集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求編制說(shuō)明

1、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求(征求意見(jiàn)稿 )編制說(shuō)明1 工作 簡(jiǎn)況1.1 任務(wù)來(lái)源本項(xiàng)目是2018年國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委下達(dá)的軍民通用化工程標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目中的一項(xiàng)，本國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定任務(wù)已列入2018年國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項(xiàng)目， 項(xiàng)目名稱為 集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求，項(xiàng)目編號(hào)為：* 。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所負(fù)責(zé)組織制定， 標(biāo)準(zhǔn)歸口單位為全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)集成電路分技術(shù)委員會(huì)（ TC78/SC2 ）。1.2起草單位簡(jiǎn)介中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所為我國(guó)超大規(guī)模集成電路制造的骨干研制單位，長(zhǎng)期從事軍用超大規(guī)模集成電路（特別是軍用A

2、SIC 、CPU 、 DSP 等）的科研開(kāi)發(fā)與批量生產(chǎn)，擁有產(chǎn)品設(shè)計(jì)、掩模制造、芯片制造、封裝、測(cè)試及可靠性檢驗(yàn)等較為完整的軍用集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。1.3主要工作過(guò)程接到編制任務(wù)，項(xiàng)目牽頭單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組，中科院微電子研究所、華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所等相關(guān)單位參與標(biāo)準(zhǔn)編制工作。編制組落實(shí)了各單位職責(zé)，并制定編制計(jì)劃。編制組查找了國(guó)際、 國(guó)內(nèi)三維集成電路封裝相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)， 認(rèn)真研究了現(xiàn)行集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容，在此基礎(chǔ)上形成了標(biāo)準(zhǔn)草案。2 標(biāo)準(zhǔn)編制原則和確定主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問(wèn)題2.1本標(biāo)準(zhǔn)制定原則

3、本標(biāo)準(zhǔn)遵循 “科學(xué)性、實(shí)用性、統(tǒng)一性、規(guī)范性 ”的原則進(jìn)行編制，依據(jù) GB/T 1.1-2009 規(guī)則起草，確立了本標(biāo)準(zhǔn)的范圍、規(guī)范性引用文件、術(shù)語(yǔ)和定義。2.2標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容與依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)的定位本標(biāo)準(zhǔn)是三維（3D）集成電路（ IC）封裝系列標(biāo)準(zhǔn)中的一項(xiàng)，規(guī)定了減薄工藝過(guò)程的一般要求和所使用的原材料、設(shè)備、工藝流程、關(guān)鍵工藝要求及評(píng)價(jià)要求，適用于12 英寸及以下尺寸集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片的減薄工藝。關(guān)于引用文件1GB/T 25915.1-2010潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第 1 部分：空氣潔凈度等級(jí)GJB 548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序GJB 3007防靜電工作區(qū)技術(shù)要求GB/T XX

4、XX-20XX 集成電路三維封裝術(shù)語(yǔ)和定義（報(bào)批稿）。術(shù)語(yǔ)和定義在 GB/T XXXX-20XX 集成電路 三維封裝 術(shù)語(yǔ)和定義（報(bào)批稿）基礎(chǔ)上，增加了本標(biāo)準(zhǔn)需要使用的術(shù)語(yǔ)定義：粗糙度、損傷層等。帶凸點(diǎn)圓片劃片工藝目前在國(guó)內(nèi)，還沒(méi)有集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，一定程度上影響了集成電路三維封裝的發(fā)展。本標(biāo)準(zhǔn)的編制將形成統(tǒng)一的集成電路三維封裝工藝要求， 合理有效的指導(dǎo)工藝，提高行業(yè)整體工藝成品率。在制定過(guò)程中，聯(lián)合封裝行業(yè)的相關(guān)單位，開(kāi)展研討和試驗(yàn)驗(yàn)證，進(jìn)行互相學(xué)習(xí)及技術(shù)交流，帶動(dòng)行業(yè)的發(fā)展，帶來(lái)更廣泛的社會(huì)效益。帶凸點(diǎn)圓片減薄步驟如下圖1：( 必要時(shí))( 必要時(shí))

5、( 必要時(shí))準(zhǔn)備工作貼膜粗磨細(xì)磨拋光清洗UV解膠揭膜檢驗(yàn)圖 1 帶凸點(diǎn)圓片減薄步驟本標(biāo)準(zhǔn)第 5 章對(duì)帶凸點(diǎn)圓片磨片工藝進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，并在第 6 章對(duì)磨片工藝各工步的評(píng)價(jià)要點(diǎn)做出明確要求。附錄 A給出了帶凸點(diǎn)圓片劃片工藝記錄表格式。3 主要試驗(yàn)（或驗(yàn)證）情況分析近年我所來(lái)已制定了集成電路陶瓷封裝工藝的工藝規(guī)范，形成了完善的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)， 多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目、 工程、產(chǎn)品的工藝實(shí)現(xiàn)均采用該企業(yè)工藝規(guī)范，產(chǎn)品通過(guò)考核和鑒定，證明本企業(yè)規(guī)范中涉及的工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)能夠滿足產(chǎn)品生產(chǎn)要求，工藝方法有效。集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求是在該企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上，進(jìn)行的修改和補(bǔ)充完善。試驗(yàn)驗(yàn)證選取多款產(chǎn)品以及

6、廢硅片進(jìn)行，選取多種減薄目標(biāo)厚度進(jìn)行帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝驗(yàn)證評(píng)估，試驗(yàn)驗(yàn)證的情況和結(jié)果見(jiàn)表1。表 1試驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果2圓片類序號(hào)數(shù)量檢驗(yàn)要求驗(yàn)證結(jié)果型1、外觀要求：無(wú)碎片、無(wú)裂片、無(wú)硅渣、驗(yàn)證結(jié)果合3 批次無(wú)殘膠、無(wú)水漬等、凸點(diǎn)無(wú)變形、缺失格，外觀、厚16 吋硅片2、減薄厚度：減薄厚度實(shí)際值符合產(chǎn)品度、平整度均5 片/批次設(shè)計(jì)規(guī)則符合要求3、片內(nèi) / 片間平整度：滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)則1、外觀要求：無(wú)碎片、無(wú)裂片、無(wú)硅渣、驗(yàn)證結(jié)果合3 批次無(wú)殘膠、無(wú)水漬等、凸點(diǎn)無(wú)變形、缺失格，外觀、厚28 吋硅片2、減薄厚度：減薄厚度實(shí)際值符合產(chǎn)品度、平整度均5 片/批次設(shè)計(jì)規(guī)則符合要求3、片內(nèi) / 片間平整度：滿足產(chǎn)品

7、設(shè)計(jì)規(guī)則1、外觀要求：無(wú)碎片、無(wú)裂片、無(wú)硅渣、驗(yàn)證結(jié)果合3 批次無(wú)殘膠、無(wú)水漬等、凸點(diǎn)無(wú)變形、缺失格，外觀、厚312 吋硅2、減薄厚度：減薄厚度實(shí)際值符合產(chǎn)品片度、平整度均5 片/批次設(shè)計(jì)規(guī)則符合要求3、片內(nèi) / 片間平整度：滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)則4 知識(shí)產(chǎn)權(quán)說(shuō)明無(wú)。5 采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)情況無(wú)。6 與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性本標(biāo)準(zhǔn)不違反現(xiàn)行的法律、法規(guī)和規(guī)章。與GB/T25915.1-2010潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境 第 1部分：空氣潔凈度等級(jí)、 GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序、 GJB 3007 防靜電工作區(qū)技術(shù)要求以及 GB/TXXXX-20XX 集成電路 三維封裝 術(shù)語(yǔ)和定義（報(bào)批稿）協(xié)調(diào)一致，本標(biāo)準(zhǔn)是三維集成電路封裝系列標(biāo)準(zhǔn)的一項(xiàng)，可以健全現(xiàn)有集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系。