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1、單位設(shè)置單位設(shè)置背景材料背景材料結(jié)構(gòu)建模結(jié)構(gòu)建模頻率設(shè)置頻率設(shè)置端口設(shè)置端口設(shè)置邊界條件邊界條件預(yù)設(shè)場(chǎng)監(jiān)視器預(yù)設(shè)場(chǎng)監(jiān)視器網(wǎng)格設(shè)置網(wǎng)格設(shè)置求解器設(shè)置求解器設(shè)置路路/場(chǎng)結(jié)果觀測(cè)場(chǎng)結(jié)果觀測(cè)后處理模板后處理模板參數(shù)掃描參數(shù)掃描1. CST2006支持仿真模型全程參數(shù)化,即包括結(jié)構(gòu)尺寸、頻率范圍、端口位 置、網(wǎng)格參數(shù)等所有數(shù)量型參數(shù)均可定義參數(shù);2. 可先定義參數(shù)名稱后賦值,亦可建模過程中隨時(shí)定義參數(shù);3. 支持由參數(shù)構(gòu)成的所有初等函數(shù)表達(dá)式;4. 所有參數(shù)均可參數(shù)掃描。 CST默認(rèn)時(shí)域信號(hào)為高斯脈沖,其頻率響應(yīng)亦為高斯函數(shù);2. 對(duì)于時(shí)域求解器,頻率范圍的設(shè)置與仿真消耗時(shí)間有較大 關(guān)系:通常,最高頻率
2、決定最小網(wǎng)格步長和最小迭代時(shí)間 步長,頻率越高,最小網(wǎng)格步長越短,迭代時(shí)間步長越短, 仿真時(shí)間越長;頻帶越窄,輸入時(shí)域脈沖越長,時(shí)域迭代 步數(shù)越多,仿真時(shí)間越長3. 頻率范圍不宜過寬(可能影響S參數(shù)的精度,容易起波紋), 亦不能過窄(導(dǎo)致計(jì)算時(shí)間過長)波導(dǎo)端口波導(dǎo)端口 vs. 離散端口離散端口波導(dǎo)端口面必須平行于坐標(biāo)軸,離散端口起點(diǎn)和終點(diǎn)任意,但必須沿網(wǎng)格;波導(dǎo)端口參考阻抗為波導(dǎo)端面特征阻抗,且其相位參考面可平移;離散端口 分為電壓/電流源和S參數(shù)源,S參數(shù)源特征阻抗可任意設(shè)置,但相位參考面 不可平移(deembeding);周期邊界(Periodic)開放邊界(Open)輻射邊界(Open
3、and Space)理想電壁(PE)理想磁壁(PM)Unit Cell對(duì)稱面場(chǎng)對(duì)稱分布 電場(chǎng)分布表面電流分布/磁場(chǎng)分布遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖自定義二維平面場(chǎng)分布全局網(wǎng)格設(shè)置局部網(wǎng)格設(shè)置Fixed Points輔助結(jié)構(gòu)輔助結(jié)構(gòu)Critical Cells收斂精度條件收斂精度條件 遺留在計(jì)算區(qū)域能量端口同時(shí)激勵(lì)端口同時(shí)激勵(lì) 陣列仿真 vs. Combine Results迭代迭代 S參數(shù)精確仿真對(duì)稱對(duì)稱S參數(shù)參數(shù) 節(jié)省陣列仿真時(shí)間每個(gè)Sequence之間依次獨(dú) 立計(jì)算;2. 一個(gè)Sequence中多個(gè)參數(shù)則交叉組合計(jì)算3. 必須預(yù)設(shè)好后處理模板,參數(shù)掃描后僅保存預(yù)設(shè)的觀察結(jié)果1D Results能提取單頻輻射方向圖、寬頻輻射參數(shù)、S參數(shù)、駐波比等曲線;也能將已有多個(gè)1D Results運(yùn)算組合;2. 0D Results能提取S參數(shù)、輻射參數(shù)中的單點(diǎn)數(shù)值分別提取E-field中Theta和Phi分量的幅度和相位將分量幅度相位曲線組合運(yùn)算構(gòu)成主極化和交叉極化通過近場(chǎng)分析為遠(yuǎn)場(chǎng)方向圖、近場(chǎng)耦合等提供設(shè)計(jì)思路通過預(yù)設(shè)探針可以獲得近場(chǎng)某些點(diǎn)處場(chǎng)強(qiáng)大小電路參數(shù)仿真,可直接導(dǎo)出snp文件通過microwave office優(yōu)化仿真,亦可直接應(yīng)用CST的集成仿真環(huán)境進(jìn)行優(yōu)化仿真電路參數(shù)和輻射參數(shù)一體化仿真電路參數(shù)和輻射參數(shù)一體化仿真 ?通用模型格式.SATC
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