ch放大電路的頻率響應高頻等效模型多級頻率響應學習教案

1、1.共射截止頻率共射截止頻率 f 值下降到 0.707 0 ( (即 ) )時的頻率。 021 當 f = f 時，00707. 021 )dB(3lg202lg20lg20lg2000 值下降到中頻時的 70% 左右，或?qū)?shù)幅頻特性下降了 3 dB。 幾個頻率(pnl)的分析第1頁/共30頁第一頁，共31頁。2.特征頻率特征頻率 f T 值降為 1 時的頻率。1 f fT 時，三極管失去放大作用； f fT 時，由式；112T0 ff得：第2頁/共30頁第二頁，共31頁。3.共基截止頻率共基截止頻率 f 值下降為低頻 0 時 的 0.707 時的頻率。因為(yn wi)可得 ffffff)1

2、(j11/j11/j100000 第3頁/共30頁第三頁，共31頁。說明(shumng)：所以(suy)：1. f 比 f 高很多，等于 f 的 (1 + 0) 倍，即共基電路(dinl)的截止頻率遠高于共射電路(dinl)的截止頻率,因此共基放大電路(dinl)可做為寬頻帶放大電路(dinl)。2. f fT fL，因而通頻帶fbw=fH - fL fH，fH 與Ausm的矛盾就是帶寬與增益的矛盾。引入增益帶寬積，即中頻電壓放大倍數(shù)與通頻帶的乘積。式不很嚴格，但可看出一個大概趨勢，即選定放大三極管后，rbb 和 C的值即被確定，增益帶寬積就基本上確定，此時，若將中頻放大倍數(shù)提高若干倍，則通頻

3、帶也將幾乎變窄同樣的倍數(shù)，這個結論具有普遍性。如愈得到一個通頻帶既寬，電壓放大倍數(shù)又高的放大電路，則可選用rbb和C均小的高頻三極管，另外還可考慮(kol)采用共基電路。第17頁/共30頁第十七頁，共31頁。多級放大電路多級放大電路(dinl)的頻率響應的頻率響應多級放大電路多級放大電路(dinl)頻率特性的定性分析頻率特性的定性分析多級放大電路(dinl)的電壓放大倍數(shù)對數(shù)幅頻特性為在多級放大電路中含有多個放大管，因而在高頻等效電路中有多個低通電路。在阻容耦合放大電路中，如有多個耦合電容或旁路電容，則在低頻等效電路中就含有多個高通電路。多級放大電路的總相位移為：第18頁/共30頁第十八頁，共

4、31頁。m第19頁/共30頁第十九頁，共31頁。兩級放大電路(dinl)的波特圖fHfL幅頻特性fdB/lg20uAOfL1fH16 dB3 dB3 dBfBW1fBW2一一 級級二二 級級 20dB/十倍頻 40dB/十倍頻二級放大電路的通頻帶(pndi)，總是比組成它的單級通頻帶(pndi)窄。注：折線(zhxin)化波特圖仍以單級的fL和fH為轉(zhuǎn)折點。第20頁/共30頁第二十頁，共31頁。相頻特性 270 360fL1fH1fO 540 180 450 90一一 級級二二 級級第21頁/共30頁第二十一頁，共31頁。對于一個n級放大電路，設組成它的各級放大電路的下限(xixin)頻率為f

5、L1、fL2、 、fLn，上限頻率為fH1、fH2、 、fHn，通頻帶為fbw1、fbw2、 、fbwn；設該多級放大電路的下限(xixin)頻率為fL，上限頻率為fH，通頻帶為fbw。則有 fL fLk ( k = 1 n)fH fHk ( k = 1 n) fbw fLk ( k = 1 n)或者可以說，每增加一級放大電路，總的通頻帶就會在前面基礎(jch)上進一步降低?；蛘呖梢哉f，每增加一個起作用的耦合電容(或旁路電容)，總的下限頻率就會在前面基礎上進一步增大。第22頁/共30頁第二十二頁，共31頁。(1)在空載情況下，下限(xixin)頻率的表達式當Rs 減小時，fL將( )；當帶上負

6、載電阻后，fL將( )增大(zn d)增大(zn d)(2)空載情況下，若b-e 間等效電容為 ，則上限頻率的表達式 當Rs 為零時，fH將( )；當Rb減小時，gm將( )， 將( )。 增大增大增大第23頁/共30頁第二十三頁，共31頁。多級放大電路多級放大電路(dinl)的上限頻率和下限頻率的估算的上限頻率和下限頻率的估算在實際的多級放大電路中，當各放大級的時間常數(shù)(sh jin chn sh)相差懸殊時，可取其主要作用的那一級作為估算的依據(jù)即：若某級的下限頻率遠高于其它各級的下限頻率，則可認為整個電路的下限頻率就是該級的下限頻率。同理若某級的上限頻率遠低于其它各級的上限頻率，則可認為整

7、個電路的上限頻率就是該級的上限頻率。第24頁/共30頁第二十四頁，共31頁。例 1 . 已 知 某 放 大 電 路(dinl)的波特圖如圖示，填空： 20lgumA(l) 電路的中頻電壓增益( )dB,umA( )。60+103或-103(2)電路(dinl)的下限頻率約( )Hz，上限頻率約( ) Hz。10104(3) 電路的電壓(diny)放大倍數(shù)的表達式 注：絕對值中的中頻放大倍數(shù)可能“+”，也可能“”。第25頁/共30頁第二十五頁，共31頁。例2.已知某電路的各級均為共射放大(fngd)電路，其對數(shù)幅頻特性如圖所示。求該電路的下限頻率、上限頻率，以及電壓放大(fngd)倍數(shù)表達式。高

8、頻段只有一個拐點(ui din)，斜率為-60dB/十倍頻程，電路中應有三個三極管極間電容，即三級放大電路（且每級的上限頻率均為2105Hz）。解：低頻段只有一個拐點(ui din)，說明影響低頻特性的只有一個電容，故電路的下限頻率fL為10Hz。電壓放大倍數(shù)354102110110)(fjjfAu第26頁/共30頁第二十六頁，共31頁。例3.分別研究如圖所示(僅為一級的情況)Q點穩(wěn)定電路中C1 C2和Ce所確定的下限(xixin)頻率表達式及結電容所確定的上限頻率表達式。本題結果可作為公式。交流混合(hnh)模型等效電路第27頁/共30頁第二十七頁，共31頁。1.考慮C1對低頻特性(txng

9、)的影響C1所在(suzi)回路的等效電路112111212121CRRCrRRRfiSbebbSL/2.考慮(kol)C2對低頻特性的影響 C2所在回路的等效電路2222121CRRfLcL上面兩種情況本質(zhì)上相同，因為倘若電路的負載是下一級放大電路，則RL即為后級的輸入電阻Ri，而Rc正是后級電路的信號源內(nèi)阻Rs。在考慮某一電容對頻率響應的影響時，應將其它電容作理想化處理，即將耦合電容和旁路電容視為短路，將極間電容視為開路。第28頁/共30頁第二十八頁，共31頁。3.考慮Ce對低頻(dpn)特性的影響Ce所在(suzi)回路的等效電路4.4.考慮(kol)(kol)結電容對高頻特性的影響結電容所在回路的等效電路CRRRrrfSbbbbebHH/212121比較C1、C2、Ce所在回路的時間常數(shù)1、2、e,當取C1=C2=Ce時，e將遠小于1,2，即fLe遠大于fL1和fL2因此fLe約為電路下限頻率。eSbbbeeeLICRRRrRf1/212121e第29頁/共30頁第二十九頁，共31頁。感謝您的觀看(gunkn)！第30頁/共30頁第三十頁，共31頁。NoImage內(nèi)容(nirng)總結1.共射截止頻率 f 。Us 、R是經(jīng)過戴維南切換后的等效電壓源電壓和等效電阻。為了改善單管放大電路的低頻特性，需加大耦合電容及其