隨機存取存儲器

1、第三十一講 隨機存取存儲器9.3 隨機存取存儲器 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 RAM的存儲單元一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元電路1存儲單元2列選擇線Y和讀寫控制電路二、動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路 集成隨機存儲器2114A、2116介紹一、集成靜態(tài)存儲器2114A二、集成動態(tài)存儲器2116 RAM的擴展一、RAM的位擴展二、RAM的字?jǐn)U展三、RAM的字、位擴展9.3 隨機存取存儲器 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理優(yōu)點：讀寫方便，使用靈活。缺點：掉電丟失信息。一、 RAM的結(jié)構(gòu)和讀寫原理 RAM的存儲單元一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元電路1存儲單元存儲單

2、元由V1V6組成。兩個穩(wěn)定狀態(tài)，分別存儲數(shù)據(jù)1和0。2列選擇線Y和讀寫控制電路圖中V5、 V6為受列選擇線Y控制的門控管，G4、G5和三態(tài)門G1G3構(gòu)成讀寫控制電路。當(dāng)列選擇線為低電子0時，V7、V8均截止，封鎖了存儲單元位線與輸入/輸出端的通路，使存儲單元的數(shù)據(jù)不能讀出，也不能被外信號改寫。當(dāng)列選線為高電平1時，V7、V8導(dǎo)通，對存儲單元可進(jìn)行讀/寫操作，由讀/寫控制電路和的狀態(tài)控制二、動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路動態(tài)存儲單元是由MOS管的柵極電容C和門控管組成的。數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲在柵極電容上，電容上的電壓高表示存儲數(shù)據(jù)1；電容沒有儲存電荷，電壓為0，表明存儲數(shù)據(jù)0。因

3、存在漏電，使電容存儲的信息不能長久保持，為防止信息丟失，就必須定時地給電容補充電荷，這種操作稱為“刷新”，由于要不斷地刷新，所以稱為動態(tài)存儲。包括4管MOS動態(tài)存儲單元電路和單管MOS動態(tài)存儲單元等 集成隨機存儲器2114A、2116介紹采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint一、集成靜態(tài)存儲器2114AIntel2114A是單片1 K×4位（即有1 K個字，每個字4位）的靜態(tài)存儲器（SRAM），它是雙列直插18腳封裝器件，采用5V供電，與TTL電平完全兼容。二、集成動態(tài)存儲器2116Intel 2116單片16 K×1位動態(tài)存儲器（DRAM），是典型的單管動態(tài)存儲芯片。它是雙列直插16腳封裝器件，采用+12V和 5V三組電源供電，其邏輯電平與TTL兼容。 RAM的擴展 （采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint并進(jìn)行討論。）當(dāng)單片RAM不能滿足存儲容量的要求時，這時可把多個單片RAM進(jìn)行組合，擴展成大容量存儲器。一、RAM的位擴展二、RAM的字?jǐn)U展字?jǐn)U展就是把幾片相同RAM的數(shù)據(jù)線并接在一起作為共用輸入輸出端（即位不變），讀/寫控制線也接在一起，把地址線加以擴展，用擴展的地址線去控制