晶體管特性圖示儀使用方法

1、的使用方法1. 集電極電源極性按鈕,極性可按面板指示選擇。2. 集電極峰值電壓保險(xiǎn)絲:1.5A。3. 峰值電壓%:峰值電壓可在010V、050V、0100V、0500V 之連續(xù)可調(diào),面板上的標(biāo)稱(chēng)值是近似值,參考用。4. 功耗限制電阻:它是串聯(lián)在被測(cè)管的集電極電路中,限制超過(guò)功耗,亦可作為被測(cè)半導(dǎo)體管集電極的負(fù)載電阻。5. 峰值電壓范圍:分010V/5A、050V/1A、0100V/0.5A、0 500V/0.1A四擋。當(dāng)由低擋改換高擋觀察半導(dǎo)體管的特性時(shí),須先將峰值電壓調(diào)到零值,換擋后再按需要的電壓逐漸增加,否則容易擊穿被測(cè)晶體管。AC擋的設(shè)置專(zhuān)為二極管或其他元件的測(cè)試提供雙向掃描,以便能同時(shí)

2、顯示器件正反向的特性曲線。6. 電容平衡:由于集電極電流輸出端對(duì)地存在各種雜散電容,都將形成電容性電流,因而在電流取樣電阻上產(chǎn)生電壓降,造成測(cè)量誤差。為了盡量減小電容性電流,測(cè)試前應(yīng)調(diào)節(jié)電容平衡,使容性電流減至最小。7. 輔助電容平衡:是針對(duì)集電極變壓器次級(jí)繞組對(duì)地電容的不對(duì)稱(chēng),而再次進(jìn)行電容平衡調(diào)節(jié)。8. 電源開(kāi)關(guān)及輝度調(diào)節(jié):旋鈕拉出,接通儀器電源,旋轉(zhuǎn)旋鈕可以改變示波管光點(diǎn)亮度。9. 電源指示:接通電源時(shí)燈亮。10. 聚焦旋鈕:調(diào)節(jié)旋鈕可使光跡最清晰。11. 熒光屏幕:示波管屏幕,外有座標(biāo)刻度片。12. 輔助聚焦:與聚焦旋鈕配合使用。13. Y軸選擇(電流/度開(kāi)關(guān):具有22擋四種偏轉(zhuǎn)作用的

3、開(kāi)關(guān)?？梢赃M(jìn)行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉(zhuǎn)換。14. 電流/度0.1倍率指示燈:燈亮?xí)r,儀器進(jìn)入電流/度0.1倍工作狀態(tài)。15. 垂直移位及電流/度倍率開(kāi)關(guān):調(diào)節(jié)跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出,放大器增益擴(kuò)大10倍,電流/度各擋IC標(biāo)值0.1,同時(shí)指示燈14亮.16. Y軸增益:校正Y軸增益。17. X軸增益:校正X軸增益。18.顯示開(kāi)關(guān):分轉(zhuǎn)換、接地、校準(zhǔn)三擋,其作用是:轉(zhuǎn)換:使圖像在、象限內(nèi)相互轉(zhuǎn)換,便于由NPN管轉(zhuǎn)測(cè)PNP管時(shí)簡(jiǎn)化測(cè)試操作。接地:放大器輸入接地,表示輸入為零的基準(zhǔn)點(diǎn)。校準(zhǔn):按下校準(zhǔn)鍵,光點(diǎn)在X、Y軸方向移動(dòng)的距離剛好為10度,以達(dá)到10度校正目的。19.

4、X軸移位:調(diào)節(jié)光跡在水平方向的移位。20. X軸選擇(電壓/度開(kāi)關(guān):可以進(jìn)行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種功能的轉(zhuǎn)換,共17擋。21. “級(jí)/簇”調(diào)節(jié):在010的范圍內(nèi)可連續(xù)調(diào)節(jié)階梯信號(hào)的級(jí)數(shù)。22. 調(diào)零旋鈕:測(cè)試前,應(yīng)首先調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)零電平的位置。當(dāng)熒光屏上已觀察到基極階梯信號(hào)后,按下測(cè)試臺(tái)上選擇按鍵“零電壓”,觀察光點(diǎn)停留在熒光屏上的位置,復(fù)位后調(diào)節(jié)零旋鈕,使階梯信號(hào)的起始級(jí)光點(diǎn)仍在該處,這樣階梯信號(hào)的零電位即被準(zhǔn)確校正。23. 階梯信號(hào)選擇開(kāi)關(guān):可以調(diào)節(jié)每級(jí)電流大小注入被測(cè)管的基極,作為測(cè)試各種特性曲線的基極信號(hào)源,共22擋。一般選用基極電流/級(jí),當(dāng)測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)選用

5、基極源電壓/級(jí)。24. 串聯(lián)電阻開(kāi)關(guān):當(dāng)階梯信號(hào)選擇開(kāi)關(guān)置于電壓/級(jí)的位置時(shí),串聯(lián)電阻將串聯(lián)在被測(cè)管的輸入電路中。25. 重復(fù)-關(guān)按鍵:彈出為重復(fù),階梯信號(hào)重復(fù)出現(xiàn);按下為關(guān),階梯信號(hào)處于待觸發(fā)狀態(tài)。26. 階梯信號(hào)待觸發(fā)指示燈:重復(fù)按鍵按下時(shí)燈亮,階梯信號(hào)進(jìn)入待觸發(fā)狀態(tài)。27. 單簇按鍵開(kāi)關(guān):單簇的按動(dòng)其作用是使預(yù)先調(diào)整好的電壓(電流 /級(jí),出現(xiàn)一次階梯信號(hào)后回到等待觸發(fā)位置,因此可利用它瞬間作用的特性來(lái)觀察被測(cè)管的各種極限特性。28. 極性按鍵:極性的選擇取決于被測(cè)管的特性。29. 測(cè)試臺(tái):其結(jié)構(gòu)如圖A-24所示。圖A-24 XJ4810型半導(dǎo)體管特性圖示儀測(cè)試臺(tái)30. 測(cè)試選擇按鍵:“左

6、”、“右”、“二簇”:可以在測(cè)試時(shí)任選左右兩個(gè)被測(cè)管的特性,當(dāng)置于“二簇”時(shí),即通過(guò)電子開(kāi)關(guān)自動(dòng)地交替顯示左右二簇特性曲線,此時(shí)“級(jí)/簇”應(yīng)置適當(dāng)位置,以利于觀察。二簇特性曲線比較時(shí),請(qǐng)不要誤按單簇按鍵。“零電壓”鍵:按下此鍵用于調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)在零電平的位置,見(jiàn)(22項(xiàng)?！傲汶娏鳌辨I:按下此鍵時(shí)被測(cè)管的基極處于開(kāi)路狀態(tài),即能測(cè)量ICEO特性。31、32. 左右測(cè)試插孔:插上專(zhuān)用插座(隨機(jī)附件,可測(cè)試F1、F2型管座的功率晶體管。33、34、35.晶體管測(cè)試插座。36. 二極管反向漏電流專(zhuān)用插孔(接地端。在儀器右側(cè)板上分布有圖A-25所示的旋鈕和端子:圖A-25 XJ4810型半導(dǎo)體管特性

7、圖示儀右側(cè)板37. 二簇移位旋鈕:在二簇顯示時(shí),可改變右簇曲線的位置,更方便于配對(duì)晶體管各種參數(shù)的比較。38. Y軸信號(hào)輸入:Y軸選擇開(kāi)關(guān)置外接時(shí),Y軸信號(hào)由此插座輸入。39. X軸信號(hào)輸入:X軸選擇開(kāi)關(guān)置外接時(shí),X軸信號(hào)由此插座輸入。40. 校準(zhǔn)信號(hào)輸出端:1V、0.5V校準(zhǔn)信號(hào)由此二孔輸出。7.2測(cè)試前注意事項(xiàng)為保證儀器的合理使用,既不損壞被測(cè)晶體管,也不損壞儀器內(nèi)部線路,在使用儀器前應(yīng)注意下列事項(xiàng):1. 對(duì)被測(cè)管的主要直流參數(shù)應(yīng)有一個(gè)大概的了解和估計(jì),特別要了解被測(cè)管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。2. 選擇好掃描和階梯信號(hào)的極性,以

8、適應(yīng)不同管型和測(cè)試項(xiàng)目的需要。3. 根據(jù)所測(cè)參數(shù)或被測(cè)管允許的集電極電壓,選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下,應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零,更改掃描電壓范圍時(shí),也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。選擇一定的功耗電阻,測(cè)試反向特性時(shí),功耗電阻要選大一些,同時(shí)將X、Y偏轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)置于合適擋位。測(cè)試時(shí)掃描電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。4. 對(duì)被測(cè)管進(jìn)行必要的估算,以選擇合適的階梯電流或階梯電壓,一般宜先小一點(diǎn),再根據(jù)需要逐步加大。測(cè)試時(shí)不應(yīng)超過(guò)被測(cè)管的集電極最大允許功耗。5. 在進(jìn)行ICM的測(cè)試時(shí),一般采用單簇為宜,以免損壞被測(cè)管。6. 在進(jìn)行IC或ICM的測(cè)試中,應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實(shí)際情況選擇,不應(yīng)超過(guò)本儀器規(guī)定的最大電流

9、,見(jiàn)表A-3。電壓范圍/V 010 050 0100 0500允許最大電流/A 5 1 0.5 0.1表A-3 最大電流對(duì)照表7. 進(jìn)行高壓測(cè)試時(shí),應(yīng)特別注意安全,電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。觀察完畢,應(yīng)及時(shí)將峰值電壓調(diào)到零。7.3基本操作步驟1. 按下電源開(kāi)關(guān),指示燈亮,預(yù)熱15分鐘后,即可進(jìn)行測(cè)試。2. 調(diào)節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦,使光點(diǎn)清晰。3. 將峰值電壓旋鈕調(diào)至零,峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開(kāi)關(guān)置于測(cè)試所需位置。4. 對(duì)X、Y軸放大器進(jìn)行10度校準(zhǔn)。5. 調(diào)節(jié)階梯調(diào)零。6. 選擇需要的基極階梯信號(hào),將極性、串聯(lián)電阻置于合適擋位,調(diào)節(jié)級(jí)/簇旋鈕,使階梯信號(hào)為10級(jí)/簇,階梯信號(hào)置重復(fù)

10、位置。7. 插上被測(cè)晶體管,緩慢地增大峰值電壓,熒光屏上即有曲線顯示。7.4測(cè)試實(shí)例1. 晶體管hFE和值的測(cè)量以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊(cè)得知3DK2 hFE的測(cè)試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點(diǎn)移至熒光屏的左下角作座表零點(diǎn)。儀器部件的置位詳見(jiàn)表A-4。表A-4 3DK2晶體管hFE、測(cè)試時(shí)儀器部件的置位部件置位部件置位峰值電壓范圍 010V Y軸集電極電流 1 mA /度集電極極性 + 階梯信號(hào)重復(fù)功耗電阻 250階梯極性 +X軸集電極電壓 1V/度階梯選擇 20A逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線,如圖A-26所示.讀出X軸集電極電壓Vce =1V時(shí)最上面

11、一條曲線(每條曲線為20A,最下面一條IB=0不計(jì)在內(nèi)IB值和Y軸IC值,可得hFE = = = =42.5若把X軸選擇開(kāi)關(guān)放在基極電流或基極源電壓位置,即可得到圖A-27所示的電流放大特性曲線。即=圖A-26 晶體三極管輸出特性曲線圖A-27 電流放大特性曲線PNP型三極管hFE和的測(cè)量方法同上,只需改變掃描電壓極性、階梯信號(hào)極性、并把光點(diǎn)移至熒光屏右上角即可。2.晶體管反向電流的測(cè)試以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊(cè)得知3DK2 ICBO、ICEO的測(cè)試條件為VCB、VCE均為10V。測(cè)試時(shí),儀器部件的置位詳見(jiàn)表A-5。逐漸調(diào)高“峰值電壓”使X軸VCB=10V,讀出Y軸的偏移量,即為被測(cè)

12、值。被測(cè)管的接線方法如圖1-28,其中圖A-28(a測(cè)ICBO值,圖A-28(b測(cè)ICEO值、圖A-28(c測(cè)IEBO值。圖A-28 晶體管反向電流的測(cè)試表A-5 3DK2晶體管反向電流測(cè)試時(shí)儀器部件的置位項(xiàng)目部件位置ICBOICEO峰值電壓范圍 010V 010V極性+X軸集電極電壓 2V/度 2V/度Y軸集電極電流 10A/度 10A/度倍率 Y軸位移拉出0.1 Y軸位移拉出0.1功耗限制電阻 5K 5K測(cè)試曲線如圖A-29所示。讀數(shù):ICBO=0.5A(VCB=10V ICEO=1A(VCE=10V圖A-29 反向電流測(cè)試曲線PNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試方法相同。可按測(cè)

13、試條件,適當(dāng)改變擋位,并把集電極掃描電壓極性改為“”,把光點(diǎn)調(diào)到熒光屏的右下角(階梯極性為“+”時(shí)或右上角(階梯極性為“”時(shí)即可。3.晶體管擊穿電壓的測(cè)試以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊(cè)得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO 的測(cè)試條件IC分別為100A、200A和100A。測(cè)試時(shí),儀器部件的置位詳見(jiàn)表A-6。逐步調(diào)高“峰值電壓”,被測(cè)管按圖A-30(a的接法,Y軸IC=0.1mA 時(shí),X軸的偏移量為BVCEO值;被測(cè)管按圖A-30(b的接法,Y軸IC=0.2m A時(shí),X軸的偏移量為BVCEO值;被測(cè)管按圖A-30(c的接法,Y軸IC=0.1mA時(shí),X軸的偏移量為BVEBO值。表

14、A-6 3DK2晶體管擊穿電壓測(cè)試時(shí)儀器部件的置位置位項(xiàng)目部件BVCBOBVCEO峰值電壓范圍 0100V 0100V 010V極性 + + +X軸集電極電壓 10V/度 10V/度 1V/度Y軸集電極電流 20A/度 20A/度 20A/度功耗限止電阻 1 k5 k 1 k5 k 1 k5 k測(cè)試曲線如圖A-30所示。圖A-30 反向擊穿電壓曲線(NPN圖A-31 反向擊穿電壓曲線(PNP讀數(shù):BVCBO=70V(IC=100ABVCEO=60V(IC=200ABVEBO=7.8V(IC=100APNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試方法相似。其測(cè)試曲線如圖1-31所示。4.穩(wěn)壓二極

15、管的測(cè)試以2CW19穩(wěn)壓二極管為例,查手冊(cè)得知2CW19穩(wěn)定電壓的測(cè)試條件IR=3mA。測(cè)試時(shí)。儀器部件置位詳見(jiàn)表A-7。逐漸加大“峰值電壓”,即可在熒光屏上看到被測(cè)管的特性曲線,如圖A-32所示。表A-7 2CW19穩(wěn)壓二極管測(cè)試時(shí)儀器部件的置位部件置位部件峰值電壓范圍 AC 010V X軸集電極電壓 5V/度功耗限止電阻 5 k Y軸集電極電流 1mA/度讀數(shù):正向壓降約0.7V,穩(wěn)定電壓約12.5V。5.整流二極管反向漏電電流的測(cè)試以2DP5C整流二極管為例,查手冊(cè)得知2DP5的反向電流應(yīng)500nA。測(cè)試時(shí),儀器各部件的置位詳見(jiàn)表A-8。逐漸增大“峰值電壓”,在熒光屏上即可顯示被測(cè)管反向

16、漏電電流特性,如圖A-33所示。讀數(shù):IR=4div0.2A0.1(倍率=80 nA測(cè)量結(jié)果表明,被測(cè)管性能符合要求。圖A-32 穩(wěn)壓二極管特性曲線圖A-33 二極管反向電流測(cè)試表A-8 2DP5C整流二極管測(cè)試時(shí)儀器部件的置位部件置位部件置位峰值電壓范圍 010V Y軸集電極電流 0.2A/度功耗限制電阻 1 k倍率 Y軸位移拉出0.1X軸集電極電壓 1V/度6.二簇特性曲線比較測(cè)試以NPN型3DG6晶體管為例,查手冊(cè)得知3DG6晶體管輸出特性的測(cè)試條件為IC=10 mA、VCE=10V。測(cè)試時(shí),儀器部件的置位詳見(jiàn)表A-9。將被測(cè)的兩只晶體管,分別插入測(cè)試臺(tái)左、右插座內(nèi),然后按表1-8置位各功能