電子電工（鳳山書屋）

1、模擬電子技術(shù)第1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1.2 半導(dǎo)體二極管1.3 半 導(dǎo) 體 三 極 管1.4 場(chǎng) 效 應(yīng) 管1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 自然界中的物質(zhì)，按其導(dǎo)電能力可分為三大類：導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。 半導(dǎo)體的特點(diǎn)：熱敏性光敏性摻雜性 1.1.1 本征半導(dǎo)體 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體。1.本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共價(jià)鍵 共價(jià)鍵內(nèi)的兩個(gè)電子由相鄰的原子各用一個(gè)價(jià)電子組成，稱為束縛電子。圖1.1所示為硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。 圖1.1 硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 2.本征激發(fā)和兩種載流子自由電子和空穴 溫度越高，半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生的自由電子便越多。束縛電

2、子脫離共價(jià)鍵成為自由電子后，在原來的位置留有一個(gè)空位，稱此空位為空穴。 本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴成對(duì)出現(xiàn)，數(shù)目相同。圖1.2所示為本征激發(fā)所產(chǎn)生的電子空穴對(duì)。圖1.2 本征激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì) 如圖1.3所示，空穴（如圖中位置1）出現(xiàn)以后，鄰近的束縛電子（如圖中位置2）可能獲取足夠的能量來填補(bǔ)這個(gè)空穴，而在這個(gè)束縛電子的位置又出現(xiàn)一個(gè)新的空位，另一個(gè)束縛電子（如圖中位置3）又會(huì)填補(bǔ)這個(gè)新的空位，這樣就形成束縛電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng)。為了區(qū)別自由電子的運(yùn)動(dòng)，稱此束縛電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng)為空穴運(yùn)動(dòng)。 圖1.3 束縛電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng)3.結(jié) 論 （1）半導(dǎo)體中存在兩種載流子，一種是帶負(fù)電的自由電子，另一

3、種是帶正電的空穴，它們都可以運(yùn)載電荷形成電流。 （2）本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴相伴產(chǎn)生，數(shù)目相同。 （3）一定溫度下，本征半導(dǎo)體中電子空穴對(duì)的產(chǎn)生與復(fù)合相對(duì)平衡，電子空穴對(duì)的數(shù)目相對(duì)穩(wěn)定。 （4）溫度升高，激發(fā)的電子空穴對(duì)數(shù)目增加，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力增強(qiáng)?？昭ǖ某霈F(xiàn)是半導(dǎo)體導(dǎo)電區(qū)別導(dǎo)體導(dǎo)電的一個(gè)主要特征。1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中加入微量雜質(zhì)，可使其導(dǎo)電性能顯著改變。根據(jù)摻入雜質(zhì)的性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩類：電子型（N型）半導(dǎo)體和空穴型（P型）半導(dǎo)體。1. N型半導(dǎo)體 在硅（或鍺）半導(dǎo)體晶體中，摻入微量的五價(jià)元素，如磷（P）、砷（As）等，則構(gòu)成N型半導(dǎo)體。 五價(jià)的元素具有五個(gè)

4、價(jià)電子，它們進(jìn)入由硅（或鍺）組成的半導(dǎo)體晶體中，五價(jià)的原子取代四價(jià)的硅（或鍺）原子，在與相鄰的硅（或鍺）原子組成共價(jià)鍵時(shí)，因?yàn)槎嘁粋€(gè)價(jià)電子不受共價(jià)鍵的束縛，很容易成為自由電子，于是半導(dǎo)體中自由電子的數(shù)目大量增加。自由電子參與導(dǎo)電移動(dòng)后，在原來的位置留下一個(gè)不能移動(dòng)的正離子，半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性，但與此同時(shí)沒有相應(yīng)的空穴產(chǎn)生，如圖1.4所示。圖1.4 N型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 2.P型半導(dǎo)體 在硅（或鍺）半導(dǎo)體晶體中，摻入微量的三價(jià)元素，如硼（B）、銦（In）等，則構(gòu)成P型半導(dǎo)體。 三價(jià)的元素只有三個(gè)價(jià)電子，在與相鄰的硅（或鍺）原子組成共價(jià)鍵時(shí)，由于缺少一個(gè)價(jià)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，鄰近的束

5、縛電子如果獲取足夠的能量，有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使原子成為一個(gè)不能移動(dòng)的負(fù)離子，半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性，但與此同時(shí)沒有相應(yīng)的自由電子產(chǎn)生，如圖1.5所示。圖1.5 P型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) P型半導(dǎo)體中，空穴為多數(shù)載流子（多子），自由電子為少數(shù)載流子（少子）。P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電。1.1.3 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?. PN結(jié)的形成 多數(shù)載流子因濃度上的差異而形成的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，如圖1.6所示。圖1.6 P型和N型半導(dǎo)體交界處載流子的擴(kuò)散 由于空穴和自由電子均是帶電的粒子，所以擴(kuò)散的結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)原來的電中性被破壞，在交界面的兩側(cè)形成一個(gè)不能移動(dòng)的帶異性電荷的離子層，稱此離子層為空間電荷區(qū)，這

6、就是所謂的PN結(jié)，如圖1.7所示。在空間電荷區(qū)，多數(shù)載流子已經(jīng)擴(kuò)散到對(duì)方并復(fù)合掉了，或者說消耗盡了，因此又稱空間電荷區(qū)為耗盡層。圖1.7 PN結(jié)的形成 空間電荷區(qū)出現(xiàn)后，因?yàn)檎?fù)電荷的作用，將產(chǎn)生一個(gè)從N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)的方向，會(huì)對(duì)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起阻礙作用。同時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)則可推動(dòng)少數(shù)載流子（P區(qū)的自由電子和N區(qū)的空穴）越過空間電荷區(qū)，進(jìn)入對(duì)方。少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向相反。無外加電場(chǎng)時(shí)，通過PN結(jié)的擴(kuò)散電流等于漂移電流，PN結(jié)中無電流流過，PN結(jié)的寬度保持一定而處于穩(wěn)定狀態(tài)。2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦?如果在PN結(jié)兩端加上不同極性的

7、電壓，PN結(jié)會(huì)呈現(xiàn)出不同的導(dǎo)電性能。（1）PN結(jié)外加正向電壓 PN結(jié)P端接高電位，N端接低電位，稱PN結(jié)外加正向電壓，又稱PN結(jié)正向偏置，簡(jiǎn)稱為正偏，如圖1.8所示。 圖1.8 PN結(jié)外加正向電壓 （2）PN結(jié)外加反向電壓 PN結(jié)P端接低電位，N端接高電位，稱PN結(jié)外加反向電壓，又稱PN結(jié)反向偏置，簡(jiǎn)稱為反偏，如圖1.9所示。 圖1.9 PN結(jié)外加反向電壓 PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵窹N結(jié)外加正向電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。1.2 半導(dǎo)體二極管1.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) 半導(dǎo)體二極管同PN結(jié)一樣具有單向?qū)щ娦?。二極管按半導(dǎo)體材料的不同可以分為硅二極管、鍺二極管和砷化鎵二極管

8、等。可分為點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型二極管三類，如圖1.10所示。圖1.10 不同結(jié)構(gòu)的各類二極管 圖1.11所示為二極管的符號(hào)。由P端引出的電極是正極，由N端引出的電極是負(fù)極，箭頭的方向表示正向電流的方向，VD是二極管的文字符號(hào)。 圖1.11 二極管的符號(hào) 常見的二極管有金屬、塑料和玻璃三種封裝形式。按照應(yīng)用的不同，二極管分為整流、檢波、開關(guān)、穩(wěn)壓、發(fā)光、光電、快恢復(fù)和變?nèi)荻O管等。根據(jù)使用的不同，二極管的外形各異，圖1.12所示為幾種常見的二極管外形。圖1.12 常見的二極管外形 1.2.2 二極管的伏安特性及主要參數(shù)1.二極管的伏安特性 二極管兩端的電壓U及其流過二極管的電流I之間的關(guān)系

9、曲線，稱為二極管的伏安特性。（1）正向特性 二極管外加正向電壓時(shí)，電流和電壓的關(guān)系稱為二極管的正向特性。如圖1.13所示，當(dāng)二極管所加正向電壓比較小時(shí)（0UIB，而且有IC與IB的比值近似相等，大約等于50。（3）對(duì)表1.4中任兩列數(shù)據(jù)求IC和IB變化量的比值，結(jié)果仍然近似相等，約等于50。（4）從表1.4中可知，當(dāng)IB=0（基極開路）時(shí)，集電極電流的值很小，稱此電流為三極管的穿透電流ICEO。穿透電流ICEO越小越好。2.三極管實(shí)現(xiàn)電流分配的原理 上述實(shí)驗(yàn)結(jié)論可以用載流子在三極管內(nèi)部的運(yùn)動(dòng)規(guī)律來解釋。圖1.29為三極管內(nèi)部載流子的傳輸與電流分配示意圖。圖1.29 三極管內(nèi)部載流子的傳輸與電流

10、分配示意圖 （1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射自由電子，形成發(fā)射極電流IE。 （2）自由電子在基區(qū)與空穴復(fù)合，形成基極電流IB。 （3）集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過來的自由電子，形成集電極電流IC。3.結(jié)論（1）要使三極管具有放大作用，發(fā)射結(jié)必須正向偏置，而集電結(jié)必須反向偏置。（2）一般有1；通常認(rèn)為。（3）三極管的電流分配及放大關(guān)系式為： IE=IC+IB IC=IB 1.3.3 三極管的特性曲線及主要參數(shù)1.三極管的特性曲線 三極管的特性曲線是指三極管的各電極電壓與電流之間的關(guān)系曲線，它反映出三極管的特性。它可以用專用的圖示儀進(jìn)行顯示，也可通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到。以NPN型硅三極管為例，其常用的特性曲線有以下兩

11、種。（1）輸入特性曲線 它是指一定集電極和發(fā)射極電壓UCE下，三極管的基極電流IB與發(fā)射結(jié)電壓UBE之間的關(guān)系曲線。實(shí)驗(yàn)測(cè)得三極管的輸入特性曲線如圖1.30所示。 圖1.30 三極管的輸入特性曲線 （2）輸出特性曲線 它是指一定基極電流IB下，三極管的集電極電流IC與集電結(jié)電壓UCE之間的關(guān)系曲線。實(shí)驗(yàn)測(cè)得三極管的輸出特性曲線如圖1.31所示。圖1.31 三極管的輸出特性曲線 一般把三極管的輸出特性分為3個(gè)工作區(qū)域，下面分別介紹。 截止區(qū) 三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，具有以下幾個(gè)特點(diǎn)： （a）發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反向偏置； （b）若不計(jì)穿透電流ICEO，有IB、IC近似為0； （c）三極管的集電極和發(fā)

12、射極之間電阻很大，三極管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)斷開。 放大區(qū) 圖1.31中，輸出特性曲線近似平坦的區(qū)域稱為放大區(qū)。三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，具有以下特點(diǎn)： （a）三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置； （b）基極電流IB微小的變化會(huì)引起集電極電流IC較大的變化，有電流關(guān)系式：IC=IB； （c）對(duì)NPN型的三極管，有電位關(guān)系：UCUBUE； （d）對(duì)NPN型硅三極管，有發(fā)射結(jié)電壓UBE0.7V；對(duì)NPN型鍺三極管，有UBE0.2V。 飽和區(qū) 三極管工作在飽和狀態(tài)時(shí)具有如下特點(diǎn)： （a）三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正向偏置； （b）三極管的電流放大能力下降，通常有ICIB； （c）UCE的值很小，稱此時(shí)的電

13、壓UCE為三極管的飽和壓降，用UCES表示。一般硅三極管的UCES約為0.3V，鍺三極管的UCES約為0.1V； （d）三極管的集電極和發(fā)射極近似短接，三極管類似于一個(gè)開關(guān)導(dǎo)通。 三極管作為開關(guān)使用時(shí)，通常工作在截止和飽和導(dǎo)通狀態(tài)；作為放大元件使用時(shí)，一般要工作在放大狀態(tài)。 2.三極管的主要參數(shù) 三極管的參數(shù)有很多，如電流放大系數(shù)、反向電流、耗散功率、集電極最大電流、最大反向電壓等，這些參數(shù)可以通過查半導(dǎo)體手冊(cè)來得到。三極管的參數(shù)是正確選定三極管的重要依據(jù)，下面介紹三極管的幾個(gè)主要參數(shù)。（1）共發(fā)射極電流放大系數(shù)和 它是指從基極輸入信號(hào)，從集電極輸出信號(hào)，此種接法（共發(fā)射極）下的電流放大系數(shù)。

14、（2）極間反向電流 集電極基極間的反向飽和電流ICBO 集電極發(fā)射極間的穿透電流ICEO（3）極限參數(shù) 集電極最大允許電流ICM 集電極最大允許功率損耗PCM 反向擊穿電壓圖1.32 三極管的安全工作區(qū) 3.溫度對(duì)三極管特性的影響 同二極管一樣，三極管也是一種對(duì)溫度十分敏感的器件，隨溫度的變化，三極管的性能參數(shù)也會(huì)改變。 圖1.33和圖1.34所示為三極管的特性曲線受溫度的影響情況。圖1.33 溫度對(duì)三極管輸入特性的影響圖1.34 溫度對(duì)三極管輸出特性的影響 1.3.4 三極管的檢測(cè)1.已知型號(hào)和管腳排列的三極管，判斷其性能的好壞（1）測(cè)量極間電阻（2）三極管穿透電流ICEO大小的判斷（3）電

15、流放大系數(shù)的估計(jì) 2.判別三極管的管腳（1）判定基極和管型（2）判定集電極c和發(fā)射極e圖1.35 判別三極管c、e電極的原理圖 1.3.5 特殊三極管1.光電三極管 光電三極管又叫光敏三極管，是一種相當(dāng)于在三極管的基極和集電極之間接入一只光電二極管的三極管，光電二極管的電流相當(dāng)于三極管的基極電流。從結(jié)構(gòu)上講，此類管子基區(qū)面積比發(fā)射區(qū)面積大很多，光照面積大，光電靈敏度比較高，因?yàn)榫哂须娏鞣糯笞饔茫诩姌O可以輸出很大的光電流。 光電三極管有塑封、金屬封裝（頂部為玻璃鏡窗口）、陶瓷、樹脂等多種封裝結(jié)構(gòu)，引腳分為兩腳型和三腳型。一般兩個(gè)管腳的光電三極管，管腳分別為集電極和發(fā)射極，而光窗口則為基極。圖

16、1.36所示為光電三極管的等效電路、符號(hào)和外形。圖1.36 光電三極管的符號(hào)、等效電路和外形 2.光耦合器 光耦合器是把發(fā)光二極管和光電三極管組合在一起的光電轉(zhuǎn)換器件。圖1.37所示為光耦合器的一般符號(hào)。圖1.37 光耦合器的一般符號(hào) 3.達(dá)林頓管（復(fù)合管） 達(dá)林頓管是指兩個(gè)或兩個(gè)以上的三極管按一定方式連接而成的管子，電流放大系數(shù)及輸入阻抗都比較大。 達(dá)林頓管分為普通達(dá)林頓管和大功率達(dá)林頓管，主要用于音頻功率放大、電源穩(wěn)壓、大電流驅(qū)動(dòng)、開關(guān)控制等電路。1.4 場(chǎng) 效 應(yīng) 管 場(chǎng)效應(yīng)管則是一種電壓控制器件，它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流的大小，從而實(shí)現(xiàn)放大。場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，內(nèi)部參與導(dǎo)電的只有多子一

17、種載流子，因此又稱為單極性器件。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，場(chǎng)效應(yīng)管分為兩大類，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。1.4.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道結(jié)型管和P溝道結(jié)型管，它們都具有3個(gè)電極：柵極、源極和漏極，分別與三極管的基極、發(fā)射極和集電極相對(duì)應(yīng)。1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 圖1.38所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)中的箭頭，表示由P區(qū)指向N區(qū)。圖1.38 N溝道結(jié)型管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)成與N溝道類似，只是所用雜質(zhì)半導(dǎo)體的類型要反過來。圖1.39所示為P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。圖1.39 P溝道結(jié)型管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 2.N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

18、 （1）當(dāng)柵源電壓UGS=0時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)的耗盡層比較窄，中間的N型導(dǎo)電溝道比較寬，溝道電阻小，如圖1.40所示。圖1.40 UGS=0時(shí)的導(dǎo)電溝道 （2）當(dāng)UGS0時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)反向偏置，PN結(jié)的耗盡層變寬，中間的N型導(dǎo)電溝道相應(yīng)變窄，溝道導(dǎo)通電阻增大，如圖1.41所示。圖1.41 UGS0時(shí)的導(dǎo)電溝道 圖1.42 UGSUP時(shí)的導(dǎo)電溝道 （3）當(dāng)UP0時(shí)，可產(chǎn)生漏極電流ID。ID的大小將隨柵源電壓UGS的變化而變化，從而實(shí)現(xiàn)電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 UDS的存在，使得漏極附近的電位高，而源極附近的電位低，即沿N型導(dǎo)電溝道從漏極到源極形成一定的電位梯度，這樣靠近漏極附近的PN結(jié)所加的反向偏

19、置電壓大，耗盡層寬；靠近源極附近的PN結(jié)反偏電壓小，耗盡層窄，導(dǎo)電溝道成為一個(gè)楔形，如圖1.43所示。圖1.43 UGS和UDS共同作用的情況 為實(shí)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在工作時(shí)，柵極和源極之間的PN結(jié)必須反向偏置。3.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線及主要參數(shù)（1）輸出特性曲線 輸出特性曲線是指柵源電壓UGS一定時(shí)，漏極電流ID與漏源電壓UDS之間的關(guān)系曲線，如圖1.44所示。 圖1.44 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線 場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線可分為四個(gè)區(qū)域：可變電阻區(qū)恒流區(qū)截止區(qū)（夾斷區(qū)）擊穿區(qū)（2）轉(zhuǎn)移特性曲線 在場(chǎng)效應(yīng)管的UDS一定時(shí)，ID與UGS之間的關(guān)系曲線稱

20、為場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線，如圖1.45所示。它反映了場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。圖1.45 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線 當(dāng)UGS=0時(shí)，導(dǎo)電溝道電阻最小，ID最大，稱此電流為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流IDSS。 當(dāng)UGS=UP時(shí)，導(dǎo)電溝道被完全夾斷，溝道電阻最大，此時(shí)ID=0，稱UP為夾斷電壓。（3）主要參數(shù) 夾斷電壓（UP） 飽和漏極電流IDSS 直流輸入電阻（RGS） 最大耗散功率（PDM） 低頻跨導(dǎo)（gm） 漏源擊穿電壓（U（BR）DS） 柵源擊穿電壓（U（BR）GS）1.4.2 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是由金屬（Metal）、氧化物（Oxide）和半導(dǎo)體（Semico

21、nductor）材料構(gòu)成的，因此又叫MOS管。 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，每一種又包括N溝道和P溝道兩種類型。（1）結(jié)構(gòu)與符號(hào) 以N溝道增強(qiáng)型MOS管為例，它是以P型半導(dǎo)體作為襯底，用半導(dǎo)體工藝技術(shù)制作兩個(gè)高濃度的N型區(qū)，兩個(gè)N型區(qū)分別引出一個(gè)金屬電極，作為MOS管的源極S和漏極D；在P形襯底的表面生長(zhǎng)一層很薄的SiO2絕緣層，絕緣層上引出一個(gè)金屬電極稱為MOS管的柵極G。B為從襯底引出的金屬電極，一般工作時(shí)襯底與源極相連。圖1.46所示為N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。圖1.46 N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 符號(hào)中的箭頭表示從P區(qū)（襯底）指向N區(qū)（N溝道），虛線表示增強(qiáng)型。（2）N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理 如圖1.47所示，在柵極G和源極S之間加電壓UGS，漏極D和源極S之間加電壓UDS，襯底B與源極S相連。圖1.47 N溝道增強(qiáng)型MOS管加?xùn)旁措妷篣GS 形成導(dǎo)電溝道所需要的最小柵源電壓UGS，稱為開啟電壓UT。 （3）特性曲線 輸出特性（漏極特性