GB/T 11072-2009銻化銦多晶、單晶及切割片

犐犆犛２９．０４５

犎８３

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１１０７２—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９

銻化銦多晶、單晶及切割片

犐狀犱犻狌犿犪狀狋犻犿狅狀犻犱犲狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾，狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１１０７２—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９《銻化銦多晶、單晶及切割片》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９相比，主要有如下變化：

———將原標準中直徑１０ｍｍ～５０ｍｍ全部改為１０ｍｍ～２００ｍｍ；

———在原標準的基礎上增加了直徑＞５０ｍｍ，厚度不小于１２００μｍ，厚度偏差±４０μｍ；

———將原標準中位錯密度級別１、２、３中直徑≥３０ｍｍ～５０ｍｍ全部改為≥３０ｍｍ～２００ｍｍ；

———在原標準的基礎上增加了直徑為１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ的切割片直徑、參考面長度及其

偏差；

———將原標準中的附錄Ａ去掉，增加引用標準ＧＢ／Ｔ１１２９７；

———增加了“訂貨單（或合同）內(nèi)容”一章內(nèi)容。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：王炎、何蘭英、張梅。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９。

Ⅰ

書

犌犅／犜１１０７２—２００９

銻化銦多晶、單晶及切割片

１范圍

１．１本標準規(guī)定了銻化銦多晶、單晶及單晶切割片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求和試驗方法等。

１．２本標準適用于區(qū)熔法制備的銻化銦多晶及直拉法制備的供制作紅外探測器和磁敏元件等用的銻

化銦多晶、單晶及切割片。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半導體晶體霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

ＧＢ／Ｔ８７５９化合物半導體單晶晶向Ｘ衍射測量方法

ＧＢ／Ｔ１１２９７銻化銦單晶位錯蝕坑的腐蝕顯示及測量方法

３產(chǎn)品分類

３．１導電類型、規(guī)格

３．１．１多晶

多晶的導電類型為ｎ型，按載流子遷移率分為三級。

３．１．２單晶

銻化銦單晶按導電類型分為ｎ型和ｐ型，以摻雜劑、載流子濃度和遷移率分類，按直徑與位錯密度

分為三級。

３．１．３切割片

按３．１．２分類與分級，其厚度不小于５００μｍ。

３．２牌號

３．２．１銻化銦多晶與單晶的牌號表示為：

ＩｎＳｂ——

３

２