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文檔簡介
1、第5章 光電信號(hào)檢測電路主要內(nèi)容:5.1 光電檢測電路的設(shè)計(jì)要求5.2 光電信號(hào)輸入電路的靜態(tài)計(jì)算5.3 光電信號(hào)檢測電路的動(dòng)態(tài)計(jì)算5.4 光電信號(hào)檢測電路的噪聲5.5 前置放大器通常的光電檢測電路組成光電器件輸入電路前置放大器光電器件是實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的核心器件,是溝通光學(xué)量和電子系統(tǒng)的接口環(huán)節(jié),把被測光信號(hào)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電信號(hào)。輸入電路是為光電器件提供正常的工作條件,進(jìn)行電參量的變換,同時(shí)完成和前置放大器的電路匹配。前置放大器將光電器件輸出的微弱電信號(hào)進(jìn)行放大,同時(shí)匹配后置處理電路與檢測器件之間的阻抗。5.1 光電檢測電路的設(shè)計(jì)要求設(shè)計(jì)原則:根據(jù)光電信號(hào)的性質(zhì)、強(qiáng)弱、光學(xué)的和器件的噪聲電平以及輸
2、出電平和通頻帶等技術(shù)要求來確定電路的連接形式和電路參數(shù),保證光電器件和后續(xù)電路最佳的工作狀態(tài)。使整個(gè)檢測電路滿足下列要求:1. 靈敏的、較強(qiáng)的光電轉(zhuǎn)換能力:光電靈敏度。2. 快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力:頻率響應(yīng)及選擇特性。3. 最佳的信號(hào)檢測能力:信噪比(SNR)、等效噪聲功率(NEP)。4.長期工作的穩(wěn)定性和可靠性:5.2 光電信號(hào)輸入電路的靜態(tài)計(jì)算靜態(tài)計(jì)算法是對(duì)緩慢變化的光信號(hào)采用直流電路檢測時(shí)使用的設(shè)計(jì)方法,由于光電檢測器件的非線性伏安特性,所采用的方法包括非線性電路的圖解法和分段線性化的解析法。按照伏安特性的基本性質(zhì)可分為三種類型:恒流源型、光伏型和可變電阻。下面以光電二極管或光電池為線索分別
3、介紹各種工作狀態(tài)下的電路計(jì)算方法。2/20cmmW1612840 5 10 15mAi/M2/15cmmW2/10cmmW2/5cmmWVU /1200800400040 80 120uAi/lx10000lx6000lx4000lx2000lx500VU /543210200 400 600 800 1000mAi/lm100lm75lm50lm250VU /光電倍增管光電二極管光電三級(jí)管5.2.1 恒流源型器件光電信號(hào)輸入電路在工作電壓較小時(shí),曲線呈彎曲,存在一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)M,隨電壓增大,輸出電流變化不大,趨于恒流。與晶體管集電極特性曲線類似,可以采用晶體管放大器類似的方法分析。區(qū)別在于光電流
4、控制輸出電流,而光電流是由輸入光功率控制的。負(fù)載線與對(duì)應(yīng)輸入光通量為0時(shí)的器件的伏安特性曲線交點(diǎn)Q,即為輸入電路的靜態(tài)工作點(diǎn),當(dāng)0改變時(shí),在負(fù)載電阻RL上產(chǎn)生的 電壓信號(hào)輸出和 的電流信號(hào)輸出。IU1、圖解計(jì)算法:利用包含非線性元件的串聯(lián)電路的圖解法對(duì)恒流源器件的輸入電路進(jìn)行計(jì)算。QobUQUIQIIUULbRU000LR1arctanoioU LbIRUIU負(fù)載線方程:UUbRLI圖解法適用于大信號(hào)狀態(tài)下的電路分析,在大信號(hào)狀態(tài)下,可定性地輸出信號(hào)的波形畸變。在做光電開關(guān)情況下,可借助圖解法合理地選擇電路參數(shù),如最大工作電流、最大工作電壓和最大耗散功率。圖中給出了Ub不變時(shí),RL的大小對(duì)輸出
5、信號(hào)的影響:輸入光通量變化時(shí),負(fù)載電阻的減小會(huì)增大輸出信號(hào)電流,而減小輸出電壓。同時(shí)負(fù)載電阻的減小會(huì)受到最大工作電流和功耗的限制。而過大的RL又使輸出負(fù)載線進(jìn)入非線性區(qū),使輸出信號(hào)波形畸變。obUQ1LR000oioUM2LR3LR321LLLRRR圖解法的應(yīng)用:1、負(fù)載電阻的影響分析:圖解法的應(yīng)用:2、偏置電壓的影響分析:o0003bU2bU1bUoioU功耗限制圖中給出了RL 不變時(shí),Ub的大小對(duì)輸出信號(hào)的影響:當(dāng)偏置電壓增大時(shí),輸出信號(hào)電壓幅度也隨之增大,線性度得到改善,但電路的功耗隨之加大,過大的偏置電壓會(huì)引起光電二極管的反向擊穿。利用圖解法確定輸入電路的負(fù)載電阻和反向偏置電壓大小時(shí),
6、應(yīng)根據(jù)輸入光通量的變化范圍和輸出信號(hào)的幅度要求使負(fù)載線稍高于轉(zhuǎn)折點(diǎn)M,以便得到不失真的最大電壓輸出,同時(shí)保證反向偏壓不大于器件的最大工作電壓Umax。1. 由和I選擇RL和Ub超過轉(zhuǎn)換點(diǎn)M,以便有最大不失真電壓輸出。2. 同時(shí)保證Ub不大于器件最大工作電壓Umax2、解析計(jì)算法:對(duì)光電器件的非線性伏安特性進(jìn)行分段折線化,稱為折線化伏安特性。折線化的畫法一QMPO0PiUQI0arctanGGarctan0UpIdIiMUO0UGarctan0arctanG折線化的畫法二折線化的畫法QMPO0PiUQI0arctanGGarctan0UpIdI折線化伏安特性可用下列參數(shù)確定:轉(zhuǎn)折電壓U0對(duì)應(yīng)于曲
7、線轉(zhuǎn)折點(diǎn)M處的電壓值。初始電導(dǎo)G0非線性區(qū)近似直線的初始斜率。結(jié)間漏電導(dǎo)G線性區(qū)各平行直線的平均斜率。光電靈敏度S單位輸入光功率所引起的光電流值。PISp光電靈敏度的表達(dá)式:P為輸入光功率Ip為對(duì)應(yīng)的光電流折線化的分析原則: 利用折線化的伏安特性, 可將線性區(qū)內(nèi)任意Q點(diǎn)處的電流值I表示為兩個(gè)電流分量的和:QMPO0PiUQI0arctanGGarctan0UpIdIpdQIIUfI,Id-為與二極管端電壓U成正比,由結(jié)間漏電導(dǎo)形成的無光照電流(暗電流)。Ip為與端電壓無關(guān),僅取決于輸入光功率的光電流。有:那么理想的光電二極管等效電路可表示為:SGUIIIpdIpIdIGRg1折線化伏安特性的分
8、析: 在輸入光通量變化范圍minmax為已知的條件下,用解析法計(jì)算輸入電路的工作狀態(tài):1、確定線性工作區(qū)域:OiM0U0U0UUbbU0arctanGGarctanNLGarctanmax 由最大輸入光通量的伏安曲線彎曲處即可確定轉(zhuǎn)折點(diǎn)M。相應(yīng)的有轉(zhuǎn)折電壓U0和初始電導(dǎo)G0,在線段MN有關(guān)系:max000SGUUG由此可得:GGSU0max00max0USGG或2、計(jì)算負(fù)載電阻和偏置電壓:iMNmaxUH0O0arctanGGarctanLGarctanminImaxIImaxmin0UbUUU為保證最大線性輸出條件,負(fù)載線和與對(duì)應(yīng)的伏安曲線交點(diǎn)不能低于轉(zhuǎn)折點(diǎn)M。設(shè)負(fù)載線通過M點(diǎn),可得關(guān)系:0
9、00UGGUULb當(dāng)Ub已知時(shí),可得負(fù)載電導(dǎo)GL或電阻RL:0max011max000GSGGbbLLUSUUUGRG當(dāng)RL已知時(shí),可得偏置電源電壓Ub為:GGGGGSULLb00max3、計(jì)算輸出電壓幅度:iMNmaxUH0O0arctanGGarctanLGarctanminImaxIImaxmin0UbUUU在輸入光通量由min變化到max時(shí),輸出電壓幅度為:0maxUUU由圖中M和N點(diǎn)電流值計(jì)算:HSGUUUGbL:minmaxmaxMSGUUUGbL:max00聯(lián)合求解:LbLGGSUGUminmaxLbLGGSUGUmax0求得U:LLGGSGGSUminmax3、計(jì)算輸出電流幅度
10、:iMNmaxUH0O0arctanGGarctanLGarctanminImaxIImaxmin0UbUUU輸出電流幅度:UGIIILminmaxLLGGSGGSUminmax由下式可得:LLGGSUGI1minmax通常 ,上式可簡化為:GGLSSIminmax4、計(jì)算輸出電功率:iMNmaxUH0O0arctanGGarctanLGarctanminImaxIImaxmin0UbUUU由功率關(guān)系:UIP可得:22LLLGGSGUGUIP5.2.2 光伏型器件光電信號(hào)輸入電路mAi/VU /0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5-0.2 -0.4-0.6-0.8光伏型器件伏安曲線等效電
11、路光伏型器件伏安曲線如圖示,位于第四象限,器件的端電壓U和電流I的方向相反,具有賦能元件的性質(zhì)。這類器件主要是光電池和光電池工作狀態(tài)下的光電二極管。pUUsIeIIT) 1(光電池輸出電流有下列形式:將光電池的伏安特性轉(zhuǎn)到第一象限,即規(guī)定電流的正方向,則伏安特性可表示為:) 1(TUUspeIII或sspTIIIIUUln1、光伏型器件輸入電路的形式: 無偏置型、反向偏置型和太陽能電池充電電路2、無偏置輸入電路的靜態(tài)計(jì)算ULRpIdII電路方程:ULRLRIU1TUUspeIII圖解法分析:負(fù)載線與給定光通量0對(duì)應(yīng)的伏安曲線的交點(diǎn)即為工作點(diǎn)Q。Q點(diǎn)對(duì)應(yīng)的U和I即為RL上的輸出電流和電壓。光通量
12、變化時(shí)形成相應(yīng)的輸出電流變化和輸出電壓變化。i0QIIULGarctanQUO光伏型器件負(fù)載電阻和光通量的影響分析:U2scI1scI1UIO12Ui2U0LR1R2RMRULRpIdII如圖中光通量從1增加到2時(shí),在短路狀態(tài)RL=0時(shí),輸出電流增量I=Isc2-Isc1,輸出電壓為0。隨著RL的增大,電壓增大。負(fù)載進(jìn)一步增大,電壓飽和,電流變小。也就是說存在一個(gè)臨界電阻RM,經(jīng)過RM之后,負(fù)載上電壓變?yōu)轱柡?,輸出電流逐漸減小。當(dāng)處于最佳臨界負(fù)載RM時(shí),光通量較小時(shí),負(fù)載上輸出電流和電壓近似隨光通量成正比增加,而當(dāng)光通量較大時(shí),輸出電流和電壓逐漸呈現(xiàn)飽和。負(fù)載越大情況越明顯。ssLpLTIIR
13、UIRUUUIPlnPUIRLU、I、PRMO另外,可以定量地描述負(fù)載電阻和入射光通量對(duì)電路工作狀態(tài)(U、I、P)的影響:ssLpTIIRUIUUln1TLURIspeIII1U2scII1scIO12UiIIIIIIIVU2U0LR1R2RMR負(fù)載電阻不同時(shí),光電池有幾個(gè)工作狀態(tài),如圖示1、負(fù)載電阻較小時(shí),即I區(qū)間。光電池處于短路或線性電流放大,可實(shí)現(xiàn)電流變換。后續(xù)電流放大級(jí)可從光電池中吸取最大的輸出電流。光電流與光通量有良好的線性關(guān)系:SIIeIIIscpRURIspLTL01SI和優(yōu)點(diǎn):在短路狀態(tài)下,器件噪聲電流較低,改善信噪比,適于微弱光信號(hào)檢測。同時(shí)與受光面積成正比。1U2scII1
14、scIO12UiIIIIIIIVU2U0LR1R2RMR2、負(fù)載電阻較大時(shí),即IV區(qū)間。光電池處于斷路或空載電壓輸出,實(shí)現(xiàn)一種非線性電壓變換。光電池應(yīng)通過高輸入阻抗變換器與后續(xù)放大器連接,相當(dāng)于輸出開路。輸出電壓:sTspTsspTocISUIIUIIIUUUlnlnln優(yōu)點(diǎn):光電池輸出電壓的變化不需加偏置電源即可組成控制電路,實(shí)現(xiàn)光電開關(guān)作用。且較小光通量即可實(shí)現(xiàn)較大開路電壓的變化,對(duì)弱光檢測有利。但容易受溫度影響,頻率特性不理想。輸出電壓小。輸出電壓與受光面積的對(duì)數(shù)成正比。VUoc6.045.03、在II區(qū)間,可得到線性電壓輸出,在串聯(lián)的負(fù)載電阻上得到與輸入光通量近似成正比的信號(hào)電壓,負(fù)載
15、增大可提高輸出電壓。但超過RM 值時(shí)輸出信號(hào)發(fā)生非線性畸變。1U2scII1scIO12UiIIIIIIIVU2U0LR1R2RMRRM值的確定:對(duì) 展開1TLURIspeIIITLsTLUIR!IUIRSI211已知IsR時(shí),LIULRbULR2LbLRRSUI22LbRRSURI負(fù)載電流與光敏電阻阻值無關(guān),近似保持常數(shù)。表明:輸出信號(hào)取決于光敏電阻和負(fù)載電阻的比值,與偏壓成正比。電壓信噪比高,適于高靈敏度測量。但偏置電壓高達(dá)100V以上。通常用晶體管實(shí)現(xiàn)恒流偏置。LbLRSUU選取RLRbbERSK 式中:2232,1411TTTT06645423TTTTTTTbLibLiGGCRRCT/
16、4cbgbcCRRRCT/5bLjgbjGGCCRRCCT006/,RCTLc000CRRSKTLbE0654TTTTT輸入電路的振幅頻率特性:222221011TTKTjW對(duì)數(shù)頻率特性:210lg20lg20lg20lg20TTKTjW規(guī)整化特性規(guī)整化特性實(shí)際對(duì)數(shù)特性實(shí)際對(duì)數(shù)特性O(shè)dB3倍頻1020dB10lg20TKTjWlg20111 T0221 T對(duì)數(shù)頻率特性高頻段綜合對(duì)數(shù)頻率特性可分為:1、高頻段(2=1/T2)2101jTTKTjWH2稱為上限截止頻率。檢測電路中的高頻衰減主要是因?yàn)殡娐分懈麟娙萑菘闺S的增加而減少,電容分流作用的加大使輸出信號(hào)變小。對(duì)數(shù)頻率特性O(shè)dB3倍頻1020d
17、B10lg20TKTjWlg20111T0221TLRbRgRcCjCiC0C等效電路111jTjT21011jTjTjKTjW10TKTjWM對(duì)數(shù)頻率特性O(shè)dB3倍頻1020dB10lg20TKTjWlg20111T0221TLRbRgRcCjCiC0C等效電路0為這段頻率的中心頻率。頻率滿足T11和T21。相應(yīng)的頻率特性為:可見,中頻段范圍內(nèi)輸入電路可看作理想的比例環(huán)節(jié),這段頻率區(qū)間稱做電路的通頻帶。2、中頻段(12)111211jTjTjT和21011jTjTjKTjW中頻段低頻段對(duì)數(shù)頻率特性O(shè)dB3倍頻1020dB10lg20TKTjWlg20111T0221TLRbRgRcCjCiC
18、0C等效電路3、低頻段(1=1/T1)101jTjKTjWL1稱為低頻或下限截止頻率。檢測電路中的低頻衰減的物理原因是電路中串聯(lián)耦合電容的容抗隨的減小而增大,信號(hào)在電容上壓降的提高使輸出信號(hào)變小。21011jTjTjKTjW112jT3 3、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)光電檢測電路設(shè)計(jì)的基本要求:保證所需要光電檢測電路設(shè)計(jì)的基本要求:保證所需要檢測靈敏度檢測靈敏度的前提的前提下獲得最好的下獲得最好的線性不失真線性不失真和和頻率不失真頻率不失真,頻率不失真是檢測電,頻率不失真是檢測電路頻率特性設(shè)計(jì)需解決的問題。路頻率特性設(shè)計(jì)需解決的問題。對(duì)快速變化的復(fù)雜信號(hào)是若干不同諧
19、波分量的疊加,對(duì)確定的環(huán)對(duì)快速變化的復(fù)雜信號(hào)是若干不同諧波分量的疊加,對(duì)確定的環(huán)節(jié),描述它對(duì)不同諧波輸入信號(hào)的響應(yīng)能力的頻率特性是唯一確節(jié),描述它對(duì)不同諧波輸入信號(hào)的響應(yīng)能力的頻率特性是唯一確定的。對(duì)多級(jí)檢測系統(tǒng)可用其組成單元的頻率特性間的簡單計(jì)算定的。對(duì)多級(jí)檢測系統(tǒng)可用其組成單元的頻率特性間的簡單計(jì)算得到系統(tǒng)的綜合頻率特性,有利于復(fù)雜系統(tǒng)的綜合分析。得到系統(tǒng)的綜合頻率特性,有利于復(fù)雜系統(tǒng)的綜合分析。信號(hào)的頻率失真會(huì)使某些諧波分量的幅度和相位發(fā)生變化導(dǎo)致合信號(hào)的頻率失真會(huì)使某些諧波分量的幅度和相位發(fā)生變化導(dǎo)致合成波形畸變。為避免頻率失真,保證信號(hào)的全部頻譜分量不產(chǎn)生成波形畸變。為避免頻率失真,
20、保證信號(hào)的全部頻譜分量不產(chǎn)生非均勻的幅度衰減和附加的相位變化,檢測電路的通頻帶應(yīng)以足非均勻的幅度衰減和附加的相位變化,檢測電路的通頻帶應(yīng)以足夠的寬裕度覆蓋住光信號(hào)的頻譜分布。夠的寬裕度覆蓋住光信號(hào)的頻譜分布。3 3、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)大體包括下列三個(gè)基本內(nèi)容:檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)大體包括下列三個(gè)基本內(nèi)容: 對(duì)輸入光信號(hào)進(jìn)行傅里葉頻譜分析,確定信號(hào)的頻對(duì)輸入光信號(hào)進(jìn)行傅里葉頻譜分析,確定信號(hào)的頻譜分布;譜分布; 確定多級(jí)光電檢測電路的允許通頻帶寬和上限截止確定多級(jí)光電檢測電路的允許通頻帶寬和上限截止頻率;頻率; 根據(jù)級(jí)聯(lián)系統(tǒng)的帶寬計(jì)算方
21、法,確定單級(jí)檢測電路根據(jù)級(jí)聯(lián)系統(tǒng)的帶寬計(jì)算方法,確定單級(jí)檢測電路的阻容參數(shù)。的阻容參數(shù)。下面通過一個(gè)實(shí)例說明頻率特性設(shè)計(jì)的方法:下面通過一個(gè)實(shí)例說明頻率特性設(shè)計(jì)的方法:3 3、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)例:用例:用2DU12DU1型光電二極管和兩級(jí)相同的放大器組成光電檢測電型光電二極管和兩級(jí)相同的放大器組成光電檢測電路。被測光信號(hào)的波形如圖,脈沖重復(fù)頻率路。被測光信號(hào)的波形如圖,脈沖重復(fù)頻率f=200kHzf=200kHz,脈寬,脈寬t t0 0=0.5s=0.5s,脈沖幅度,脈沖幅度1V1V,設(shè)光電二極管的結(jié)電容,設(shè)光電二極管的結(jié)電容C Cj j=3pF=3pF,
22、輸入,輸入電路的分布電容電路的分布電容C C0 0=5pF=5pF,設(shè)計(jì)該電路的阻容參數(shù)。,設(shè)計(jì)該電路的阻容參數(shù)。ust5 . 00V1tust5取包絡(luò)線第二峰值作為信號(hào)的高頻截止頻率,取包絡(luò)線第二峰值作為信號(hào)的高頻截止頻率,包含包含1515個(gè)諧波成分,個(gè)諧波成分,高頻截止頻率高頻截止頻率fHC取為:取為:MHzkHzfHC315200此時(shí),認(rèn)為光信號(hào)是不失真的。此時(shí),認(rèn)為光信號(hào)是不失真的。3 3、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)解:(解:(1 1)首先分析輸入光信號(hào)頻譜,首先分析輸入光信號(hào)頻譜,確定檢測電路的總頻帶寬度。確定檢測電路的總頻帶寬度。MHzf /1245K0
23、01tF Tf1周期為周期為T=1/fT=1/f的方波脈沖時(shí)序信號(hào),其頻譜的方波脈沖時(shí)序信號(hào),其頻譜是離散的,譜線的是離散的,譜線的頻率間隔頻率間隔為:為:kHzsTf200511頻譜包絡(luò)線頻譜包絡(luò)線零值點(diǎn)的分布間隔零值點(diǎn)的分布間隔為:為:MHzstF25 . 0110ust5 . 00V1tust 5頻率的頻率的零頻分量零頻分量確定信號(hào)的直流成分,不影響變化的波形,但為采用確定信號(hào)的直流成分,不影響變化的波形,但為采用交交流放大流放大利用阻容耦合電容利用阻容耦合電容隔直隔直。取。取低頻截止頻率低頻截止頻率f fLCLC為為200Hz200Hz,則檢測放大,則檢測放大器的總頻帶寬近似為器的總頻
24、帶寬近似為F3MHz。3 3、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)(2 2)確定級(jí)聯(lián)各級(jí)電路的頻帶寬確定級(jí)聯(lián)各級(jí)電路的頻帶寬由設(shè)計(jì)要求,檢測電路由由設(shè)計(jì)要求,檢測電路由輸入電路和兩級(jí)相同放大器輸入電路和兩級(jí)相同放大器串聯(lián)而成,串聯(lián)而成,設(shè)三級(jí)帶寬相同設(shè)三級(jí)帶寬相同,根據(jù)電子學(xué)系統(tǒng)頻帶寬計(jì)算式,相同,根據(jù)電子學(xué)系統(tǒng)頻帶寬計(jì)算式,相同n n級(jí)級(jí)聯(lián)級(jí)級(jí)聯(lián)放大器的高頻截止頻率放大器的高頻截止頻率f fnHCnHC和低頻截止頻率和低頻截止頻率f fnLCnLC為:為:121nHnHCff121nLnLCff將將f fnHCnHC=f=fHCHC=3MHz=3MHz、f fnLCnLC=
25、f=fLCLC=200Hz=200Hz和和n=3n=3代入上兩式,可得:代入上兩式,可得:MHzMHzfH612331HzHzfL1021220031則輸入電路和單級(jí)放大器的通頻帶寬相同,且:則輸入電路和單級(jí)放大器的通頻帶寬相同,且:MHzF63 3、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)(3 3)計(jì)算輸入電路參數(shù)計(jì)算輸入電路參數(shù)帶寬為帶寬為6MHz6MHz的輸入電路宜采用的輸入電路宜采用電流放大電流放大方式,利用前述公式可方式,利用前述公式可計(jì)算出。計(jì)算出。kCCfRjHL3 .3210R RL L為后級(jí)放大器的輸入阻抗,若為后級(jí)放大器的輸入阻抗,若取取R RL L為為2k2
26、k,為保證,為保證R RL LRRb b,取,取R Rb b=(10=(1020)R20)RL L,即,即R Rb b=10R=10RL L=20k=20k。0CCRjL02121CCRfjLH耦合電容耦合電容C C的值的值 是由低頻截止頻率決定的。是由低頻截止頻率決定的。由由f fL L=102Hz=102Hz和下式和下式CRRfbLL21可計(jì)算可計(jì)算C C值為:值為:FFRRCbL07. 021取取C=1FC=1F,對(duì)于第一,對(duì)于第一級(jí)耦合電容可適當(dāng)增級(jí)耦合電容可適當(dāng)增大大1010倍,取電容值倍,取電容值C=10FC=10F。(。(why?why?)3 3、光電檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)、光電
27、檢測電路頻率特性的設(shè)計(jì)(4 4)計(jì)算輸入電路參數(shù)計(jì)算輸入電路參數(shù)V50F50012DUbRk20pF200Rk2FC10CCk2選用二級(jí)通用的選用二級(jí)通用的寬帶運(yùn)算放大器寬帶運(yùn)算放大器,放大器,放大器輸入阻抗輸入阻抗小于小于2k2k,放大器,放大器通頻帶通頻帶要求為要求為6MHz6MHz,這里取為,這里取為10MHz10MHz。得到。得到如圖所示的檢測電路。如圖所示的檢測電路。圖中輸入電路的圖中輸入電路的直流電源直流電源為為50V50V,低于,低于2DU12DU1型光電二極管的型光電二極管的最大反向電壓最大反向電壓。并聯(lián)的。并聯(lián)的500F500F電容電容用以濾除電源波動(dòng)。為減用以濾除電源波動(dòng)。
28、為減少少C C電解電容寄生電感的影響,并聯(lián)了電解電容寄生電感的影響,并聯(lián)了C Cp p=200pF=200pF的電容。的電容。5.4 光電信號(hào)檢測電路的噪聲5.4.1 檢測電路的噪聲等效處理光輻射檢測器中存在的內(nèi)部噪聲主要有光輻射檢測器中存在的內(nèi)部噪聲主要有熱噪聲、散粒熱噪聲、散粒噪聲、半導(dǎo)體中產(chǎn)生復(fù)合噪聲、溫度噪聲和閃爍(噪聲、半導(dǎo)體中產(chǎn)生復(fù)合噪聲、溫度噪聲和閃爍(1/f)噪聲。噪聲。在一個(gè)檢測系統(tǒng)中,檢測器產(chǎn)生的噪聲對(duì)系統(tǒng)性能的影響在一個(gè)檢測系統(tǒng)中,檢測器產(chǎn)生的噪聲對(duì)系統(tǒng)性能的影響比前置放大器和其它信號(hào)處理部件產(chǎn)生的噪聲要大得多。比前置放大器和其它信號(hào)處理部件產(chǎn)生的噪聲要大得多。一般光電檢
29、測器件中主要的噪聲是一般光電檢測器件中主要的噪聲是熱噪聲熱噪聲和和散粒噪聲散粒噪聲。下。下面做簡要介紹并討論面做簡要介紹并討論等效噪聲電路等效噪聲電路。5.4.1 檢測電路的噪聲等效處理1 1、噪聲、噪聲 熱噪聲熱噪聲熱噪聲是熱噪聲是電阻性電路器件的共性噪聲電阻性電路器件的共性噪聲,噪聲電壓均方值,噪聲電壓均方值取決于材料的溫度,并有關(guān)系式:取決于材料的溫度,并有關(guān)系式:dffRkTUffT2142度。為熱噪聲的頻譜分布寬關(guān)系;表示電阻隨頻率的變化為材料的熱力學(xué)溫度;為波爾茲曼常數(shù);式中:12)(ffffRTk在純電阻的簡單情況下,在純電阻的簡單情況下,R R與頻譜無關(guān),上式可變?yōu)椋号c頻譜無關(guān)
30、,上式可變?yōu)椋篺kTRUT 42RfkTIT 42相應(yīng)的噪聲電流均方值為:相應(yīng)的噪聲電流均方值為:溫度一定時(shí),熱噪聲只與電阻和通頻帶有關(guān),因此熱噪聲又稱電阻噪聲或白噪聲。與頻率無關(guān),在通帶內(nèi)任何頻率上噪聲電壓和噪聲功率是同樣數(shù)值,即噪聲功率譜在通帶內(nèi)產(chǎn)平坦的。帶寬愈大,噪聲功率愈大。但只適合于1012Hz以下的頻率范圍。5.4.1 檢測電路的噪聲等效處理當(dāng)溫度為當(dāng)溫度為T=300KT=300K時(shí),時(shí),kT=4.1410-21J,電阻的噪聲電壓和電流有,電阻的噪聲電壓和電流有效值變成:效值變成:21101029.14JfRfkTRUT2129.1JRfIT例:室溫下1M電阻,如果檢測電路的放大倍
31、數(shù)為1,則在電路通頻帶為f=30kHz時(shí)輸出的熱噪聲電壓有效值是22.3V。通頻帶為10MHz時(shí)為400V。整個(gè)白噪聲的輸出電壓為413mV。由此可見,檢測電路通頻帶對(duì)白噪聲輸出電壓有很強(qiáng)的抑制作用。f2TUf信號(hào)通頻帶OkTR4白噪聲5.4.1 檢測電路的噪聲等效處理 散粒噪聲散粒噪聲散粒噪聲是光輻射隨機(jī)起伏導(dǎo)致和光電流的隨機(jī)起伏所造成的,光電子從材料表面逸出的隨機(jī)性和PN結(jié)中載流子過結(jié)數(shù)的隨機(jī)性都是這種散粒噪聲源。此外光輻射中光子到達(dá)率的起伏在某些檢測器光電轉(zhuǎn)換后也表現(xiàn)為散粒噪聲。散粒噪聲的量值不取決于溫度,而由流過器件的平均電流決定。若器件的通頻帶為f,它的散粒噪聲電流均方值為:fqII
32、DCn 22為光電流平均值為電子電荷量;DCIq相應(yīng)的噪聲電流有效值In和在負(fù)載電阻上引起的噪聲電壓Un分別為:fqIIDCn2fqIRRIUDCnn2散粒噪聲也是與頻率無關(guān)的白噪聲。5.4.1 檢測電路的噪聲等效處理2 2、等效噪聲電路、等效噪聲電路工程上作噪聲處理時(shí),為計(jì)算方便,常作等效處理。將噪工程上作噪聲處理時(shí),為計(jì)算方便,常作等效處理。將噪聲等效為相同形式的均方值(或有效值)電流源的形式,聲等效為相同形式的均方值(或有效值)電流源的形式,便于與其它電器件以統(tǒng)一的方式建立起等效噪聲電路:便于與其它電器件以統(tǒng)一的方式建立起等效噪聲電路:RRTI如圖示為簡單電阻的噪聲等效如圖示為簡單電阻的
33、噪聲等效電路,由熱噪聲電流源電路,由熱噪聲電流源IT和電和電阻并聯(lián)。阻并聯(lián)。若兩個(gè)電阻串并聯(lián)組成合成電若兩個(gè)電阻串并聯(lián)組成合成電路,綜合噪聲電流等效電路的路,綜合噪聲電流等效電路的噪聲電流表示為:噪聲電流表示為:RfkTIT42R為合成電阻。為合成電阻。在更為復(fù)雜的情況下,應(yīng)將所有電阻合成簡化電路,由上在更為復(fù)雜的情況下,應(yīng)將所有電阻合成簡化電路,由上式確定噪聲等效電路。式確定噪聲等效電路。由以上分析,并聯(lián)由以上分析,并聯(lián)RCRC電路對(duì)噪聲的影響相當(dāng)電路對(duì)噪聲的影響相當(dāng)于使電阻熱噪聲的頻譜白噪聲變窄為于使電阻熱噪聲的頻譜白噪聲變窄為等效噪等效噪聲帶寬聲帶寬f fe e,其物理意義:頻帶變窄后的
34、噪,其物理意義:頻帶變窄后的噪聲非均勻分布曲線所圍圖形面積等于以聲非均勻分布曲線所圍圖形面積等于以f fe e為帶寬、為帶寬、4kTR4kTR為恒定幅值的矩形區(qū)面積。也為恒定幅值的矩形區(qū)面積。也就是說用均勻等幅的等效帶寬代替了實(shí)際噪就是說用均勻等幅的等效帶寬代替了實(shí)際噪聲頻譜的不均勻分布。聲頻譜的不均勻分布。5.4.1 檢測電路的噪聲等效處理2TUfefO 214ffdffRkT在電阻和電容C并聯(lián)的情況下,電容C的頻率特性使合成阻抗隨頻率的增加而減少,合成電阻表示為:221fRCRfR經(jīng)過變換推導(dǎo),可得噪聲等效帶寬fe:RCfe41eTfkTRU 42這就是阻容電路熱噪聲的一般表示式。適用于散
35、粒噪聲計(jì)算。f2TUf信號(hào)通頻帶OkTR4白噪聲噪聲電壓均方值變?yōu)椋涸肼曤妷壕街底優(yōu)椋?.5 前置放大器光電系統(tǒng)中微弱的光信號(hào)被深埋在噪聲之中,要有效地利用這種信號(hào),必要對(duì)其進(jìn)行放大。光電檢測系統(tǒng)中,光電器件的輸出端緊密連接一個(gè)低噪聲前置放大器。低噪聲前置放大器的任務(wù): 1、放大光電檢測器件所輸出的微弱電信號(hào); 2、匹配后置處理電路與檢測器件之間的阻抗。對(duì)前置放大器的要求: 1、性能上:低噪聲、高增益、低輸出阻抗、足夠的信號(hào) 帶寬和負(fù)載能力,以及良好的線性和抗干擾能力。 2、結(jié)構(gòu)上:緊湊、靠近檢測器件,良好的接地與屏蔽。通常要求性能良好的低噪聲放大器作為光檢測器件的前置放大器。因此如何設(shè)計(jì)和
36、應(yīng)用低噪聲放大器,如何將一定偏置狀態(tài)下的檢測器件與前置放大器耦合是必須考慮的重要問題。5.5.1 放大器的噪聲1、放大器的噪聲模型sRtEsUnEiEnIiZsoUnoE放大器無噪聲將放大器內(nèi)的所有噪聲源折算到輸入端,一個(gè)阻抗為零的噪聲電壓源En串聯(lián)在輸入端和阻抗為無限大噪聲電流源In與輸入端并聯(lián)。放大器內(nèi)部成為一個(gè)無噪聲放大器。En和In通過測量得到。這種等效模型稱為放大器的En-In噪聲模型。2、等效輸入噪聲信號(hào)源與放大器組成的系統(tǒng)的噪聲源為三個(gè):En、In和Et。用“等效輸入噪聲Eni”表示,可得等效噪聲源表達(dá)式:22222sntnniRIEEE考慮En和In相關(guān)性,引入相關(guān)項(xiàng),等效輸入
37、噪聲為:snnsntnniRICERIEEE222222C為相關(guān)系數(shù)5.5.1 放大器的噪聲3、En和In的測量sRtEsUnEiEnIiZsoUnoE放大器無噪聲當(dāng)Rs很小時(shí),Eni2中主要是En2占優(yōu)勢(shì)。22222sntnniRIEEE22nRniEEs很小當(dāng)Rs很大時(shí),Eni2中主要以Et2和In2Rs2為主,且stRE2222ssnRRI所以當(dāng)Rs足夠大時(shí), Eni2中主要是In2Rs2起作用。fkTREst4可得到En和In的測量方法:放大器輸入端短路,即Rs=0,測得放大器輸出端的噪聲電壓均方值為AuEn,用Au除之,得En。Au為放大器電壓增益。取一個(gè)很大的電阻作為源電阻Rs,測
38、得放大器輸出端的噪聲電壓均方值為AuInRs,用AuRs除之,得In。4、噪聲系數(shù)描述放大器的噪聲性能噪聲系數(shù)是描述放大器或其它電路的噪聲性能,噪聲系數(shù)F的定義為放大器總輸出噪聲功率與源電阻在放大器輸出端的噪聲功率之比??杀硎緸椋簄ipnoPAPFAp為放大器的功率增益;Pni為放大器的輸入噪聲功率,即源電阻產(chǎn)生的噪聲功率;ApPni表示了源電阻在放大器輸出端產(chǎn)生的噪聲功率;Pno為放大器輸出端總的噪聲功率。輸出信噪比輸入信噪比nosonisiPPPPF引入Ap(輸出信號(hào)功率Pso與輸入信號(hào)Psi之比)表示式,噪聲系數(shù)可表示為:5.5.1 放大器的噪聲噪聲系數(shù)是對(duì)放大器引起信噪比惡化程度的量度
39、,一個(gè)好的放大器應(yīng)該是在源熱噪聲的基礎(chǔ)上增加盡可能少的噪聲,使噪聲系數(shù)F接近于1?;蛘哒f使放大器的輸出信噪比接近于輸入信噪比。對(duì)式nipnoPAPF分子分母同除以Ap,并應(yīng)用式fkTREst422222sntnniRIEEE和fkTRIfkTREEEFsnsntni4412222輸入端源電阻噪聲功率聲功率放大器總的等效輸入噪可得:式中f為放大系統(tǒng)的噪聲等效帶寬噪聲系數(shù)是功率比,可用分貝表示:FNFlg10噪聲系數(shù)主要是用于比較放大器的噪聲性能,不一定是放大器噪聲特性的最佳合適標(biāo)志。因?yàn)橥环糯笃?,在源電阻增大,熱噪聲隨之增加,使得噪聲減小。但放大器本身噪聲性能并沒改變。這種噪聲系數(shù)的變小,對(duì)放
40、大器本身設(shè)計(jì)沒有意義。只有在源電阻相同的情況下,減小噪聲系數(shù)才有意義。5.5.1 前置放大器的噪聲5、噪聲匹配fkTRIfkTREEEFsnsntni4412222式表明噪聲系數(shù)與源電阻Rs有關(guān)。當(dāng)Rs較小時(shí),放大器的噪聲電壓En項(xiàng)大于其他兩項(xiàng),隨源電阻Rs的增加,熱噪聲增加,噪聲系數(shù)由于源電阻熱噪聲的增大而減小。當(dāng)Rs增加到足夠大時(shí),放大器的噪聲電流項(xiàng)InRs成為主要項(xiàng),以至噪聲系數(shù)隨源電阻的增加而增加。在其中某個(gè)Rs值時(shí),噪聲系數(shù)存在一個(gè)最小值,此時(shí)放大器在源熱噪聲基礎(chǔ)上噪聲增加最小,這個(gè)源電阻稱做最佳源電阻R0。22222sntnniRIEEE044122fkTRIfkTREdRddRd
41、Fsnsnss可得:nnsIERR0上式被稱為噪聲匹配條件,此時(shí)得噪聲系數(shù)最小值為:5.5.1 放大器的噪聲fkTIEFnn21min滿足噪聲匹配條件時(shí)最小噪聲系數(shù)與放大器的En和In的乘積有關(guān)。5.5.2 前置放大器的低噪聲設(shè)計(jì)在實(shí)際多級(jí)放大器中,總的噪聲系數(shù)主要是由第一級(jí)噪聲系數(shù)F1決定。因此在級(jí)聯(lián)放大器設(shè)計(jì)中,盡量提高第一級(jí)的功率增益或電壓增益,盡量壓低第一級(jí)放大器的噪聲。低噪聲前置放大器的設(shè)計(jì)要求及步驟:1、首先滿足放大器間的噪聲指標(biāo),考慮器件選取和低噪聲工作點(diǎn)的確立。注意滿足信號(hào)源阻抗與放大器間的噪聲匹配。2、考慮電路組態(tài)、級(jí)聯(lián)方式及負(fù)反饋等以滿足對(duì)放大器增益、頻率響應(yīng)、輸入輸出阻抗
42、等方面的要求。3、為獲得良好的噪聲性能,通常還要采取避免外來干擾的多種措施。5.5.2 前置放大器的低噪聲設(shè)計(jì)1. 噪聲匹配的方法要使前置放大器獲得最佳噪聲性能,必須滿足噪聲匹配條件,即要求信號(hào)源阻抗等于最佳源阻抗。此時(shí)放大器的噪聲系數(shù)最小。實(shí)現(xiàn)噪聲匹配從幾個(gè)方面考慮: 有源器件的選取 信號(hào)源電阻較?。犭娕肌⒐怆姵兀┮话氵x用晶體管構(gòu)成低噪聲前置放大器。因晶體管電流噪聲In較大,具有較小的最佳源電阻(1001M)。 源電阻較大時(shí)(熱敏電阻),多采用場效應(yīng)管,因它有較小的電流噪聲In和較大的最佳源電阻(1k10M)。運(yùn)算放大器有和晶體管大致相同的最佳源電阻值,而MOS場效應(yīng)管的最佳源電阻可達(dá)1M10G。 有源器件的最佳源電阻Rs是頻率的函數(shù)。隨頻率的升高,場效應(yīng)管R0迅速減小,因此結(jié)型場效應(yīng)管在高頻(幾十兆Hz)時(shí)也僅適于源電阻較小情況。PNP晶體管適于Rs??;NPN晶體管適于Rs大的情況。5.5.2 前置放大器的低噪聲設(shè)計(jì) 采用輸入變壓器實(shí)現(xiàn)噪聲匹配 這種方法用于解決信號(hào)源電阻Rs小于最佳源電阻R0時(shí)的噪聲匹配問題,如采用熱電偶檢測器件時(shí)就是這樣。nIsRn2tnEsnUnEuAsoUnoEsoUnoEsRtEsUu
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