硅片檢測設備課件

太陽電池用硅片外觀檢測裝置ＴＤ２００2010年11月株式會社安永CE事業(yè)部営業(yè)部門太陽電池用硅片2010年11月特征太陽能電池用硅片外觀檢測綜合提案硅片表面缺陷檢查（硅片上面/下面）硅片尺寸?形狀測定不可視內部裂痕檢查（0°/90°2階段檢查）硅片4邊edge詳細缺陷檢查硅片edge側面厚度測定３Ｄ檢測（厚度,TTV,線痕

,段差,棱線,翹曲）高速檢查

1.0sec/wafer對應單晶以及多晶硅片

對應金剛線加工硅片特征太陽能電池用硅片外觀檢測綜合提案檢查系統(tǒng)構成圖Edge檢查

–左Edge檢查-

右不可視裂痕檢查（NVCD）0°上表面檢查Edge檢查

–

后Edge檢查–前不可視裂痕檢查（NVCD）

90°下表面檢查硅片90°轉向3D激光檢查To傳送分選部檢查系統(tǒng)構成圖Edge檢查–左Edge檢查-右不可視裂動作錄像動作錄像基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對應金剛線加工硅片）硅片尺寸□125mm／□156mm硅片角部形狀無去角／R面／C面（～Max22.8mm）硅片厚度*140um～處理能力3,600片/hour(1.0sec/片)上料部標準式樣：對應硅片清洗籮筐（上料部數(shù)：2處）

*可對應摞片式、以及客戶專用式樣。下料/分選部標準式樣：摞片分裝（t200um硅片時，130片/段）良品可分裝段數(shù)：8（4段×2處）

不良品分裝數(shù)：7（1段×7處）

*良品最多可分16段,不良品最多可分10段裝置大小4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm裝置重量約1,500kg電源AC3相200V

50/60Hz

20A（4KVA）空氣0.39MPa

50L/min以上

基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對應金剛線加工硅片）硅片尺寸檢查項目一覽檢查項目檢查精度／可測大小檢查位置檢測裝置式樣

外形大?。ㄈL／全寬）100um以內（3σ）上下表面檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:約170mm檢查分辨率：約85um/pix

直徑大小200um以內（3σ）

去邊長度300um以內（3σ）

角度0.1°以內（3σ）

表面裂痕／缺口□200um以上

表面污垢□1mm以上

針孔(氣孔)□100um以上不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）4000pix線掃描攝像頭視野:約184mm檢查分辨率

:約46um/pix

內部裂痕100um×1mm以上

異物□100um以上

崩邊30um×1mm以上Edge檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:30mm檢查分辨率(畫素)

:約15um/pix

edge側面缺口□100um以上

edge側面厚度10um以內（3σ）

硅片厚度（Max,Min,Ave）2um以內（3σ）3D激光檢查部激光變位器6set（上3/下3）測定位置:±0.25mm光徑:約50um分解能:0.2um走查線位:上下3線

TTV（9點／5點）3um以內（3σ）

線痕/段差／棱線5um以內（3σ）

翹曲

檢查項目一覽檢查項目檢查精度／可測大小檢查位置檢測裝置式樣上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部

上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部表面缺陷檢查污濁,傷痕,指紋等

硅片尺寸測定全長/全寬,直徑,去角,角度上面/下面表面檢查部

表面缺陷檢查硅片尺寸測定上面/下面表面檢查部檢測例１）污濁不良（單晶）檢測在約W0.4mm范圍內存在的微小污濁上面/下面表面檢查部

檢測例１）污濁不良（單晶）檢測在約W0.4mm范圍內存在的微檢測例２）污濁不良（多晶）檢測出約１.2×0.6mm的污濁，五其他部位的過度檢測上面/下面表面檢查部

檢測例２）污濁不良（多晶）檢測出約１.2×0.6mm的污濁，不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測出來Crack-AmplifierTechnology*

*PatentPending他社方式安永TD200不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測出來Cr檢測例）細微的內部裂痕TD200可以在硅片

0°以及

90°放置時檢測可對由于方向不同而造成的檢測困難的裂痕做出精確的檢測

硅片0°檢查時的畫像

硅片90°檢查時的畫像不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）檢測例）細微的內部裂痕硅片0°硅片90°不可視裂痕NEdge檢查部Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部硅片側面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。TD200擁有對硅片4邊edge部位進行集中檢查的機能。Edge檢查部＜edge檢查范圍＞

edge部表/里面?崩邊、缺口檢查

edge部側面

?崩邊、缺口檢查

?edge側面厚度測定檢查分辨率15um/pix

Edge側面11.5mm硅片側面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。Edge檢查部檢查例１）檢查edge部缺口缺口大?。膃dge開始0.6mm長度2.9mm側面畫像中也可確認到缺口。Edge檢查部edge表面Edge里面?zhèn)让鏅z查例１）檢查edge部缺口缺口大小）Edge檢查部edge側面畫像也可確認到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部缺口側面畫像也可確認到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部可以從edge側面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge檢查部檢查例３）檢查edge側面細微缺口可以從edge側面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edg可在edge檢查中獲取的側面畫像中測定edge部的厚度（去角部除外）Edge側面畫像Edge檢查部檢查例４）測定edge側面厚度可在edge檢查中獲取的側面畫像中測定edge部的厚度Edg激光變位器6set（上3/下3）

3D激光檢查部激光變位器6set（上3/下3）3D激光檢查部厚度（Max,Min,Ave）TTV線痕段差棱線翹曲3D激光檢查部厚度（Max,Min,Ave）3D激光檢查部檢查例１）厚度小不良上面測定結果下面測定結果厚度演算結果下限規(guī)格在150μm以下的作不良判定3D激光檢查部檢查例１）厚度小不良上面測定結果厚度演算結果3D激光檢查部段層不良線痕不良檢查例２）段層、線痕不良3D激光檢查部段層不良線痕不良檢查例２）段層、線痕不良3D激光檢查部＜標準式樣＞對應硅片清洗籮筐

（2套/自動交換）*可對應摞片式、以及客戶專用式樣上料部（硅片供給部）＜標準式樣＞上料部（硅片供給部）卸料分選部＜標準式樣＞良品分裝段數(shù):8（4段×2處）不良品分裝段數(shù):7（1段×7處）130片/段（t200um厚硅片）*良品最多可分16段,不良品最多可分10段

全9ポート／4or2or1段機構Wafer卸料分選部＜標準式樣＞全9ポート／4or2or1段機構WafThankyouforyourparticipationsBestwishestoallofyouThankyouforyourparticipati太陽電池用硅片外觀檢測裝置ＴＤ２００2010年11月株式會社安永CE事業(yè)部営業(yè)部門太陽電池用硅片2010年11月特征太陽能電池用硅片外觀檢測綜合提案硅片表面缺陷檢查（硅片上面/下面）硅片尺寸?形狀測定不可視內部裂痕檢查（0°/90°2階段檢查）硅片4邊edge詳細缺陷檢查硅片edge側面厚度測定３Ｄ檢測（厚度,TTV,線痕

,段差,棱線,翹曲）高速檢查

1.0sec/wafer對應單晶以及多晶硅片

對應金剛線加工硅片特征太陽能電池用硅片外觀檢測綜合提案檢查系統(tǒng)構成圖Edge檢查

–左Edge檢查-

右不可視裂痕檢查（NVCD）0°上表面檢查Edge檢查

–

后Edge檢查–前不可視裂痕檢查（NVCD）

90°下表面檢查硅片90°轉向3D激光檢查To傳送分選部檢查系統(tǒng)構成圖Edge檢查–左Edge檢查-右不可視裂動作錄像動作錄像基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對應金剛線加工硅片）硅片尺寸□125mm／□156mm硅片角部形狀無去角／R面／C面（～Max22.8mm）硅片厚度*140um～處理能力3,600片/hour(1.0sec/片)上料部標準式樣：對應硅片清洗籮筐（上料部數(shù)：2處）

*可對應摞片式、以及客戶專用式樣。下料/分選部標準式樣：摞片分裝（t200um硅片時，130片/段）良品可分裝段數(shù)：8（4段×2處）

不良品分裝數(shù)：7（1段×7處）

*良品最多可分16段,不良品最多可分10段裝置大小4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm裝置重量約1,500kg電源AC3相200V

50/60Hz

20A（4KVA）空氣0.39MPa

50L/min以上

基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對應金剛線加工硅片）硅片尺寸檢查項目一覽檢查項目檢查精度／可測大小檢查位置檢測裝置式樣

外形大?。ㄈL／全寬）100um以內（3σ）上下表面檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:約170mm檢查分辨率：約85um/pix

直徑大小200um以內（3σ）

去邊長度300um以內（3σ）

角度0.1°以內（3σ）

表面裂痕／缺口□200um以上

表面污垢□1mm以上

針孔(氣孔)□100um以上不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）4000pix線掃描攝像頭視野:約184mm檢查分辨率

:約46um/pix

內部裂痕100um×1mm以上

異物□100um以上

崩邊30um×1mm以上Edge檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:30mm檢查分辨率(畫素)

:約15um/pix

edge側面缺口□100um以上

edge側面厚度10um以內（3σ）

硅片厚度（Max,Min,Ave）2um以內（3σ）3D激光檢查部激光變位器6set（上3/下3）測定位置:±0.25mm光徑:約50um分解能:0.2um走查線位:上下3線

TTV（9點／5點）3um以內（3σ）

線痕/段差／棱線5um以內（3σ）

翹曲

檢查項目一覽檢查項目檢查精度／可測大小檢查位置檢測裝置式樣上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部

上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部表面缺陷檢查污濁,傷痕,指紋等

硅片尺寸測定全長/全寬,直徑,去角,角度上面/下面表面檢查部

表面缺陷檢查硅片尺寸測定上面/下面表面檢查部檢測例１）污濁不良（單晶）檢測在約W0.4mm范圍內存在的微小污濁上面/下面表面檢查部

檢測例１）污濁不良（單晶）檢測在約W0.4mm范圍內存在的微檢測例２）污濁不良（多晶）檢測出約１.2×0.6mm的污濁，五其他部位的過度檢測上面/下面表面檢查部

檢測例２）污濁不良（多晶）檢測出約１.2×0.6mm的污濁，不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測出來Crack-AmplifierTechnology*

*PatentPending他社方式安永TD200不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測出來Cr檢測例）細微的內部裂痕TD200可以在硅片

0°以及

90°放置時檢測可對由于方向不同而造成的檢測困難的裂痕做出精確的檢測

硅片0°檢查時的畫像

硅片90°檢查時的畫像不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）檢測例）細微的內部裂痕硅片0°硅片90°不可視裂痕NEdge檢查部Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部硅片側面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。TD200擁有對硅片4邊edge部位進行集中檢查的機能。Edge檢查部＜edge檢查范圍＞

edge部表/里面?崩邊、缺口檢查

edge部側面

?崩邊、缺口檢查

?edge側面厚度測定檢查分辨率15um/pix

Edge側面11.5mm硅片側面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。Edge檢查部檢查例１）檢查edge部缺口缺口大?。膃dge開始0.6mm長度2.9mm側面畫像中也可確認到缺口。Edge檢查部edge表面Edge里面?zhèn)让鏅z查例１）檢查edge部缺口缺口大小）Edge檢查部edge側面畫像也可確認到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部缺口側面畫像也可確認到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部可以從edge側面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge檢查部檢查例３）檢查edge側面細微缺口可以從edge側面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edg可在edge檢