手機(jī)電池保護(hù)板知識講解

1、 電池保護(hù)板知識講解總 4 頁- 本頁僅作為文檔封面，使用時請直接刪除即可 - 內(nèi)頁可以根據(jù)需求調(diào)整適宜字體及大小 -保護(hù)板知識講解2、 保護(hù)板的主要保護(hù)功能：過充電保護(hù)功能過放電保護(hù)功能過電流保護(hù)電流包括過流 1過流 2短路保護(hù)2、 主要器件IC 它由精確的比擬器來獲得保護(hù)可靠的保護(hù)參數(shù)，主要參數(shù)：- 過充電壓- 過充恢復(fù)電壓- 過放電壓- 過放恢復(fù)電壓- 過流檢測電壓-短路保護(hù)電壓- 耗電MOSFET 串在主充放電回路中，擔(dān)當(dāng)高速開關(guān)，執(zhí)行保護(hù)動作。我 司所用 的都是串在B- P-間。MOSFET包含三個電極：漏極(D)源極(S)柵極(G);當(dāng)6 極為高電平時， D 極與 S 極導(dǎo)通，當(dāng)

2、G 極為低電平時， D 極與 S 極斷開。 主要參數(shù)：- 內(nèi)阻 - 耐電流-耐電壓 ?內(nèi)部是否連通-封裝FUSE PTC :二次保護(hù)器件FL>B45A/32V4561154U2 106K1)THC1 JL(kltiF跡10K NTC112AO8820P-EDT2021電流導(dǎo)通流程圖：正極:B十一 H?負(fù)極B-M0S(2s 3)腳MOS (1)> MOS (8)腳MOS (5、6)? P-:當(dāng)電芯電壓在 2。5V 4。2V之間，IC的充電控制腳第1腳和放電管控制腳第3腳同時處于高電平，充電MOS、放 電MOS同時打 開，B-與P-連通，保護(hù)板有輸出電壓，能正常允放電.?過放狀態(tài) :

3、當(dāng)電池接上 等負(fù)載后，電芯電壓漸漸降低'同時 IC 同部通 過 R1 電阻實時監(jiān)測電芯電壓，當(dāng)電芯電壓降到 IC 的過放保 護(hù)電壓時， IC 放電控制腳第1腳輸出電壓為0V,即低電平，放 電MOS關(guān)閉，無輸出電 壓。過充狀態(tài)：當(dāng)電池通過充電器充電時，隨著充電時間的増加，電芯 電壓 越來越高，當(dāng)電芯電壓升高到過充保護(hù)電壓時， IC 將認(rèn)為電芯 處于過充電 電壓狀態(tài)，IC的充電控制腳第3腳輸出為低電平， 即0V;此時充電 MOS管關(guān)閉，B-與P-處于斷開狀態(tài)，充電回路切 斷，充電停止。保護(hù)板 處于過充狀態(tài)并一直保持。等到 P十P-之間 接上負(fù)載后，因此時雖然充電 管處于關(guān)閉狀態(tài)，但其內(nèi)部的

4、二極管 的正方向與放電回路的方向相同，故 放電回路可以放電，當(dāng)電芯電 壓被放低至過充電恢復(fù)電壓以下時，充電管 又導(dǎo)通，電芯的B-與保 護(hù)板的P-又重新接上，電芯又能正常的充放電。?過流及短路保護(hù) : 當(dāng)電池的負(fù)載電流超過 IC 的過流保護(hù)值時 C 的 放電控 制腳第 1 腳輸出低電平， MOS 管關(guān)閉。3、 常見的問題點：內(nèi)阻 大：決定電池內(nèi)阻的器件有 PCB 的線阻， MOS 管的導(dǎo)通內(nèi) 阻，F(xiàn)USE 的內(nèi)阻，電芯內(nèi)阻及鐮片的電阻。解決方法：首先判斷電芯內(nèi)阻一般要求小于 60mQ 是否超過標(biāo) 準(zhǔn)，其次 是測試保護(hù)板內(nèi)阻一般要求小于 60mQ 、FUSE 內(nèi)阻般要求小于 15mQ .最后檢查篠

5、片及接觸電阻一般要求小 于 15mQ 無電壓無內(nèi)阻不能充放電等 : 無電壓無內(nèi)阻通常是充電 MOSFET 關(guān)閉或放電 MOSFET 關(guān)閉或充放電 MOS 同時關(guān)閉，導(dǎo)致 MOS 管 關(guān)閉的原因有 IC 不能正常工作或 MOS 管自身損壞或 MOS 連錫，虛焊。 解決方法：先檢查 IC 第 5 腳電壓電否正常電壓與電芯電壓相 同，第 6 腳與B-是否連好，電芯電壓是否正常，R2電阻是阻值 是否正確，R2是否 虛焊。其次檢查IC的充電控制腳3腳和放電控制腳5腳電壓是否正 確在通常的狀態(tài)，IC的2、3腳都是高 電平，等于電芯電壓。再次檢查 MOS 是否短路，虛焊。無ID 熱敏：ID電阻一端連接保護(hù)板的P-端子，一端連接保接保護(hù)板 的 ID 端子，假設(shè)有此類問題時，可首先確認(rèn)線路是否導(dǎo)通，其 次可確認(rèn)