正性光刻膠與5mask簡介課件

OutlineArray5maskArray4maskPRPR的工作原理PRTestOutlineArray5maskArray4ma1Metal1(GATE):鍍上Mo(鉬)，Al(鋁)2.G:GateSiNx(氮矽化合物，絕緣層)

I:-Si(非結晶矽，通道層)

N:N+-Si(高濃度磷(PH3)的矽)降低界面電位差,

使成為歐姆接觸(ohmiccontact)

3.Metal2(source,drain):Mo(鉬),Al

4.Passivation(Via):SiNx，保護層,把金屬蓋住,另有Via和ITO連通5.ITO(畫素電極)1Array5mask簡介Metal1(GATE):鍍上Mo(鉬)，Al(鋁)2工藝流程PhotoResistThinFilmGlass曝光LightPhotoMask剝膜ThinFilmGlass成膜PhotoResist顯影蝕刻工藝流程PhotoResistThinFilmGlass32022/12/16UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,顯影WetetchSTP(去光阻)Metal1processABMo/AlMo在Al上層避免Al氧化2.38%TMAHAl蝕刻液(磷酸，醋酸，硝酸)Stripper-剝離液：MEA+DMSO(7:3)2022/12/12UPK(清洗玻璃)M1Suppter(P42022/12/16GINprocessABGIN

sputterCVD（化學氣相沉積）Photo(涂布,曝光,顯影)DryetchSTP(去光阻)SF6/Cl2，SiF4，SiCl42022/12/12GINprocessABGINspu52022/12/16Metalsputter（Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(M2濕蝕刻)DET(N+蝕刻)STP(去光阻)ABMetal2

process2022/12/12Metalsputter（Mo/Al/62022/12/16ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,顯影)DET(Pass蝕刻)STP(去光阻)Pass

process2022/12/12ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝72022/12/16ABITOsputter(PVD)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(ITO濕蝕刻))STP(去光阻)OVN(ITOoven)ITOprocess2022/12/12ABITOsputter(PVD)P82022/12/162Array4mask2022/12/122Array4mask92022/12/162022/12/12102022/12/163正型PR成份介紹定義光刻膠(Photoresist簡稱PR)又稱光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。作用

a、將掩膜板上的圖形轉移到晶圓表面頂層的光刻膠中；

b、在后續(xù)工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2022/12/123正型PR成份介紹定義112022/12/16成份

樹脂感光劑溶劑添加劑粘附性、膠膜厚度曝光時間、光線強度賦予組合物流動性如防止PR反射等特性2022/12/12成份樹脂感光劑溶劑添加劑粘附性、122022/12/164正型PR的工作原理Esterification2022/12/124正型PR的工作原理132022/12/16UVN2Wolff重組H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2022/12/12UVN2Wolff重組H2ONaOH(142022/12/165PRTestTestEOPMarginThermalStabilityFilmLossStripperTestResoluti-on涂布Pre-bake曝光顯影Post-bakeStripper2022/12/125PRTestTestEOPMarg152022/12/16EOPTestEOPTest：將光罩上的圖案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2022/12/12EOPTestEOPTest：將光罩162022/12/16MarginTestMarginTest：不同顯影時間、軟烤溫度及軟烤時間下，PR顯影

后的CD變化2022/12/12MarginTestMarginTe172022/12/162022/12/12182022/12/16ThermalStabilityTestThermalStabilityTest：post-bask后PR形狀的變化測試2022/12/12ThermalStabilityTe192022/12/16Stripper

TestStripper

Test：PR的剝離時間2022/12/12StripperTestStrippe202022/12/16Resolution

TestResolution

Test：能顯影出完整圖像的較小CD（a.圖案完整性；b.CD變化）2022/12/12ResolutionTestResol212022/12/16H/TMarginTestH/TMarginTest：測試需要Ashing的PR膜厚均勻性（4Mask）2022/12/12H/TMarginTestH/TM22ThankYou！2022/12/16ThankYou！2022/12/1223OutlineArray5maskArray4maskPRPR的工作原理PRTestOutlineArray5maskArray4ma24Metal1(GATE):鍍上Mo(鉬)，Al(鋁)2.G:GateSiNx(氮矽化合物，絕緣層)

I:-Si(非結晶矽，通道層)

N:N+-Si(高濃度磷(PH3)的矽)降低界面電位差,

使成為歐姆接觸(ohmiccontact)

3.Metal2(source,drain):Mo(鉬),Al

4.Passivation(Via):SiNx，保護層,把金屬蓋住,另有Via和ITO連通5.ITO(畫素電極)1Array5mask簡介Metal1(GATE):鍍上Mo(鉬)，Al(鋁)25工藝流程PhotoResistThinFilmGlass曝光LightPhotoMask剝膜ThinFilmGlass成膜PhotoResist顯影蝕刻工藝流程PhotoResistThinFilmGlass262022/12/16UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,顯影WetetchSTP(去光阻)Metal1processABMo/AlMo在Al上層避免Al氧化2.38%TMAHAl蝕刻液(磷酸，醋酸，硝酸)Stripper-剝離液：MEA+DMSO(7:3)2022/12/12UPK(清洗玻璃)M1Suppter(P272022/12/16GINprocessABGIN

sputterCVD（化學氣相沉積）Photo(涂布,曝光,顯影)DryetchSTP(去光阻)SF6/Cl2，SiF4，SiCl42022/12/12GINprocessABGINspu282022/12/16Metalsputter（Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(M2濕蝕刻)DET(N+蝕刻)STP(去光阻)ABMetal2

process2022/12/12Metalsputter（Mo/Al/292022/12/16ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,顯影)DET(Pass蝕刻)STP(去光阻)Pass

process2022/12/12ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝302022/12/16ABITOsputter(PVD)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(ITO濕蝕刻))STP(去光阻)OVN(ITOoven)ITOprocess2022/12/12ABITOsputter(PVD)P312022/12/162Array4mask2022/12/122Array4mask322022/12/162022/12/12332022/12/163正型PR成份介紹定義光刻膠(Photoresist簡稱PR)又稱光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。作用

a、將掩膜板上的圖形轉移到晶圓表面頂層的光刻膠中；

b、在后續(xù)工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2022/12/123正型PR成份介紹定義342022/12/16成份

樹脂感光劑溶劑添加劑粘附性、膠膜厚度曝光時間、光線強度賦予組合物流動性如防止PR反射等特性2022/12/12成份樹脂感光劑溶劑添加劑粘附性、352022/12/164正型PR的工作原理Esterification2022/12/124正型PR的工作原理362022/12/16UVN2Wolff重組H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2022/12/12UVN2Wolff重組H2ONaOH(372022/12/165PRTestTestEOPMarginThermalStabilityFilmLossStripperTestResoluti-on涂布Pre-bake曝光顯影Post-bakeStripper2022/12/125PRTestTestEOPMarg382022/12/16EOPTestEOPTest：將光罩上的圖案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2022/12/12EOPTestEOPTest：將光罩392022/12/16MarginTestMarginTest：不同顯影時間、軟烤溫度及軟烤時間下，PR顯影

后的CD變化2022/12/12MarginTestMarginTe402022/12/162022/12/12412022/12/16ThermalStabilityTestThermalStabilityTest：post-bask后PR形狀的變化測試2022/12/12ThermalStabilityTe422022/12/16Stripper

TestStripper

Test：PR的剝離時間2022/12/12StripperTestStr