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大學(xué)物理下綜合測(cè)試題1.圖中六根無(wú)限長(zhǎng)導(dǎo)線互相絕緣,通過(guò)電流均為I,區(qū)域I、II、III、IV均為相等的正方形,那一個(gè)區(qū)域指向紙內(nèi)的磁通量最大?
I區(qū)域;(B)II區(qū)域;(C)III區(qū)域;(D)IV區(qū)域;(E)最大不止一個(gè)載流直導(dǎo)線
0.01MeV;(B)0.1MeV;(C)1MeV;(D)10MeV;(E)100MeV.2.一張氣泡室照片表明,質(zhì)子的運(yùn)動(dòng)軌跡是一半徑為10cm的圓弧,運(yùn)動(dòng)軌跡平面與磁場(chǎng)垂直,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為0.3Wb/m2。該質(zhì)子動(dòng)能的數(shù)量級(jí)3.如圖,長(zhǎng)載流導(dǎo)線ab和cd相互垂直,它們相距l(xiāng),ab固定不動(dòng),cd能繞中點(diǎn)O轉(zhuǎn)動(dòng),并能靠近或離開(kāi)ab,當(dāng)電流方向如圖所示時(shí),導(dǎo)線cd將
順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)同時(shí)離開(kāi)ab;
順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)同時(shí)靠近ab
;(C)逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)同時(shí)離開(kāi)ab
;(D)逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)同時(shí)靠近ab.4.順磁物質(zhì)的磁導(dǎo)率:
比真空的磁導(dǎo)率略小;
比真空的磁導(dǎo)率略大;(C)遠(yuǎn)小于真空的磁導(dǎo)率;(D)遠(yuǎn)大于真空的磁導(dǎo)率.
只適用于無(wú)限長(zhǎng)密繞螺線管;
只適用于單匝圓線圈;(C)只適用于一個(gè)匝數(shù)很多且密繞的螺線管;(D)適用于自感系數(shù)L一定的任意線圈.5.用線圈自感系數(shù)L表示載流線圈磁場(chǎng)能量的公式6.如圖所示,M、N為水平面內(nèi)兩根平行金屬導(dǎo)軌,ab與cd為垂直于導(dǎo)軌并可以在其上自由滑動(dòng)的兩根直裸導(dǎo)線。外磁場(chǎng)垂直水平面向上,當(dāng)外力使ab向右平移時(shí),cd
不動(dòng);
轉(zhuǎn)動(dòng);(C)向左移動(dòng);(D)向右移動(dòng)
。阻礙磁通量的變化,即阻礙面積的變化7.兩個(gè)同心圓線圈,大圓半徑為R,通有電流I1;小圓半徑為r,通有電流I2,方向如圖。若r<<R(大線圈在小線圈處產(chǎn)生的磁場(chǎng)近似為均勻磁場(chǎng)),當(dāng)它們處在同一平面內(nèi)時(shí)小線圈所受磁力矩的大小為:
;
;(C);(D)。8.如圖兩個(gè)半徑為R的相同的金屬環(huán)在a、b兩點(diǎn)接觸(ab連線為環(huán)直徑),并相互垂直放置。電流I沿ab連線方向由a端流入,b端流出,則環(huán)中心O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為
;
;(C);(D);(E)。四段導(dǎo)線并聯(lián)9.一沿x軸負(fù)方向傳播的平面簡(jiǎn)諧波在t=2s時(shí)的波形曲線如圖所示,則原點(diǎn)o的振動(dòng)方程為
;
;(C);(D)。湊出結(jié)果解:設(shè)P的振動(dòng)方程為:已知:由于10.當(dāng)機(jī)械波在媒質(zhì)中傳播時(shí),一媒質(zhì)質(zhì)元的最大形變量發(fā)生在:
媒質(zhì)質(zhì)元離開(kāi)其平衡位置最大位移處;
媒質(zhì)質(zhì)元離開(kāi)其平衡位置處;(C)媒質(zhì)質(zhì)元在其平衡位置處;(D)媒質(zhì)質(zhì)元離開(kāi)其平衡位置處
(A是振動(dòng)振幅).16.當(dāng)一平面簡(jiǎn)諧機(jī)械波在彈性媒質(zhì)中傳播時(shí),下述結(jié)論哪個(gè)是正確的?
媒質(zhì)質(zhì)元的振動(dòng)動(dòng)能增大時(shí),其彈性勢(shì)能減小,總機(jī)械能守恒;(B)媒質(zhì)質(zhì)元的振動(dòng)動(dòng)能和彈性勢(shì)能都作周期性變化,但二者的相位不相同;(C)媒質(zhì)質(zhì)元的振動(dòng)動(dòng)能和彈性勢(shì)能的相位在任意時(shí)刻都相同,但二者的數(shù)值不相等;(D)媒質(zhì)質(zhì)元在其平衡位置處彈性勢(shì)能最大。11.一質(zhì)點(diǎn)作簡(jiǎn)諧振動(dòng),其運(yùn)動(dòng)速度與時(shí)間的曲線如圖所示。若質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)規(guī)律用余弦函數(shù)描述,其初相應(yīng)為
;(B);(C);(D);(E)。12.如圖所示,兩列波長(zhǎng)為的相干波在P點(diǎn)相遇。波在S1點(diǎn)振動(dòng)的初相是,S1到P點(diǎn)的距離是r1;波在S2點(diǎn)的初相是,S2到P點(diǎn)的距離是r2。以k代表零或正、負(fù)整數(shù),則P點(diǎn)是干涉極大的條件為:
;
;
;
。
仍為明條紋;(B)變?yōu)榘禇l紋;(C)既非明條紋也非暗條紋;(D)無(wú)法確定是明條紋還是暗條紋。13.在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,入射光的波長(zhǎng)為,用玻璃紙遮住雙縫中的一個(gè),若玻璃紙中光程比相同厚度的空氣的光程大2.5,則屏上原來(lái)的明紋處加強(qiáng)
減弱14.如圖所示,平板玻璃和凸透鏡構(gòu)成牛頓環(huán)裝置,全部浸入n=1.60的液體中,凸透鏡可沿oo’移動(dòng)。用波長(zhǎng)的單色光垂直入射。從上向下觀察,看到中心是一個(gè)暗斑,此時(shí)凸透鏡頂點(diǎn)距平板玻璃的距離至少是
156.3nm;(B)148.8nm;(C)78.1nm;(D)74.4nm。反射光干涉:光程差
2m;(B)1m;(C)0.5m;(D)0.2m。15.波長(zhǎng)的單色光垂直照射到寬度a=0.25mm的單縫上,單縫后面放置一凸透鏡,在凸透鏡的焦上放置一屏幕,用以觀測(cè)衍射條紋。今測(cè)得屏幕上中央明條紋一側(cè)第三個(gè)暗條紋和另一側(cè)第三個(gè)暗條紋之間的距離為d=12mm,則凸透鏡的焦距f為:干涉相消(暗紋)17.在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,設(shè)縫是水平的,雙縫所在的平板稍微向上平移,其它條件不變,則屏上的干涉條紋
向下移動(dòng),且間距不變;(B)向上移動(dòng),且間距不變;(C)不移動(dòng),但間距改變;(D)向上移動(dòng),且間距改變。19.一束自然光自空氣射向一塊平板玻璃,設(shè)入射角等于布儒斯特角i0,則在界面2的反射光
是自然光;(B)是線偏振光且光矢量的振動(dòng)方向垂直于入射面;(C)是線偏振光且光矢量的振動(dòng)方向平行于入射面;(D)是部分偏振光。布儒斯特角18.用x射線照射物質(zhì)時(shí),可以觀察到康普頓效應(yīng),即在偏離入射光的各個(gè)方向上觀察到散射光,這種散射光中
只包含有與入射光波長(zhǎng)相同的成分;(B)既有與入射光波長(zhǎng)相同的成分,也有波長(zhǎng)變長(zhǎng)的成分,波長(zhǎng)的變化只與散射方向有關(guān),與散射物質(zhì)無(wú)關(guān);(C)既有與入射光波長(zhǎng)相同的成分,也有波長(zhǎng)變長(zhǎng)的成分和波長(zhǎng)變短的成分,波長(zhǎng)的變化既與散射方向有關(guān),也與散射物質(zhì)有關(guān)
;(D)只包含這波長(zhǎng)變長(zhǎng)的成分,其波長(zhǎng)的變化只與散射物質(zhì)有關(guān)與散射方向無(wú)關(guān)。
0.20;(B)0.25;(C)0.30;(D)0.35。20.光子能量為0.5MeV的x射線,入射到某種物質(zhì)上而發(fā)生康普頓散射,若反沖電子的能量為0.1MeV,則散射光波長(zhǎng)的改變量與入射光波長(zhǎng)的比值為21.直接證實(shí)了電子自旋存在的最早實(shí)驗(yàn)之一是
康普頓實(shí)驗(yàn);(B)盧瑟福實(shí)驗(yàn);(C)戴維孫—革末實(shí)驗(yàn);(D)斯特恩—蓋拉赫實(shí)驗(yàn)。22.按玻爾的氫原子理論,電子在以質(zhì)子為中心、半徑為r的圓形軌道上運(yùn)動(dòng)。如果把這樣一個(gè)原子放在均勻的外磁場(chǎng)中,使電子軌道平面與磁場(chǎng)垂直,如圖所示,則在r不變情況下,電子軌道運(yùn)動(dòng)的角速度將
增加;(B)減小;(C)不變;(D)改變方向。在均勻磁場(chǎng)中,取一半徑為R的圓,圓面的法線與成60°角。如圖所示,則通過(guò)以該圓周為邊線的如圖所示的任意曲面S的磁通量高斯定理2.真空中有一載有穩(wěn)恒電流I的細(xì)線圈,則通過(guò)包圍該線圈的封閉曲面S的磁通量。若通過(guò)S面上某面元的元磁通為,而線圈中的電流增加為2I時(shí),通過(guò)同一面元的元磁通為,則。3.邊長(zhǎng)為2a的等邊三角形線圈,通有電流I,則線圈中心處的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為。4.有一同軸電纜,其尺寸如圖所示,它的內(nèi)外兩導(dǎo)體中的電流均為I,且在橫截面上均勻分布,但二者電流的流向正相反,則(1)在r<R1處磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為(2)在r>R3處磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為r<R1應(yīng)用安培環(huán)路定理R>R35.在真空中,電流I由長(zhǎng)直導(dǎo)線1沿垂直bc邊方向經(jīng)a點(diǎn)流入一由電阻均勻的導(dǎo)線構(gòu)成的正三角形邊框,再由b點(diǎn)沿平行ac邊方向流出,經(jīng)長(zhǎng)直導(dǎo)線2返回點(diǎn)源(如圖)。三角形框每邊長(zhǎng)為l,則在該正三角形框中心o點(diǎn)處磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小長(zhǎng)直導(dǎo)線1和正三角形框在中心o點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度6.平行板電容器的電容C為20.0,兩板上的電壓變化率為,則該平行板電容器中的位移電流為。3A12.平行板電容器極板上的電壓變化率為,在電容器內(nèi)產(chǎn)生1.0A的位移電流,則該電容器的電容量為。17.沿弦線傳播的一入射波在x=L處(B點(diǎn))發(fā)生反射,反射點(diǎn)為固定端(如圖),設(shè)波在傳播和反射過(guò)程中振幅不變,且反射波的表達(dá)式為
的表達(dá)式。,則入射波解:反射波在B點(diǎn)的振動(dòng)方程為:入射波在B點(diǎn)的振動(dòng)方程為:入射波的表達(dá)式為:8.如圖,半圓形線圈(半徑為R)通有電流I。線圈處在與線圈平面平行向右的均勻磁場(chǎng)中。線圈所受磁力矩的大小為,方向?yàn)?。把線圈繞oo’軸轉(zhuǎn)過(guò)角度時(shí),磁力矩恰為零。向上9.圈中通過(guò)的電流I隨時(shí)間t變化的曲線如圖所示。試定性畫出自感電動(dòng)勢(shì)隨時(shí)間變化的曲線(以I的正向作為的正向)。10.一電子以速度作直線運(yùn)動(dòng),在電子產(chǎn)生的磁場(chǎng)中與電子相距為處磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值11.(1)一列波長(zhǎng)為的平面簡(jiǎn)諧波沿x軸正方向傳播,已知在x=處振動(dòng)方程為,則該平面簡(jiǎn)諧波的表達(dá)式為,(2)如果在上述波的波線上處放置一如圖所示的反射面,且假設(shè)反射波的振幅為A’,則反射波的表達(dá)式為。反射面波疏介質(zhì)波密介質(zhì)設(shè)波動(dòng)方程為:15.設(shè)入射波表達(dá)式為,波在x=0處發(fā)生反射,反射點(diǎn)為固定端,則形成的駐波表達(dá)式為。解:入射波在x=0處的振動(dòng)方程:因半波損失,反射波在x=0處的振動(dòng)方程:則駐波方程為:x入射波反射波0反射波方程:13.一物體同時(shí)參與同一直線上的兩個(gè)簡(jiǎn)諧振動(dòng):合成振動(dòng)的振幅為m。0.0214.一簡(jiǎn)諧波沿ox軸正方向傳播,圖中所示為該波t時(shí)刻的波形圖。欲沿ox軸形成駐波,且使坐標(biāo)原點(diǎn)o處出現(xiàn)波節(jié),試在另一圖上畫出需要疊加的另一簡(jiǎn)諧波t時(shí)刻的波形圖。駐波形成條件:兩列振幅相同的相干波相向傳播17.圖示一簡(jiǎn)諧波在t=0時(shí)刻與t=T/4時(shí)刻(T為周期)的波形圖,則x1處質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)方程為。設(shè)波動(dòng)方程為:16.一束自然光自空氣入射到折射率為1.40的液體表面上,若反射光是線偏振光,則折射光的折射角。布儒斯特定律18.如圖所示,S1和S2為同相位的兩相干波源,相距L,P點(diǎn)距S1為r;波源S1在P點(diǎn)引起的振動(dòng)振幅為A1,波源S2在P點(diǎn)引起的振動(dòng)振幅為A2,兩波波長(zhǎng)都是,則P點(diǎn)的振幅A=。20.已知在邁克爾遜干涉儀中使用波長(zhǎng)為的單色光,在干涉儀的可動(dòng)反射鏡移動(dòng)距離d的過(guò)程中,干涉條紋將移動(dòng)條。19.如圖在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,若把一厚度為e、折射率為n的薄云母片覆蓋在S1縫上,中央明條紋將向移動(dòng);覆蓋云母片后,兩束相干光至原中央明紋O處的光程差為。上(n-1)e找光程差等于零的點(diǎn)光軸方解石eo21.一束線偏振的平行光,在真空中波長(zhǎng)為589nm,垂直入射到方解石晶體上,晶體的
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