《基態(tài)原子的核外電子排布、原子軌道》課后作業(yè)

1、PAGE4第一節(jié)原子結(jié)構(gòu)基態(tài)原子的核外電子排布原子軌道一、選擇題本題包括12小題，每小題5分，共60分avs4al2022山東濱州高二檢測(cè)觀察1s軌道電子云示意圖，判斷下列說(shuō)法正確的是A一個(gè)小黑點(diǎn)表示1個(gè)自由運(yùn)動(dòng)的電子軌道的電子云形狀為圓形的面軌道上運(yùn)動(dòng)像地球圍繞太陽(yáng)旋轉(zhuǎn)軌道電子云的點(diǎn)的疏密表示電子在某一位置出現(xiàn)概率的多少avs4al2022廣東高二檢測(cè)下列說(shuō)法正確的是能級(jí)的能量總小于g2：1s22s22層有一個(gè)未成對(duì)的g的電子排布式為1s22s22能層上有18個(gè)電子，最外層上有2個(gè)電子。點(diǎn)撥：電子排布式的書(shū)寫(xiě)和正誤判斷1注意每一個(gè)能級(jí)電子分布，特別注意當(dāng)電子數(shù)不能夠填滿所有原子軌道時(shí)，注意分

2、布形式；2基態(tài)原子和激發(fā)態(tài)原子電子排布的不同。即抓住每一個(gè)能級(jí)的每一個(gè)原子軌道最多填充兩個(gè)自旋狀態(tài)相反的電子，而對(duì)于同一能級(jí)電子應(yīng)該盡量分布于不同原子軌道。答案：B6解析：本題考查學(xué)生對(duì)核外電子排布圖的理解。當(dāng)多電子排布在相同能級(jí)時(shí)分別占據(jù)不同的原子軌道且自旋狀態(tài)相同為洪特規(guī)則。答案：D7解析：解答本題時(shí)要注意以下兩點(diǎn)：1符合電子排布三原則的是基態(tài)原子。2注意1號(hào)36號(hào)元素中的兩特殊元素24Cr和29Cu。具體選項(xiàng)分析如下：B項(xiàng)，在書(shū)寫(xiě)電子排布式時(shí)，不能按填充順序書(shū)寫(xiě)；C項(xiàng)，d軌道應(yīng)是全充滿時(shí)穩(wěn)定；D項(xiàng)違反了洪特規(guī)則。答案：A8解析：11X、19Y、20Z都是金屬陽(yáng)離子。分析AD微粒結(jié)構(gòu)示意圖

3、的核電荷數(shù)和核外電子排布的關(guān)系可知，A和D是原子，B是陰離子，C是金屬陽(yáng)離子。答案：C9解析：A中能量最低原理主要是電子排布先后順序，洪特規(guī)則指的是排布相同能級(jí)電子時(shí)盡量占據(jù)不同軌道，且自旋方向相同。只有B選項(xiàng)泡利原理說(shuō)明一個(gè)軌道上最多容納2個(gè)電子且自旋方向相反，2層電子排布為3s23層全充滿而N層為4s2，M層上有d軌道，即：3s23g，則核外電子排布為1s22s22g；D為g，D為gN2eqo=,sug3N2。4氮?dú)夂桶睔獾碾娮邮椒謩e為NN、答案：1HNMggN2eqo=,sug3N2415解析：由題意可知，A為Si，B為Na，C為層有一個(gè)未成對(duì)的gCl2熔融通電4N2H4O2點(diǎn)燃5NaNa與H2O反應(yīng)比Mg與H2O反應(yīng)劇烈或NaOH的堿性比MgOH2強(qiáng)17解析：X和Y電子層結(jié)構(gòu)相同可推測(cè)為Na、F或K、Cl，然后根據(jù)Y和Z可形成4核42個(gè)電子的負(fù)一價(jià)陰離子，推測(cè)該陰離子為ClOeqoal,3。X與Y具有相同的電子層結(jié)構(gòu)說(shuō)明X位于Y的下一周期，由于Y形成Y，又Z比Y的質(zhì)子數(shù)少9個(gè)，故Y的原子序數(shù)最少為17，假設(shè)Y為Cl，則由