（4）往C元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過量A元素的氫化物水溶液，觀察到的現(xiàn)象為_；后一現(xiàn)象的化學(xué)反應(yīng)方程式為_。（5）某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷A基態(tài)原子的核外電子排布為：該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了_。（6）C晶體的堆積方式如圖所示，設(shè)C原子半徑為r cm，阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示，則晶胞中C原子的配位數(shù)為_，C晶體的密度為_gcm-3(要求寫表達(dá)式，可以不化簡)。2、新型儲(chǔ)氫材料是開發(fā)利用氫能的重要研究方向。（1）Ti(BH4)3是一種儲(chǔ)氫材料，可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得?；鶓B(tài)Cl原子中

3、，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為_，該能層具有的原子軌道數(shù)為_。LiBH4由Li+和BH4-構(gòu)成，BH4-的立體結(jié)構(gòu)是_，B原子的雜化軌道類型是_。Li、B、H元素的電負(fù)性由大到小排列順序?yàn)開。（2）金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲(chǔ)氫材料。LiH中，離子半徑Li+_H-(填“”、“=”或“”)某儲(chǔ)氫材料是第三周期金屬元素M的氫化物M的部分電離能如表所示： I1/kJmol-1 I2/kJmol-1 I3/kJmol-1I4/kJmol-1I5/kJmol-1 738 1451 7733 10540 13630M是_ (填元素符號(hào))

4、。（3）NaH具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)，已知NaH晶體的晶胞參數(shù)a=488pm(棱長)，Na+半徑為102pm，H-的半徑為_，NaH的理論密度是_g·cm-3(只列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA)3 (15分)元素X基態(tài)原子核外電子數(shù)為29，元素Y位于X的前一周期且最外層電子數(shù)為1，元素Z基態(tài)原子3p軌道上有4個(gè)電子，元素P原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的3倍，元素Q基態(tài)原子2p半充滿。請(qǐng)回答下列問題：（1）寫出X基態(tài)原子的核外電子排布式_。（2）Q的氣態(tài)氫化物分子中Q原子軌道雜化類型是_，該分子的空間構(gòu)型為_。（3）P與Q的第一電離能的大小關(guān)系為_。（4）Z的氫化物在乙

5、醇中的溶解度小于P的氫化物的原因是_。（5）Y與P形成的化合物晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞參數(shù)a=0566nm，晶胞中P原子的配位數(shù)為_，計(jì)算該晶體的密度為_g/cm3。4、（15分）A，B，C，D，E五種元素，均位于元素周期表的前四周期它們的核電荷數(shù)逐漸增加且核電荷數(shù)之和為57；B原子的L層p軌道中有2個(gè)電子，C的原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子，D與B原子的價(jià)電子數(shù)相同E原子的K層電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為2：1，其d軌道處于全充滿狀態(tài)。請(qǐng)回答下列問題： （1）B，D原子可分別與A原子形成只含一個(gè)中心原子的共價(jià)化合物X和Y，其中X的電子式為_，Y中D原子的雜化軌道類型為_；C與A形成的常見化合物的分子構(gòu)型為

6、_。 （2）B和D的最高價(jià)氧化物的晶體中熔點(diǎn)較高的是(填化學(xué)式) _，其原因是_ （3）B與C比較，電負(fù)性較大的是_ (填元素符號(hào))，E2+的核外電子排布式為_ _ _。 （4）E2+與C的常見氫化物形成配離子反應(yīng)的離子方程式為_。 （5）E單質(zhì)的晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示，若已知E原子半徑為d，NA表示阿伏伽德羅常數(shù)。摩爾質(zhì)最為M，則該原子的配位數(shù)為_，該晶體的密度可表示為_。5（14分)有甲、乙、丙、丁、戊五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，其常見化合價(jià)依次為+1、-2、+1、+3、-1。它們形成的物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖

7、所示。常溫下用惰性電極電解（有陽離子交換膜）1L l mol/L的A溶液。請(qǐng)按要求回答下列問題：（1）己元素與丙元素同主族，比丙原子多2個(gè)電子層，則己的原予序數(shù)為_；推測(cè)相同條件下丙、己單質(zhì)分別與水反應(yīng)劇烈程度的依據(jù)是_。（2）甲、乙、戊按原予個(gè)數(shù)比1：1：1形成的化合物Y具有漂白性，其電子式為_。（3）上圖轉(zhuǎn)化關(guān)系中不屬于氧化還原反應(yīng)的有（填編號(hào)）_。（4）接通右圖電路片刻后，向燒杯中滴加一種試劑即可檢驗(yàn)鐵電極被腐蝕，此反應(yīng)的離子方程式為_。（5）當(dāng)反應(yīng)電解一段時(shí)間后測(cè)得D溶液pH=12（常溫下，假設(shè)氣體完全逸出，取出交換膜后溶液充分混勻，忽略溶液體積變化），此時(shí)共轉(zhuǎn)移電子數(shù)目約為_；反應(yīng)的

8、離子方程式為_。（6）若上圖中各步反應(yīng)均為恰好完全轉(zhuǎn)化，則混合物X中含有的物質(zhì)（除水外）有_。6（14分）a、b、c、d是四種原子序數(shù)依次增大的短周期元素。a原子的電子層數(shù)為n，核內(nèi)質(zhì)子數(shù)是2n21，最外層電子數(shù)為2n+l；b、d同主族，能形成兩種中學(xué)常見的化合物；c與b組成的化合物是一種兩性氧化物，工業(yè)上通過電解該化合物可冶煉c單質(zhì)；e原子有四個(gè)能層，其未成對(duì)電子數(shù)在同周期是最多的。回答下列問題：（1）a在周期表中的位置 ；e的基態(tài)原子價(jià)電子排布式為 。 （2）b、c、d原子的第一電離能由大到小的順序是 。 （3）a和b形成的離子W呈平面正三角形，其中心原子的雜化類型為 ；a、b、d 氣態(tài)氫

9、化物最穩(wěn)定的是 （寫化學(xué)式）。 （4）元素c與Fe構(gòu)成合金的晶胞如圖，該合金的化學(xué)式為 。 （5）將b、d組成的極性分子通人含少量W離子的BaCl2水溶液中，有NO氣體生成。發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 。7 (12分)從原子、分子水平上幫助我們認(rèn)識(shí)物質(zhì)構(gòu)成的規(guī)律：以微粒之間不同的作用力為線索，研究不同類型物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)：從物質(zhì)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的視角預(yù)測(cè)物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)（1）下列說法正確的是_(填序號(hào))。A元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺NCB一個(gè)乙烯分子含2個(gè)鍵和4個(gè)鍵C氯化鈉和氯化銫晶體中氯離子的配位數(shù)相同D第一電離能的大小為AlMgNa（2）根據(jù)等電子體原理，羰基硫(OCS)分子的結(jié)構(gòu)式為_；光氣(CO

10、Cl2)各原子最外層都滿 足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則光氣分子的空間構(gòu)型為_(用文字描述)；（3）Cu 2+基態(tài)的電子排布式為_；向硫酸銅溶液中加入過量氨水，然后加入適量乙醇，溶液中會(huì)析出深藍(lán)色的Cu(NH3)4SO4晶體，硫酸根離子中硫原子的雜化方式為_；不考慮空間構(gòu)型，其內(nèi)界結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為_。8鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。回答下列問題：(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為Ar_，有_個(gè)未成對(duì)電子。(2)Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是_。(3)比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)

11、律及原因_。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/26146沸點(diǎn)/186約400(4)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是_。(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為_，微粒之間存在的作用力是_。(6)晶胞有兩個(gè)基本要素：原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0)；B為(，0，)；C為(，0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_。晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a565.76 pm，其密度為_g·cm3(列出計(jì)算式即可)。9、東

12、晉華陽國志·南中志卷四中已有關(guān)于白銅的記載，云南鎳白銅(銅鎳合金)聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品。回答下列問題：(1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為_，3d能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)為_。(2)硫酸鎳溶于氨水形成Ni(NH3)6SO4藍(lán)色溶液。Ni(NH3)6SO4中陰離子的立體構(gòu)型是_。在Ni(NH3)62中Ni2與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為_，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是_。氨的沸點(diǎn)_(填“高于”或“低于”)膦(PH3)，原因是_；氨是_分子(填“極性”或“非極性”)，中心原子的軌道雜化類型為_。(3)單質(zhì)銅及鎳都是由_鍵形成的晶體；元素銅與鎳的第二電離能分別為：ICu1 9

13、58 kJ·mol1、INi1 753 kJ·mol1，ICu>INi的原因是_。(4)某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。 晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_。若合金的密度為d g·cm3，晶胞參數(shù)a_nm。10、3(2016·全國卷)砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式_。(2)根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_As，第一電離能Ga_As。(填“大于”或“小于”)(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為_，其中As的雜化軌道類型為_。(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1 0

14、00，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9，其原因是_。(5)GaAs的熔點(diǎn)為1 238，密度為 g·cm3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_，Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol1和MAsg·mol1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_。11、碳及其化合物廣泛存在于自然界中。回答下列問題：(1)處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用_形象化描述。在基態(tài)14C原子中，核外存在_對(duì)自旋相反的電子。(2)碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是_。

15、(3)CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有_，C原子的雜化軌道類型是_，寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子_。(4)CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物的熔點(diǎn)為253 K，沸點(diǎn)為376 K，其固體屬于_晶體。(5)碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示：在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子連接_個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有_個(gè)C原子。在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接_個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有_個(gè)C原子在同一平面12、A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的四種元素，A2和B具有相同的電子構(gòu)型；C、D為同周期元素，C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍；D元素最外層有一個(gè)未成對(duì)電子?；卮鹣铝袉栴}：(1)四種元素中電負(fù)性最大的是_(填元素符號(hào))，其中C原子的核外電子排布式為_。(2)單質(zhì)A有兩種同素異形體