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1、本章主要介紹的內(nèi)容:本章主要介紹的內(nèi)容: 嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備分類(lèi)與層次結(jié)構(gòu)、嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備分類(lèi)與層次結(jié)構(gòu)、NOR FlashNOR Flash接口、接口、NAND FlashNAND Flash接口、接口、SDRAMSDRAM接口、接口、CFCF卡接口、卡接口、SDSD卡接口、卡接口、IDEIDE接口的基本原理、接口的基本原理、電路結(jié)構(gòu)與讀電路結(jié)構(gòu)與讀/ /寫(xiě)操作方法等。寫(xiě)操作方法等。重點(diǎn)內(nèi)容:重點(diǎn)內(nèi)容: NOR FlashNOR Flash接口、接口、NAND FlashNAND Flash接口、接口、SDRAMSDRAM接口。接口。目的和要求:目的和要求: 了解嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備分類(lèi)與
2、層次結(jié)構(gòu)、了解嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備分類(lèi)與層次結(jié)構(gòu)、 CFCF卡接口、卡接口、SDSD卡接口、卡接口、IDEIDE接口的基本原理、接口的基本原理、電路結(jié)構(gòu)與讀電路結(jié)構(gòu)與讀/ /寫(xiě)操作方法等。掌握寫(xiě)操作方法等。掌握NOR FlashNOR Flash接口、接口、NAND FlashNAND Flash接口、接口、SDRAMSDRAM接口等。接口等。第第6 6章章 嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)6.1 6.1 存儲(chǔ)器系統(tǒng)概述存儲(chǔ)器系統(tǒng)概述6.1.1 6.1.1 存儲(chǔ)器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu) 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器被組織成一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器被組織成一個(gè)6 6個(gè)層次的金字塔形個(gè)層
3、次的金字塔形的層次結(jié)構(gòu):的層次結(jié)構(gòu):(1 1)S0S0層為層為CPUCPU內(nèi)部寄存器內(nèi)部寄存器(2 2)S1S1層為芯片內(nèi)部的高速緩存(層為芯片內(nèi)部的高速緩存(cachecache)(3 3)S2S2層為芯片外的高速緩存(層為芯片外的高速緩存(SRAMSRAM、DRAMDRAM、DDRAMDDRAM)(4 4)S3S3層為主存儲(chǔ)器(層為主存儲(chǔ)器(FlashFlash、PROMPROM、EPROMEPROM、EEPROMEEPROM)(5 5)S4S4層為外部存儲(chǔ)器(磁盤(pán)、光盤(pán)、層為外部存儲(chǔ)器(磁盤(pán)、光盤(pán)、CFCF、SDSD卡)卡)(6 6)S5S5層為遠(yuǎn)程二級(jí)存儲(chǔ)(分布式文件系統(tǒng)、層為遠(yuǎn)程二級(jí)
4、存儲(chǔ)(分布式文件系統(tǒng)、WebWeb服務(wù)器)服務(wù)器)6.1.1 6.1.1 存儲(chǔ)器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu) 更小,更小,更快,更快,更貴的更貴的存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)設(shè)備更大,更大,更慢,更慢,更便宜的更便宜的存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)設(shè)備芯片內(nèi)的芯片內(nèi)的高速緩存高速緩存(cachecache)芯片外的高速緩存芯片外的高速緩存(SRAMSRAM,DRAMDRAM,DDRAMDDRAM)主存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器(FlashFlash,PROMPROM,EPROMEPROM,E2PROME2PROM)外部存儲(chǔ)器外部存儲(chǔ)器(磁盤(pán),光盤(pán),(磁盤(pán),光盤(pán),CFCF卡,卡,SDSD卡)卡)遠(yuǎn)程二
5、級(jí)存儲(chǔ)遠(yuǎn)程二級(jí)存儲(chǔ)(分布式文件系統(tǒng),(分布式文件系統(tǒng),WebWeb服務(wù)器)服務(wù)器)S0S0:S1S1:S2S2:S3S3:S4S4:S5S5:寄存器寄存器CPUCPU寄存器保存來(lái)自寄存器保存來(lái)自cachecache的字的字芯片內(nèi)的芯片內(nèi)的cachecache保存取自保存取自芯片外芯片外cachecache的的cachecache行行芯片外的芯片外的cachecache保存取自保存取自主存儲(chǔ)器上的主存儲(chǔ)器上的cachecache行行主存儲(chǔ)器保存取自主存儲(chǔ)器保存取自外部存儲(chǔ)器上的文件外部存儲(chǔ)器上的文件外部存儲(chǔ)器保存取自外部存儲(chǔ)器保存取自遠(yuǎn)程二級(jí)存儲(chǔ)上的文件遠(yuǎn)程二級(jí)存儲(chǔ)上的文件 在這種存儲(chǔ)器分層結(jié)構(gòu)
6、中,上面一層的存儲(chǔ)器作為在這種存儲(chǔ)器分層結(jié)構(gòu)中,上面一層的存儲(chǔ)器作為下一層存儲(chǔ)器的高速緩存。下一層存儲(chǔ)器的高速緩存。CPUCPU寄存器就是寄存器就是cachecache的高速的高速緩存,寄存器保存來(lái)自緩存,寄存器保存來(lái)自cachecache的字;的字;cachecache又是內(nèi)存層的又是內(nèi)存層的高速緩存,從內(nèi)存中提取數(shù)據(jù)送給高速緩存,從內(nèi)存中提取數(shù)據(jù)送給CPUCPU進(jìn)行處理,并將進(jìn)行處理,并將CPUCPU的處理結(jié)果返回到內(nèi)存中;內(nèi)存又是主存儲(chǔ)器的高速的處理結(jié)果返回到內(nèi)存中;內(nèi)存又是主存儲(chǔ)器的高速緩存,它將經(jīng)常用到的數(shù)據(jù)從緩存,它將經(jīng)常用到的數(shù)據(jù)從FlashFlash等主存儲(chǔ)器中提取出等主存儲(chǔ)器
7、中提取出來(lái),放到內(nèi)存中,從而加快了來(lái),放到內(nèi)存中,從而加快了CPUCPU的運(yùn)行效率。嵌入式系的運(yùn)行效率。嵌入式系統(tǒng)的主存儲(chǔ)器容量是有限的,磁盤(pán)、光盤(pán)或統(tǒng)的主存儲(chǔ)器容量是有限的,磁盤(pán)、光盤(pán)或CFCF、SDSD卡等卡等外部存儲(chǔ)器用來(lái)保存大信息量的數(shù)據(jù)。在某些帶有分布外部存儲(chǔ)器用來(lái)保存大信息量的數(shù)據(jù)。在某些帶有分布式文件系統(tǒng)的嵌入式網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中,外部存儲(chǔ)器就作為其式文件系統(tǒng)的嵌入式網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中,外部存儲(chǔ)器就作為其他系統(tǒng)中被存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的高速緩存。他系統(tǒng)中被存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的高速緩存。6.1.1 6.1.1 存儲(chǔ)器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu) 在主存儲(chǔ)器和在主存儲(chǔ)器和CPUCPU之間采用高速緩沖存儲(chǔ)器(之間采用
8、高速緩沖存儲(chǔ)器(cachecache)被廣泛用)被廣泛用來(lái)提高提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)的性能,許多微處理器體系結(jié)構(gòu)都把它作為來(lái)提高提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)的性能,許多微處理器體系結(jié)構(gòu)都把它作為其定義的一部分。其定義的一部分。cachecache能夠減少內(nèi)存平均訪問(wèn)時(shí)間。能夠減少內(nèi)存平均訪問(wèn)時(shí)間。 CacheCache可以分為統(tǒng)一可以分為統(tǒng)一cachecache和獨(dú)立的數(shù)據(jù)程序和獨(dú)立的數(shù)據(jù)程序cachecache。在一個(gè)存。在一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)中,指令預(yù)取時(shí)和數(shù)據(jù)讀寫(xiě)時(shí)使用同一個(gè)儲(chǔ)系統(tǒng)中,指令預(yù)取時(shí)和數(shù)據(jù)讀寫(xiě)時(shí)使用同一個(gè)cachecache,這時(shí)稱系統(tǒng),這時(shí)稱系統(tǒng)使用統(tǒng)一的使用統(tǒng)一的cachecache。如果在一個(gè)存儲(chǔ)系
9、統(tǒng)中,指令預(yù)取時(shí)使用的一個(gè)。如果在一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)中,指令預(yù)取時(shí)使用的一個(gè)cachecache,數(shù)據(jù)讀寫(xiě)時(shí)使用的另一個(gè),數(shù)據(jù)讀寫(xiě)時(shí)使用的另一個(gè)cachecache,各自是獨(dú)立的,這時(shí)稱系,各自是獨(dú)立的,這時(shí)稱系統(tǒng)使用了獨(dú)立的統(tǒng)使用了獨(dú)立的cachecache,用于指令預(yù)取的,用于指令預(yù)取的cachecache稱為指令稱為指令cachecache,用于,用于數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的cachecache稱為數(shù)據(jù)稱為數(shù)據(jù)cachecache。 當(dāng)當(dāng)CPUCPU更新了更新了cachecache的內(nèi)容時(shí),要將結(jié)果寫(xiě)回到主存中,可以采的內(nèi)容時(shí),要將結(jié)果寫(xiě)回到主存中,可以采用寫(xiě)通法(用寫(xiě)通法(write-throu
10、ghwrite-through)和寫(xiě)回法()和寫(xiě)回法(write-backwrite-back)。寫(xiě)通法是指)。寫(xiě)通法是指CPUCPU在執(zhí)行寫(xiě)操作時(shí),必須把數(shù)據(jù)同時(shí)寫(xiě)入在執(zhí)行寫(xiě)操作時(shí),必須把數(shù)據(jù)同時(shí)寫(xiě)入cachecache和主存。采用寫(xiě)通和主存。采用寫(xiě)通法進(jìn)行數(shù)據(jù)更新的法進(jìn)行數(shù)據(jù)更新的cachecache稱為寫(xiě)通稱為寫(xiě)通cachecache。寫(xiě)回法是指。寫(xiě)回法是指CPUCPU在執(zhí)行寫(xiě)操在執(zhí)行寫(xiě)操作時(shí),被寫(xiě)的數(shù)據(jù)只寫(xiě)入作時(shí),被寫(xiě)的數(shù)據(jù)只寫(xiě)入cachecache不寫(xiě)入主存。僅當(dāng)需要替換時(shí),才把不寫(xiě)入主存。僅當(dāng)需要替換時(shí),才把已經(jīng)修改的已經(jīng)修改的cachecache塊寫(xiě)回到主存中。采用寫(xiě)回法進(jìn)行數(shù)據(jù)
11、更新的塊寫(xiě)回到主存中。采用寫(xiě)回法進(jìn)行數(shù)據(jù)更新的cachecache稱為寫(xiě)回稱為寫(xiě)回cachecache。6.1.2 6.1.2 高速緩沖存儲(chǔ)器高速緩沖存儲(chǔ)器 當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)操作時(shí),可以將當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)操作時(shí),可以將cachecache分為讀操作分配分為讀操作分配cachecache和寫(xiě)操作分配和寫(xiě)操作分配cachecache兩類(lèi)。對(duì)于讀操作分配兩類(lèi)。對(duì)于讀操作分配cachecache,當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)操作時(shí),如果當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)操作時(shí),如果cachecache未命中,只是簡(jiǎn)單地將未命中,只是簡(jiǎn)單地將數(shù)據(jù)寫(xiě)入主存中。主要在數(shù)據(jù)讀取時(shí),才進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入主存中。主要在數(shù)據(jù)讀取時(shí),才進(jìn)行cachecache內(nèi)容內(nèi)容
12、預(yù)取。對(duì)于寫(xiě)操作分配預(yù)取。對(duì)于寫(xiě)操作分配cachecache,當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)操作時(shí),如,當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)操作時(shí),如果果cachecache未命中,未命中,cachecache系統(tǒng)將會(huì)進(jìn)行系統(tǒng)將會(huì)進(jìn)行cachecache內(nèi)容預(yù)取,從內(nèi)容預(yù)取,從主存中將相應(yīng)的塊讀取到主存中將相應(yīng)的塊讀取到cachecache中相應(yīng)的位置,并執(zhí)行寫(xiě)中相應(yīng)的位置,并執(zhí)行寫(xiě)操作,把數(shù)據(jù)寫(xiě)入到操作,把數(shù)據(jù)寫(xiě)入到cachecache中。對(duì)于寫(xiě)通類(lèi)型的中。對(duì)于寫(xiě)通類(lèi)型的cachecache,數(shù)據(jù)將會(huì)同時(shí)被寫(xiě)入到主存中,對(duì)于寫(xiě)回類(lèi)型的數(shù)據(jù)將會(huì)同時(shí)被寫(xiě)入到主存中,對(duì)于寫(xiě)回類(lèi)型的cachecache數(shù)數(shù)據(jù)將在合適的時(shí)候?qū)懟氐街鞔嬷小?jù)將
13、在合適的時(shí)候?qū)懟氐街鞔嬷小?.1.2 6.1.2 高速緩沖存儲(chǔ)器高速緩沖存儲(chǔ)器 MMU MMU(Memory Manage Unit, Memory Manage Unit, 存儲(chǔ)管理單元)在存儲(chǔ)管理單元)在CPUCPU和物理內(nèi)存之間進(jìn)行地址轉(zhuǎn)換,將地址從邏輯空間映射和物理內(nèi)存之間進(jìn)行地址轉(zhuǎn)換,將地址從邏輯空間映射到物理空間,這個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程一般稱為內(nèi)存映射。到物理空間,這個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程一般稱為內(nèi)存映射。 MMUMMU主要完成以下工作:主要完成以下工作: (1 1)虛擬存儲(chǔ)空間到物理存儲(chǔ)空間的映射。采用了)虛擬存儲(chǔ)空間到物理存儲(chǔ)空間的映射。采用了頁(yè)式虛擬存儲(chǔ)管理,它把虛擬地址空間分成一個(gè)個(gè)固定頁(yè)式虛擬
14、存儲(chǔ)管理,它把虛擬地址空間分成一個(gè)個(gè)固定大小的塊,每一塊稱為一頁(yè),把物理內(nèi)存的地址空間也大小的塊,每一塊稱為一頁(yè),把物理內(nèi)存的地址空間也分成同樣大小的頁(yè)。分成同樣大小的頁(yè)。MMUMMU實(shí)現(xiàn)的就是從虛擬地址到物理地實(shí)現(xiàn)的就是從虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換。址的轉(zhuǎn)換。 (2 2)存儲(chǔ)器訪問(wèn)權(quán)限的控制。)存儲(chǔ)器訪問(wèn)權(quán)限的控制。 (3 3)設(shè)置虛擬存儲(chǔ)空間的緩沖的特性。)設(shè)置虛擬存儲(chǔ)空間的緩沖的特性。6.1.3 6.1.3 存儲(chǔ)管理單元存儲(chǔ)管理單元 嵌入式系統(tǒng)中常常采用頁(yè)式存儲(chǔ)管理。頁(yè)表是存儲(chǔ)在內(nèi)存中的嵌入式系統(tǒng)中常常采用頁(yè)式存儲(chǔ)管理。頁(yè)表是存儲(chǔ)在內(nèi)存中的一個(gè)表,頁(yè)表用來(lái)管理這些頁(yè)。頁(yè)表的每一行對(duì)應(yīng)于虛擬
15、存儲(chǔ)空間一個(gè)表,頁(yè)表用來(lái)管理這些頁(yè)。頁(yè)表的每一行對(duì)應(yīng)于虛擬存儲(chǔ)空間的一個(gè)頁(yè),該行包含了該虛擬內(nèi)存頁(yè)對(duì)應(yīng)的物理內(nèi)存頁(yè)的地址、該的一個(gè)頁(yè),該行包含了該虛擬內(nèi)存頁(yè)對(duì)應(yīng)的物理內(nèi)存頁(yè)的地址、該頁(yè)的方位權(quán)限和該頁(yè)的緩沖特性等。從虛擬地址到物理地址的變換頁(yè)的方位權(quán)限和該頁(yè)的緩沖特性等。從虛擬地址到物理地址的變換過(guò)程就是查詢頁(yè)表的過(guò)程。例如在過(guò)程就是查詢頁(yè)表的過(guò)程。例如在ARMARM嵌入式系統(tǒng)中,使用系統(tǒng)控制嵌入式系統(tǒng)中,使用系統(tǒng)控制協(xié)處理器協(xié)處理器CP15CP15的寄存器的寄存器C2C2來(lái)保存頁(yè)表的基地址。來(lái)保存頁(yè)表的基地址。 基于程序在執(zhí)行過(guò)程中具有局部性的原理,在一段時(shí)間內(nèi),對(duì)基于程序在執(zhí)行過(guò)程中具有局
16、部性的原理,在一段時(shí)間內(nèi),對(duì)頁(yè)表的訪問(wèn)只是局限在少數(shù)幾個(gè)單元。根據(jù)這一特點(diǎn),增加了一個(gè)頁(yè)表的訪問(wèn)只是局限在少數(shù)幾個(gè)單元。根據(jù)這一特點(diǎn),增加了一個(gè)小容量(通常為小容量(通常為8 81616字)、高速度(訪問(wèn)速度和字)、高速度(訪問(wèn)速度和CPUCPU中通用寄存器中通用寄存器相當(dāng))的存儲(chǔ)部件來(lái)存放當(dāng)前訪問(wèn)需要的地址變換條目,這個(gè)存儲(chǔ)相當(dāng))的存儲(chǔ)部件來(lái)存放當(dāng)前訪問(wèn)需要的地址變換條目,這個(gè)存儲(chǔ)部件稱為地址轉(zhuǎn)換后備緩沖器(部件稱為地址轉(zhuǎn)換后備緩沖器(Translation Look aside BufferTranslation Look aside Buffer,TLBTLB)。當(dāng))。當(dāng)CPUCPU訪問(wèn)
17、內(nèi)存時(shí),首先在訪問(wèn)內(nèi)存時(shí),首先在TLBTLB中查找需要的地址變換條目,中查找需要的地址變換條目,如果該條目不存在,如果該條目不存在,CPUCPU在從位于內(nèi)存中的頁(yè)表中查詢,并把相應(yīng)的在從位于內(nèi)存中的頁(yè)表中查詢,并把相應(yīng)的結(jié)果添加到結(jié)果添加到TLBTLB中,更新它的內(nèi)容。中,更新它的內(nèi)容。6.1.3 6.1.3 存儲(chǔ)管理單元存儲(chǔ)管理單元 當(dāng)當(dāng)ARMARM處理器請(qǐng)求存儲(chǔ)訪問(wèn)時(shí),首先在處理器請(qǐng)求存儲(chǔ)訪問(wèn)時(shí),首先在TLBTLB中查找虛中查找虛擬地址。如果系統(tǒng)中數(shù)據(jù)擬地址。如果系統(tǒng)中數(shù)據(jù)TLBTLB和指令和指令TLBTLB是分開(kāi)的,在取是分開(kāi)的,在取指令時(shí),從指令指令時(shí),從指令TLBTLB查找相應(yīng)的虛擬
18、地址,對(duì)于內(nèi)存訪問(wèn)查找相應(yīng)的虛擬地址,對(duì)于內(nèi)存訪問(wèn)操作,從數(shù)據(jù)操作,從數(shù)據(jù)TLBTLB中查找相應(yīng)的虛擬地址。中查找相應(yīng)的虛擬地址。 嵌入式系統(tǒng)中虛擬存儲(chǔ)空間到物理存儲(chǔ)空間的映射嵌入式系統(tǒng)中虛擬存儲(chǔ)空間到物理存儲(chǔ)空間的映射以內(nèi)存塊為單位來(lái)進(jìn)行。即虛擬存儲(chǔ)空間中一塊連續(xù)的以內(nèi)存塊為單位來(lái)進(jìn)行。即虛擬存儲(chǔ)空間中一塊連續(xù)的存儲(chǔ)空間被映射到物理存儲(chǔ)空間中同樣大小的一塊連續(xù)存儲(chǔ)空間被映射到物理存儲(chǔ)空間中同樣大小的一塊連續(xù)存儲(chǔ)空間。在頁(yè)表和存儲(chǔ)空間。在頁(yè)表和TLBTLB中,每一個(gè)地址變換條目實(shí)際上中,每一個(gè)地址變換條目實(shí)際上記錄了一個(gè)虛擬存儲(chǔ)空間的內(nèi)存塊的基地址與物理存儲(chǔ)記錄了一個(gè)虛擬存儲(chǔ)空間的內(nèi)存塊的基地
19、址與物理存儲(chǔ)空間相應(yīng)的一個(gè)內(nèi)存塊的基地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系。根據(jù)內(nèi)存空間相應(yīng)的一個(gè)內(nèi)存塊的基地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系。根據(jù)內(nèi)存塊大小,可以有多種地址變換。塊大小,可以有多種地址變換。6.1.3 6.1.3 存儲(chǔ)管理單元存儲(chǔ)管理單元 嵌入式系統(tǒng)支持的內(nèi)存塊大小有以下幾種:段(嵌入式系統(tǒng)支持的內(nèi)存塊大小有以下幾種:段(sectionsection)大?。┐笮闉?MB1MB的內(nèi)存塊;大頁(yè)(的內(nèi)存塊;大頁(yè)(Large PagesLarge Pages)大小為)大小為64KB64KB的內(nèi)存塊;小頁(yè)的內(nèi)存塊;小頁(yè)(Small PagesSmall Pages)大小為)大小為4KB4KB的內(nèi)存塊;極小頁(yè)(的內(nèi)存塊;極小頁(yè)(
20、Tiny PagesTiny Pages)大?。┐笮闉?KB1KB的內(nèi)存塊。極小頁(yè)只能以的內(nèi)存塊。極小頁(yè)只能以1KB1KB大小為單位不能再細(xì)分,而大頁(yè)大小為單位不能再細(xì)分,而大頁(yè)和小頁(yè)有些情況下可以在進(jìn)一步的劃分,大頁(yè)可以分成大小為和小頁(yè)有些情況下可以在進(jìn)一步的劃分,大頁(yè)可以分成大小為16KB16KB的子頁(yè),小頁(yè)可以分成大小為的子頁(yè),小頁(yè)可以分成大小為1KB1KB的子頁(yè)。的子頁(yè)。 MMUMMU中的域指的是一些段、大頁(yè)或者小頁(yè)的集合。每個(gè)域的訪問(wèn)中的域指的是一些段、大頁(yè)或者小頁(yè)的集合。每個(gè)域的訪問(wèn)控制特性都是由芯片內(nèi)部的寄存器中的相應(yīng)控制位來(lái)控制的。例如控制特性都是由芯片內(nèi)部的寄存器中的相應(yīng)控
21、制位來(lái)控制的。例如在在ARMARM嵌入式系統(tǒng)中,每個(gè)域的訪問(wèn)控制特性都是由嵌入式系統(tǒng)中,每個(gè)域的訪問(wèn)控制特性都是由CP15CP15中的寄存器中的寄存器C3C3中的兩位來(lái)控制的。中的兩位來(lái)控制的。 MMUMMU中的快速上下文切換技術(shù)(中的快速上下文切換技術(shù)(Fast Context Switch Fast Context Switch ExtensionExtension,F(xiàn)CSEFCSE)通過(guò)修改系統(tǒng)中不同進(jìn)程的虛擬地址,避免在進(jìn))通過(guò)修改系統(tǒng)中不同進(jìn)程的虛擬地址,避免在進(jìn)行進(jìn)程間切換時(shí)造成的虛擬地址到物理地址的重映射,從而提高系行進(jìn)程間切換時(shí)造成的虛擬地址到物理地址的重映射,從而提高系統(tǒng)的性
22、能。統(tǒng)的性能。6.1.3 6.1.3 存儲(chǔ)管理單元存儲(chǔ)管理單元 在嵌入式系統(tǒng)中,在嵌入式系統(tǒng)中,I/OI/O操作通常被映射成存儲(chǔ)器操作,操作通常被映射成存儲(chǔ)器操作,即輸入輸出是通過(guò)存儲(chǔ)器映射的可尋址外圍寄存器和即輸入輸出是通過(guò)存儲(chǔ)器映射的可尋址外圍寄存器和中斷輸入的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)的。中斷輸入的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)的。I/OI/O的輸出操作可通過(guò)存儲(chǔ)器的輸出操作可通過(guò)存儲(chǔ)器寫(xiě)入操作實(shí)現(xiàn);寫(xiě)入操作實(shí)現(xiàn);I/OI/O的輸入操作可通過(guò)存儲(chǔ)器讀取操作實(shí)的輸入操作可通過(guò)存儲(chǔ)器讀取操作實(shí)現(xiàn)。這些存儲(chǔ)器映射的現(xiàn)。這些存儲(chǔ)器映射的I/OI/O空間不滿足空間不滿足cachecache所要求的特所要求的特性,不能使用性,不能使用
23、cachecache技術(shù),一些嵌入式系統(tǒng)使用存儲(chǔ)器直技術(shù),一些嵌入式系統(tǒng)使用存儲(chǔ)器直接訪問(wèn)(接訪問(wèn)(DMADMA)實(shí)現(xiàn)快速存儲(chǔ)。)實(shí)現(xiàn)快速存儲(chǔ)。6.1.3 6.1.3 存儲(chǔ)管理單元存儲(chǔ)管理單元6.2 6.2 嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備分類(lèi)嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備分類(lèi)6.2.1 6.2.1 存儲(chǔ)器部件的分類(lèi)存儲(chǔ)器部件的分類(lèi)1.1.按在系統(tǒng)中的地位分類(lèi)按在系統(tǒng)中的地位分類(lèi) 在微機(jī)系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(在微機(jī)系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(Main MemoryMain Memory簡(jiǎn)稱內(nèi)存簡(jiǎn)稱內(nèi)存或主存)和輔助存儲(chǔ)器(或主存)和輔助存儲(chǔ)器(Auxiliary MemoryAuxiliary Memory,
24、Secondary MemorySecondary Memory,簡(jiǎn)稱輔存或外存)。簡(jiǎn)稱輔存或外存)。 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)主機(jī)的一個(gè)組成部分,一般都用快速存儲(chǔ)器件來(lái)內(nèi)存是計(jì)算機(jī)主機(jī)的一個(gè)組成部分,一般都用快速存儲(chǔ)器件來(lái)構(gòu)成,內(nèi)存的存取速度很快,但內(nèi)存空間的大小受到地址總線位數(shù)構(gòu)成,內(nèi)存的存取速度很快,但內(nèi)存空間的大小受到地址總線位數(shù)的限制。內(nèi)存通常用來(lái)容納當(dāng)前正在使用的或要經(jīng)常使用的程序和的限制。內(nèi)存通常用來(lái)容納當(dāng)前正在使用的或要經(jīng)常使用的程序和數(shù)據(jù),數(shù)據(jù),CPUCPU可以直接對(duì)內(nèi)存進(jìn)行訪問(wèn)。系統(tǒng)軟件中如引導(dǎo)程序、監(jiān)控可以直接對(duì)內(nèi)存進(jìn)行訪問(wèn)。系統(tǒng)軟件中如引導(dǎo)程序、監(jiān)控程序或者操作系統(tǒng)中的基本輸入輸出
25、部分程序或者操作系統(tǒng)中的基本輸入輸出部分BIOSBIOS都是必須常駐內(nèi)存。都是必須常駐內(nèi)存。更多的系統(tǒng)軟件和全部應(yīng)用軟件則在用到時(shí)由外存?zhèn)魉偷絻?nèi)存。更多的系統(tǒng)軟件和全部應(yīng)用軟件則在用到時(shí)由外存?zhèn)魉偷絻?nèi)存。 外存也是用來(lái)存儲(chǔ)各種信息的,存放的是相對(duì)來(lái)說(shuō)不經(jīng)常使用外存也是用來(lái)存儲(chǔ)各種信息的,存放的是相對(duì)來(lái)說(shuō)不經(jīng)常使用的程序和數(shù)據(jù),其特點(diǎn)是容量大。外存總是和某個(gè)外部設(shè)備相關(guān)的,的程序和數(shù)據(jù),其特點(diǎn)是容量大。外存總是和某個(gè)外部設(shè)備相關(guān)的,常見(jiàn)的外存有軟盤(pán)、硬盤(pán)、常見(jiàn)的外存有軟盤(pán)、硬盤(pán)、U U盤(pán)、光盤(pán)等。盤(pán)、光盤(pán)等。CPUCPU要使用外存的這些信要使用外存的這些信息時(shí),必須通過(guò)專門(mén)的設(shè)備將信息先傳送到內(nèi)
26、存中。息時(shí),必須通過(guò)專門(mén)的設(shè)備將信息先傳送到內(nèi)存中。2.2.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類(lèi)按存儲(chǔ)介質(zhì)分類(lèi) 根 據(jù) 存 儲(chǔ) 介 質(zhì) 的 材 料 及 器 件 的 不 同 , 可 分 為 磁 存 儲(chǔ) 器根 據(jù) 存 儲(chǔ) 介 質(zhì) 的 材 料 及 器 件 的 不 同 , 可 分 為 磁 存 儲(chǔ) 器(Magnetic MemoryMagnetic Memory),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、光存儲(chǔ)器(),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、光存儲(chǔ)器(Optical MemoryOptical Memory)及激光光盤(pán)存儲(chǔ)器(及激光光盤(pán)存儲(chǔ)器(Laser Optical DiskLaser Optical Disk)。)。3.3.按信息存取方式分類(lèi)按信息存取方
27、式分類(lèi) 存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)信息的功能,分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)信息的功能,分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Random Access MemoryAccess Memory,RAMRAM)和只讀存儲(chǔ)器()和只讀存儲(chǔ)器(Read Only MemoryRead Only Memory,ROMROM)。)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種在機(jī)器運(yùn)行期間可讀、可寫(xiě)的存儲(chǔ)器,又稱隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種在機(jī)器運(yùn)行期間可讀、可寫(xiě)的存儲(chǔ)器,又稱讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。隨機(jī)存儲(chǔ)器按信息存儲(chǔ)的方式,可分為靜態(tài)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。隨機(jī)存儲(chǔ)器按信息存儲(chǔ)的方式,可分為靜態(tài)RAMRAM(Static RAMStatic RAM,SRAMSRAM),
28、動(dòng)態(tài)),動(dòng)態(tài)RAMRAM(Dynamic RAMDynamic RAM,DRAMDRAM)及準(zhǔn)靜態(tài))及準(zhǔn)靜態(tài)RAMRAM(PseudostaticPseudostatic RAM RAM,簡(jiǎn)稱,簡(jiǎn)稱PSRAMPSRAM)。)。 在機(jī)器運(yùn)行期間只能讀出信息,不能隨時(shí)寫(xiě)入信息的存儲(chǔ)器稱在機(jī)器運(yùn)行期間只能讀出信息,不能隨時(shí)寫(xiě)入信息的存儲(chǔ)器稱為只讀存儲(chǔ)器。只讀存儲(chǔ)器按功能可分為掩模式(為只讀存儲(chǔ)器。只讀存儲(chǔ)器按功能可分為掩模式(ROMROM)、可編程只)、可編程只讀存儲(chǔ)器(讀存儲(chǔ)器(Programmable ROMProgrammable ROM,PROMPROM)和可改寫(xiě)的只讀存儲(chǔ)器)和可改寫(xiě)的只讀
29、存儲(chǔ)器(Erasable Programmable ROMErasable Programmable ROM,EPROMEPROM)。)。6.2.1 6.2.1 存儲(chǔ)器部件的分類(lèi)存儲(chǔ)器部件的分類(lèi) 存儲(chǔ)器的容量是描述存儲(chǔ)器的最基本參數(shù),如存儲(chǔ)器的容量是描述存儲(chǔ)器的最基本參數(shù),如1MB1MB。存儲(chǔ)器的表示并不唯一,有不同表示方法,每種有不同存儲(chǔ)器的表示并不唯一,有不同表示方法,每種有不同的數(shù)據(jù)寬度。在存儲(chǔ)器內(nèi)部,數(shù)據(jù)是存放在二維陣列存的數(shù)據(jù)寬度。在存儲(chǔ)器內(nèi)部,數(shù)據(jù)是存放在二維陣列存儲(chǔ)單元中。陣列以二維的形式存儲(chǔ),給出的儲(chǔ)單元中。陣列以二維的形式存儲(chǔ),給出的n n位地址被分位地址被分成行地址和列地址
30、(成行地址和列地址(n nr r十十c c)。)。r r是行地址數(shù),是行地址數(shù),c c是列地是列地址數(shù)。行列選定一個(gè)特定存儲(chǔ)單元。如果存儲(chǔ)器外部寬址數(shù)。行列選定一個(gè)特定存儲(chǔ)單元。如果存儲(chǔ)器外部寬度為度為1 1位,那么列地址僅一位;對(duì)更寬的數(shù)據(jù),列地址可位,那么列地址僅一位;對(duì)更寬的數(shù)據(jù),列地址可選擇所有列的一個(gè)子集。選擇所有列的一個(gè)子集。 嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)器與通用系統(tǒng)的存儲(chǔ)器有所不同,嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)器與通用系統(tǒng)的存儲(chǔ)器有所不同,通常由通常由ROMROM、RAMRAM、EPROMEPROM等組成。嵌入式存儲(chǔ)器一般采用等組成。嵌入式存儲(chǔ)器一般采用存儲(chǔ)密度較大的存儲(chǔ)器芯片,存儲(chǔ)容量與應(yīng)用的軟件大存
31、儲(chǔ)密度較大的存儲(chǔ)器芯片,存儲(chǔ)容量與應(yīng)用的軟件大小相匹配。小相匹配。 6.2.2 6.2.2 存儲(chǔ)器的組織和結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的組織和結(jié)構(gòu)1.RAM1.RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)(隨機(jī)存儲(chǔ)器) RAMRAM可以被讀和寫(xiě),地址可以以任意次序被讀。常見(jiàn)可以被讀和寫(xiě),地址可以以任意次序被讀。常見(jiàn)RAMRAM的種類(lèi)有的種類(lèi)有SRAMSRAM(Static RAMStatic RAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、DRAMDRAM(Dynamic RAMDynamic RAM,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、DDRAMDDRAM(Double Data Rate SDRAMDouble Data Rate
32、 SDRAM,雙倍速率隨機(jī)存儲(chǔ)器)。,雙倍速率隨機(jī)存儲(chǔ)器)。其中,其中,SRAMSRAM比比DRAMDRAM運(yùn)行速度快,運(yùn)行速度快,SRAMSRAM比比DRAMDRAM耗電多,耗電多,DRAMDRAM需要周期性刷新。而需要周期性刷新。而DDRAMDDRAM是是RAMRAM的下一代產(chǎn)品。在的下一代產(chǎn)品。在1 3 3 M H z1 3 3 M H z 時(shí) 鐘 頻 率 ,時(shí) 鐘 頻 率 , D D R A MD D R A M 內(nèi) 存 帶 寬 可 以 達(dá) 到內(nèi) 存 帶 寬 可 以 達(dá) 到13313364b/864b/82 22.1GB/s2.1GB/s,在,在200MHz200MHz時(shí)鐘頻率,其帶寬
33、時(shí)鐘頻率,其帶寬可達(dá)到可達(dá)到20020064b/864b/82 23.2GB/s3.2GB/s的海量。的海量。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備2.ROM2.ROM(只讀存儲(chǔ)器)(只讀存儲(chǔ)器) ROMROM在燒入數(shù)據(jù)后,無(wú)需外加電源來(lái)保存數(shù)據(jù),斷電后數(shù)據(jù)不丟在燒入數(shù)據(jù)后,無(wú)需外加電源來(lái)保存數(shù)據(jù),斷電后數(shù)據(jù)不丟失,但速度較慢,適合存儲(chǔ)需長(zhǎng)期保留的不變數(shù)據(jù)。在嵌入式系統(tǒng)失,但速度較慢,適合存儲(chǔ)需長(zhǎng)期保留的不變數(shù)據(jù)。在嵌入式系統(tǒng)中,中,ROMROM用固定數(shù)據(jù)和程序。用固定數(shù)據(jù)和程序。 常見(jiàn)的常見(jiàn)的ROMROM有有Mask ROMMask ROM(掩模(掩模ROM
34、ROM)、)、PROMPROM(Programmable ROMProgrammable ROM,可編程可編程ROMROM)、)、EPROMEPROM(Erasable Programmable ROMErasable Programmable ROM,可擦寫(xiě),可擦寫(xiě)ROMROM)、)、EEPROMEEPROM(電可擦除可編程(電可擦除可編程ROMROM,也可表示為,也可表示為E E2 2PROMPROM)、)、Flash ROMFlash ROM(閃速存儲(chǔ)器)。(閃速存儲(chǔ)器)。 Mask ROMMask ROM一次性由廠家寫(xiě)入數(shù)據(jù)的一次性由廠家寫(xiě)入數(shù)據(jù)的ROMROM,用戶無(wú)法修改。,用戶無(wú)法
35、修改。PROMPROM出出廠時(shí)廠家并沒(méi)有寫(xiě)入數(shù)據(jù),而是保留里面的內(nèi)容為全廠時(shí)廠家并沒(méi)有寫(xiě)入數(shù)據(jù),而是保留里面的內(nèi)容為全0 0或全或全1 1,由用,由用戶來(lái)編程一次性寫(xiě)入數(shù)據(jù)。戶來(lái)編程一次性寫(xiě)入數(shù)據(jù)。EPROMEPROM可以通過(guò)紫外光的照射,擦掉原先可以通過(guò)紫外光的照射,擦掉原先的程序,芯片可重復(fù)擦除和寫(xiě)入。的程序,芯片可重復(fù)擦除和寫(xiě)入。E2PROME2PROM是通過(guò)加電擦除原編程數(shù)是通過(guò)加電擦除原編程數(shù)據(jù),通過(guò)高壓脈沖可以寫(xiě)入數(shù)據(jù),寫(xiě)入時(shí)間較長(zhǎng)。據(jù),通過(guò)高壓脈沖可以寫(xiě)入數(shù)據(jù),寫(xiě)入時(shí)間較長(zhǎng)。Flash ROMFlash ROM斷電不斷電不會(huì)丟失數(shù)據(jù)(會(huì)丟失數(shù)據(jù)(NVRAMNVRAM),可快速讀取
36、,電可擦寫(xiě)可編程。),可快速讀取,電可擦寫(xiě)可編程。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備3.Flash Memory3.Flash Memory Flash memory Flash memory(閃速存儲(chǔ)器)是嵌入式系統(tǒng)中重要(閃速存儲(chǔ)器)是嵌入式系統(tǒng)中重要的組成部分,用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù),掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟的組成部分,用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù),掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。但在使用失。但在使用Flash MemoryFlash Memory時(shí),必須根據(jù)其自身特性,時(shí),必須根據(jù)其自身特性,對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),以保證系統(tǒng)的性能
37、達(dá)到最優(yōu)。Flash MemoryFlash Memory是一種非易失性存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器NVMNVM(Non-Volatile Non-Volatile MemoryMemory),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FlashNOR Flash和和NAND FlashNAND Flash兩種。兩種。 Flash MemoryFlash Memory在物理結(jié)構(gòu)上分成若干個(gè)區(qū)塊,區(qū)塊在物理結(jié)構(gòu)上分成若干個(gè)區(qū)塊,區(qū)塊之間相互獨(dú)立。之間相互獨(dú)立。NOR FlashNOR Flash把整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)分成若干個(gè)扇區(qū)把整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)分成若干個(gè)扇區(qū)(SectorSector),
38、而),而NAND FlashNAND Flash把整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)分成若干個(gè)塊把整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)分成若干個(gè)塊(BlockBlock),可以對(duì)以塊或扇區(qū)為單位的內(nèi)存單元進(jìn)行擦),可以對(duì)以塊或扇區(qū)為單位的內(nèi)存單元進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。寫(xiě)和再編程。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備 由于由于Flash MemoryFlash Memory的寫(xiě)操作只能將數(shù)據(jù)位從的寫(xiě)操作只能將數(shù)據(jù)位從1 1寫(xiě)成寫(xiě)成0 0,而不能從,而不能從0 0寫(xiě)成寫(xiě)成1 1,所以在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入之前必須先執(zhí)行擦除操作,將預(yù)寫(xiě),所以在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入之前必須先執(zhí)行擦除操作,將預(yù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)位初始化為入的數(shù)據(jù)位初始
39、化為1 1。擦操作的最小單位是一個(gè)區(qū)塊,而不是單個(gè)。擦操作的最小單位是一個(gè)區(qū)塊,而不是單個(gè)字節(jié)。字節(jié)。NAND FlashNAND Flash執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NORNOR型內(nèi)存則要求型內(nèi)存則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0 0。 由于擦除由于擦除NOR FlashNOR Flash時(shí)是以時(shí)是以6464128KB128KB為單位的塊進(jìn)行的,執(zhí)行為單位的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入擦除操作的時(shí)間為一個(gè)寫(xiě)入擦除操作的時(shí)間為5s5s,與此相反,擦除,與此相反,擦除NAND FlashNAND Flash是以是以8
40、832KB32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms4ms。 NOR FlashNOR Flash的讀速度比的讀速度比NAND FlashNAND Flash稍快一些,稍快一些,NAND FlashNAND Flash的寫(xiě)入的寫(xiě)入速度比速度比NOR FlashNOR Flash快很多??旌芏?。NAND FlashNAND Flash的隨機(jī)讀取能力差,適合大量的隨機(jī)讀取能力差,適合大量數(shù)據(jù)的連續(xù)讀取。數(shù)據(jù)的連續(xù)讀取。 除了除了NOR FlashNOR Flash的讀,的讀,F(xiàn)lash MemoryFlash Memory的其他操作不能像的其他操作不能像
41、RAMRAM那樣,那樣,直接對(duì)目標(biāo)地址進(jìn)行總線操作。例如執(zhí)行一次寫(xiě)操作,它必須輸入直接對(duì)目標(biāo)地址進(jìn)行總線操作。例如執(zhí)行一次寫(xiě)操作,它必須輸入一串特殊的指令(一串特殊的指令(NOR Flash NOR Flash ),或者完成一段時(shí)序(),或者完成一段時(shí)序(NAND FlashNAND Flash)才能將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到才能將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到Flash MemoryFlash Memory中。中。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備 NOR Flash NOR Flash帶有帶有SRAMSRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易
42、地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NAND FlashNAND Flash地址、數(shù)據(jù)和命令共用地址、數(shù)據(jù)和命令共用8 8位總線位總線/16/16位總線,每次讀寫(xiě)都要使用復(fù)雜的位總線,每次讀寫(xiě)都要使用復(fù)雜的I/OI/O接口串行地存取數(shù)接口串行地存取數(shù)據(jù),據(jù),8 8位總線位總線/16/16位總線用來(lái)傳送控制、地址和資料信息。位總線用來(lái)傳送控制、地址和資料信息。 NAND FlashNAND Flash讀和寫(xiě)操作采用讀和寫(xiě)操作采用512B512B的塊,類(lèi)似硬盤(pán)管理操作。因的塊,類(lèi)似硬盤(pán)管理操作。因此,基于此,基于NANDNAND的閃存可以取代硬盤(pán)或其他塊設(shè)備。的閃存可以取代硬盤(pán)或
43、其他塊設(shè)備。 NOR FlashNOR Flash容量通常在容量通常在1 MB1 MB8MB8MB之間。而之間。而NAND FlashNAND Flash用在用在8MB8MB以以上的產(chǎn)品當(dāng)中。上的產(chǎn)品當(dāng)中。NOR FlashNOR Flash主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,NAND FlashNAND Flash適用于資料存儲(chǔ)。適用于資料存儲(chǔ)。 所有所有Flash MemoryFlash Memory器件存在位交換現(xiàn)象。器件存在位交換現(xiàn)象。Flash MemoryFlash Memory在讀寫(xiě)在讀寫(xiě)數(shù)據(jù)過(guò)程中,偶然會(huì)產(chǎn)生一位或幾位數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,即位反轉(zhuǎn)。位反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)過(guò)程中,偶然會(huì)
44、產(chǎn)生一位或幾位數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,即位反轉(zhuǎn)。位反轉(zhuǎn)無(wú)法避免,只能通過(guò)其他手段對(duì)產(chǎn)生的結(jié)果進(jìn)行事后處理。位反轉(zhuǎn)無(wú)法避免,只能通過(guò)其他手段對(duì)產(chǎn)生的結(jié)果進(jìn)行事后處理。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題多見(jiàn)于的問(wèn)題多見(jiàn)于NAND FlashNAND Flash。NAND FlashNAND Flash的供貨商建議使用的供貨商建議使用NAND NAND FlashFlash的時(shí)候,同時(shí)使用的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECCEDC/ECC(錯(cuò)誤探測(cè)錯(cuò)誤糾正)算法,以(錯(cuò)誤探測(cè)錯(cuò)誤糾正)算法,以確保可靠性。確保可靠性。 6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備 Flash MemoryFlash Memory在
45、使用過(guò)程中,可能導(dǎo)致某些區(qū)塊的損在使用過(guò)程中,可能導(dǎo)致某些區(qū)塊的損壞。區(qū)塊一旦損壞,將無(wú)法進(jìn)行修復(fù)。壞。區(qū)塊一旦損壞,將無(wú)法進(jìn)行修復(fù)。NAND FlashNAND Flash中的中的壞塊是隨機(jī)分布的,尤其是壞塊是隨機(jī)分布的,尤其是NAND FlashNAND Flash在出廠時(shí)就可能在出廠時(shí)就可能存在這樣的壞塊(已經(jīng)被標(biāo)識(shí)出)。存在這樣的壞塊(已經(jīng)被標(biāo)識(shí)出)。NAND FlashNAND Flash需要對(duì)需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。如果對(duì)已損壞的區(qū)塊進(jìn)行操作,可能會(huì)帶來(lái)不可預(yù)用。如果對(duì)已損壞的區(qū)塊進(jìn)行操作,可能會(huì)帶來(lái)
46、不可預(yù)測(cè)的錯(cuò)誤。測(cè)的錯(cuò)誤。 應(yīng)用程序可以直接在應(yīng)用程序可以直接在NOR FlashNOR Flash內(nèi)運(yùn)行,不需要再把內(nèi)運(yùn)行,不需要再把代碼讀到系統(tǒng)代碼讀到系統(tǒng)RAMRAM中運(yùn)行。中運(yùn)行。NOR FlashNOR Flash的傳輸效率很高,的傳輸效率很高,在在1 14MB4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。NAND FlashNAND Flash結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快,應(yīng)用應(yīng)用NAND FlashN
47、AND Flash的困難在于需要特殊的系統(tǒng)接口。的困難在于需要特殊的系統(tǒng)接口。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備 在在NOR FlashNOR Flash上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持。在上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持。在NAND FlashNAND Flash上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTDMTD)。)。NAND FlashNAND Flash和和NOR NOR FlashFlash在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTDMTD。 在在NA
48、ND FlashNAND Flash中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而而NOR FlashNOR Flash的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND FlashNAND Flash除了具有除了具有10:110:1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的NAND FlashNAND Flash塊尺寸要比塊尺寸要比NORNOR型閃存小型閃存小8 8倍,每個(gè)倍,每個(gè)NAND FlashNAND Flash的內(nèi)存塊在給定的時(shí)的內(nèi)存塊在給定的時(shí)間內(nèi)刪除次數(shù)要少一些。間內(nèi)刪除次數(shù)要少一些。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存
49、儲(chǔ)設(shè)備4.4.標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)卡(標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)卡(Compact FlashCompact Flash,CFCF卡)卡) CFCF卡是利用卡是利用FlashFlash技術(shù)的存儲(chǔ)卡,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖,接技術(shù)的存儲(chǔ)卡,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖,接口具有口具有PCMCIA-ATAPCMCIA-ATA功能,可以工作在功能,可以工作在IDEIDE接口模式,也可接口模式,也可以工作在以工作在PC CardPC Card模式。衍生出來(lái)的模式。衍生出來(lái)的CF+CF+卡物理規(guī)格和卡物理規(guī)格和CFCF完全相同,在手持設(shè)備上應(yīng)用,如完全相同,在手持設(shè)備上應(yīng)用,如CFCF串口卡、串口卡、CF Modem. CF Modem. CFCF藍(lán)牙、藍(lán)牙
50、、CF USBCF USB卡、卡、CFCF網(wǎng)卡、網(wǎng)卡、CF GPSCF GPS卡、卡、CF GPRSCF GPRS卡等??ǖ?。按照按照CF+CF+卡標(biāo)準(zhǔn),它不一定要支持卡標(biāo)準(zhǔn),它不一定要支持ATAATA接口。通常建議接口。通常建議CF+CF+卡工作在卡工作在PCMCIAPCMCIA模式。模式。CFCF卡可以看作是卡可以看作是PCMCIAPCMCIA卡的一個(gè)卡的一個(gè)子集,可以通過(guò)物理上的轉(zhuǎn)換器,直接轉(zhuǎn)換成子集,可以通過(guò)物理上的轉(zhuǎn)換器,直接轉(zhuǎn)換成PCMCIAPCMCIA卡卡使用。使用。 CFCF卡可分為卡可分為I I型和型和IIII型兩類(lèi),二者的規(guī)格和特性基本型兩類(lèi),二者的規(guī)格和特性基本相同,只是
51、相同,只是IIII型比型比I I型略厚一些(型略厚一些(5.0mm5.0mm,3.3mm3.3mm),),IIII型型插座可以同時(shí)兼容插座可以同時(shí)兼容I I型卡。型卡。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備CFCF卡內(nèi)部結(jié)構(gòu)卡內(nèi)部結(jié)構(gòu)6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備主機(jī)主機(jī)嵌入式嵌入式FlashFlash文件系統(tǒng)文件系統(tǒng)MCUMCUECCECC內(nèi)部?jī)?nèi)部DMADMAPWUPWUFlashFlash媒體媒體SRAMSRAM緩沖緩沖ATAATA控制器控制器 CF CF卡有卡有3 3種工作模式:種工作模式:PCPC卡卡ATA I
52、/OATA I/O模式、模式、PCPC卡卡ATAATA存儲(chǔ)模式和實(shí)存儲(chǔ)模式和實(shí)IDEIDE模式。實(shí)模式。實(shí)IDEIDE模式與模式與IDEIDE接口完全兼容。接口完全兼容。CFCF卡遵循卡遵循ATAATA協(xié)議,屬于協(xié)議,屬于塊存儲(chǔ)設(shè)備,存儲(chǔ)單元是通過(guò)磁頭(塊存儲(chǔ)設(shè)備,存儲(chǔ)單元是通過(guò)磁頭(headhead)、柱面()、柱面(cylindercylinder,也,也稱磁道)和扇區(qū)(稱磁道)和扇區(qū)(sector sector )組織起來(lái)的。在物理尋址()組織起來(lái)的。在物理尋址(CHSCHS)方式)方式下,每一組下,每一組H/C/SH/C/S參數(shù)唯一確定存儲(chǔ)卡中的一個(gè)扇區(qū),通常一個(gè)扇區(qū)參數(shù)唯一確定存儲(chǔ)卡
53、中的一個(gè)扇區(qū),通常一個(gè)扇區(qū)擁有擁有512B512B的數(shù)據(jù)空間。一個(gè)驅(qū)動(dòng)數(shù)格式化后的容量為磁頭數(shù)的數(shù)據(jù)空間。一個(gè)驅(qū)動(dòng)數(shù)格式化后的容量為磁頭數(shù)柱面柱面數(shù)數(shù)扇區(qū)數(shù)扇區(qū)數(shù)512512字節(jié)。在物理尋址模式下,扇區(qū)(字節(jié)。在物理尋址模式下,扇區(qū)(S S)是最低的地)是最低的地址單位,其次是磁頭(址單位,其次是磁頭(H H),最后的柱面(),最后的柱面(C C)為最高尋址單位。此)為最高尋址單位。此外,還有邏輯尋址方式(外,還有邏輯尋址方式(LBALBA)。在這種尋址方式下,)。在這種尋址方式下,CFCF卡按照以連卡按照以連續(xù)序列的邏輯扇區(qū)編號(hào)進(jìn)行尋址,主機(jī)不必知道續(xù)序列的邏輯扇區(qū)編號(hào)進(jìn)行尋址,主機(jī)不必知道
54、CFCF卡的物理幾何結(jié)卡的物理幾何結(jié)構(gòu)。使用構(gòu)。使用2828個(gè)數(shù)據(jù)位來(lái)表示邏輯扇區(qū)的地址,可以尋址個(gè)數(shù)據(jù)位來(lái)表示邏輯扇區(qū)的地址,可以尋址228228個(gè)扇區(qū),個(gè)扇區(qū),理論上可以尋址理論上可以尋址136GB136GB的容量。的容量。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備 物理尋址方式與邏輯尋址方式的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下所示物理尋址方式與邏輯尋址方式的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下所示: S SLBALBA=N=NH HN NS Sb bC C+N+NC Cb bH H+b+bS S-1-1; b bC C= =(S SLBALBA div N div NS S)div Ndiv NH H;
55、 b bH H= =(S SLBALBA div N div NS S)mod Nmod NH H; b bS S= =(S SLBALBA mod N mod NS S)+1+1。 其中:其中:N NS S為每磁道扇區(qū)數(shù),為每磁道扇區(qū)數(shù),N NH H為磁頭數(shù),為磁頭數(shù),b bC C、b bH H、b bS S分分別表示磁盤(pán)的柱面、磁頭和扇區(qū)編號(hào),別表示磁盤(pán)的柱面、磁頭和扇區(qū)編號(hào),S SLBALBA表示邏輯扇區(qū)表示邏輯扇區(qū)號(hào),號(hào),divdiv為整除計(jì)算,為整除計(jì)算,modmod為求余計(jì)算。為求余計(jì)算。 6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備5.5.安全數(shù)據(jù)卡(
56、安全數(shù)據(jù)卡(Secure Digital CardSecure Digital Card,SDSD卡)卡) 由日本由日本PanasonicPanasonic公司、公司、TOSHIBATOSHIBA公司和美國(guó)公司和美國(guó)SanDiskSanDisk公司共同開(kāi)公司共同開(kāi)發(fā)研制的發(fā)研制的SDSD卡是一種全新的存儲(chǔ)卡產(chǎn)品,在卡是一種全新的存儲(chǔ)卡產(chǎn)品,在MP3MP3、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子圖書(shū)及相機(jī)、電子圖書(shū)及AVAV器材等中應(yīng)用。器材等中應(yīng)用。SDSD存儲(chǔ)卡采用一個(gè)完全開(kāi)放的存儲(chǔ)卡采用一個(gè)完全開(kāi)放的標(biāo)準(zhǔn)(系統(tǒng)),外形與標(biāo)準(zhǔn)(系統(tǒng)),外形與MultiMediaMultiMedia卡保
57、持一致,比卡保持一致,比MMCMMC卡略厚,具有卡略厚,具有更大的容量,兼容更大的容量,兼容MMCMMC卡接口規(guī)范??ń涌谝?guī)范。SDSD卡具有加密功能,可以保證數(shù)卡具有加密功能,可以保證數(shù)據(jù)資料的安全保密。據(jù)資料的安全保密。SDSD卡具有版權(quán)保護(hù)技術(shù),所采用的版權(quán)保護(hù)技卡具有版權(quán)保護(hù)技術(shù),所采用的版權(quán)保護(hù)技術(shù)是術(shù)是DVDDVD中使用的中使用的CPRMCPRM技術(shù)(可刻錄介質(zhì)內(nèi)容保護(hù))。技術(shù)(可刻錄介質(zhì)內(nèi)容保護(hù))。6.6.硬盤(pán)存儲(chǔ)器硬盤(pán)存儲(chǔ)器 硬盤(pán)存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)容量大,使用壽命長(zhǎng),存取速度較快的特硬盤(pán)存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)容量大,使用壽命長(zhǎng),存取速度較快的特點(diǎn),也是在嵌入式系統(tǒng)中常用的外存。點(diǎn),也是在嵌
58、入式系統(tǒng)中常用的外存。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備 硬盤(pán)存儲(chǔ)器的硬件包括硬盤(pán)控制器(適配器)、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器以及連接電硬盤(pán)存儲(chǔ)器的硬件包括硬盤(pán)控制器(適配器)、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器以及連接電纜。硬盤(pán)控制器(纜。硬盤(pán)控制器(Hard Disk ControllerHard Disk Controller,簡(jiǎn)稱,簡(jiǎn)稱HDCHDC)對(duì)硬盤(pán)進(jìn)行管理,并)對(duì)硬盤(pán)進(jìn)行管理,并在主機(jī)和硬盤(pán)之間傳送數(shù)據(jù)。硬盤(pán)控制器以適配卡的形式插在主板上或直接在主機(jī)和硬盤(pán)之間傳送數(shù)據(jù)。硬盤(pán)控制器以適配卡的形式插在主板上或直接集成在主板上,然后通過(guò)電纜與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相連。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(集成在主板上,然
59、后通過(guò)電纜與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相連。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(Hard Disk Hard Disk DriveDrive,簡(jiǎn)稱,簡(jiǎn)稱HDDHDD)中有盤(pán)片、磁頭、主軸電機(jī)(盤(pán)片旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu))、磁)中有盤(pán)片、磁頭、主軸電機(jī)(盤(pán)片旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu))、磁頭定位機(jī)構(gòu)、讀寫(xiě)電路和控制邏輯等。頭定位機(jī)構(gòu)、讀寫(xiě)電路和控制邏輯等。 硬盤(pán)存儲(chǔ)器可分為溫徹斯特盤(pán)和非溫徹斯特盤(pán)兩類(lèi)。溫徹斯特盤(pán)是根據(jù)硬盤(pán)存儲(chǔ)器可分為溫徹斯特盤(pán)和非溫徹斯特盤(pán)兩類(lèi)。溫徹斯特盤(pán)是根據(jù)溫徹斯特技術(shù)設(shè)計(jì)制造的,它的磁頭、盤(pán)片、磁頭定位機(jī)構(gòu)、主軸、甚至連溫徹斯特技術(shù)設(shè)計(jì)制造的,它的磁頭、盤(pán)片、磁頭定位機(jī)構(gòu)、主軸、甚至連讀寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路等都被密封在一個(gè)盤(pán)盒內(nèi),構(gòu)成一個(gè)頭一盤(pán)
60、組合體。溫徹斯讀寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路等都被密封在一個(gè)盤(pán)盒內(nèi),構(gòu)成一個(gè)頭一盤(pán)組合體。溫徹斯特盤(pán)的防塵性能好,可靠性高,對(duì)使用環(huán)境要求不高。非溫徹斯特盤(pán)磁盤(pán)的特盤(pán)的防塵性能好,可靠性高,對(duì)使用環(huán)境要求不高。非溫徹斯特盤(pán)磁盤(pán)的磁頭和盤(pán)片等不是密封的,通常只能用于中型、大型計(jì)算機(jī)機(jī)房中。磁頭和盤(pán)片等不是密封的,通常只能用于中型、大型計(jì)算機(jī)機(jī)房中。 最常見(jiàn)的硬盤(pán)接口是最常見(jiàn)的硬盤(pán)接口是IDEIDE(ATAATA)和)和SCSISCSI兩種,一些移動(dòng)硬盤(pán)采用兩種,一些移動(dòng)硬盤(pán)采用PCMCIAPCMCIA或或USBUSB接口。接口。6.2.3 6.2.3 常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備 IDE ID
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