國(guó)內(nèi)外集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系課件

國(guó)內(nèi)外集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系國(guó)內(nèi)外集成電路標(biāo)準(zhǔn)摘要標(biāo)準(zhǔn)體系概念1、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)體系2、我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)體系摘要標(biāo)準(zhǔn)體系概念標(biāo)準(zhǔn)體系是對(duì)特定標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)象按一定目標(biāo)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)的依據(jù)，是由許多現(xiàn)行的、正在制定的和將要制定的標(biāo)準(zhǔn)組合成的具有明確目的性、完整性、預(yù)見(jiàn)性及可行性、成文的概念系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)基本是圍繞它，籌劃、論證、制定、貫徹、檢查和修訂結(jié)構(gòu)合理、層次清楚、互相協(xié)調(diào)、水平先進(jìn)、適應(yīng)需求的標(biāo)準(zhǔn)體系，以確保標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)效性、配套性和權(quán)威性。標(biāo)準(zhǔn)體系是對(duì)特定標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)象按一定目標(biāo)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)的依據(jù)，是IECSC47A組織名稱：集成電路標(biāo)準(zhǔn)化（Standardizationforintegratedcircuit）工作包括：制定半導(dǎo)體和混合集成電路國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)主要包括產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)定體系的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、總規(guī)范、分規(guī)范、族規(guī)范、空白詳細(xì)規(guī)范等IECSC47A組織名稱：集成電路標(biāo)準(zhǔn)化（Standa半導(dǎo)體集成電路數(shù)字集成電路模擬集成電路接口集成電路半定制集成電路族規(guī)范、空白詳細(xì)規(guī)范混合集成電路產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境和機(jī)械試驗(yàn)方法(TC47)能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證電磁兼容試驗(yàn)方法半導(dǎo)體集成電路數(shù)字集成電路模擬集成電路接口集成電路半定制集成現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-1：1997半導(dǎo)體器件集成電路第1部分：總則IEC60748-2：1997第2部分：數(shù)字集成電路IEC60748-2-1:1991第2部分：數(shù)字集成電路第1篇：雙極數(shù)字門電路（不包括未授權(quán)的門陣列）空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-2:1992第2篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC，54/74HCT，54/74HCU，族規(guī)范IEC60748-2-3:1992第3篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC，54/74HCT，54/74HCU，空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-1：1997現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-4:1992第4篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB族詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-5:1992第5篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-6:1991第6篇：微處理器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-7:1992第7篇：熔絲型可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-8:1993第8篇：靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-9:1994第9篇：紫外光可擦除電可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-4:199現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-10:1994第10篇：動(dòng)態(tài)讀寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-3:1986第3部分：模擬集成電路IEC60748-3-1:1991第1篇：?jiǎn)纹呻娐愤\(yùn)算放大器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-4:1997第4部分：接口集成電路IEC60748-4-1:1993第1篇：DAC轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-4-2:1993第2篇：ADC轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-4-3:2006第3篇：ADC轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)IEC60748-5:1997第5部分：半定制集成電路現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-10:19現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-11:1990第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范，不包括混合集成電路IEC60748-11-1:1992第1篇：內(nèi)部目檢IEC60748-20:1988第20部分：膜和混合集成電路總規(guī)范IEC60748-20-1:1994第1篇：內(nèi)部目檢IEC60748-21:1997基于鑒定批準(zhǔn)的膜和混合集成電路分規(guī)范IEC60748-21-1:1997空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-22:1997基于能力批準(zhǔn)的膜和混合集成電路分規(guī)范IEC60748-22-1:1997空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-11:1990現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-23-1:2002混合集成電路生產(chǎn)線認(rèn)證總規(guī)范IEC60748-23-2:2002內(nèi)部目檢和特定試驗(yàn)IEC60748-23-3:2002制造商自我評(píng)定表和報(bào)告IEC60748-23-4:2002空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-23-5:2003鑒定批準(zhǔn)程序IEC61943:1999集成電路制造線批準(zhǔn)應(yīng)用指南IEC/TS61944:2000集成電路制造線批準(zhǔn)驗(yàn)證試樣IEC/TS61945:2000集成電路制造線批準(zhǔn)工藝和失效分析方法IEC61964：1999存儲(chǔ)器引出端配置圖現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-23-1:2061967-1(2002)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz-1GHz第1部分：通用條件和定義61967-1-1(2010)集成電路電磁兼容測(cè)試方法第1-1部分：通用條件和定義近場(chǎng)掃描數(shù)據(jù)交換格式61967-2(2005)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第2部分：輻射發(fā)射測(cè)量—TEM小室和寬帶TEM小室法61967-3(2005)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第3部分：輻射發(fā)射測(cè)量—表面掃描法61967-4(2006)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第4部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—1Ω/150Ω直接耦合法61967-4-1(2005)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第4-1部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—1Ω/150Ω直接耦合法的應(yīng)用指南61967-5(2003)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第5部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—工作臺(tái)法拉第籠法61967-6(2008)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—磁場(chǎng)探頭法IEC61967-8（2011）集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第8部分：輻射發(fā)射測(cè)量—IC帶狀線法IEC62132-1(2006)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第1部分：通用條件和定義IEC62132-2(2010)集成電路電磁抗擾度測(cè)量第2部分：輻射抗擾度測(cè)量—TEM室和GTEM室法IEC62132-3(2007)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第3部分：大電流注入(BCI)法IEC62132-4(2006)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第4部分：射頻功率直接注入法IEC62132-5(2005)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第5部分：法拉第籠工作臺(tái)法IEC62132-8(2012)集成電路電磁抗擾度測(cè)量第8部分：輻射抗擾度測(cè)量—IC帶狀線法IEC/TS62215-2(2007)集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第2部分：同步瞬態(tài)注入法IEC/TS62228(2007)集成電路CAN收發(fā)器的EMC評(píng)估IEC/TS62433-1(2011)集成電路的電磁兼容性建模—第1部分：通用建模結(jié)構(gòu)IEC62433-2(2008)集成電路的電磁兼容性建?！?部分：集成電路電磁干擾特性的仿真模型—傳導(dǎo)發(fā)射模型（ICEM-CE）IEC/TR62433-2-1(2010)集成電路的電磁兼容性建?！?-1部分：傳導(dǎo)發(fā)射的黑匣子建模理論現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)61967-1(2002)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kH目前工作重點(diǎn)：生產(chǎn)線能力批準(zhǔn)和EMC測(cè)量方法。150kHz～1GHzEMC測(cè)量方法23個(gè)目前工作重點(diǎn)：生產(chǎn)線能力批準(zhǔn)和EMC測(cè)量方法。我國(guó)的集成電路標(biāo)準(zhǔn)化工作開(kāi)始于20世紀(jì)70年代末由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)體系我國(guó)的集成電路標(biāo)準(zhǔn)化工作開(kāi)始于20世紀(jì)70年代末我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)體系標(biāo)準(zhǔn)體系框圖標(biāo)準(zhǔn)體系框圖4-1-1-1術(shù)語(yǔ)4-1-1-1-1集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T9178-19884-1-1-1-2膜集成電路和混合膜集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T12842-19914-1-1-1-3半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語(yǔ)GB/T14113-19934-1-1-2型號(hào)命名4-1-1-2-1半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名方法GB/T3430-19894-1-1-2-2半導(dǎo)體集成電路文字符號(hào)引出端功能符號(hào)GB/T3431.2-19864-1-1-2-3集成電路存儲(chǔ)器引出端排列4-1-1通用基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)4-1-1-1術(shù)語(yǔ)4-1-1-1-1集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T4-1-1-3封裝外形4-1-1-3-1半導(dǎo)體集成電路外形尺寸GB/T7092-19934-1-1-3-2膜集成電路和混合集成電路外形尺寸GB/T15138-19944-1-1-3-3半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第5部分:用于集成電路載帶自動(dòng)焊(TAB)的推薦值GB/T15879-19954-1-1-3-4半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第1部分：半導(dǎo)體器件圖形繪制SJ/Z9021.1-19874-1-1-3-5半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第3部分：集成電路外形圖繪制總則SJ/Z9021.3-19874-1-1-3-6半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第4部分：半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分以及編號(hào)體系SJ/Z9021.4-19874-1-1-3-7塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范GB/T16525-19964-1-1-3-8小外形封裝引線框架規(guī)范GB/T15878-19954-1-1-3-9塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范GB/T15876-19954-1-1-3-10蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范GB/T15877-19954-1-1-3-11半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14112-19984-1-1-3封裝外形4-1-1-3-1半導(dǎo)體集成電路外形尺4-1-1-4能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證4-1-1-4-1集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)和質(zhì)量管理程序4-1-1-4-2集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)應(yīng)用指南4-1-1-4-3集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)論證工具4-1-1-4-4集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)工藝和失效分析方法4-1-1-5機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn)方法4-1-1-5-1半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：第1篇：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢GB/T19403.1-20034-1-1-5-2半導(dǎo)體器件混合電路內(nèi)部目檢4-1-1-5-3封裝引線電阻測(cè)試方法GB/T19248-20034-1-1-5-4封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測(cè)試方法GB/T16526-19964-1-1-5-5半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測(cè)試方法GB/T14862-1993-6、-7、-8。。。。HAST、溫度循環(huán)、恒定加速度、機(jī)械沖擊。。。4-1-1-4能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證4-1-1-4-1集成電路4-1-1-6電測(cè)試方法4-1-1-6-1半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理GB/T14030-19924-1-1-6-2半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法的基本原理GB/T14028-19924-1-1-6-3半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理GB/T4377-19964-1-1-6-4半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理GB/T6798-19964-1-1-6-5半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理GB/T14031-19924-1-1-6-6半導(dǎo)體集成電路采樣/保持放大器測(cè)試方法的基本原理GB/T14115-19934-1-1-6-7半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理GB/T14114-19934-1-1-6-8半導(dǎo)體集成電路模擬乘法器測(cè)試方法的基本原理GB/T14029-19924-1-1-6-9半導(dǎo)體集成電路數(shù)字鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理GB/T14032-19924-1-1-7電磁兼容測(cè)試方法4-1-1-6電測(cè)試方法4-1-1-6-1半導(dǎo)體集成電路時(shí)基4-1-2半導(dǎo)體集成電路4-1-2-0半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范（不包括混合電路）GB/T12750-2006等同60748-114-1-2-1數(shù)字集成電路4-1-2-1-1半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路GB/T17574-19984-1-2-1-2半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第一篇雙極型單片數(shù)字集成電路門電路（不包括自由邏輯陣列）空白詳細(xì)規(guī)范GB/T5965-20004-1-2-1-3半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第二篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HCGB/T17023-19974-1-2-1-4半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第三篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC,54/74HCT,54/74HCU系列空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17024-19974-1-2-1-5半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第四篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列族規(guī)范GB/T17572-19984-1-2-1-6半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第五篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細(xì)規(guī)范GB/T9424-19984-1-2-1-7半導(dǎo)體集成電路微處理器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T7509-19874-1-2-1-8半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范（可供認(rèn)證用）GB/T14119-19934-1-2-1-9半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T6648-19864-1-2半導(dǎo)體集成電路4-1-2-0半導(dǎo)體器件集成電路第14-1-2-1數(shù)字集成電路4-1-2-1-10半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分：數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17574.9-20064-1-2-1-11半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動(dòng)態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17574.10-20004-1-2-1-12半導(dǎo)體器件集成電路第2-11部分：數(shù)字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17574.11-20064-1-2-1-13半導(dǎo)體器件集成電路第2-12部分：數(shù)字集成電路可編程邏輯器件（PLD）空白詳細(xì)規(guī)范4-1-2-1-14半導(dǎo)體器件集成電路第2-20部分：數(shù)字集成電路低壓集成電路族規(guī)范GB/T17574.20-20064-1-2-1-15半導(dǎo)體集成電路TTL電路系列和品種PAL系列的品種GB/T14129-19934-1-2-1-16邏輯數(shù)字集成電路用于集成電路的I/O接口模塊規(guī)范4-1-2-1數(shù)字集成電路4-1-2-1-10半導(dǎo)體器件集4-1-2-2模擬集成電路4-1-2-2-1半導(dǎo)體器件集成電路第3部分：模擬集成電路GB/T17940-2000等同60748-34-1-2-2-2半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T9425-1988等效60748-3-14-1-2-2-3半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器系列和品種GB/T3436-19964-1-2-2-4半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器系列和品種GB/T4376-19944-1-2-2模擬集成電路4-1-2-2-1半導(dǎo)體器件集成4-1-2-3接口集成電路4-1-2-3-1半導(dǎo)體器件接口集成電路等同60748-44-1-2-3-2半導(dǎo)體器件集成電路第4部分：接口集成電路第一篇：線性數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器（DAC)空白詳細(xì)規(guī)范GB/T18500.1-2001等同60748-4-14-1-2-3-3半導(dǎo)體器件集成電路第4部分：接口集成電路第二篇：線性模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC)空白詳細(xì)規(guī)范GB/T18500.2-2001等同60748-4-24-1-2-3-4半導(dǎo)體器件接口集成電路線路模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)判據(jù)等同60748-4-34-1-2-4定制集成電路4-1-2-4-1半導(dǎo)體器件集成電路半定制電路GB/T20515-2006等同60748-54-1-2-3接口集成電路4-1-2-3-1半導(dǎo)體器件接4-1-2-5半導(dǎo)體芯片4-1-2-5-1半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)導(dǎo)則4-1-2-5-2半導(dǎo)體芯片探針測(cè)試一般程序4-1-2-5-3半導(dǎo)體芯片交付與應(yīng)用導(dǎo)則4-1-2-5-4半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第5部分：關(guān)于電模擬信息的要求IEC62258-5(2006)4-1-2-5-5半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第6部分：關(guān)于熱模擬信息的要求IEC62258-6(2006)4-1-2-5-6半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第3部分：在操作、包裝和貯存過(guò)程中良好行為推薦IEC62258-3Ed2（2010）4-1-2-5-7半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第1部分：采購(gòu)和使用要求IEC62258-1Ed2.0(2009)4-1-2-5-8半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第4部分：芯片使用者和供應(yīng)商調(diào)查表IEC/TR62258-4Ed2.04-1-2-5-9半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第8部分：數(shù)據(jù)交換的EXPRESS格式IEC/TR62258-84-1-2-5-10半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第7部分：數(shù)據(jù)交換的XML格式IEC/TR62258-74-1-2-5-11半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品－第2部分：互換數(shù)據(jù)格式IEC62258-2Ed2.0（2011）4-1-2-5半導(dǎo)體芯片4-1-2-5-1半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)導(dǎo)則4-1-2-6IP核4-1-2-6-1用于描述、選擇和轉(zhuǎn)讓的集成電路IP核屬性格式標(biāo)準(zhǔn)SJ/Z11351-20064-1-2-6-2集成電路IP核測(cè)試數(shù)據(jù)交換格式和準(zhǔn)則規(guī)范SJ/Z11352-20064-1-2-6-3集成電路IP核轉(zhuǎn)讓規(guī)范SJ/Z11353-20064-1-2-6-4集成電路模擬/混合信號(hào)IP核規(guī)范SJ/Z11354-20064-1-2-6-5集成電路IP/SoC功能驗(yàn)證規(guī)范SJ/Z11355-20064-1-2-6-6片上總線屬性規(guī)范SJ/Z11356-20064-1-2-6-7集成電路IP軟核、硬核的結(jié)構(gòu)、性能和物理建模規(guī)范SJ/Z11357-20064-1-2-6-8集成電路IP核模型分類法SJ/Z11358-20064-1-2-6-9集成電路IP核開(kāi)發(fā)與集成的功能驗(yàn)證分類法SJ/Z11359-20064-1-2-6-10集成電路IP核信號(hào)完整性規(guī)范SJ/Z113510-20064-1-2-6-11集成電路IP核保護(hù)大綱SJ/Z113511-20064-1-2-6-12IP核交付項(xiàng)規(guī)范4-1-2-6-13IP核質(zhì)量評(píng)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)4-1-2-6-14IP核接口4-1-2-6-15IP核文檔結(jié)構(gòu)規(guī)范4-1-2-6IP核4-1-2-6-1用于描述、選擇和轉(zhuǎn)讓4-1-3混合集成電路4-1-3-1膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范GB/T8976-1996等同60748-204-1-3-2膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用鑒定批準(zhǔn)程序)(可供認(rèn)證用)GB/T11498-1989等效60748-214-1-3-3膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T13062-1991等效60748-21-14-1-3-4膜集成電路和混合集成電路分規(guī)范（采用能力批準(zhǔn)程序）GB/T16465-1996等同60748-224-1-3-5膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范（采用能力批準(zhǔn)程序）GB/T16466-1996等同60748-22-14-1-3-6半導(dǎo)體器件集成電路混合集成電路和膜結(jié)構(gòu)生產(chǎn)線認(rèn)證-總規(guī)范等同60748-23-14-1-3-7半導(dǎo)體器件集成電路混合集成電路和膜結(jié)構(gòu)生產(chǎn)線認(rèn)證-內(nèi)部目檢和特殊試驗(yàn)等同60748-23-24-1-3-8半導(dǎo)體器件集成電路混合集成電路和膜結(jié)構(gòu)生產(chǎn)線認(rèn)證-承制商目檢和檢驗(yàn)報(bào)告等同60748-23-34-1-3-9半導(dǎo)體器件集成電路混合集成電路和膜結(jié)構(gòu)生產(chǎn)線認(rèn)證-空白詳細(xì)規(guī)范等同60748-23-44-1-3-10半導(dǎo)體器件集成電路混合集成電路和膜結(jié)構(gòu)生產(chǎn)線認(rèn)證-質(zhì)量批準(zhǔn)程序等同60748-23-54-1-3混合集成電路4-1-3-1膜集成電路和混合膜集成電謝謝謝謝

國(guó)內(nèi)外集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系國(guó)內(nèi)外集成電路標(biāo)準(zhǔn)摘要標(biāo)準(zhǔn)體系概念1、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)體系2、我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)體系摘要標(biāo)準(zhǔn)體系概念標(biāo)準(zhǔn)體系是對(duì)特定標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)象按一定目標(biāo)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)的依據(jù)，是由許多現(xiàn)行的、正在制定的和將要制定的標(biāo)準(zhǔn)組合成的具有明確目的性、完整性、預(yù)見(jiàn)性及可行性、成文的概念系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)基本是圍繞它，籌劃、論證、制定、貫徹、檢查和修訂結(jié)構(gòu)合理、層次清楚、互相協(xié)調(diào)、水平先進(jìn)、適應(yīng)需求的標(biāo)準(zhǔn)體系，以確保標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)效性、配套性和權(quán)威性。標(biāo)準(zhǔn)體系是對(duì)特定標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)象按一定目標(biāo)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)的依據(jù)，是IECSC47A組織名稱：集成電路標(biāo)準(zhǔn)化（Standardizationforintegratedcircuit）工作包括：制定半導(dǎo)體和混合集成電路國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)主要包括產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)定體系的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、總規(guī)范、分規(guī)范、族規(guī)范、空白詳細(xì)規(guī)范等IECSC47A組織名稱：集成電路標(biāo)準(zhǔn)化（Standa半導(dǎo)體集成電路數(shù)字集成電路模擬集成電路接口集成電路半定制集成電路族規(guī)范、空白詳細(xì)規(guī)范混合集成電路產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境和機(jī)械試驗(yàn)方法(TC47)能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證電磁兼容試驗(yàn)方法半導(dǎo)體集成電路數(shù)字集成電路模擬集成電路接口集成電路半定制集成現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-1：1997半導(dǎo)體器件集成電路第1部分：總則IEC60748-2：1997第2部分：數(shù)字集成電路IEC60748-2-1:1991第2部分：數(shù)字集成電路第1篇：雙極數(shù)字門電路（不包括未授權(quán)的門陣列）空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-2:1992第2篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC，54/74HCT，54/74HCU，族規(guī)范IEC60748-2-3:1992第3篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC，54/74HCT，54/74HCU，空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-1：1997現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-4:1992第4篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB族詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-5:1992第5篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-6:1991第6篇：微處理器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-7:1992第7篇：熔絲型可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-8:1993第8篇：靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-9:1994第9篇：紫外光可擦除電可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-4:199現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-10:1994第10篇：動(dòng)態(tài)讀寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-3:1986第3部分：模擬集成電路IEC60748-3-1:1991第1篇：?jiǎn)纹呻娐愤\(yùn)算放大器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-4:1997第4部分：接口集成電路IEC60748-4-1:1993第1篇：DAC轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-4-2:1993第2篇：ADC轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-4-3:2006第3篇：ADC轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)IEC60748-5:1997第5部分：半定制集成電路現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-2-10:19現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-11:1990第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范，不包括混合集成電路IEC60748-11-1:1992第1篇：內(nèi)部目檢IEC60748-20:1988第20部分：膜和混合集成電路總規(guī)范IEC60748-20-1:1994第1篇：內(nèi)部目檢IEC60748-21:1997基于鑒定批準(zhǔn)的膜和混合集成電路分規(guī)范IEC60748-21-1:1997空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-22:1997基于能力批準(zhǔn)的膜和混合集成電路分規(guī)范IEC60748-22-1:1997空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-11:1990現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-23-1:2002混合集成電路生產(chǎn)線認(rèn)證總規(guī)范IEC60748-23-2:2002內(nèi)部目檢和特定試驗(yàn)IEC60748-23-3:2002制造商自我評(píng)定表和報(bào)告IEC60748-23-4:2002空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-23-5:2003鑒定批準(zhǔn)程序IEC61943:1999集成電路制造線批準(zhǔn)應(yīng)用指南IEC/TS61944:2000集成電路制造線批準(zhǔn)驗(yàn)證試樣IEC/TS61945:2000集成電路制造線批準(zhǔn)工藝和失效分析方法IEC61964：1999存儲(chǔ)器引出端配置圖現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號(hào)標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC60748-23-1:2061967-1(2002)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz-1GHz第1部分：通用條件和定義61967-1-1(2010)集成電路電磁兼容測(cè)試方法第1-1部分：通用條件和定義近場(chǎng)掃描數(shù)據(jù)交換格式61967-2(2005)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第2部分：輻射發(fā)射測(cè)量—TEM小室和寬帶TEM小室法61967-3(2005)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第3部分：輻射發(fā)射測(cè)量—表面掃描法61967-4(2006)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第4部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—1Ω/150Ω直接耦合法61967-4-1(2005)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第4-1部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—1Ω/150Ω直接耦合法的應(yīng)用指南61967-5(2003)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第5部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—工作臺(tái)法拉第籠法61967-6(2008)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kHz~1GHz第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量—磁場(chǎng)探頭法IEC61967-8（2011）集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第8部分：輻射發(fā)射測(cè)量—IC帶狀線法IEC62132-1(2006)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第1部分：通用條件和定義IEC62132-2(2010)集成電路電磁抗擾度測(cè)量第2部分：輻射抗擾度測(cè)量—TEM室和GTEM室法IEC62132-3(2007)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第3部分：大電流注入(BCI)法IEC62132-4(2006)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第4部分：射頻功率直接注入法IEC62132-5(2005)集成電路電磁抗擾度測(cè)量150kHz-1GHz第5部分：法拉第籠工作臺(tái)法IEC62132-8(2012)集成電路電磁抗擾度測(cè)量第8部分：輻射抗擾度測(cè)量—IC帶狀線法IEC/TS62215-2(2007)集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第2部分：同步瞬態(tài)注入法IEC/TS62228(2007)集成電路CAN收發(fā)器的EMC評(píng)估IEC/TS62433-1(2011)集成電路的電磁兼容性建模—第1部分：通用建模結(jié)構(gòu)IEC62433-2(2008)集成電路的電磁兼容性建?！?部分：集成電路電磁干擾特性的仿真模型—傳導(dǎo)發(fā)射模型（ICEM-CE）IEC/TR62433-2-1(2010)集成電路的電磁兼容性建模—第2-1部分：傳導(dǎo)發(fā)射的黑匣子建模理論現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)61967-1(2002)集成電路電磁發(fā)射測(cè)量150kH目前工作重點(diǎn)：生產(chǎn)線能力批準(zhǔn)和EMC測(cè)量方法。150kHz～1GHzEMC測(cè)量方法23個(gè)目前工作重點(diǎn)：生產(chǎn)線能力批準(zhǔn)和EMC測(cè)量方法。我國(guó)的集成電路標(biāo)準(zhǔn)化工作開(kāi)始于20世紀(jì)70年代末由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)體系我國(guó)的集成電路標(biāo)準(zhǔn)化工作開(kāi)始于20世紀(jì)70年代末我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)體系標(biāo)準(zhǔn)體系框圖標(biāo)準(zhǔn)體系框圖4-1-1-1術(shù)語(yǔ)4-1-1-1-1集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T9178-19884-1-1-1-2膜集成電路和混合膜集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T12842-19914-1-1-1-3半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語(yǔ)GB/T14113-19934-1-1-2型號(hào)命名4-1-1-2-1半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名方法GB/T3430-19894-1-1-2-2半導(dǎo)體集成電路文字符號(hào)引出端功能符號(hào)GB/T3431.2-19864-1-1-2-3集成電路存儲(chǔ)器引出端排列4-1-1通用基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)4-1-1-1術(shù)語(yǔ)4-1-1-1-1集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T4-1-1-3封裝外形4-1-1-3-1半導(dǎo)體集成電路外形尺寸GB/T7092-19934-1-1-3-2膜集成電路和混合集成電路外形尺寸GB/T15138-19944-1-1-3-3半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第5部分:用于集成電路載帶自動(dòng)焊(TAB)的推薦值GB/T15879-19954-1-1-3-4半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第1部分：半導(dǎo)體器件圖形繪制SJ/Z9021.1-19874-1-1-3-5半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第3部分：集成電路外形圖繪制總則SJ/Z9021.3-19874-1-1-3-6半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第4部分：半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分以及編號(hào)體系SJ/Z9021.4-19874-1-1-3-7塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范GB/T16525-19964-1-1-3-8小外形封裝引線框架規(guī)范GB/T15878-19954-1-1-3-9塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范GB/T15876-19954-1-1-3-10蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范GB/T15877-19954-1-1-3-11半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14112-19984-1-1-3封裝外形4-1-1-3-1半導(dǎo)體集成電路外形尺4-1-1-4能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證4-1-1-4-1集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)和質(zhì)量管理程序4-1-1-4-2集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)應(yīng)用指南4-1-1-4-3集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)論證工具4-1-1-4-4集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)工藝和失效分析方法4-1-1-5機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn)方法4-1-1-5-1半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：第1篇：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢GB/T19403.1-20034-1-1-5-2半導(dǎo)體器件混合電路內(nèi)部目檢4-1-1-5-3封裝引線電阻測(cè)試方法GB/T19248-20034-1-1-5-4封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測(cè)試方法GB/T16526-19964-1-1-5-5半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測(cè)試方法GB/T14862-1993-6、-7、-8。。。。HAST、溫度循環(huán)、恒定加速度、機(jī)械沖擊。。。4-1-1-4能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證4-1-1-4-1集成電路4-1-1-6電測(cè)試方法4-1-1-6-1半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法的基本原理GB/T14030-19924-1-1-6-2半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法的基本原理GB/T14028-19924-1-1-6-3半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理GB/T4377-19964-1-1-6-4半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理GB/T6798-19964-1-1-6-5半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理GB/T14031-19924-1-1-6-6半導(dǎo)體集成電路采樣/保持放大器測(cè)試方法的基本原理GB/T14115-19934-1-1-6-7半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理GB/T14114-19934-1-1-6-8半導(dǎo)體集成電路模擬乘法器測(cè)試方法的基本原理GB/T14029-19924-1-1-6-9半導(dǎo)體集成電路數(shù)字鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理GB/T14032-19924-1-1-7電磁兼容測(cè)試方法4-1-1-6電測(cè)試方法4-1-1-6-1半導(dǎo)體集成電路時(shí)基4-1-2半導(dǎo)體集成電路4-1-2-0半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范（不包括混合電路）GB/T12750-2006等同60748-114-1-2-1數(shù)字集成電路4-1-2-1-1半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路GB/T17574-19984-1-2-1-2半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第一篇雙極型單片數(shù)字集成電路門電路（不包括自由邏輯陣列）空白詳細(xì)規(guī)范GB/T5965-20004-1-2-1-3半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第二篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HCGB/T17023-19974-1-2-1-4半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第三篇：HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC,54/74HCT,54/74HCU系列空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17024-19974-1-2-1-5半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第四篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列族規(guī)范GB/T17572-19984-1-2-1-6半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第五篇：CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細(xì)規(guī)范GB/T9424-19984-1-2-1-7半導(dǎo)體集成電路微處理器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T7509-19874-1-2-1-8半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范（可供認(rèn)證用）GB/T14119-19934-1-2-1-9半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T6648-19864-1-2半導(dǎo)體集成電路4-1-2-0半導(dǎo)體器件集成電路第14-1-2-1數(shù)字集成電路4-1-2-1-10半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分：數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17574.9-20064-1-2-1-11半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動(dòng)態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17574.10-20004-1-2-1-12半導(dǎo)體器件集成電路第2-11部分：數(shù)字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17574.11-20064-1-2-1-13半導(dǎo)體器件集成電路第2-12部分：數(shù)字集成電路可編程邏輯器件（PLD）空白詳細(xì)規(guī)范4-1-2-1-14半導(dǎo)體器件集成電路第2-20部分：數(shù)字集成電路低壓集成電路族規(guī)范GB/T17574.20-20064-1-2-1-15半導(dǎo)體集成電路TTL電路系列和品種PAL系列的品種GB/T14129-19934-1-2-1-16邏輯數(shù)字集成電路用于集成電路的I/O接口模塊規(guī)范4-1-2-1數(shù)字集成電路4-1-2-1-10半導(dǎo)體器件集4-1-2-2模擬集成電路4-1-2-2-1半導(dǎo)體器件集成電路第3部分：模擬集成電路GB/T17940-2000等同60748-34-1-2-2-2半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T9425-1988等效60748-3-14-1-2-2-3半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器系列和品種GB/T3436-19964-1-2-2-4半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器系列和品種GB/T4376-19944-1-2-2模擬集成電路4-1-2-2-1半導(dǎo)體器件集成4-1-2-3接口集成電路4-1-2-3-1半導(dǎo)體器件接口集成電路等同60748-44-1-2-3-2半導(dǎo)體器件集成電路第4部分：接口集成電路第一篇：線性數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器（DAC)空白詳細(xì)規(guī)范GB/T18500.1-2001等同60748-4-14-1-2-3-3半導(dǎo)體器件集成電路第4部分：接口集成電路第二篇：線性模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC)空白詳細(xì)規(guī)范GB/T18500.2-2001等同60748-4-24-1-2-3-4半導(dǎo)體器件接口集成電路線路模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)判據(jù)等同60748-4-34-1-2-4定制集成電路4-1-2-4-1半導(dǎo)體器件集成電路半定制電路GB/T20515-2006等同60748-54-1-2-3接口集成電路4-1-2-3-1半導(dǎo)體器件接4-1-2-5半導(dǎo)體芯