南昌大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文撰寫要求及格式

1、學(xué)士學(xué)位論文要求裝訂成冊并應(yīng)包含以下主要內(nèi)容一、畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)書二、開題報(bào)告三、南昌大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文原創(chuàng)性申明四、畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）1、中文摘要2、外文摘要3、畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）全文五、外文資料原文六、外文資料譯文南昌大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書與畢業(yè)論文撰寫的基本要求一篇完整的畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書或畢業(yè)論文有題目、摘要、目錄、引言（前言）、 正文、結(jié)論、參考文獻(xiàn)、附錄和謝辭等幾部分構(gòu)成。一、畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書撰寫的主要內(nèi)容與基本要求一份完整的畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書應(yīng)包括如下主要內(nèi)容：.題目設(shè)計(jì)課題名稱，要求簡潔、確切、鮮明。.中外文摘要應(yīng)扼要敘述本設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容、特點(diǎn)，文字要簡練。中文摘要約300字左右； 外文

2、摘要約250個(gè)實(shí)詞左右。3.目錄主要內(nèi)容的目錄。.前言應(yīng)說明本設(shè)計(jì)的目的、意義、范圍及應(yīng)達(dá)到的技術(shù)要求；簡述本課題在國內(nèi) （外）的發(fā)展概況及存在的問題；本設(shè)計(jì)的指導(dǎo)思想；闡述本設(shè)計(jì)應(yīng)解決的主要 問題。.正文（1）設(shè)計(jì)方案論證：應(yīng)說明設(shè)計(jì)原理并進(jìn)行方案選擇。應(yīng)說明為什么要選 擇這個(gè)方案（包括各種方案的分析、比較）；還應(yīng)闡述所采用方案的特點(diǎn)（如采 用了何種新技術(shù)、新措施、提高了什么性能等）。（2）設(shè)計(jì)及計(jì)算部分：這是設(shè)計(jì)說明書的重要組成部分，應(yīng)詳細(xì)寫明設(shè)計(jì) 結(jié)果及計(jì)算結(jié)果。（3）樣機(jī)或試件的各種實(shí)驗(yàn)及測試情況：包括實(shí)驗(yàn)方法、線路及數(shù)據(jù)處理 等。（4）方案的校驗(yàn)：說明所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)是否滿足各項(xiàng)性能指標(biāo)

3、的要求，能否 達(dá)到預(yù)期效果。校驗(yàn)的方法可以是理論分析（即反推算），包括系統(tǒng)分析；也可 以是實(shí)驗(yàn)測試及計(jì)算機(jī)的上機(jī)運(yùn)算等。結(jié)論概括說明本設(shè)計(jì)的情況和價(jià)值，分析其優(yōu)點(diǎn)、特色，有何創(chuàng)新，性能達(dá)到 何水平，并指出其中存在的問題和今后的改進(jìn)方向。參考文獻(xiàn)與附錄在說明書的謝辭之后，應(yīng)列出主要參考文獻(xiàn)，并將各種篇幅較大的圖紙、數(shù) 據(jù)表格、計(jì)算機(jī)程序等附于說明書之后。8 .謝辭簡述自己通過本設(shè)計(jì)的體會(huì)，并對(duì)指導(dǎo)老師和協(xié)助完成設(shè)計(jì)的有關(guān)人員表示 謝意。二、畢業(yè)論文撰寫的主要內(nèi)容與基本要求.題目題目應(yīng)該簡短、明確，要有概括性，讓人看后能大致了解文章的確切內(nèi)容、 專業(yè)的特點(diǎn)和學(xué)科的范疇。題目的字?jǐn)?shù)要適當(dāng)，一般不宜超

4、過20字。.中外文摘要摘要也稱內(nèi)容提要，應(yīng)當(dāng)以濃縮的形式概括研究課題的主要內(nèi)容、方法和觀 點(diǎn)，以及取得的主要成果和結(jié)論，應(yīng)反映整個(gè)論文的精華。中文摘要約300字左 右為宜，同時(shí)要求寫出250個(gè)實(shí)詞左右的外文摘要。摘要應(yīng)寫得扼要、準(zhǔn)確，一般在畢業(yè)論文全文完成后再寫摘要。在寫作中要 注意以下幾點(diǎn)：（1）用精練、概括的語言表達(dá)，每項(xiàng)內(nèi)容均不宜展開論證。（2）要客觀陳述，不宜加主觀評(píng)價(jià)。（3）成果和結(jié)論性意見是摘要的重點(diǎn)內(nèi)容，在文字上用量較多，以加深讀 者的印象。（4）要獨(dú)立成文，選詞用語要避免與全文尤其是前言和結(jié)論雷同。（5）既要寫得簡短扼要，又要行文活潑，在詞語潤色、表達(dá)方法和章法結(jié) 構(gòu)上要盡可能

5、寫得有文采，以喚起讀者對(duì)全文的閱讀的興趣。3目錄論文編寫完成后，為了醒目和便于讀者閱讀，可為論文編寫一個(gè)目錄。目錄 可分章節(jié)，每一章節(jié)之后應(yīng)編寫頁碼。4 .前言前言是全篇論文的開場白。它包括：（1）選題的緣由。（2）對(duì)本課題已有研究情況的評(píng)述。（3）說明所要解決的問題和采用的手段、方法。（4）概括成果及意義。作為摘要和前言，雖然所定的內(nèi)容大體相同，但仍有很大的區(qū)別。區(qū)別主要 在于：摘要一般要寫得高度概括、簡略，前言則可以稍微具體些；摘要的某些內(nèi) 容，如結(jié)論意見，可以作為籠統(tǒng)的表達(dá)，而前言中所有的內(nèi)容則必須明確表達(dá)； 摘要不寫選題的緣由，前言則明確反映；在文字量上前言總是多于摘要。5 .正文正文

6、是作者對(duì)自己研究工作的詳細(xì)表述。它占全文的較多篇幅。主要內(nèi)容包 括研究工作的基本前提、假設(shè)和條件；模型的建立，實(shí)驗(yàn)方案的擬定；基本概念 和理論基礎(chǔ)；設(shè)計(jì)計(jì)算的主要方法和內(nèi)容；實(shí)驗(yàn)方法、內(nèi)容及其結(jié)果和意義的闡 明；理論論證，理論在實(shí)際中的應(yīng)用等等。根據(jù)課題的性質(zhì)，論文正文允許包括 上述部分內(nèi)容。正文的寫作要求：（1）理論分析部分應(yīng)寫明所作的假設(shè)及其合理性，所用的分析方法、計(jì)算方 法、實(shí)驗(yàn)方法等哪些是別人用過的，哪些是自己改進(jìn)的，哪些是自己創(chuàng)造的，以 便指導(dǎo)教師審查和糾正。這部分所占篇幅不宜過多，應(yīng)以簡練、明了的文字概略 表達(dá)。（2）課題研究的方法與手段分別用以下幾種方法說明。用實(shí)驗(yàn)方法研究課題，

7、應(yīng)具體說明實(shí)驗(yàn)用的裝置、儀器、原材料的性能是否 標(biāo)準(zhǔn)，并應(yīng)對(duì)所有裝置、儀器、原材料做出檢驗(yàn)和標(biāo)定。對(duì)實(shí)驗(yàn)的過程或操作方 法，力求敘述得簡明扼要，對(duì)人所共知的或細(xì)節(jié)性的內(nèi)容不必詳述。用理論推導(dǎo)的手段和方法達(dá)到研究目的的，這方面內(nèi)容一定要精心組織，做 到概念準(zhǔn)確，判斷推理符合客觀事物的發(fā)展規(guī)律，符合人們對(duì)客觀事物的認(rèn)識(shí)習(xí) 慣與程序。換言之，要做到言之有序，言之有理，以論點(diǎn)為中樞，組織成完整而 嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膬?nèi)容整體。用調(diào)查研究的方法達(dá)到研究目的的，調(diào)查目標(biāo)、對(duì)象、范圍、時(shí)間、地點(diǎn)、 調(diào)查的過程和方法等，這些內(nèi)容與研究的最終結(jié)果有關(guān)系，但不是結(jié)果本身，所 以，一定要簡述。但對(duì)調(diào)查所提供的樣本、數(shù)據(jù)、新的發(fā)現(xiàn)

8、等則應(yīng)詳細(xì)說明，這 是結(jié)論產(chǎn)生的依據(jù)。若寫得抽象、簡單、結(jié)論就立之不牢，分析就難以置信，寫 作中應(yīng)特別予以重視。（3）結(jié)果與討論是全文的心臟，一般要占較多篇幅，在寫作時(shí)，應(yīng)對(duì)研究成 果精心篩選，把那些必要而充分的數(shù)據(jù)、現(xiàn)象、樣品、認(rèn)識(shí)等挑選出來，寫進(jìn)去， 作為分析的依據(jù)，應(yīng)盡量避免事無巨細(xì)，把所得的結(jié)果和盤托出。在對(duì)結(jié)果作定 性和定量分析時(shí)，應(yīng)說明數(shù)據(jù)的處理方法以及誤差分析，說明現(xiàn)象出現(xiàn)的條件及 其可觀性，交代理論推導(dǎo)中認(rèn)識(shí)的由來和發(fā)展，以便別人以此為依據(jù)進(jìn)行核實(shí)驗(yàn) 證，對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析后所得的結(jié)論和推論，也應(yīng)說明其使用的條件與范圍。恰當(dāng) 運(yùn)用表和圖作結(jié)果與分析，是科技論文通用的一種表達(dá)方式。結(jié)

9、論結(jié)論包括對(duì)整個(gè)研究工作進(jìn)行歸納和綜合而得出的總結(jié)；所得結(jié)果與已有結(jié) 果的比較以及在本課題的研究中尚存在的問題；對(duì)進(jìn)一步開展研究的見解與建 議。它集中反映作者的研究成果，表達(dá)作者對(duì)所研究課題的見解和主張，是全文 的思想精髓，是文章價(jià)值的體現(xiàn)。一般寫得概括、篇幅較短。撰寫時(shí)應(yīng)注意下列 事項(xiàng)：（1）結(jié)果要簡單、明確。在措辭上應(yīng)嚴(yán)密，容易被人領(lǐng)會(huì)。（2）結(jié)果應(yīng)反映個(gè)人的研究工作，屬于前人和他人已有過的結(jié)論可不提。（3）要實(shí)事求是地介紹自己研究的成果，切忌言過其實(shí)，在無充分把握時(shí)， 應(yīng)留有余地。因?yàn)閷?duì)科學(xué)問題的探索是永無止境的。.注釋如有引用他人成果的，一定要有注釋。不管在論文的哪一部分，采用到前人

10、的觀點(diǎn)、方法、結(jié)論、成果時(shí)，都必須注明其來源。如不這樣做，就有抄襲、剽 竊、侵權(quán)之嫌。參考文獻(xiàn)與附錄參考文獻(xiàn)與附錄是畢業(yè)論文不可缺少的組成部分。它反映畢業(yè)論文的取材來 源、材料的廣博程度及可靠程度。一份完整的參考文獻(xiàn)也是向讀者提供的一份有 價(jià)值的信息資料。引用參考文獻(xiàn)時(shí)，必須注意寫法的規(guī)范性。此外，有些不宜放在正文中，但有參考價(jià)值的內(nèi)容，可編入論文的附錄中， 如公式的推演、編寫的算法語言程序等。如果論文中引用的符號(hào)較多，為了節(jié)省論文的篇幅，并且便于讀者查對(duì)，可 以編寫一個(gè)符號(hào)說明，注名符號(hào)所代表的意義。9 .謝辭謝辭是在論文的結(jié)尾處，以簡短文字，對(duì)課題研究與寫作過程中曾給予支持 的人員，如指導(dǎo)

11、老師及其他的人員，表示自己的謝意。這不僅是一種禮貌，也是 對(duì)他人勞動(dòng)的尊重，是治學(xué)者應(yīng)有的思想作風(fēng)。三、畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）格式要求畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）要求使用統(tǒng)一的封面格式，計(jì)量單位以國際單位制造 （SI）為基礎(chǔ)；注釋用頁末注，即把注文放在加注處一頁的下端；公式、圖表應(yīng)按順序編號(hào)，并與正文對(duì)應(yīng)。圖紙尺寸按國家標(biāo)準(zhǔn)，圖面整潔、布局合理、線條粗細(xì)均勻、圓弧連接 光滑、尺寸標(biāo)注規(guī)范、文字注釋用工程字書寫，圖表須按規(guī)定要求或工程要求繪 制。參考文獻(xiàn)以引用先后順序編號(hào)（注于正文相應(yīng)處），必須引用直接閱讀的 原文文獻(xiàn)，已錄用待發(fā)表的文章需引用時(shí)，必須注明刊物名稱。請(qǐng)?jiān)谖墨I(xiàn)題目后 給出文獻(xiàn)類型標(biāo)識(shí)（專著M、論文集

12、C、學(xué)位論文D、報(bào)告R、期刊J、標(biāo) 準(zhǔn)S、專利P。科技書籍和專著：編著者.譯者.書名M（文集用C）.版本.出版地: 出版者，出版年.頁碼.科技論文：作者.篇名J.刊名，出版年，卷號(hào)（期號(hào)）：頁碼.作者.篇名.xx單位博（碩）論文，年.南昌大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）書寫式樣一、頁面設(shè)置：上2.54cm,下2.54cm，左3.67cm，右2.67cm，行間距1.35倍。二、目錄：“目錄”兩字小三號(hào)宋體加粗，目錄內(nèi)容小四號(hào)宋體。三、摘要中文摘要：標(biāo)題小二號(hào)宋體加粗，“專業(yè)、學(xué)號(hào)、姓名、指導(dǎo)教師”五號(hào) 宋體，“摘要”兩字四號(hào)宋體，摘要內(nèi)容小四號(hào)宋體，“關(guān)鍵詞”三字小 四號(hào)宋體加粗，英文摘要:標(biāo)題小二號(hào)

13、Times New Roman體加粗“Abstract四號(hào)Times New Roman 體；“ Abstract 內(nèi)容小四號(hào) Times New Roman 體，“Keyword小四號(hào) Times New Roman 體加粗。四、正文：標(biāo)題四號(hào)宋體，正文內(nèi)容小四號(hào)宋體。五、圖表：圖表內(nèi)容五號(hào)宋體。六、參考文獻(xiàn)：參考文獻(xiàn)四字四號(hào)宋體，參考文獻(xiàn)內(nèi)容小四號(hào)宋體，其中英文用 小四號(hào) Times New Roman 體。七、致謝：致謝兩字四號(hào)宋體，致謝內(nèi)容小四號(hào)宋體。具體書寫式樣如下：帛昌大序NANCHANG UNIVERSITY學(xué)士學(xué)位論文THESIS OF BACHELOR（2020 年）題 目學(xué)

14、 院：系專 業(yè)：班 級(jí)：學(xué) 號(hào)：學(xué)生姓名：指導(dǎo)教師：起訖日期：1、目錄式樣（內(nèi)容小四號(hào)宋體）目錄（小三號(hào)宋體） TOC o 1-5 h z 摘要 IAbstract II第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”） 1 HYPERLINK l bookmark135 o Current Document 1 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用1 HYPERLINK l bookmark138 o Current Document 1. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 41. 3摻雜和雜質(zhì)特性121. 4氮化物材料的制備 131. 5氮化物器件191. 6 GaN基材料

15、與其它材料的比較 227本論文工作的內(nèi)容與安排 24第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 311 MOCVD材料生長機(jī)理 312. 2本論文氮化物生長所用的MOCVD設(shè)備 32結(jié)論136參考文獻(xiàn)(References) 138致謝150（1）中文摘要式樣（內(nèi)容小四號(hào)宋體）III- V族氮化物及其高亮度藍(lán)光暖 IIILED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究（小一號(hào)宋體）學(xué) 號(hào)：指導(dǎo)教師：（五號(hào)宋體）專 業(yè)：學(xué)生姓名：摘 要（四號(hào)宋體）寬禁帶iii-v族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長高亮度發(fā)光器件、短波長激光 器、光探測器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。自1994 年日本日亞化學(xué)工

16、業(yè)公司率先在國際上突破了 GaN基藍(lán)光LED外延材料生長技術(shù) 以來，美、日等國十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批量 或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生 長的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻(xiàn)及專利公報(bào)中獲取最重要 的材料生長信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中 的物理及化學(xué)問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國進(jìn)口 MOCVD系統(tǒng)上對(duì)III-V族氮化物的生長 機(jī)理進(jìn)行了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。通過設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)， 生長的藍(lán)光LED

17、外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了 如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1.首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單 晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善7GaN 外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了 GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國家863計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工 程研究中心項(xiàng)目的資助。關(guān)鍵詞（小四號(hào)宋體加粗）：氮化物；MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光 致發(fā)光；光透射譜（2）外文摘要式樣（內(nèi)容小四號(hào)Times

18、 New Roman體）Study on MOCVD growth and properties of III-V nitrides and high brightness blue LED wafers（小二號(hào) Times New Roman 體）Abstract （四號(hào) Times New Roman 體）GaN based III-V nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature a

19、nd high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercializa

20、tion of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and Thomas Swan 6 X 2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer st

21、ructure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the

22、 dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield x mjnof GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than

23、 1 uA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword:（小四 Times New Roman 體加粗）Nitrides； MOCVD； LED； Photoluminescence； RBS/channeling； Optical absorption-WORD格式-可編輯-專業(yè)資料-3、正文式樣（標(biāo)題四號(hào)宋體，正文內(nèi)容小四號(hào)宋體）第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展1 .1 III族氮化物材料及其器件的

24、進(jìn)展與應(yīng)用在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相 關(guān)的千萬種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于 20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明。以GaAs為代表的 第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60年代，它們成為制作光電子器件的基礎(chǔ)。IIIV族氮 化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時(shí)30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于 III族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得 它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、 大功率和高密度集成的電子器件。IIIV族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國內(nèi)外眾多研 究者的興趣。1. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)4、圖表式樣（內(nèi)容五號(hào)宋體）（1）表式樣表1-1用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0. ac和T0的值樣品類型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K) T=300KEg0印）ac (eV/K)T0 (K)參考文獻(xiàn)GaN/Al2O3光致發(fā)光-5.32x10-43.5035.08x10-4