實驗十二-霍爾效應法測定螺線管軸向磁感應強度分布

1、 實驗十二_霍爾效應法測定螺線管軸向磁感應強度分布置于磁場中的載流體，如果電流方向與磁場垂直，則在垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加的橫向電場，這個現(xiàn)象是霍普斯金大學研究生霍爾于1879年發(fā)現(xiàn)的，后被稱為霍爾效應。隨著半導體物理學的迅速發(fā)展，霍爾系數(shù)和電導率的測量已成為研究半導體材料的主要方法之一。通過實驗測量半導體材料的霍爾系數(shù)和電導率可以判斷材料的導電類型、載流子濃度、載流子遷移率等主要參數(shù)。若能測量霍爾系數(shù)和電導率隨溫度變化的關系，還可以求出半導體材料的雜質電離能和材料的禁帶寬度。如今，霍爾效應不但是測定半導體材料電學參數(shù)的主要手段，而且隨著電子技術的發(fā)展，利用該效應制成的霍爾器件，由于

2、結構簡單、頻率響應寬（高達10GHz）、壽命長、可靠性高等優(yōu)點，已廣泛用于非電量測量、自動控制和信息處理等方面。在工業(yè)生產(chǎn)要求自動檢測和控制的今天，作為敏感元件之一的霍爾器件，將有更廣闊的應用前景。了解這一富有實用性的實驗，對日后的工作將有益處。一、實驗目的1掌握測試霍爾元件的工作特性。2學習用霍爾效應法測量磁場的原理和方法。3學習用霍爾元件測繪長直螺線管的軸向磁場分布。二、實驗原理1霍爾效應法測量磁場原理霍爾效應從本質上講是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉。當帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負電荷的聚積，從而形成附加的橫向

3、電場，即霍爾電場。對于圖（1）（a）所示的N型半導體試樣，若在X方向的電極D、E上通以電流Is，在Z方向加磁場B，試樣中載流子（電子）將受洛侖茲力FevB（1）g其中e為載流子（電子）電量，為載流子在電流方向上的平均定向漂移速率，B為磁感應強度。無論載流子是正電荷還是負電荷，F(xiàn)的方向均沿Y方向，在此力的作用下，載流子發(fā)生便移，則在Y方向g即試樣A、A電極兩側就開始聚積異號電荷而在試樣A、A兩側產(chǎn)生一個電位差VH，形成相應的附加電場EH霍爾電場，相應的電壓VH稱為霍爾電壓，電極A、A稱為霍爾電極。電場的指向取決于試樣的導電類型。N型H半導體的多數(shù)載流子為電子，P型半導體的多數(shù)載流子為空穴。對N型

4、試樣，霍爾電場逆Y方向，P型試樣則沿Is(X),B(Z)E,0HE0H（N型）（P型）Y方向，有顯然，該電場是阻止載流子繼續(xù)向側面偏移，試樣中載流子將受一個與Fg方向相反的橫向電場力gFeE（2）EH其中eh為霍爾電場強度。Fe隨電荷積累增多而增大，當E達到穩(wěn)恒狀態(tài)時，兩個力平衡，即載流子所受的橫向電場力eEh與洛侖茲力eVB相等，樣品兩側電荷的積累就H達到平衡，故有eEeVB（3）H設試樣的寬度為b，厚度為d,載流子濃度為n則電流強度I與的V關系為sIs=neVbd（4）由（3）、（4）兩式可得5)Eb丄竺R竺HnedHd即霍爾電壓mA、a電極之間的電壓）與isB乘積成正比與試樣厚度d成反比

5、。比例系數(shù)r=n稱為霍爾系數(shù)，它是反映材料霍爾效應強弱的重要參數(shù)。根據(jù)霍爾效應制作的元件稱為霍爾元件。由式（5）可見，只要測出VH（伏）以及知道Is（安）、B（高斯）和d（厘米）可按下式計算Rh（厘米3/庫侖）。VdR=,10-8（6）HIsB上式中的108是由于磁感應強度B用電磁單位（高斯）而其它各量均采用C、G、S實用單位而引入。霍爾元件就是利用上述霍爾效應制成的電磁轉換元件，對于成品的霍爾元件，其Rh和d已知，因此在實際H應用中式（5）常以如下形式出現(xiàn)：KIB（7）HHSR1其中比例系數(shù)K二尹稱為霍爾元件靈敏度（其值由制造廠家給出），它表示該器件在單位工作電流Hdned和單位磁感應強度下

6、輸出的霍爾電壓。I稱為控制電流。（7）式中的單位取Is為mA、B為KGS、VH為mV，則sHKh的單位為mV/（mAKGS）。Kh越大，霍爾電壓VH越大，霍爾效應越明顯。從應用上講，Kh愈大愈好。Kh與載流子濃度n成反比，半導體的載流子濃度遠比金屬的載流子濃度小，因此用半導體材料制成的霍爾元件，霍爾效應明顯，靈敏度較高，這也是一般霍爾元件不用金屬導體而用半導體制成的原因。另外，Kh還與d成反比，因此霍爾元件一般都很薄。本實驗所用的霍爾元件就是用N型半導體硅單晶切薄片制成的。由于霍爾效應的建立所需時間很短（約10-1210-14S）,因此使用霍爾元件時用直流電或交流電均可。只是使用交流電時，所得

7、的霍爾電壓也是交變的，此時，式（7）中的I和VH應理解為有效值。sH根據(jù)（7）式，因Kh已知，而Is由實驗給出，所以只要測出VH就可以求得未知磁感應強度B。VB（8）KI丿HS2.霍爾電壓VH的測量方法H應該說明，在產(chǎn)生霍爾效應的同時，因伴隨著多種副效應，以致實驗測得的A、A兩電極之間的電壓并不等于真實的VH值，而是包含著各種副效應引起的附加電壓，因此必須設法消除。根據(jù)副效應產(chǎn)生的機理（參閱H附錄）可知，采用電流和磁場換向的對稱測量法，基本上能夠把副效應的影響從測量的結果中消除，具體的做法是保持Is和B（即IM）的大小不變，并在設定電流和磁場的正、反方向后，依次測量由下列四組不同方向的Is和B

8、組合的A、A兩點之間的電壓V、V2、V3和V4，即卩+IS+Bv1+IS-Bv2-IS-Bv3-IS+Bv4然后求上述四組數(shù)據(jù)V、v2、V3和v4的代數(shù)平均值，可得9）V，-（VV+VV）H41234通過對稱測量法求得的vH雖然還存在個別無法消除的副效應，但其引入的誤差甚小，可以略而不計。H（8）、（9）兩式就是本實驗用來測量磁感應強度的依據(jù)。3載流長直螺線管內(nèi)的磁感應強度螺線管是由繞在圓柱體上的導線構成的，對于密繞的螺線管，可以看成是一列有共同軸線的圓形線圈的并排組合，因此一個載流長直螺線管軸線上某點的磁感應強度，可以從對各圓形電流在軸線上該點所產(chǎn)生的磁感應強度進行積分求和得到。根據(jù)畢奧一薩

9、伐爾定律，當線圈通以電流IM時，管內(nèi)軸線上P點的磁感應強度為I圖B，12NI（cosP-cosP）（10）P0M-2其中PO為真空磁導率，M=4nX10-7亨利/米，N為螺線管單位長度的線圈匝數(shù)，IM為線圈的勵磁電流，B、B2分別為點P到螺線管兩端徑失與軸線夾角，如圖（2）所示。根據(jù)式（10），對于一個有限長的螺線管，在距離兩端口等遠的中心處軸上O點，cosP，-L2(L2)2+(D2)2cop，2L2(L2)2+(式中D為長直螺線管直徑,此時，磁感應強度為最大，L為螺線管長度。且等于，NI0M-L2(-L)2+(-D)222L-L2)(2L)2+(2D)2-) # #由于本實驗儀所用的長直螺

10、線管滿足LD，則近似認為在兩端口處，B，NI00M（12）cosP，cop，0112L+(D)22 # #磁感應強度為最小，且等于 B=1,NI120MLL2(12D)213)14)0O/0O/心FQi0O玩輸入fgV。輸出f丿1Im輸入yVf接測試儀接測試儀接測試儀帀輸出VH、Vc輸入圖（4）同理，由于本實驗儀所用的長直螺線管滿足LD,則近似認為B=1,NI120M由（13）、（14）式可知，B二12B10由圖（3）所示的長直螺線管的磁力線分布可知，其內(nèi)腔中部磁力線是平行于軸線的直線系，漸近兩端口時，這些直線變?yōu)閺膬啥丝陔x散的曲線，說明其內(nèi)部的磁場在很大一個范圍內(nèi)是近似均勻的，僅在靠近兩端口

11、處磁感應強度才顯著下降，呈現(xiàn)明顯的不均勻性。根據(jù)上面理論計算，長直螺線管一端的磁感應強度為內(nèi)腔中部磁感應強度的1/2。三、實驗內(nèi)容1霍爾元件輸出特性測量仔細閱讀本實驗儀使用說明書后，按圖（4）連接測試儀和實驗儀之間相對應的Is、VH和HIM各組連線，Is及IM換向開關投向上方，表明Is及IM均為正值（即Is沿X方向，B沿Z方向），反之為負值。vH、V切換開關投向上方測vH,投向下方測V。經(jīng)教師Ho檢查后方可開啟測試儀的電源。注意：圖3中虛線所示的部分線路即樣品各電極及線包引線與對應的雙刀開關之間連線已由制造廠家連接好。必須強調(diào)指出：決不允許將測試儀的勵磁電源“IM輸出”誤接到實驗儀的“Is輸入

12、”或“VHH輸出”處，否則一旦通電，霍爾元件即遭損壞！為了準確測量，應先對測試儀進行調(diào)零，即將測試儀的“Is調(diào)節(jié)”和“IM調(diào)節(jié)”旋鈕均置零位，待開機數(shù)分鐘后若VH顯示不為零，可通過面板左下方小孔的“調(diào)零”電位器實現(xiàn)調(diào)零，即“0.00”。H轉動霍爾元件探桿支架的旋鈕X1、X2、Y，慢慢將霍爾器件移到螺線管的中心位置。測繪VHIs曲線H將實驗儀的“VH、V”切換開關投向VH側，測試儀的“功能切換”置VHoHoHH取IM=0.800A，并在測試過程中保持不變。依次按表1所列數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)Is,用對稱測量法（詳見附錄）測出相應的V、V2、V3和V4值，記入表1中,繪制VHIs曲線，并對該曲線進行簡單的分析。

13、H表1I=0.800A-M,Is(mA)V1(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)-+IS、+B+IS、-B-IS、-B-IS、+B4.00SSSS5.006.007.008.009.0010.00D.測繪VHIM曲線HM實驗儀及測試儀各開關位置同上。取IS=8.00mA,并在測試過程中保持不變。依次按表2所列數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)IM，用對稱測量法測出相應的V1V2V3和V4值，記入表2中，繪制VHIM曲M1234HM線，并對該曲線進行簡單的分析。注意：在改變IM值時，要求快捷，每測好一組數(shù)據(jù)后，應立即切斷IM。表2IS=8.00mAIM(A)V1(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)-+IS

14、、+B+IS、-B-IS、-B-IS、+B0.3000.4000.5000.6000.7000.8000.9001.0002測繪螺線管軸線上磁感應強度的分布曲線取IS=8.00mA,IM=0.800A，并在測試過程中保持不變。A.以螺線管軸線為X軸，相距螺線管兩端口等遠的中心位置為坐標原點，探頭離中心位置X=14-X-X2,調(diào)節(jié)霍爾元件探桿支架的旋鈕X、X2，使測距尺讀數(shù)X=X2=0.0cm。先調(diào)節(jié)X旋鈕，保持X2=0.0cm,使X停留在0.0、0.5、1.0、1.5、2.0、5.0、8.0、11.0、14.0cm等讀數(shù)處,再調(diào)節(jié)X2旋鈕，保持X1=14.0cm,使X2停留在3.0、6.0、9

15、.0、12.0、12.5、13.0、13.5、14.0cm等讀數(shù)處，按對稱測量法測出各相應位置的V】、V2、V3、V4值，并根據(jù)(8)、(9)兩式計算相對應的VH及B值，記入表3中。1234HL2X(L2X)2(12D)2根據(jù)(10)式計算相對應的理論B值，記入表3中，其中L2-XCOP=2,cosP，-112(L2-X)2(2D)2B.繪制BX曲線，對該曲線進行簡單的分析，并驗證螺線管端口的磁感應強度為中心位置磁感應強度的1/2(可不考慮溫度對VH的影響)。H將實驗得到的螺線管軸向磁感應強度B值與計算得到的理論B值進行比較，求出相對誤差（需考慮溫度對VH值的影響），并寫出計算理論值B與實驗值

16、B時所需要的公式。如果誤差太大有可能是實驗儀器中所提H供的霍爾元件靈敏度kh值有較大誤差所致，可根據(jù)理論值對kh值進行簡單修正。表3価呼，昭=0.80皿X1(cm)X2(cm)X(cm)V,(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)VH(mV)B(KGS)+Is、+B+Is、-B-Is、-B-Is、+B實驗值理論值相對誤差0.00.00.50.01.00.01.50.02.00.05.00.08.00.011.00.014.00.014.03.014.06.014.09.014.012.014.012.514.013.014.013.514.014.0注：測繪BX曲線時，螺線管兩端口附近磁強

17、變化大，應多測幾點?；魻栐`敏度Kh值和螺線管單位長度線圈匝數(shù)N均標在實驗儀上。四、預習思考題1在什么樣的條件下會產(chǎn)生霍爾電壓，它的方向與哪些因素有關？2實驗中在產(chǎn)生霍爾效應的同時，還會產(chǎn)生那些副效應，它們與磁感應強度B和電流Is有什么關系，如何消除副效應的影響？3采用霍爾元件來測量磁場時具體要測量哪些物理量？4用霍爾元件測磁場時，如果磁場方向與霍爾元件片的法線不一致，對測量結果有什么影響？如何用實驗方法判斷B與元件法線是否一致？5能否用霍爾元件測量交變磁場？ AIs等勢面I1圖(5)11A實驗中霍爾元件的副效應及其消除方法(1)不等勢電壓降Vo如圖(5)所示，由于元件的測量霍爾電壓的A、A

18、兩電極不可能絕對對稱地焊在霍爾片的兩側，位置不在一個理想的等勢面上，因此，即使不加磁場，只要有電流Is通過，就有電壓-Vo=Isr產(chǎn)生，其中r為A、A所在的兩個等勢面之間的電阻，結果在測量VH時，就疊加了Vo，使得V/直偏大，(當Vo與VH同號)或偏小(當Vo與VH異號)。由于目前生產(chǎn)工藝水平較高，不HH樣N型半導體硅單晶切薄片只有幾百微伏左右，故一般可以忽略不計，也可以用一支電位器加以平衡。在本實驗中，VH的符號取決于Is和B兩者的方向，而Vo只與Is的方向有關，而與磁感應強度B的方向無關，因此VoH可以通過改變Is的方向予以消除。2)熱電效應引起的附加電壓VEE如圖(6)所示，由于實際上載

19、流子遷移速率V服從統(tǒng)計分布規(guī)律，構成電流的載流子速度不同，若速度為圖(6)v的載流子所受的洛侖茲力與霍爾電場的作用力剛好抵消，則速度小于v的載流子受到的洛侖磁力小于霍爾電場的作用力，將向霍爾電場作用力方向偏轉，速度大于v的載流子受到的洛侖磁力大于霍爾電場的作用力，將向洛侖磁力力方向偏轉。這樣使得一側高速載流子較多，相當于溫度較高，另一側低速載流子較多，相當于溫度較低，從而在Y方向引起溫差TA-TA,，由此產(chǎn)生的熱電效應，在A、A電極上引入附加溫差VE，這種現(xiàn)象稱為愛延好森效應。這種效應的建立需要一定的時間，如果采用直流電則由于愛延好森效應的存在而給霍爾電壓的測量帶來誤差，如果采用交流電，則由于

20、交流變化快使得愛延好森效應來不及建立，可以減小測量誤差，因此在實際應用霍爾元件片時，一般都采用交流電。由于Ve*IsB，其符號與Is和B的E方向的關系跟VH是相同的，因此不能用改變Is和B方向的方H法予以消除，但其引入的誤差很小，可以忽略。dTd?(3)熱磁效應直接引起的附加電壓VN如圖(7)所示因器件兩端電流引線的接觸電阻不等，通電后在接點兩處將產(chǎn)生不同的焦爾熱，導致在X方向有溫度梯度，引起載流子沿梯度方向擴散而產(chǎn)生熱擴散電流，熱流Q在z方向磁場作用下，類似于霍爾效應在Y方向上產(chǎn)生一附加電場N，相應的電壓VN-QB，而VN的符號只與B的方向有關，與Is的方向無關，因此可通過改變B的方向予以消

21、除。圖(7)圖(8)(4)熱磁效應產(chǎn)生的溫差引起的附加電壓VRLRL如圖(8)所示，(3)中所述的X方向熱擴散電流，因載流子的速度統(tǒng)計分布，在Z的方向的磁場B作用下，和(2)中所述的同一道理將在Y方向產(chǎn)生溫度梯度TA-TA,，由此引入的附加電壓VRL*QB,VRL的符號只與BAARLRL的方向有關，亦能消除。綜上所述，實驗中測得的A、A之間的電壓除VH外還包含VOVN、VRLHO、NRL和VE各電壓的代數(shù)和，其中VO、VN和VRH均通過Is和B換向對稱測量法予以消除。具體方法是在規(guī)定了電流EONRH和磁場正、反方向后，分別測量由下列四組不同方向的IS和B的組合的A、A之間的電壓。設Is和B的方

22、向均為正向時，測得A、A之間電壓記為V,即當+】S、+B時V1=VH+VO+VN+VRL+VE將B換向，而IS的方向不變，測得的電壓記為V2，此時VVN、Vrl、Ve均改號而VO符號不變，即當+】S、-B時V2=-VH+VO-VN-VRL-VE同理，按照上述分析當、-B時V3=VH-VO-VN-VRL+VE當、+B時V4=-VH-VO+VN+VRL-VE求以上四組數(shù)據(jù)V、V2、V3和v4的代數(shù)平均值，可得由于VE符號與IS和B兩者方向關系和VH是相同的，故無法消除，但在非大電流，非強磁場下，VHVE，ESHHE因此VE可略而不計，所以霍爾電壓為ETH-S型螺線管磁場測定實驗組合儀使用說明書一、

23、實驗裝置簡介TH-S型螺線管磁場測定實驗組合儀全套設備由實驗儀和測試儀兩大部分組成。A、實驗儀長直螺線管長度L=28cm，單位長度的線圈匝數(shù)N（匝/米）和霍爾元件靈敏度Kh均標注在實驗儀上。2霍爾元件和調(diào)節(jié)機構霍爾元件如圖（1）所示，它有兩對電極，A、A電極用來測量霍爾電壓VH,D、D電極為工作電流電極,H兩對電極用四線扁平線經(jīng)探桿引出，分別接到實驗儀的IS換向開關和VH輸出開關處。SH霍爾元件的靈敏度Kh與載流子濃度n成反比，因半導體材料的載流子濃度n隨溫度變化而變化，故Kh與溫度有關。實驗儀上給出了該霍爾元件在15C時的Kh值。+YD圖（）樣品示意圖實驗儀如圖（2）所示，探桿固定在二維（X

24、、Y方向）調(diào)節(jié)支架上。其中Y方向調(diào)節(jié)支架通過旋鈕Y調(diào)節(jié)探桿中心軸線與螺線管內(nèi)孔軸線位置，應使之重合。X方向調(diào)節(jié)支架通過旋鈕X、X2調(diào)節(jié)探桿的軸向位置。二維支架上設有X、X2及Y測距尺，用來指示探桿的軸向及縱向位置。當前利用二維調(diào)節(jié)機構的同類產(chǎn)品中，只能測試螺線管本實驗儀專門設置了X、X2兩個互補的軸向調(diào)節(jié)支架，實現(xiàn)了從螺線管一端到另一端的整個軸冋磁場分布曲線的測試，且調(diào)節(jié)平衡，可靠，讀數(shù)準確。同時也克服了當前另一些同類產(chǎn)品如探桿直接推拉法，滑輪拉線法等結構粗糙、讀數(shù)不準，易出故障的缺點。儀器出廠前探桿中心軸線與螺線管內(nèi)孔軸線已按要求進行了調(diào)整，因此，實驗中，Y旋鈕無需調(diào)節(jié)。如操作者想使霍爾探頭

25、從螺線管的右端移至左端，為調(diào)節(jié)順手，應先調(diào)節(jié)X旋鈕，使調(diào)節(jié)支架X的測距尺讀數(shù)X從0.014.0四鏡扁平鏡霍爾器件AAooopOOOOO000000(/0/.OOOOOOOOOOOOOOOOO探桿-10/14154-llllllAADcm,再調(diào)節(jié)X2旋鈕,使調(diào)節(jié)支架x2測距尺讀DDVH實驗儀示意圖MM數(shù)X2從0.H4.0cm,反之，要使探頭從螺線管左端移至右端，應先調(diào)節(jié)X2，讀數(shù)從14.0cm0.0,再調(diào)節(jié)X,讀數(shù)從14.0cm0.0?；魻柼筋^位于螺線管的右端，中心及左端，測距尺指示為：位置右端中心左端測距尺讀數(shù)（cm）X101414X20014工作電流IS及勵磁電流IM換向開關；霍爾電壓VH輸

26、出開關。三組開關與對應的霍爾器件及螺線管線包SMH間連線出廠前均已接好。B、測試儀（如圖（3）所示）“IS輸出”霍爾器件工作電流源，輸出電流010mA，通過IS調(diào)節(jié)旋鈕連續(xù)調(diào)節(jié)。“IM輸出”螺線管勵磁電流源，輸出電流01A。通過IM調(diào)節(jié)旋鈕連續(xù)調(diào)節(jié)。上述兩組恒流源讀數(shù)可通過“測量選擇”按鍵共用一只31/2位LED數(shù)字電流表顯示，按鍵測IM，放鍵測IS。直流數(shù)字電壓表32位數(shù)字直流毫伏表，供測量霍爾電壓用。電壓表零位可通過面板左下方調(diào)零電位器旋鈕進行校正。、技術指標1勵磁恒流源IM輸出電流01A,連續(xù)可調(diào)，調(diào)節(jié)精度可達1mA。最大輸出負載電壓12V。電流穩(wěn)定度優(yōu)于103（交流輸入電壓變化10）。

27、電流溫度系數(shù)10-3。負載穩(wěn)定度優(yōu)于103（負載由額定值變?yōu)榱悖?。電流指?2位發(fā)光管數(shù)字顯示，精度不低于0.5%。2樣品工作恒流源IS輸出電流010mA,連續(xù)可調(diào)，調(diào)節(jié)精度可在10pAo最大輸出負載電壓12V。電流穩(wěn)定度優(yōu)于10-3（交流輸入電壓變化10%）。電流溫度系數(shù)10-3。負載穩(wěn)定度優(yōu)于10-3（負載由額定值變?yōu)榱悖ｋ娏髦甘?2位發(fā)光管數(shù)字顯示，精度不低于0.5%。3直流數(shù)字毫伏表測量范圍土20mV。32位發(fā)光管數(shù)字顯示，精度不低于0.5%。注：IS和IM兩組恒流源也可用于需要直流恒流供電的其他場合，用戶只要將“VH”短接，可按需要選取一SMH組或兩組恒流源使用均可。三、使用說明測

28、試儀的供電電源為220V，50Hz。電源進線為單相三線。電源插座和電源開關均安裝在機箱背面，保險絲為0.5A，置于電源插座內(nèi)。3霍爾器件各電極及線包引線與對應的雙刀開關之間連線出廠前均已接好。測試儀面板上的“IS輸出”、“IM輸出”和“VH輸入”三對接線柱應分別與實驗儀上的三對相應的接線柱正確連接。儀器開機前應將IS、IM調(diào)節(jié)旋鈕逆時針方向旋到底，使其輸出電流趨于最小狀態(tài)，然后再開機。調(diào)節(jié)實驗儀上X及X2旋鈕，使測距尺X及X2讀數(shù)均為零，此時霍爾探頭位于螺線管右端。實驗時，如要使探頭移至左端應先調(diào)節(jié)X1旋鈕，使X1由0-14cm,再調(diào)節(jié)X2旋鈕，使X2由0-14cm,如要使探頭右移,應先調(diào)節(jié)X2，再調(diào)節(jié)X1。注意：嚴禁魯莽操作，以免損壞設備。儀器接通電源后，預熱數(shù)分鐘即可進行實驗。“IS調(diào)節(jié)”和“IM調(diào)節(jié)”分別用來控制樣品工作電流IS和勵磁電流IM的大小。其電流隨旋鈕順時針方向轉動而增加，細心操作，調(diào)節(jié)的精度分別可達10pA和1mA。IS和IM讀數(shù)可通過“測量選擇”按鍵