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文檔簡介
1、學(xué)號天津城建大學(xué)控制系統(tǒng)仿真大作業(yè)直流升壓變換器的 MATLAB仿真學(xué) 生 姓 名班級成績控制與機(jī)械工程學(xué)院2014年6月20日目錄一、緒論 1二、仿真電路原理圖及原理 1三、所使用的 Matlab工具箱與模塊庫 2四、模塊參數(shù)設(shè)定 2五、模塊圭寸裝與仿真框圖搭建 2六、仿真結(jié)果 6七、結(jié)論 6八、參考文獻(xiàn) 7一、緒論在電力電子技術(shù)中,將直流電的一種電壓值通過電力電子變換裝置變換為另一種固定或 可調(diào)電壓值的變換,成為直流-直流變換。直流變換的用途非常廣泛,包括直流電動機(jī)傳動、 開關(guān)電源、單相功率因數(shù)校正,以及用于其它領(lǐng)域的交直流電源。根據(jù)電力電子技術(shù)原理,升壓式( Boost)斬波器的輸出電壓
2、 U0高于輸入電源電壓 US, 控制開關(guān)與負(fù)載并聯(lián)連接,與負(fù)載并聯(lián)的濾波電容必須足夠大,以保證輸出電壓恒定,儲能電感也要很大,以保證向負(fù)載提供足夠的能量。若升壓式斬波器的開關(guān)導(dǎo)通時間ton,關(guān)斷時間toff,開關(guān)工作周期 T ton toff。定義占空比或?qū)ū?D ton/T,定義升壓比Uo/Us。根據(jù)電力電子技術(shù)的原理,理論上電感儲能與釋放能量相等,有Tt offUs,升壓比的倒數(shù)1 toffT還有,D 1。由此可見,當(dāng)Us 一定時,改變 就可以調(diào)節(jié)U0。當(dāng)T const時,調(diào) 就是調(diào)toff,或調(diào)ton也是調(diào),也就改變了 U0,這就是升壓式斬波器的升壓工作原理。、仿真電路原理圖及原理圖1
3、V斷時,E和L共同向C充電并向負(fù)載 R供電。設(shè)V斷的時間為toff,則此期間電感 L 釋放能量為 U0-E I 1toff,穩(wěn)態(tài)時,一個周期 T中L積蓄能量與釋放能量能量相等。化簡得Ehton UO-Ehtoff,U o 旦 吐E E,T/t off 1,輸出電壓高于電源電tofft off壓,故稱為升壓斬波電路。也稱為 boost chooper變換器。toffT/t off為升壓比,調(diào)節(jié)其即可改變uo。將升壓比的倒數(shù)記為,即,和導(dǎo)T1 1通占空比,有如下關(guān)系:D 1,因此U oEE。升壓斬波電路能使輸1 - D出電壓高于電源電壓的原因是:L儲能之后具有使電壓升高的作用與電容C可將輸出電壓保
4、持住。三、所使用的Matlab工具箱與模塊庫本次設(shè)計(jì)利用Simulink仿真,所使用的 Matlab工具箱與模塊庫主要有:直流電源De、場效應(yīng)管 MOSFET 脈沖發(fā)生器(Pulse Generator )、電流測量(current Measurement )、 電感(series RLC Branch )、阻抗負(fù)載(Parallel RLC Branch )、二極管 Diode、電壓測量(Voltage Measurement )、示波器 scope 以及 powergui 模塊等。四、模塊參數(shù)設(shè)定(1) 直流電壓源 Us 100v , MOSFE與Diode、電壓測量、電流測量等均采用默認(rèn)
5、設(shè)置。(2) 電感設(shè)置為1e-4,阻抗負(fù)載設(shè)置為:R=5;C=1e-4。(3) 脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置至關(guān)重要:“Pulse type ”脈沖類型,設(shè)置為 Time based (時間基準(zhǔn));“Time (t、”時間,設(shè)置為 Use simulation time(用仿真時間);“Amplitude ”脈沖幅值,設(shè)置為 1.1 ;“ Period (secs、”周期(s),設(shè)置為0.2e-3,對應(yīng)著 MOSFET勺開關(guān)頻率為 5kHz;“ Pulse Width (%of Period、”脈沖寬度(周期的百分?jǐn)?shù)),根據(jù)MOSFE的開關(guān)特性, 設(shè)置為50;“ Phase delay (secs、”
6、 相位延遲(s),設(shè)置為 0.001e-3 。五、模塊封裝與仿真框圖搭建利用Simulink軟件對升壓式直流斬波電路(Boost、進(jìn)行仿真,如圖2所示:(1 )仿真參數(shù),算法(solver ) ode23tb,相對誤差(relative toleranee )為 1e-3,開始時間為0,結(jié)束時間為0.003,如圖3所示:Parameters: un tided/Conf igu ration I'Activej圖3(2) 電源參數(shù),電壓為100V,如圖4所示:E3 cck lJa,amete!rsi DC Voltace Source JI>7 Vc' f S-HH r
7、» na 不M5 nl)I&IeaI DC VQl la a m e.PaTBB-e5;®'?MDlltUM (V):il:ICtASLrSinr e Kor*圖4(3) 電感參數(shù),如圖5所示:(4) 阻抗負(fù)載參數(shù),如圖 6所示:圖6(5) 二極管參數(shù)設(shè)置,如圖7所示:呂Block Parameters: Diode二一Hwsfcc: -linkImplARtK i diods in. sjarilitl with i serifs RC Enubttr circuit.In on"itate th* Diode sod«l has r:
8、 internal Tesistarice (Ron) and inductiuce (Lon.Fox aofit Aplicati&iiA; the internal inducit&nse shouild te &«t t& zer口""he Diode ispedajnce is infinite in off-etate so-de.P&TUetCTKKegjstsnce Ecn Ohs;:Id. Ml |Inductance Lon 扎 i|qiFoTirajrd vcZ±a<E Vf 仇牛 :
9、39;0. BInitial ;ur*if!t le ;Snubber zesislanEe 良m C'hzos ) i500Snubb-tr ct.EiacitAJic«i Cb ''f:2S0e-9Siic-w e LIT EHE已七 第匸 r tQKCanttlH«lpA 口口】(6) MOSFE參數(shù)設(shè)置,如圖8所示:圖8(7)脈沖發(fā)生器參數(shù)設(shè)置,如圖 9所示:六、仿真結(jié)果觸發(fā)脈沖占空比為 50%寸的波形,如圖10所示:圖10設(shè)Ug為門極正脈沖(脈沖發(fā)生器Pulse發(fā)出)、ud為升壓便留輸出電壓(分壓器uo發(fā)出)、iM為MOSFE導(dǎo)通的電感儲能
10、電流(分流器A1發(fā)出)、iD為電感反電勢與 us串聯(lián)疊加流經(jīng)二極管向負(fù)載供電的電流(分流器A2發(fā)出)、i為流經(jīng)電感電流(分流器 A發(fā)出),顯然,i iM iD。仿真波形如上圖9所示,自上而下依次為 ug、ud、i、iM、iD。由圖可見, ug波形對應(yīng)脈沖發(fā)生器的脈沖寬度(周期的百分?jǐn)?shù)),設(shè)置為50;升壓變流輸出電壓瞬時波形ud振蕩走高后逐步趨近并等于200v (直流);i為流經(jīng)電感電流(分流器 A發(fā)出)由兩個分量組成,從波形圖看到,i iM iD。七、結(jié)論(1) 直流斬波電路可將直流電壓變換成固定的或可調(diào)的直流電壓,使用直流斬波技術(shù),不僅可以實(shí)現(xiàn)調(diào)壓的功能,而且還可以達(dá)到改善網(wǎng)側(cè)諧波和提高功率
11、因數(shù)的目的。直流斬波技術(shù)主要應(yīng)用于已具有直流電源需要調(diào)節(jié)直流電壓的場合。(2)直流變換電路主要以全控型電力電子器件作為開關(guān)器件,通過控制主電路的接通 與斷開,將恒定的直流斬成斷續(xù)的方波,經(jīng)濾波后變?yōu)殡妷嚎烧{(diào)的直流輸出電壓。利用 Simuli nk對升壓斬波的仿真結(jié)果進(jìn)行了詳細(xì)分析,與采用常規(guī)電路分析方法所得到的輸出 電壓波形進(jìn)行比較,進(jìn)一步驗(yàn)證了仿真結(jié)果的正確性。(3) 采用Matlab/Simulink對直流斬波電路進(jìn)行仿真分析,避免了常規(guī)分析方法中繁瑣的繪圖和計(jì)算過程,得到了一種較為直觀、快捷分析斬波電路的新方法。同時其建模方法 也適用于其他斬波電路的方針,只需對電路結(jié)構(gòu)稍作改變即可實(shí)現(xiàn),因此實(shí)用性較強(qiáng)。(4) 應(yīng)用Matlab/Simulink進(jìn)行仿真,在仿真過程中可以靈活改變仿真參數(shù),并且能 直觀的觀察到仿真結(jié)果隨參數(shù)的變化情況,方便學(xué)習(xí)與研究。八、參考文獻(xiàn)1王兆安,黃俊.電力電子技術(shù)(第四版) .北京:機(jī)械工業(yè)出版社,20002康華
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