A110D溫度濕度偏壓加速

A110D高加速溫度和濕度壓力測(cè)試（HAST）（jcb-08-92和jcb-10-62,jc-14.1組織認(rèn)定）1范圍加速播放溫度和濕度進(jìn)行應(yīng)力測(cè)試的目的是評(píng)估非氣密性封裝固態(tài)設(shè)備在潮濕的環(huán)境中的可靠性。它使用加嚴(yán)的環(huán)境溫度、濕度、偏壓來通過外部防護(hù)材料（塑封劑或密封）或沿著外部防護(hù)和金屬導(dǎo)體接口界面加速水分的滲透。應(yīng)力通常激活如“85/85”穩(wěn)態(tài)濕度壽命試驗(yàn)一樣的失效機(jī)理。2裝置測(cè)試需要一個(gè)壓力室維護(hù)指定的溫度和相對(duì)濕度的能力不斷，而為被測(cè)設(shè)備提供電氣連接在一個(gè)規(guī)定的偏壓配置2.1控制條件從規(guī)定的測(cè)試條件緩上和緩降過渡期間，腔體必須能夠提供壓力，溫度和相對(duì)的濕度的受控條件。校準(zhǔn)記錄應(yīng)驗(yàn)證設(shè)備避免冷凝水滴在受測(cè)元件上，在過渡和斜降測(cè)試期間（dut）溫度高于50OC，最大熱質(zhì)量負(fù)載和最?。?）功耗。校準(zhǔn)記錄應(yīng)驗(yàn)證，對(duì)穩(wěn)態(tài)條件和最大熱質(zhì)量負(fù)載,測(cè)試條件都保持在3.1中指定的公差。2.2溫度曲線一個(gè)永久的記錄為每個(gè)測(cè)試周期建議溫度曲線,這樣的有效性壓力可以得到證實(shí)。2.3被測(cè)的元件被測(cè)的元件必須放置盡量減少溫度梯度。被測(cè)的元件離內(nèi)部腔表面不得小于3厘米。，不得從加熱器直接輻射加熱。在蒸汽循環(huán)中元件的電路板應(yīng)定在最小干擾處。2.4釋放污染最小化護(hù)理必須行使電路板和插座材料的選擇，盡量減少污染的釋放和最小化由于腐蝕和其他失效機(jī)理引起的降級(jí)2.5離子污染應(yīng)當(dāng)避免測(cè)試儀器（卡籠、測(cè)試板、套接字、連接存儲(chǔ)容器，等等）的離子污染對(duì)測(cè)試元件影響。2.6去離子水去離子的水電阻率應(yīng)當(dāng)使用在室溫下最低1兆歐厘米。3測(cè)試條件測(cè)試條件包括溫度、相對(duì)濕度和持續(xù)時(shí)間與一個(gè)電子配置特定于設(shè)備的偏見。3.1溫度、相對(duì)濕度和持續(xù)時(shí)間溫度（干球°C）干度相對(duì)濕度（％）溫度（濕球°C）蒸汽壓（psia/kPa）持續(xù)時(shí)間（小時(shí)）130±285±5124.733.3/23096（-0，+2110±285±5105.217.7/122264（-0，+2）注1公差適用于整個(gè)可用的測(cè)試區(qū)域。注2僅供信息。注意3測(cè)試條件不斷除了應(yīng)用在任何臨時(shí)讀數(shù)。注意4臨時(shí)讀數(shù),設(shè)備應(yīng)該返回4.5中指定的時(shí)間內(nèi)壓力。注5部分，達(dá)到吸收平衡在24小時(shí)或更少，使測(cè)試至少相當(dāng)于1000小時(shí)在85oC/85%RH。零件需要超過24小時(shí)在th達(dá)到平衡3.2偏壓設(shè)置指南應(yīng)用偏壓根據(jù)以下指南：減少功耗。盡可能選擇金屬腳偏壓。盡可能在芯片金屬化分發(fā)潛在差異。電壓操作范圍內(nèi)最大化。注意上述準(zhǔn)則取決于的優(yōu)先級(jí)機(jī)制和特定的設(shè)備特征。e)兩種類型的偏見可以用來滿足這些指導(dǎo)方針,哪個(gè)更嚴(yán)重：連續(xù)偏壓一一直流偏壓應(yīng)持續(xù)應(yīng)用。連續(xù)的偏壓比循環(huán)偏壓更嚴(yán)重，芯片溫度=<10oC室環(huán)境溫度或者，如果DUT小于200兆瓦，芯片溫度的散熱不知道。如果散熱DUT超過200兆瓦,那么芯片溫度可計(jì)算。如果芯片溫度超過室環(huán)境溫度5oC，那么在結(jié)果報(bào)告中要注明芯片溫升超過環(huán)境溫度，因失效機(jī)理的加速會(huì)受到影響。)循環(huán)偏壓一一直流電壓應(yīng)用到被測(cè)元件一個(gè)適當(dāng)?shù)念l率和工作周期應(yīng)定期中斷。如果偏壓配置結(jié)果的溫度超越室環(huán)境,?Tja，超過10oC，然后循環(huán)偏壓，當(dāng)優(yōu)化具體的設(shè)備類型，將比連續(xù)更嚴(yán)重。加熱作為功耗導(dǎo)致的結(jié)果會(huì)使水分遠(yuǎn)離芯片,從而阻礙了moisture-related失效機(jī)理。循環(huán)偏壓中的off可允許水汽在芯片中聚集。50%的占空比一般可選，在塑封微電路中。封裝厚度大于2mm時(shí)，循環(huán)應(yīng)力階段應(yīng)小于2小時(shí)；封裝厚度小于2mm時(shí)，就小于30min.芯片溫度，在已知熱阻和功耗下計(jì)算，應(yīng)引用結(jié)果，不管是否超過環(huán)境溫度5度。3.2.1選擇和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)選擇連續(xù)或循環(huán)偏壓，以及是否需要報(bào)告的數(shù)量芯片溫度超過室環(huán)境溫度，總結(jié)在下表中：Tja循環(huán)偏壓報(bào)告Tja?Tja<5°C,或功耗DUT<200兆瓦NoNo（?Tja35°C或功耗200兆瓦），和?Tja<10°CNoYes□Tja310°CYesYes4程序測(cè)試元件應(yīng)安裝在規(guī)定的溫度、偏壓和濕度條件。避免元件在過熱干燥環(huán)境或可導(dǎo)致冷凝在元件和測(cè)試架的條件，特別是在過渡,緩降。4.1快速啟動(dòng)時(shí)間達(dá)到穩(wěn)定溫度和相對(duì)濕度條件應(yīng)少于3小時(shí)。冷凝應(yīng)當(dāng)避免通過確保測(cè)試室(干球溫度)超過濕-球溫度,而且增加的速度不得超過一個(gè)確保干球溫度低于濕球溫度的速度。干、濕球溫度設(shè)置點(diǎn)應(yīng)保持相對(duì)濕度而不是更少。4.2緩降緩降的第一部分稍微積極表壓（濕球溫度約104oC）應(yīng)足夠長(zhǎng)，以避免測(cè)試工件由于快速減壓,但不得超過3個(gè)小時(shí)。緩降的第二部分從濕球溫度104oC到室溫的發(fā)生室發(fā)泄。沒有時(shí)間限制，強(qiáng)制冷卻的船是允許的。冷凝設(shè)備上應(yīng)避免在坡道的兩個(gè)部分通過確保測(cè)試室（干球溫度）超過濕球溫度。緩降的含水率應(yīng)保持模塑料封裝模具。因此，相對(duì)濕度不得少于50%在第一次緩降的一部分,上述第1段。4.3測(cè)試時(shí)鐘測(cè)試時(shí)鐘開始時(shí)溫度和相對(duì)濕度達(dá)到設(shè)置點(diǎn),和停止緩降的開始。4.4偏壓偏壓應(yīng)用過渡期間和斜降是可選的。測(cè)試時(shí)鐘開始之前，設(shè)備加載后偏壓后應(yīng)驗(yàn)證。偏壓也應(yīng)該驗(yàn)證測(cè)試時(shí)鐘停止后，但元件從箱中移動(dòng)之前。注意建議限流電阻（s）被放置在測(cè)試設(shè)置，以防止測(cè)試板或DUT測(cè)試期間的損傷情況下短的發(fā)展。4.5讀出緩降結(jié)束后電氣測(cè)試應(yīng)當(dāng)執(zhí)行不遲于48小時(shí)內(nèi)。注意:對(duì)于中間讀數(shù)，應(yīng)當(dāng)強(qiáng)調(diào)的96小時(shí)內(nèi)退還設(shè)備緩降的結(jié)束。的水分損失從設(shè)備可以減少?gòu)纳虝?huì)取消后將設(shè)備在密封防潮層袋（沒有干燥劑）。當(dāng)設(shè)備被放置在密封袋，“測(cè)試窗口鐘”運(yùn)行速度的1/3的設(shè)備暴露在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。因此，測(cè)試窗口可以擴(kuò)展到高達(dá)144小時(shí),回到壓力和時(shí)間高達(dá)288小時(shí)封閉的設(shè)備防潮袋。注1電氣測(cè)試參數(shù)應(yīng)該選擇保留任何缺陷（即。，通過限制應(yīng)用測(cè)試電流）。注2額外的測(cè)試推遲或return-to-stress延遲時(shí)間可以允許如果合理的技術(shù)數(shù)據(jù)4.6處理合適的手套應(yīng)當(dāng)用于處理設(shè)備,電路板及元件。污染控制在任何加速壓力測(cè)試的一個(gè)重要方面。5失效的標(biāo)準(zhǔn)元件將被視為失效，加速溫度和濕度壓力測(cè)試如果參數(shù)超出限制,或者功能不能證明在名義和最差