畢業(yè)論文 太陽電池生產(chǎn)制絨工藝研究及技術(shù)改進(jìn)

1、畢業(yè)論文題 目 太陽電池生產(chǎn)制絨工藝研究及技術(shù)改進(jìn) 專 業(yè) 光伏材料加工與應(yīng)用技術(shù) 目錄摘要.3 ABSTRACT.4第一章 緒論.5 1.1太陽能應(yīng)用的前景.51.2本論文所研究的主要內(nèi)容.6第二章太陽電池基礎(chǔ)及制作工藝.8 2.1太陽電池的基本構(gòu)造和工作原理.8 2.2太陽電池的簡(jiǎn)介.9第三章硅片的清洗與制絨.12 3.1.超聲波清洗.12超聲波清洗的原理.12影響波清洗效果的因素.12 3.2硅片的制絨.13第四章 單晶 多晶的制絨工藝.15 4.1硅表面機(jī)械損傷層的腐蝕.15 4.2制絨腐蝕的原理.15 4.3角錐體形成的原理.17 4.4陷光原理.204.5制絨因素的分析.214.6

2、化學(xué)清洗原理.24結(jié)論.26參考文獻(xiàn).27致謝.28太陽電池生產(chǎn)制絨工藝研究及技術(shù)改進(jìn)摘 要 為了提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，降低表面的光反射，增加晶體硅對(duì)光的吸收效率。在太陽電池生產(chǎn)中應(yīng)對(duì)硅片進(jìn)行腐蝕處理，目的是為了在硅片上獲得表面絨面結(jié)構(gòu)，這種絨面結(jié)構(gòu)對(duì)提高晶體硅對(duì)光的吸收效率有著重要作用。對(duì)于單晶硅來說，采用堿溶液的各向異性腐蝕，即可以在其（100）面得到理想的絨面結(jié)構(gòu)；目前，多晶硅絨面技術(shù)主要有機(jī)械刻槽、等離子刻蝕（RIE）和各向同性酸腐蝕。在這些工藝中，機(jī)械刻槽要求硅片的厚度至少200m ,等離子刻蝕（RIE）需要相對(duì)復(fù)雜和昂貴的設(shè)備。因此大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)中，各向同性酸腐蝕是目前廣泛應(yīng)用

3、的多晶硅太陽電池絨面技術(shù)。本文主要介紹清洗制絨的基本原理及工藝流程，并結(jié)合個(gè)人工作期間遇到的來料、制絨深度的控制、人為不當(dāng)操作等問題。關(guān)鍵詞 :表面絨面結(jié)構(gòu)；多晶硅；太陽電池Milling technology of solar cell production system and technology improvementsAbstractIn order to improve the conversion efficiency of solar cells, reduce the surface reflection, light absorption increases the eff

4、iciency of crystalline silicon. Silicon solar cell production in response to the corrosive treatment, the purpose of access to the surface of the textured structure of silicon, this textured structure to improve light absorption efficiency of crystalline silicon has an important role. For silicon, t

5、he alkali solution, anisotropic etching, which may, in its (100) surface to be the ideal flock structure；Currently, there are mechanical polysyllable suede groove technology, plasma etching (RIE) and isotropic acid corrosion.In these processes, the mechanical groove requires at least the thickness o

6、f silicon 200um, such as ion etching (RIE) requires relatively complex and expensive equipment. Thus large-scale industrial production, acid etching is isotropic widely suede polycrystalline silicon solar cells technology.This paper describes the basic principles of cleaning system and process of ve

7、lvet, and the work of individuals encountered during some of the frequently asked questions.Keyword: Textured surface structure;Mono-crystalline silicon;solarcell第一章 緒論1.1太陽能應(yīng)用的情景太陽能發(fā)電是最理想的新能源，照射在地球上的太陽能非常巨大，大約40分鐘照射在地球上的太陽能，便足以供全球人類一年能量的消費(fèi)?？梢哉f，太陽能是真正取之不盡、用之不竭的能源。而且太陽能發(fā)電絕對(duì)干凈，不產(chǎn)生公害。所以太陽能發(fā)電被譽(yù)為是理想的能源。從

8、太陽能獲得電力，需通過太陽電池進(jìn)行光電變換來實(shí)現(xiàn)。它同以往其他電源發(fā)電原理完全不同，具有以下特點(diǎn)：無枯竭危險(xiǎn)；絕對(duì)干凈（無公害）；不受資源分布地域的限制；可在用電處就近發(fā)電；能源質(zhì)量高；使用者從感情上容易接受；獲取能源花費(fèi)的時(shí)間短。不足之處是：照射的能量分布密度小，即要占用巨大面積；獲得的能源同四季、晝夜及陰晴等氣象條件有關(guān)。但總的說來，瑕不掩瑜，作為新能源，太陽能具有極大優(yōu)點(diǎn)，因此受到世界各國的重視。要使太陽能發(fā)電真正達(dá)到實(shí)用水平，一是要提高太陽能光電變換效率并降低其成本，二是要實(shí)現(xiàn)太陽能發(fā)電同現(xiàn)在的電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)。目前，太陽電地主要有單晶硅、多晶硅、非晶態(tài)硅三種。單晶硅太陽電池變換效率最高，已達(dá)

9、20以上，但價(jià)格也最貴。非晶態(tài)硅太陽電池變換效率最低，但價(jià)格最便宜，今后最有希望用于一般發(fā)電的將是這種電池。一旦它的大面積組件光電變換效率達(dá)到10，每瓦發(fā)電設(shè)備價(jià)格降到12美元時(shí)，便足以同現(xiàn)在的發(fā)電方式競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)專家預(yù)測(cè)，本世紀(jì)末便可達(dá)到這一水平。當(dāng)然，特殊用途和實(shí)驗(yàn)室中用的太陽電池效率要高得多，如美國波音公司開發(fā)的由砷化鎵半導(dǎo)體同銻化鎵半導(dǎo)體重疊而成的太陽電地，光電變換效率可達(dá)36，快趕上了燃煤發(fā)電的效率。但由于它太貴，目前只能限于在衛(wèi)星上使用。太陽能發(fā)電雖受晝夜、晴雨、季節(jié)的影響。但可以分散地進(jìn)行，所以它適于各家各戶分激進(jìn)行發(fā)電，而且要聯(lián)接到供電網(wǎng)絡(luò)上，使得各個(gè)家庭在電力富裕時(shí)可將其賣給電力

10、公司，不足時(shí)又可從電力公司買入。實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的技術(shù)不難解決，關(guān)鍵在于要有相應(yīng)的法律保障?，F(xiàn)在美國、日本等發(fā)達(dá)國家都已制定了相應(yīng)法律，保證進(jìn)行太陽能發(fā)電的家庭利益，鼓勵(lì)家庭進(jìn)行太陽能發(fā)電。日本已于1992年4月實(shí)現(xiàn)了太陽能發(fā)電系統(tǒng)同電力公司電網(wǎng)的聯(lián)網(wǎng)，已有一些家庭開始安裝太陽能發(fā)電設(shè)備。日本通產(chǎn)省從1994年開始以個(gè)人住宅為對(duì)象，實(shí)行對(duì)購買太陽能發(fā)電設(shè)備的費(fèi)用補(bǔ)助三分之二的制度。要求第一年有1000戶家庭、2000年時(shí)有7萬戶家庭裝上太陽能發(fā)電設(shè)備。據(jù)日本有關(guān)部門估計(jì)日本2100萬戶個(gè)人住宅中如果有80裝上太陽能發(fā)電設(shè)備，便可滿足全國總電力需要的14，如果工廠及辦公樓等單位用房也進(jìn)行太陽能發(fā)電，則

11、太陽能發(fā)電將占全國電力的3040。當(dāng)前阻礙太陽能發(fā)電普及的最主要因素是費(fèi)用昂貴。為了滿足一般家庭電力需要的3千瓦發(fā)電系統(tǒng),太陽能空調(diào)，需600萬至700萬日元，還未包括安裝的工錢。有關(guān)專家認(rèn)為，至少要降到100萬到200萬日元時(shí)，太陽能發(fā)電才能夠真正普及。降低費(fèi)用的關(guān)鍵在于太陽電池提高變換效率和降低成本。不久前，美國德州儀器公司和SCE公司宣布，它們開發(fā)出一種新的太陽電池，每一單元是直徑不到1毫米的小珠，它們密密麻麻規(guī)則地分布在柔軟的鋁箔上，就像許多蠶卵緊貼在紙上一樣。在大約50平方厘米的面積上便分布有1，700個(gè)這樣的單元。這種新電池的特點(diǎn)是，雖然變換效率只有8-10%，但價(jià)格便宜。而且鋁箔

12、底襯柔軟結(jié)實(shí)，可以像布帛一樣隨意折疊且經(jīng)久耐用，掛在向陽處便可發(fā)電，非常方便。據(jù)稱，使用這種新太陽電池，每瓦發(fā)電能力的設(shè)備只要15至2美元，而且每發(fā)一度電的費(fèi)用也可降到14美分左右，完全可以同普通電廠產(chǎn)生的電力相競(jìng)爭(zhēng)。每個(gè)家庭將這種電池掛在向陽的屋頂、墻壁上，每年就可獲得一二千度的電力。進(jìn)一步的提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率和降低太陽電池的生產(chǎn)成本是我們現(xiàn)階段不斷研究的課題。提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率的方法，有在太陽電池中減少能量的損失。損失有兩種類型：光學(xué)損失和電學(xué)損失，其中光學(xué)損失主要體現(xiàn)以下3種方式：1.硅表面的反射損失，經(jīng)處理的拋光硅片反射率可達(dá)30%以上；2.上電極的遮光損失，作為上極電極的金屬

13、柵線要遮掉5%15%的入射光；3.進(jìn)入硅片能量大于禁帶寬度的光子在電池背面的投射。三種光學(xué)性質(zhì)的損失中，硅表面的反射損失最多。通過在太陽電池表面制備絨面可以有效降低太陽電池的表面反射率。1.2本論文所研究的主要內(nèi)容本論文主要從實(shí)用、商品化太陽電池的生產(chǎn)與工藝研究出發(fā)，對(duì)太陽電池生產(chǎn)制絨的研究及技術(shù)改進(jìn)進(jìn)行了全方位的描述。在第二章中著重對(duì)制作太陽電池工藝過程進(jìn)行了系統(tǒng)的闡述，并對(duì)某些工藝進(jìn)行了工藝條件的實(shí)驗(yàn)，通過對(duì)比得到結(jié)論，總結(jié)提出了提高效率、降低成本的個(gè)人看法。在三、四章主要從理論、圖片和實(shí)際出發(fā)，提出了在太陽電池生產(chǎn)工藝中制絨工藝的重要性和其改進(jìn)方法。本文主要介紹清洗制絨的基本原理及工藝流

14、程，并結(jié)合個(gè)人工作期間遇到的來料、制絨深度的控制、人為不當(dāng)操作等問題。第二章 太陽電池基礎(chǔ)及其制作工藝2.1太陽電池基本構(gòu)造和工作原理太陽電池的基本構(gòu)造 （ a ） ( b ) ( c )a. 太陽電池正面俯視圖 b.太陽電池部分立體圖 c.相應(yīng)的斷面圖其中: 1 - 太陽電池主柵線 2 - 太陽電池副柵線、 3 - 太陽電池背電場(chǎng) 4 - 減反射膜 5 - 擴(kuò)散層 6 其區(qū)層圖21 太陽電池的基本結(jié)構(gòu)圖太陽電池工作原理太陽電池是利用半導(dǎo)體光生伏打效應(yīng)（Photovoltaic Effect）的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體按其是否含有雜質(zhì)及雜質(zhì)成分，分為本征半導(dǎo)體、非本征半導(dǎo)體。高純硅是一種本征半導(dǎo)體，

15、在常溫下只有為數(shù)極少的電子穴對(duì)參與導(dǎo)電，部分自由電子遇到空穴會(huì)迅速恢復(fù)合成共價(jià)鍵電子結(jié)構(gòu)，所以硅的本征電阻率比較大。但如果在高純中摻入極微量的電活性雜質(zhì)，其電阻率會(huì)顯著下降。當(dāng)向硅中摻入億分之一的硼，其電阻率就會(huì)降為原來的千分之一。摻入對(duì)雜質(zhì)不僅改變電導(dǎo)率，而且改變導(dǎo)電型號(hào)。當(dāng)在硅中摻入磷、砷、銻等5價(jià)元素（又稱施主雜質(zhì)），它們的價(jià)電子多于價(jià)軌道，是多電子原子，在形成共價(jià)鍵之外，有多余的電子，位于共價(jià)鍵之外的電子受原子核的束縛力要比組成共價(jià)鍵的電子小得多，只要得到很少的能量，就能成為自己電子。同時(shí)，該5價(jià)的元素的原子成為帶正電陽離子。該材料以電子為多數(shù)載流子，稱之為N型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體也有空

16、穴，但數(shù)量少，稱為少數(shù)載流子。如果的在硅中摻入硼、鎵、鋁等3價(jià)元素（又稱受主雜質(zhì)），它的價(jià)電子數(shù)目少于價(jià)軌道，是缺電子原子，在形成的共價(jià)鍵內(nèi)出現(xiàn)空穴，位于共價(jià)鍵內(nèi)的電子只需外界給很少能量，就會(huì)擺脫束縛過來填充，形成新的空穴。同時(shí)該3價(jià)元素的原子成為帶負(fù)電的陰離子。該材料以空穴為多數(shù)載流子，稱為P型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體中也有自由電子，但數(shù)量很少，稱為少數(shù)載流子。當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體緊密接觸在一起時(shí)，在交界面上就會(huì)有自由電子和空穴的濃度差，空穴向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散，自由電子向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散，在交界面附近，空穴和自由電子復(fù)合，于是在交界面附近，P型半導(dǎo)體帶負(fù)電，N型半導(dǎo)體帶正電，形成一個(gè)稱為勢(shì)壘電場(chǎng)的

17、內(nèi)建電場(chǎng)，其方向從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)，電場(chǎng)的形成阻礙了自由電子和空穴的擴(kuò)散，從而形成一個(gè)穩(wěn)定的電場(chǎng)。當(dāng)太陽光照射到P-N結(jié)上時(shí)，光能被吸收后，在導(dǎo)帶和價(jià)帶中產(chǎn)生非平衡載流子電子空穴。它們分別在P區(qū)的N區(qū)形成濃度梯度，開始向P-N結(jié)作擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。到達(dá)邊界時(shí)受P-N結(jié)勢(shì)壘區(qū)存在的強(qiáng)內(nèi)建電場(chǎng)作用下將空穴推向P區(qū)，電子推向N區(qū)，在勢(shì)壘區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)下，各向相反方向運(yùn)動(dòng)。離開勢(shì)壘區(qū)，結(jié)果使得P區(qū)電勢(shì)升高N區(qū)電勢(shì)降低，P-N結(jié)兩端形成光生電動(dòng)勢(shì)，這就是P-N的光生伏特效應(yīng)。具有光生伏特效應(yīng)的PN結(jié)實(shí)際上就相當(dāng)于一個(gè)電源，接上用電器后就能工作，這就是太陽電池的工作原理。圖2-2 太陽電池工作原理圖2.

18、2太陽電池的簡(jiǎn)介制作絨面擴(kuò)散刻蝕去PSGPECVD絲網(wǎng)印刷電極燒結(jié)檢測(cè)分選圖2-3 太陽電池制作工序制作絨面：在太陽能電池中，其能量的損失有兩種類型，光學(xué)損失、電學(xué)損失，其中光學(xué)損失主要的以下幾種：1硅表面上的反射損失，拋光后的硅片反射率在30%發(fā)上；2上電極的遮光損失，作為上電極的金屬柵線要遮蓋5%-15%的入射光；3進(jìn)入硅片能量大于禁帶寬度的光子在家電池背面的投身。制絨是減少這些損失的方法之一，通過在硅片表面的制作絨面可以有效的降低太陽能電池的表面反射率，入射光在電池表面多次反射延長(zhǎng)了光程，增加了對(duì)紅外光的吸收，而且有更多的光子在P-N結(jié)附近會(huì)產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集機(jī)率

19、；另外同樣尺寸的硅片,絨面電池P-N結(jié)的面積較大，可以提高短路電流，轉(zhuǎn)換效率也會(huì)有相應(yīng)的提高。酸性制絨（主要適用于多晶硅）Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O （2.2.1）SiO2+4HF=SiF4+2H2O （2.2.2）SiF4+2HF=H2SiF6 （2.2.3）擴(kuò)散：擴(kuò)散是一種由微粒的熱運(yùn)動(dòng)所引起的物質(zhì)輸運(yùn)的過程，可以是一種或多種物質(zhì)在氣、液、固體的同一相內(nèi)或不同相間進(jìn)行。擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力實(shí)質(zhì)是化學(xué)勢(shì)梯度。固體中擴(kuò)散微觀基質(zhì)即擴(kuò)散基質(zhì)可以概括為3種：填隙原子機(jī)制、空位機(jī)制、交換機(jī)制?？涛g：刻蝕是采用化學(xué)或是物理的方法，有選擇地從半導(dǎo)體材料表面除去不需要的材料的過程。通常是刻蝕技

20、術(shù)分為濕法腐蝕和干法刻蝕。第二章 濕法腐蝕是通過化學(xué)溶液與被刻蝕材料發(fā)生反應(yīng)而去除被刻蝕部分的方法。但其特點(diǎn)是各向同性，存在側(cè)向腐蝕而產(chǎn)生底切現(xiàn)象，導(dǎo)致線寬失真等問題，所以目前不用。第三章 干法刻蝕是把材料的被刻蝕表面暴露于等離子體中，等離子體通過光刻膠中開出的窗口與材料發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)從而去除暴露的材料。分為物理性刻蝕和化學(xué)性刻蝕。去磷硅玻璃（PSG）：磷硅玻璃是硅片在擴(kuò)散時(shí)的化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致在硅片表面形成一層含有磷元素的二氧化硅，稱之為磷硅玻璃。除去這層磷硅玻璃主要是用氫氟酸來腐蝕，因?yàn)闅浞峋哂腥芙舛趸璧奶匦?。減反射膜：PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)技術(shù)原理是低溫等離子體作為能

21、量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品上升到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)過一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面固態(tài)薄膜。絲網(wǎng)印刷：絲網(wǎng)印刷是太陽能電池制造的重要工藝，它質(zhì)量的好壞會(huì)對(duì)太陽能電池的性能特別是電性能產(chǎn)生重要影響。太陽能電池的印刷電極，最早是采用真空鍍或化學(xué)電鍍技術(shù)制作現(xiàn)普遍采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，即通過特殊的印刷機(jī)和模板將銀漿、鋁漿印刷在太陽電池的正、背面以形成正負(fù)電極引線，再經(jīng)過低溫烘烤、高溫?zé)Y(jié)，最終制成太陽電池。電極燒結(jié)：太陽電池片目前采用只需一次燒結(jié)的共燒工藝原理，同時(shí)形成上下電極的歐姆接觸（歐姆接觸：金屬與半導(dǎo)體的接觸，接觸

22、面的電阻值小于半導(dǎo)體電阻值）銀漿、銀鋁漿、鋁漿印刷過的硅片，經(jīng)過烘干使有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，膜厚收縮成為固狀物緊密黏附在硅片上，這時(shí)可以看到金屬電極材料層和硅片接觸在一起。第三章 硅片的清洗與制絨3.1超聲波清洗 3.1.1 超聲波清洗的原理超聲波清洗機(jī)理是：換能器將功率超聲頻源的聲能轉(zhuǎn)換成機(jī)械振動(dòng)并通過清洗槽壁向槽子中的清洗液輻射超聲波，槽內(nèi)液體中的微氣泡在聲波的作用下振動(dòng)，當(dāng)聲壓或聲強(qiáng)達(dá)到一定值時(shí)，氣泡迅速增長(zhǎng)，然后突然閉合，在氣泡閉合的瞬間產(chǎn)生沖擊波使氣泡周圍產(chǎn)生1012-1013pa的壓力及局部調(diào)溫，這種超聲波空化所產(chǎn)生的巨大壓力能破壞不溶性污物而使他們分化于溶液中，蒸汽型空化對(duì)污垢的直接

23、反復(fù)沖擊，一方面破壞污物與清洗件表面的吸附，另一方面能引起污物層的疲勞破壞而被駁離，氣體型氣泡的振動(dòng)對(duì)固體表面進(jìn)行擦洗，污層一旦有縫可鉆，氣泡立即“鉆入”振動(dòng)使污層脫落，由于空化作用，兩種液體在界面迅速分散而乳化，當(dāng)固體粒子被油污裹著而粘附在清洗件表面時(shí)，油被乳化、固體粒子自行脫落，超聲在清洗液中傳播時(shí)會(huì)產(chǎn)生正負(fù)交變的聲壓，形成射流，沖擊清洗件，同時(shí)由于非線性效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生聲流和微聲流，而超聲空化在固體和液體界面會(huì)產(chǎn)生高速的微射流，所有這些作用，能夠破壞污物，除去或削弱邊界污層，增加攪拌、擴(kuò)散作用，加速可溶性污物的溶解，強(qiáng)化化學(xué)清洗劑的清洗作用。由此可見，凡是液體能浸到且聲場(chǎng)存在的地方都有清洗作用

24、，尤其是采用這一技術(shù)后，可減少化學(xué)溶劑的用量，從而大大降低環(huán)境污染。3.1.2 超聲清洗的優(yōu)越性高精度：由于超聲波的能量能夠穿透細(xì)微的縫隙和小孔，故可以應(yīng)用與任何零部件或裝配件清洗。被清洗件為精密部件或裝配件時(shí)，超聲清洗往往成為能滿足其特殊技術(shù)要求的唯一的清洗方式；快速：超聲清洗相對(duì)常規(guī)清洗方法在工件除塵除垢方面要快得多。裝配件無須拆卸即可清洗。超聲清洗可節(jié)省勞動(dòng)力的優(yōu)點(diǎn)往往使其成為最經(jīng)濟(jì)的清洗方式；一致：無論被清洗件是大是小，簡(jiǎn)單還是復(fù)雜，單件還是批量或在自動(dòng)流水線上，使用超聲清洗都可以獲得手工清洗無可比擬的均一的清潔度。3.1.3 影響超聲清洗效果的因素1.清洗時(shí)間：清洗時(shí)間是影響超聲波清

25、洗效果的一個(gè)主要因素，清洗時(shí)間取決于工件的污染程度以及清潔度要求，典型的清洗時(shí)間是 2-10 分鐘，只有少數(shù)工件能夠在很短的時(shí)間里面清洗干凈。2.清洗液溫度：一般來說，超聲波在30-40時(shí)的空化效果最好。清洗劑則溫度越高，作用越顯著。通常實(shí)際應(yīng)用超聲波時(shí)，采用50-70的工作溫度。3.采用的清洗液：考慮到清洗液的物理特性對(duì)超聲清洗的影響，其中蒸汽壓、表面張力、黏度以及密度應(yīng)為最顯著的影響因素。溫度能影響這些因素，所以它也會(huì)影響空化作用的效率。4.工件的設(shè)計(jì)外形5.超聲波頻率：超聲波頻率越低，在液體中產(chǎn)生的空化越容易，產(chǎn)生的力度大，作用也越強(qiáng)，適用于工件（粗、臟）初洗。頻率高則超聲波方向性強(qiáng)，適

26、用于精細(xì)的物件清洗。6.超聲功率密度：功率密度=發(fā)射功率（W）/發(fā)射面積（cm2）通常0.3W/cm2，超聲波的功率密度越高，空化效果越強(qiáng)，速度越快，清洗效果越好。但對(duì)于精密的、表面光潔度甚高的物件，采用長(zhǎng)時(shí)間的高功率密度清洗會(huì)對(duì)物件表面產(chǎn)生“空化”腐蝕。7.清洗裝夾方式：工件的清洗載入方式，在清洗設(shè)備的設(shè)計(jì)階段。必須充分考慮工件清洗時(shí)候的載入方式，一些較大的工件，內(nèi)部比較難以清洗的工件（例如一些鑄造件），一個(gè)原則是只能載入清洗液的一半重量的工件清洗，在大多數(shù)案例中，分兩次載入較少的工件清洗比一次載入較大的工件清洗效3.2硅片的制絨在太陽電池中，硅片表面制備絨面可以有效降低太陽電池的表面反射率

27、，入射光在電池表面多次反射延長(zhǎng)了光程，增加了對(duì)紅外光子的吸收（如圖2.1），而且有較多的光子在P-N結(jié)附近產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率；另外，同樣尺寸的基片，絨面電池的P-N結(jié)面積較大，可以提高短路電流，轉(zhuǎn)換效率也有相應(yīng)的提高。因此，在減少光的損失方面，電池的織構(gòu)化技術(shù)和減少反射技術(shù)起著重要作用。制絨目的：1、去除硅片表面機(jī)械損傷層；2、形成起伏不平的絨面，增加硅對(duì)太陽光的吸收。利用陷光原理，減少光的反射，提高短路電流(Isc)，增加PN結(jié)面積，最終提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。陷光原理：當(dāng)光入射到一定角度的斜面(金字塔理論角度70.5)，光會(huì)反射到另一角度的斜面，形成二次或多次吸

28、收，從而增加吸收率。絨面陷光示意圖圖3-1 絨面陷光示意圖第四章 單晶、多晶的制絨工藝 太陽電池的表面反射率是影響太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一。通過制絨，在太陽電池表面織構(gòu)化可以有效降低太陽電池的表面反射率，入射光在電池表面多次反射延長(zhǎng)了光程，增加了對(duì)紅外光子的吸收，而且有較多的光子在p-n結(jié)附近產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率；另外同樣尺寸的基片，絨面電池的p-n結(jié)面積較大，可以提高短路電流，效率也有相應(yīng)的提高。4.1片表面機(jī)械損傷層的腐蝕由于硅片在切割過程中表面留有大約1020m的鋸后損傷層，對(duì)制絨有很大影響，若損傷層去除不足可能會(huì)殘留切割時(shí)所遺留的雜質(zhì)，在制絨的時(shí)候也

29、會(huì)因?yàn)閾p傷層的緣故而導(dǎo)致金字塔的無法出現(xiàn)，而且會(huì)在后續(xù)工序中繼續(xù)破壞硅片表面，導(dǎo)致電池各類參數(shù)不符合要求。因此在制絨前必須將其除去。在去除損傷層（粗拋）的時(shí)候，一般采用濃度為20%的NaOH溶液在8090的條件下腐蝕，在高濃度的堿溶液的腐蝕速率可以達(dá)到610um/min，由于此時(shí)的腐蝕速度過快，所以在達(dá)到去除損傷層的基礎(chǔ)上盡量減短初拋時(shí)間，以防硅片被腐蝕過薄。在初拋過程中產(chǎn)生的Na2SiO3的熱導(dǎo)性很差。一般硅酸鈉超過一定的量時(shí)，腐蝕產(chǎn)生的熱量超過從溶液表面和容器側(cè)面所散發(fā)的熱量，使溶液的溫度持續(xù)升高。所以初拋液必須定期更換或排出部分溶液。4.2 制絨腐蝕的原理硅腐蝕技術(shù)是硅微機(jī)械加工中最基礎(chǔ)

30、、最關(guān)鍵的技術(shù),它通常有兩種:干法腐蝕和濕法腐蝕。根據(jù)腐蝕劑的不同,硅的濕法腐蝕又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕。各向同性腐蝕主要用于多晶硅絨面制備，各向異性腐蝕主要用于單晶硅絨面制備。1、各向同性腐蝕（酸腐蝕）通常應(yīng)用的硅的腐蝕液包含氧化劑（如硝酸）和絡(luò)和劑（如氫氟酸）兩部分。酸腐蝕的原理是一方面通過氧化劑與硅的作用在硅的表面生成二氧化硅，另一方面通過氫氟酸對(duì)于二氧化硅的絡(luò)和劑作用生成可溶性的絡(luò)和物，在硅片表面留下了具有一定深度的腐蝕坑。從而完成對(duì)硅的腐蝕過程。多晶硅片由于晶向復(fù)雜，不能像單晶硅一樣用堿性溶液腐蝕產(chǎn)生金字塔型的絨面結(jié)構(gòu)。因此大多采用氫氟酸/硝酸體系進(jìn)行絨面的制備。硅和這種溶

31、液反應(yīng)的速度與晶向無關(guān)，是各向同性的，因此可以腐蝕出橢圓形的凹坑，入射光在凹坑中多次入射，從而起到陷光效果。2.各向異性腐蝕（堿腐蝕）由于不同晶向的單晶硅在堿性溶液中腐蝕的速率不同，利用這種差異可以用堿性溶液在(100)晶向的硅片上腐蝕出類似金字塔不規(guī)則排列的絨面結(jié)構(gòu)。入射光可以在金字塔的側(cè)面上形成兩次或兩次以上入射，從而大大降低了硅片的反射率。制溶液通常用低濃度(1. 5 - 2wt%)的氫氧化鈉溶液混合(3-10 vol%)的異丙醇(或乙醇)配制成，在70-80溫度范圍內(nèi)對(duì)(100)晶向的硅片表面進(jìn)行各向異性腐蝕，便可以得到由(111)面包圍形成的角錐體分布在表面上構(gòu)成的“絨面”。硅在堿溶

32、液中的腐蝕現(xiàn)象，可以用電化學(xué)腐蝕的微電池理論進(jìn)行解釋。實(shí)現(xiàn)電化學(xué)腐蝕應(yīng)具備的三個(gè)條件如下:被腐蝕的半導(dǎo)體各區(qū)域之間要有電位差，以便形成陽極和陰極。電極電位低的是陽極，電極電位高的是陰極，陽極被腐蝕溶解。具有不同電極電位的半導(dǎo)體各區(qū)域要互相接觸。這些不同區(qū)域的半導(dǎo)體要處于互相連通的電解質(zhì)溶液中。硅晶體在堿溶液中的腐蝕能滿足上述三個(gè)條件，從而在表面形成許多微電池。依靠微電池的電化學(xué)反應(yīng)，使半導(dǎo)體表面不斷受到腐蝕。在用NaOH稀溶液腐蝕硅片時(shí)陽極處:陰極處:總的反應(yīng)式:圖4-1單晶硅(100)表面上NaOH水溶液腐蝕形成的絨面形貌SEM照片單晶硅的各向異性腐蝕機(jī)理至今尚沒有完全被人們認(rèn)識(shí)清楚。但有兩

33、點(diǎn)為人們所廣泛接受，一是總反應(yīng)為：二是反應(yīng)的一般過程為：（1）反應(yīng)物分子通過界面擴(kuò)散到硅表面；（2）硅表面對(duì)反應(yīng)物分子進(jìn)行吸附；（3）在硅表面發(fā)生反應(yīng)；（4）反應(yīng)產(chǎn)物和副產(chǎn)物通過界面擴(kuò)散進(jìn)入電解液中。4.3 角錐體形成的原理1.晶體的各向異性晶體的各向異性即沿晶格的不同方向，原子排列的周期性和疏密程度不盡相同，由此導(dǎo)致晶體在不同方向的物理化學(xué)特性也不同，這就是晶體的各向異性。晶體的各向異性具體表現(xiàn)在晶體不同方向上的彈性膜量、硬度、熱膨脹系數(shù)、導(dǎo)熱性、電阻率、電位移矢量、電極化強(qiáng)度、磁化率和折射率等都是不同的。各向異性作為晶體的一個(gè)重要特性具有相當(dāng)重要的研究?jī)r(jià)值。晶面是在晶格點(diǎn)陣中，通過任意三個(gè)

34、不共線的原子排列構(gòu)成的平面，該平面將包含無限多個(gè)周期性分布的格點(diǎn)。晶向指一族晶列的共同方向，晶面的法線方向。如圖1.2所示平行于立方體面的平面叫做（100）面，對(duì)角橫穿3個(gè)頂點(diǎn)的面叫做（111）面。結(jié) 論單晶制絨原理為硅的各向異性腐蝕。硅片的表面沾污，缺陷等對(duì)絨面形成有圖4-2 晶體面中央立方體結(jié)構(gòu)。立方體晶體的（100）和（111）面單晶硅電池的絨面通常是利用某些化學(xué)腐蝕劑對(duì)其表面進(jìn)行腐蝕而形成，它們對(duì)硅的不同晶面有不同的腐蝕速度，對(duì)(100)面腐蝕較快，對(duì)(111)面腐蝕的慢，因此這種腐蝕方法也稱為各向異性腐蝕。如果將(100)作為電池的表面，經(jīng)過腐蝕、在表面會(huì)出現(xiàn)以四個(gè)(111)面形成的

35、角錐體。這些角錐體遠(yuǎn)看像叢山一樣密布于電池表面，肉眼看來，好象是一層絲絨，因此人們稱之為“絨面”。我們將（100）晶向上腐蝕速率與(111)晶向腐蝕速率比值定義為各向異性因子(Anisotropic Factor, AF)。當(dāng)AF=1時(shí)，腐蝕硅片可以得到平坦的表面。當(dāng)制絨液在方向上具有相對(duì)高的腐蝕速率(0.6um/min )和AF=10的各向異性系數(shù)時(shí)在硅片表面上得到最高的角錐體密度，能夠腐蝕出高質(zhì)量絨面。腐蝕堿溶液的濃度、溫度對(duì)AF有顯著的影響。如前所述，一般說來，低濃度的堿溶液和較低的溶液溫度具有較高的AF值;反之，高濃度的堿溶液和較高的溶液溫度則對(duì)應(yīng)低的AF數(shù)值。因此，前者用于制絨工藝，

36、后者用于拋光工藝。2.角錐體形成的因素分析從堿腐蝕硅的化學(xué)原理可知，伴隨腐蝕的進(jìn)行，硅表面有氣泡產(chǎn)生，氣泡的尺寸與溶液粘度、溶液表面張力有關(guān)。氣泡的大小和在硅表面的附著時(shí)間，對(duì)表面反應(yīng)的進(jìn)行乃至腐蝕形成的表面形貌有直接影響。在此我們引入接觸角的定義，接觸角為液-固-氣界面相交點(diǎn)，液-氣界面的切線與液-固界面切線的夾角。如圖1.3。如圖4-3液體與固體表面的接觸角定溫定壓平衡時(shí)液體在固體表面的接觸角決定于固-氣相、固-液相和液-氣相三個(gè)界面張力的大小關(guān)系。時(shí)，液體潤濕固體表面良好，時(shí)，液體潤濕固體表面不好，時(shí)，完全不潤濕。純凈的硅表面是不能與水潤濕的(疏水的)。對(duì)于氫氧化鈉水溶液，它和硅表面的潤

37、濕角。并與溶液濃度有關(guān)。溶液中加入異丙醇可以改善潤濕程度，在這里，起到表面活性劑的作用。在絨面腐蝕過程中，在硅片表面會(huì)有氣泡產(chǎn)生，氣泡擴(kuò)大到一定程度后，浮力大于表面附著力，氣泡便脫離硅片表面。腐蝕液又重新與硅表面接觸發(fā)生腐蝕，重復(fù)上述過程。周而復(fù)始，硅片表面逐層被腐蝕掉，并形成與表面晶向、溶液濃度、粘度、溫度、腐蝕時(shí)間等因素相關(guān)的表面腐蝕形貌。在腐蝕發(fā)生的初始時(shí)刻，溶液與硅表面的接觸角對(duì)腐蝕核的形成，以及絨面角錐體覆蓋率有著重要影響。良好的潤濕有利于提高覆蓋率。眾所周知，異丙醇增加硅表面的可濕潤性，但是硅的腐蝕速率會(huì)隨著濃度的增加而大幅度地降低。適當(dāng)濃度的異丙醇在溶液中起到消泡的作用。腐蝕過程

38、中氣泡在硅片表面的演變方式?jīng)Q定了絨面角錐體的形成，變化和最終形貌。在潤濕良好的表面上，一種腐蝕形成絨面的氣泡模型如圖4-4所示.如圖4-4 液體表面張力對(duì)腐蝕氣泡和角錐體尺寸的影響，表面張力（a）（b）如圖4-5不同表面張力情況下液體中的固體表面氣泡形式，（a）液體表面張力?。╞）液體表面張力大對(duì)于表面張力較小的情形(a)，腐蝕產(chǎn)生的氣泡在角錐體成核的地方很容易從角錐體尖端逃逸，氣泡尺寸較小。因此，腐蝕形成絨面的角錐體尺寸也較小。對(duì)于表面張力較大的情形(b)，氣泡不容易離開硅片表面，在角錐體成核的地方形成氣泡隔離，氣泡要長(zhǎng)大到浮力大于表面附著力時(shí)，才從硅片表面離開。因此，這種條件下形成的絨面角

39、錐體尺寸較大。當(dāng)表面張力達(dá)到一定程度后，氣泡會(huì)形成覆蓋面積較大的扁平狀，這時(shí)如果溶液的粘度又較大的話，氣泡就不容易離開硅片表面，這樣腐蝕出來的表面平整度和均勻性都很差。絨面的形成可以分為(a)成核、(b)擴(kuò)展、(c)絨面3個(gè)階段，如圖4-6所示。成核階段對(duì)絨面覆蓋率至關(guān)重要，實(shí)際上，成核密度高，覆蓋率就高;成核密度低，則很難采取補(bǔ)救措施。圖4-6 角錐體形成核到絨面形成的過程4.4 陷光原理陷光原理就是指使入射光進(jìn)行二次或者多次反射，從而減少反射率。堿的異性腐蝕可以在單晶硅表面上形成類“金字塔”形結(jié)構(gòu),圖7為周期性的“金字塔”絨面陷光的二維示意圖,入射光線I在金字塔某側(cè)面上的第一點(diǎn)入射后,反射

40、光會(huì)在另外的一個(gè)金字塔側(cè)面再次入射形成第二次光吸收,經(jīng)計(jì)算可知還有11%的二次反射光可能進(jìn)行第三次反射和折射,由此可算得絨面的反射率為9. 04%，如果再鍍減反射膜，可將反射率降至3 %。在同樣尺寸的基片上，絨面光電池的p-n結(jié)面積比光面大得多，因而可以提高短路電流和光生載流子圖4-7 陷光原理示意圖4-8 在掃描電鏡下絨面電池表面的形貌圖4-9 倒金字塔絨面反射機(jī)制4.5 制絨的因素分析為了提高單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，工業(yè)生產(chǎn)中通常采用堿與醇的混合溶液對(duì)（100）晶向的單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕，在表面形成類“金字塔”狀的絨面，有效增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽光的吸收，從而提高光生電流密度。對(duì)于既

41、可獲得低的表面反射率，又有利于太陽電池的后續(xù)制作工藝的絨面，應(yīng)該是金字塔大小均勻，單體尺寸在210 微米之間，相鄰金字塔之間沒有空隙，即覆蓋率達(dá)到100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的影響：1. 反應(yīng)時(shí)間對(duì)絨面形貌和反射率的影響（a）1min （b）5min （c）10min （d）15min圖4-10 不同時(shí)間下的絨面單晶硅片經(jīng)1 分鐘、5 分鐘、10 分鐘、30 分鐘腐蝕后，表面的微觀形貌。由圖4-11可以看出在適宜的條件下，金字塔的成核、生長(zhǎng)的過程。經(jīng)熱的濃堿去除損傷層后，硅片表面留下了許多膚淺的準(zhǔn)方形的腐蝕坑。1 分鐘后，金字塔如雨后春筍，零星的冒出了頭；5 分鐘后，硅片表面基

42、本上被小金字塔覆蓋，少數(shù)已開始長(zhǎng)大。我們稱絨面形成初期的這種變化為金字塔“成核”。如果在整個(gè)硅表面成核均勻，密度比較大，那么最終構(gòu)成絨面的金字塔就會(huì)大小均勻，平均體積較小，這樣的絨面單晶硅片不僅反射率低，而且有利于后續(xù)的擴(kuò)散和絲網(wǎng)印刷，制造出的太陽電池的性能也更好。很多相關(guān)的研究工作就是著力于增大金字塔的成核密度。 從圖4-11的c 可以看出，10 分鐘后，金字塔密布的絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到了比較低的水平。隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，金字塔向外擴(kuò)張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有降低。在實(shí)際生產(chǎn)中，硅片卡在承片盒內(nèi)的區(qū)域，受到的腐蝕不充分，絨面成形的時(shí)間較其他區(qū)域要長(zhǎng)。另一

43、方面，我們通過大量生產(chǎn)實(shí)踐發(fā)現(xiàn)，大金字塔的絨面單晶硅電池，性能略遜于小金字塔。原因可能在于，大金字塔尖銳的塔尖易于崩塌，擴(kuò)散形成的pn結(jié)受到了破壞。所以，我們?cè)趦?yōu)化單晶硅片制絨工藝時(shí)，應(yīng)該既考慮降低反射率，也要兼顧太陽電池的最終性能和外觀等各方面的因素。2.乙丙醇的含量對(duì)絨面的影響（a）無異丙醇 （b）3vol% （c）10vol% （d）30vol%圖4-11 異丙醇不同濃度下的絨面當(dāng)溶液中不含乙丙醇時(shí)，反應(yīng)進(jìn)行的速度比較快，硅片經(jīng)30 分鐘制絨處理后，兩面共被腐蝕減薄了40 微米。表面只有一些稀疏的金字塔，體積比較小。由于金字塔的覆蓋率很低，硅片對(duì)光的反射最強(qiáng)烈。我們向溶液中加入了少許乙丙

44、醇（3vol%），這種情況就大有改觀，反應(yīng)速度減緩，經(jīng)過相同時(shí)間的腐蝕，硅片只減薄25 微米，而金字塔分布錯(cuò)落有致，反射率幾乎降到了最低。只是在制絨過程中可以觀察到，有一些反應(yīng)產(chǎn)生的氫氣泡貼在硅片表面，緩慢釋放，造成外觀的斑點(diǎn)，為商業(yè)銷售所不喜。只需將乙丙醇的含量增大到5vol%，斑點(diǎn)的問題即可解決。乙丙醇的含量在3 vol%至20 vol%的范圍內(nèi)變化時(shí)，制絨反應(yīng)的變化不大，都可以得到比較理想的絨面，而5 vol%至10 vol%的環(huán)境最佳。當(dāng)乙丙醇的含量達(dá)到30 vol%，金字塔的覆蓋率再次降低，反射率升高，只是此種條件下的反應(yīng)速度緩慢，硅片只減薄了10 微米。乙丙醇在制絨液中主要起到兩點(diǎn)

45、作用：一，協(xié)助氫氣泡的釋放；二，減弱NaOH 溶液對(duì)硅片的腐蝕力度，調(diào)節(jié)各向異性因子。第一點(diǎn)已經(jīng)為大家所認(rèn)同。從硅片減薄的程度可以判斷，隨著乙丙醇的增加，硅片被腐蝕的速度減慢。純NaOH 水溶液，在高溫下不僅對(duì)原子排列稀疏的（100）晶面破壞性很強(qiáng)，對(duì)致密的（111）晶面也不再和顏悅色，各個(gè)晶面都受到腐蝕而不斷消溶。于是大部分的區(qū)域被沖刷形成了平原；而在局部，由于氫氣泡或溶液中某些雜質(zhì)的庇護(hù)，一些零星的金字塔暫時(shí)幸存了下來。乙丙醇明顯減弱了NaOH 的腐蝕強(qiáng)度，增強(qiáng)了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形和生長(zhǎng)。而當(dāng)乙丙醇的含量過高時(shí)，堿溶液對(duì)硅的腐蝕能力變的很弱，各個(gè)晶面都好像堅(jiān)不可摧的銅墻鐵壁

46、，各向異性因子又趨向于1。3.NaOH 的含量對(duì)絨面的影響圖4-12 NaOH不同濃度下的絨面從絨面的表面可以看出，經(jīng)過相同時(shí)間的生長(zhǎng)，NaOH的濃度越高，金字塔的體積越大。這說明在反應(yīng)的初期，金字塔的成核密度近似，不受NaOH 濃度的影響。而制絨液的腐蝕性隨NaOH 濃度的變化比較顯著，濃度高的NaOH 溶液與硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的速度加快，反應(yīng)相同時(shí)間后，金字塔的體積更大。當(dāng)NaOH 的濃度超過了一定的界限，溶液的腐蝕力度過強(qiáng)，各向異性因子變小，絨面會(huì)越來越差，直至出現(xiàn)類似“拋光”的效果。從圖4-12可以看出，相比于乙丙醇，有利于絨面生長(zhǎng)的NaOH 濃度范圍比較小，在1020 克/升之間。這就要

47、求生產(chǎn)工藝人員嚴(yán)格的控制制絨液中的NaOH 濃度。4.硅酸鈉的含量對(duì)絨面的影響腐蝕液中的硅酸鈉，對(duì)溶液的離子濃度起著緩沖劑的作用。因?yàn)楣杷徕c溶解于水中，當(dāng)水充分時(shí)，極易發(fā)生水解硅酸根，與水反應(yīng)生成硅酸及多硅酸溶膠，鈉離子則與水反應(yīng)生成氫氧化鈉以水溶液的形式存在，使溶液呈堿性。這種產(chǎn)物常稱為水玻璃。這種溶解反應(yīng)過程是一種動(dòng)態(tài)平衡，反應(yīng)平衡點(diǎn)的移動(dòng)與溶液濃度、溶液中離子的濃度、溶液溫度等因素有關(guān)。水玻璃溶膠體除了具有對(duì)離子濃度的緩沖作用外，它還對(duì)腐蝕過程中反應(yīng)物質(zhì)從溶液到反應(yīng)界面的輸運(yùn)起到緩釋作用。這種緩釋作用又使得大面積硅片表面得到均勻的腐蝕，使絨面上角錐體尺寸的均勻性得到了保證。另外，通過對(duì)水

48、玻璃與異丙醇的調(diào)節(jié)相配合，表面張力可以得到控制，從而可以得到最優(yōu)化的腐蝕工藝。經(jīng)過反復(fù)多次的使用，溶液中硅酸鈉濃度增加，溶液的粘度會(huì)隨著增加。溶液表面張力，界面能量也隨之改變。溶液中功能團(tuán)移向腐蝕反應(yīng)界面的傳輸效率逐漸降低，各向異性因子也隨著降低。氣泡從反應(yīng)界面的釋放也變得緩慢，雖然可以用異丙醇消泡，但是硅的腐蝕速率己大受影響，絨面覆蓋率大大降低。導(dǎo)致溶液失效。因此，己經(jīng)熟化并正常使用的氫氧化鈉制絨溶液，需要進(jìn)行合理的調(diào)節(jié)維護(hù)。調(diào)節(jié)控制溶液中硅酸鈉的含量，可以防止溶液失效。除了以上主要的因素之外，制絨的好壞還與其他的因素有關(guān)。在工業(yè)生產(chǎn)中，對(duì)這一工藝過程的影響因素更加復(fù)雜，例如加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn)良好的可重復(fù)性，并獲得高的生產(chǎn)效率，要求我們比較透徹的了解金字塔絨面的形成機(jī)理，控制對(duì)制絨過程影響較大的因素，在較短的時(shí)間內(nèi)形成質(zhì)量較好的金字塔絨面。4.6 化學(xué)清洗原理硅片經(jīng)過不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：一. 有機(jī)雜質(zhì)沾污：可通過有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來去除。二. 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來去除粒徑 0.4m顆粒，利用兆聲波可去除 0.2 m顆粒。三. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其