基于DSP的大功率數(shù)字化超聲波逆變電源_第五章超聲電源的電路設(shè)計(jì)

1、第五章 超聲電源的電路設(shè)計(jì)本章對(duì)除DSP控制系統(tǒng)以外的超聲波電源電路進(jìn)行了分析設(shè)計(jì)和參數(shù)選擇，包括主電路、緩沖電路、驅(qū)動(dòng)電路和輔助電源的設(shè)計(jì)。本次設(shè)計(jì)的超聲波電源基本參數(shù)和要求如下：額定輸入：三相380V交流電；頻率fs=50Hz； 額定輸出：功率P0=3kW；頻率f0=20kHz左右；壓電換能器參數(shù)：靜態(tài)電容：C0=25nF；動(dòng)態(tài)電容：Cm=83pF；動(dòng)態(tài)電感：Lm=763mH；動(dòng)態(tài)電阻：R0=16。5.1主電路設(shè)計(jì)主電路作為超聲電源的功率電路部分，起著將三相工頻交流電源轉(zhuǎn)換為單相超聲頻電源的作用，它由整流濾波電路，逆變器電路，開(kāi)關(guān)管緩沖電路、高頻輸出變壓器和換能器匹配網(wǎng)絡(luò)五部分構(gòu)成，根據(jù)第

2、二章的分析，本次設(shè)計(jì)的超聲波電源主電路采用全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)如圖5-1所示。圖5-1超聲電源主電路原理圖Fig.5-1 The schematic diagram of the ultrasonic powers main circuit三相交流電通過(guò)二極管D1D6不控整流，電感L1，電容C1、C2穩(wěn)壓濾波后，轉(zhuǎn)換為直流電壓源，由IGBT開(kāi)關(guān)管VT1、VT2、VT3、VT4構(gòu)成的全橋逆變器再將此直流電壓轉(zhuǎn)換為單相超聲頻交流電，送交高頻變壓器TF輸出到由L3、L4和C8構(gòu)成的T型匹配網(wǎng)絡(luò)上，最終在換能器回路中形成超聲頻電流，該電流將激勵(lì)換能器中的壓電晶體產(chǎn)生同頻的超聲機(jī)械振動(dòng)，從而完成整個(gè)電

3、聲轉(zhuǎn)換過(guò)程。(1)整流二極管選型41根據(jù)電路理論，三相交流整流電路空載時(shí)輸出的平均電壓Ud最大，則整流二極管D1D6承受的最大反向電壓可由公式(5.1)求出，其中Uab=380V為電源電壓。UDmax=2.45=538V (5.1) _超聲電源額定功率P0=3kW，三相不控整流平均輸出電壓Ud=514V，設(shè)整流橋、逆變器和輸出變壓器的效率都是90%，則整流后輸出的電流平均值如公式(5.2)所示：Io=PoUd×0.9×0.9×0.9_=8A (5.2)則二極管中流過(guò)的平均電流公式(5.3)所示：ID=1=2.95A (5.3) 1.57為保證安全，二極管D1D6的

4、額定電流應(yīng)為其平均電流的1.5或2倍，即IVD=(1.52)×ID=(4.435.9)A (5.4)考慮到電網(wǎng)波動(dòng)等各種不利因素，二極管的耐壓應(yīng)為其最大反向電壓的兩倍，即 UVD=2×UDmax=1076V (5.5) 因此，參考公式(5.4)和(5.5)，可選擇額定電壓為1200V，額定電流為10A的二極管。(2)穩(wěn)壓濾波電容的選型為滿(mǎn)足平滑交流電的需要，穩(wěn)壓電容C1應(yīng)滿(mǎn)足：RC1(35)T (5.6) 2由公式(5.6)可求出C1=2000uF，則穩(wěn)壓電容C1可選用電容型號(hào)為2000uF/1000V的電解電容，小電容C2主要用于濾去高頻干擾，根據(jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，C2可選用1u

5、F/1000V的無(wú)感電容。(3)功率管IGBT的選型IGBT所承受的正向電壓值就是前端整流器的輸出電壓Ud，Ud空載時(shí)最大，其值為Ud=538V?？紤]到留有一定裕量，選取功率開(kāi)關(guān)管IGBT的額定耐壓值UVT=2Ud1000V，由于超聲波電源的負(fù)載處于諧振狀態(tài)，功率因數(shù)較大，這里取值為0.95，基波電流值如公式(5.7)所示：I1=Po3000=6.32(A) (5.7) UAB1cos500×0.95則留有裕量后，IGBT的額定電流可按照公式(5.8)取為：IVT=2I1=17.8A (5.8)(4)開(kāi)關(guān)管緩沖電路的選型本次設(shè)計(jì)中的緩沖電路起著保護(hù)開(kāi)關(guān)管安全工作，并實(shí)現(xiàn)全橋逆變器軟開(kāi)

6、關(guān)的重要作用，它的設(shè)計(jì)方法在下一節(jié)中詳細(xì)闡述。(5)高頻變壓器和匹配網(wǎng)絡(luò)的選型42高頻輸出變壓器和匹配電路的參數(shù)計(jì)算已在第四章中說(shuō)明，此處不再贅述。5.2 IGBT的關(guān)斷緩沖吸收電路一般而言，PCB布線不可避免的會(huì)產(chǎn)生一定的布線電感L，因此當(dāng)功率開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生自感電壓uL=Ldidt，IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間約為1us，而關(guān)斷時(shí)電流I又比較大，所以u(píng)L是一個(gè)很大的尖峰電壓，該電壓與直流母線電壓相疊加后施加在IGBT的集電極和發(fā)射極之間，如圖5-2所示，如果尖峰電壓太大，則可能在疊加后超出IGBT的安全電壓范圍，從而損壞功率開(kāi)關(guān)器件。圖5-2 IGBT關(guān)斷時(shí)電壓電流波形Fig.5-2 The v

7、oltage & current waveforms during IGBT switching off由以上分析可知，為了保護(hù)IGBT并減小開(kāi)關(guān)損耗，需要對(duì)IGBT設(shè)置緩沖電路。本文中選用RCD型緩沖電路，原理圖如圖5-3所示：圖5-3 RCD型緩沖電路Fig.5-3 RCD absorbing circuits(1)RCD型緩沖電路的工作原理下面以VT1為例說(shuō)明RCD型緩沖電路的工作原理，開(kāi)關(guān)管VT1關(guān)斷時(shí)，電流通過(guò)二極管VD1直接給緩沖電容C1充電，由于電容兩端的電壓不能突變，所以在IGBT功率管的關(guān)斷過(guò)程中集電極和發(fā)射極間電壓Vce近似保持為零，即吸收了關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓；當(dāng)VT

8、1開(kāi)通時(shí)，由于二極管的反偏截止，緩沖電容C1通過(guò)電阻R1放電，這樣可限43制放電電流，減小了開(kāi)關(guān)管的電流應(yīng)力。(2)RCD型緩沖電路的參數(shù)選擇RCD的參數(shù)選擇和IGBT的關(guān)斷時(shí)間tS，關(guān)斷后IGBT集射極間電壓US，關(guān)斷時(shí)輸出變壓器原邊繞組電流IS和開(kāi)關(guān)頻率f均有關(guān)系，下面將對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)的選型分析。(a) C參數(shù)選擇為了簡(jiǎn)化分析，可設(shè)在關(guān)斷過(guò)程中IS保持不變，則流經(jīng)IGBT的電流IG=ISttS線性下降，緩沖電容的充電電流如式(5.9)：IC=ISIG=(1tIS,0ttS (5.9) tSIGBT集射極間電壓Uce在tS時(shí)間內(nèi)上升到US，則須滿(mǎn)足公式(5.10)：Uce=IStS1tsIdt

9、=US (5.10) C2CC0由此，可推出緩沖電容的容量如式(5.11)：C=IStS (5.11) 2US緩沖電容容量C越大，則在IGBT關(guān)斷過(guò)程中抑制過(guò)電壓和電壓上升率的效果越好，但隨著C增大的同時(shí)，緩沖電阻R上消耗的能量也越來(lái)越大，除了造成能量浪費(fèi)之外還將使緩沖電阻的體積變大，最終使得整個(gè)緩沖網(wǎng)絡(luò)的體積過(guò)分龐大，因此C的取值要根據(jù)實(shí)際情況綜合考慮。(b) R參數(shù)選擇緩沖電容C應(yīng)在IGBT導(dǎo)通時(shí)段內(nèi)充分放電，可認(rèn)為該段時(shí)長(zhǎng)為8f，C的放電常數(shù)=RC，則應(yīng)有：f>4RC，由此式可推出緩沖電阻的阻值表達(dá)式如式(5.12)：R<1 (5.12) 32fC若不計(jì)IGBT導(dǎo)通損耗，則緩

10、沖電容C中儲(chǔ)能完全消耗在緩沖電阻R上，因此，緩沖電阻的功率表達(dá)式應(yīng)為如式(5.13)：12PR=CUSf (5.13) 2緩沖電阻阻值R越小越有利于緩沖電容充分放電，但R值過(guò)小則不能有效抑制電路振蕩并增加IGBT開(kāi)通時(shí)的電流應(yīng)力，而過(guò)大則會(huì)影響到電容放電，因此R的選型也應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況綜合考慮。(c) D參數(shù)選擇由于本文所設(shè)計(jì)的超聲電源頻率較高，則IGBT關(guān)斷時(shí)間tS也很小，而二極管承受電流沖擊的能力較強(qiáng)，因此可按照平均電流選擇二極管，則有公式(5.14)：IVDS=1ts1Idt=fIStS (5.14) CT0244 在實(shí)際應(yīng)用中為避免由于二極管過(guò)快關(guān)斷而引起的高頻振蕩，本次設(shè)計(jì)中選擇了具有

11、軟恢復(fù)特特性的高頻硅二極管。5.3輔助電源設(shè)計(jì)本次設(shè)計(jì)中所需要的輔助電源有：(1)+15V電源，作為IGBT驅(qū)動(dòng)電源，以及部分保護(hù)電路電源等； (2)+12V、-12V電源，為控制系統(tǒng)的模擬集成電路提供電源，如運(yùn)放等； (3)+5V電源，為控制系統(tǒng)通用集成電路供電；(4)+3.3V、+1.8V為DSP芯片供電(由專(zhuān)用芯片TPS767D318提供)。為了簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性，輔助電源中的+15V、+5V、+12V和-12V電源采用以TOP227集成電源芯片為核心的開(kāi)關(guān)電源，本次設(shè)計(jì)中輔助電源采用反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這樣可以利用副邊多繞組變壓器產(chǎn)生多路輸出的同時(shí)只需要一塊TOP227芯片，TOP2

12、27作為新型三端離線式PWM開(kāi)關(guān)芯片，將開(kāi)關(guān)電源的PWM控制器和MOSFET功率開(kāi)關(guān)管集成在一片芯片上，該芯片具有多種封裝形式，本次設(shè)計(jì)采用的是TO-220封裝形式的芯片，它外部只有漏極、源極和控制極三個(gè)引腳，使用起來(lái)非常方便，而且由于PWM控制器和MOSFET開(kāi)關(guān)管封裝在一起，有效地減小了高頻輻射，提高了電磁兼容性，具體電路詳見(jiàn)附錄。5.4驅(qū)動(dòng)電路選型與設(shè)計(jì)常用的開(kāi)關(guān)管器件可分為BJT、MOSFET和IGBT三大類(lèi)，表5-1分別對(duì)它們的驅(qū)動(dòng)特性做了分析。表5-1電力電子開(kāi)關(guān)管性能比較 Tab.5-1 Comparison of power switches比較項(xiàng)目 功率容量 開(kāi)關(guān)頻率 驅(qū)動(dòng)電

13、路 驅(qū)動(dòng)類(lèi)型雙極性晶體管 中等（<2KW） 低（<20KHZ）簡(jiǎn)單 電流型VMOS開(kāi)關(guān)管 中等（<2KW） 高（>100KHZ）一般 電壓型IGBT開(kāi)關(guān)管 大（>2KW） 中（<200KHZ）復(fù)雜 電壓型因?yàn)楸敬卧O(shè)計(jì)的超聲電源功率大，而頻率相對(duì)并不算高。所以IGBT為本次設(shè)計(jì)最合適的功率器件47，IGBT作為電壓控制型器件,可以通過(guò)控制其柵極電壓來(lái)控制IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷，相對(duì)而言，IGBT驅(qū)動(dòng)功率較小，且飽和導(dǎo)通后壓降小，但由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)域都會(huì)隨著驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)能力的不同而改變，具體如圖5-4(a)和5-4(b)所示，所以為降低功耗并保證

14、IGBT的安全工作，設(shè)計(jì)合適高效的驅(qū)動(dòng)電路就顯得很重要48-50。45(a)柵極電壓Uce與IGBT導(dǎo)通 (b)柵極電壓Uce與短路電流Isc和電阻Ron關(guān)系曲線 安全短路時(shí)間關(guān)系曲線圖5-4 IGBT特性曲線Fig.5-4 the characteristic curve of IGBT(1)IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要素為提高電源工作效率，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)管壽命，在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，必須考慮到以下幾個(gè)方面：(a)開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)能力IGBT的柵極間寄生電容較大，在IGBT導(dǎo)通之前先要對(duì)該電容充電，只有當(dāng)柵極電容上的充電電壓大于其導(dǎo)通閥值時(shí)，IGBT才能導(dǎo)通，因此，驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力一定要足夠大，這樣才

15、能在較短的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)柵極電容的充電，縮短開(kāi)通時(shí)間，減小開(kāi)通損耗，此外還應(yīng)注意的是，為防止由于PCB布線電感和柵極電容所引起的震蕩，應(yīng)在柵極處串聯(lián)一個(gè)合適的柵極電阻。(b)提供正向柵壓的能力由于IGBT導(dǎo)通后的飽和壓降和柵極電壓有關(guān)，由上圖柵極電壓Uce與IGBT導(dǎo)通電阻Ron的關(guān)系曲線可知，導(dǎo)通電阻Ron隨著柵極電壓Uce的增大而減小，所以，在同樣輸出功率的條件下，Uce越大，導(dǎo)通時(shí)的壓降就越小，則器件的通態(tài)損耗也越小，因此，為減小導(dǎo)通損耗應(yīng)盡可能地提高導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓，但是由柵極電壓Uce和安全短路時(shí)間關(guān)系曲線可知，為了保障IGBT具有足夠的安全短路時(shí)間，Uce的值不應(yīng)過(guò)大，因此一般IGB

16、T的Uce取15V左右。(c)柵極反向關(guān)斷電壓一般而言，當(dāng)IGBT的柵極電壓為零時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，但為了保證在柵極電路上出現(xiàn)噪聲信號(hào)時(shí)IGBT仍能關(guān)斷，關(guān)斷時(shí)應(yīng)在柵極上施加一個(gè)反向負(fù)壓，從另一方面來(lái)說(shuō)，柵極電壓在關(guān)斷時(shí)呈現(xiàn)負(fù)壓也有助于柵極寄生電容放電，有利于IGBT更快的關(guān)斷，因此，驅(qū)動(dòng)電路在關(guān)斷時(shí)提供負(fù)壓是必要的。(d)主電路與控制電路電氣隔離由于超聲電源的逆變器電路上存在高電壓和大電流，為保證在主電路出現(xiàn)故障時(shí)不至于燒毀整個(gè)控制板，必須存在隔離電路將控制電路和主電路隔離起來(lái)。(2)1GBT驅(qū)動(dòng)電路的選型與設(shè)計(jì)46常用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路可分為有隔離和無(wú)隔離兩大類(lèi)，其中有隔離驅(qū)動(dòng)電路又

17、可分為脈沖變壓器隔離和光耦隔離兩種51，分別如圖5-5、圖5-6和圖5-7所示。圖5-5 IGBT直接驅(qū)動(dòng)電路Fig.5-5 The schematic diagram of direct drive circuit for IGBT該電路利用由三極管組成的推挽電路直接驅(qū)動(dòng)IGBT，其中雙向穩(wěn)壓管是為了保護(hù)IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓不至于過(guò)大，這種電路構(gòu)造簡(jiǎn)單，但是缺乏隔離電路，而且在IGBT關(guān)斷時(shí)提供負(fù)壓的能力不強(qiáng)。圖5-6光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路Fig.5-6 Isolating drive circuit with optical couple采用光耦可以有效地隔離逆變器和控制電路，但是這種電路的開(kāi)關(guān)速

18、度要受到光耦開(kāi)關(guān)速度的制約，即整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)頻率不可能大于光耦的最高開(kāi)關(guān)頻率，而且也存在提供關(guān)斷負(fù)壓能力不強(qiáng)的問(wèn)題。圖5-7變壓器隔離驅(qū)動(dòng)Fig.5-7 Isolating drive circuit with transformer采用變壓器隔離的驅(qū)動(dòng)電路具有開(kāi)關(guān)頻率高，驅(qū)動(dòng)功率大和提供關(guān)斷負(fù)壓能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，因此本次設(shè)計(jì)中采用了變壓器隔離驅(qū)動(dòng)的方式，并對(duì)上面電路進(jìn)行了一些改動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)能力和穩(wěn)定性，具體如圖5-8所示。47CBTE圖5-8功率管驅(qū)動(dòng)電路 Fig.5-8 Drive circuit for IGBT該驅(qū)動(dòng)電路采用脈沖變壓器耦合隔離電路，這樣可以提供足夠大的驅(qū)動(dòng)功率有利

19、于減少開(kāi)關(guān)損耗。當(dāng)PortA為高電平時(shí)，Q1導(dǎo)通，Q2截止，T1原邊同名端A為高電平，則二次側(cè)繞組a點(diǎn)也為高電平，D3、D4導(dǎo)通，a點(diǎn)輸出電流經(jīng)過(guò)D3、D4、R4對(duì)IGBT門(mén)射極間寄生電容充電，迅速建立驅(qū)動(dòng)電壓，IGBT開(kāi)通。當(dāng)OUTA為低電平時(shí)，Q1截止，Q2導(dǎo)通，脈沖變壓器A點(diǎn)為負(fù)電平，則a點(diǎn)也為負(fù)電平，Q3導(dǎo)通，IGBT門(mén)射極間寄生電容迅速放電，IGBT關(guān)斷。圖中C1起隔直作用，防止脈沖變壓器單向磁飽和，D5、D6為穩(wěn)壓二極管，起到抑制IGBT驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)沖，保護(hù)IGBT的作用。5.5保護(hù)電路設(shè)計(jì)為了保證電源系統(tǒng)穩(wěn)定可靠地工作，必須設(shè)計(jì)合適的電源保護(hù)電路，本次設(shè)計(jì)的超聲波電源采用了過(guò)流保護(hù)

20、、過(guò)壓保護(hù)和溫度保護(hù)三種保護(hù)電路，為電源的穩(wěn)定工作提供了可靠的保證，考慮到DSP系統(tǒng)的電源電壓為3.3V,因此，保護(hù)輸出信號(hào)必須先經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換后才能送入DSP的GPIO口。 5.5.1過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)圖5-9過(guò)流保護(hù)和虛假過(guò)流屏蔽電路圖Fig.5-9 The schematic diagram of over-current protection with fake over-current shieldR1將互感器的交流電流轉(zhuǎn)換成交流圖5-9中T為安置在逆變主回路的電流互感器，電壓，經(jīng)整流橋D1轉(zhuǎn)換為直流電壓，再由C1、C2穩(wěn)壓濾波，變?yōu)槠椒€(wěn)的直流電壓，經(jīng)48R2、R3串聯(lián)分壓后在R3上形成

21、閥值電壓，當(dāng)主回路中電流超過(guò)閥值時(shí)，穩(wěn)壓管D2被擊穿，R4上產(chǎn)生高電平，電容C3通過(guò)R5充電，三極管Q的基極電位開(kāi)始升高，若穩(wěn)壓管D2的導(dǎo)通時(shí)間大于C3的充電時(shí)間，該電容充電電壓將使三極管Q飽和導(dǎo)通產(chǎn)生高電平輸出信號(hào)，將該信號(hào)送至鎖存器鎖存后即為過(guò)流信號(hào)，若是虛假過(guò)流，D2短暫導(dǎo)通后即截止，C3充電不足，不能使Q飽和導(dǎo)通產(chǎn)生過(guò)流信號(hào)。因此，該保護(hù)電路同時(shí)還具有虛假過(guò)流屏蔽功能。此外，在該保護(hù)電路中，通過(guò)調(diào)節(jié)可變電位器R4可以調(diào)整使保護(hù)動(dòng)作的閥值電流，而保護(hù)的靈敏度取決于R5的阻值。5.5.2過(guò)壓保護(hù)電路為了防止高電壓對(duì)電源的損害并維護(hù)操作人員的安全，設(shè)計(jì)了過(guò)電壓保護(hù)電路，當(dāng)逆變器的輸入端電壓大

22、于預(yù)設(shè)置的保護(hù)電壓時(shí)保護(hù)啟動(dòng)，電源自動(dòng)關(guān)閉。具體電路如圖5-10所示，比較器的同相輸入端連接可調(diào)節(jié)的預(yù)設(shè)值電壓，反相輸入端連接經(jīng)分壓后的逆變器輸入電壓，當(dāng)過(guò)壓產(chǎn)生時(shí)，比較器輸出低電平，光耦內(nèi)發(fā)光二極管停止發(fā)光，則光耦的接受對(duì)管關(guān)閉，其集電極上產(chǎn)生高電平，將此高電平信號(hào)送入鎖存器，形成過(guò)壓保護(hù)。圖5-10過(guò)壓保護(hù)電路圖Fig.5-10 The schematic diagram of over voltage protection5.5.3溫度保護(hù)電路由于IGBT開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗都會(huì)轉(zhuǎn)換為熱量散發(fā)出來(lái)，因此，超聲電源在長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)IGBT上會(huì)產(chǎn)生明顯的溫升，而溫升會(huì)影響到IGBT的安全工作區(qū)域

23、，所以需要對(duì)開(kāi)關(guān)管進(jìn)行溫度保護(hù)，溫度保護(hù)可通過(guò)在IGBT的散熱片上安裝溫控開(kāi)關(guān)，并將溫度開(kāi)關(guān)的一端與+15V電源引腳相連，另一端與保護(hù)電路相連，具體如圖5-11所示，當(dāng)散熱片的溫度達(dá)到閥值時(shí)，溫度開(kāi)關(guān)由斷開(kāi)狀態(tài)變?yōu)榻油顟B(tài)，則C上電位由低電平變?yōu)楦唠娖綇亩敵鰷囟缺Ｗo(hù)信號(hào)到鎖存器，關(guān)閉電源。49圖5-11溫度保護(hù)電路Fig.5-11 The schematic diagram of temperature protection 因?yàn)槿N保護(hù)電路的保護(hù)動(dòng)作都是關(guān)閉電源，因此可將三者綜合起來(lái)，形成綜合保護(hù)電路。具體電路連接如圖5-12所示，即三路保護(hù)信號(hào)有一路有高電平時(shí)，經(jīng)過(guò)反相器后形成低電平，再經(jīng)過(guò)與非門(mén)形成高電平信號(hào)，將該信號(hào)送交鎖存器鎖存后即形成綜合保護(hù)信號(hào)。圖5-12保護(hù)信號(hào)處理電路Fig.5-12 The schematic diagram of guard signals process5.6本章小結(jié)本章根據(jù)前面所設(shè)計(jì)的超聲電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，對(duì)主電路元件選型做了分析計(jì)算，并通過(guò)對(duì)比現(xiàn)有的幾種功率開(kāi)關(guān)管的性能，選擇了IGBT作為全橋逆變器的開(kāi)關(guān)器件，然后分析了常用的幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了本文的驅(qū)動(dòng)電路。除此之外，還設(shè)計(jì)了過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、溫度保護(hù)和緩沖電路等輔助性電路，并對(duì)以上