標準解讀
《GB/T 13389-2014 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程》相比于《GB/T 13389-1992 摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程》,主要在以下幾個方面進行了更新和擴展:
-
適用范圍擴大:2014版標準不僅涵蓋了摻硼和摻磷的硅單晶,還新增了對摻砷硅單晶的電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)定,適應了更廣泛的半導體材料應用需求。
-
技術內容更新:鑒于半導體材料和技術的快速發(fā)展,2014版標準引入了新的測量技術和計算方法,以更準確地反映當前技術水平下?lián)诫s劑濃度與電阻率之間的關系,提高了換算的精確度和可靠性。
-
測試方法優(yōu)化:標準中對測試條件、樣品制備、測量儀器和步驟等給出了更為詳細和嚴格的規(guī)定,確保不同實驗室間測試結果的一致性和可比性增強。
-
數(shù)據(jù)表更新:根據(jù)新材料特性和實驗數(shù)據(jù),更新了用于換算的參考數(shù)據(jù)表和圖表,為實際操作提供了更精確的參考依據(jù)。
-
術語和定義明確:對涉及的關鍵術語和定義進行了修訂和補充,使得標準的表述更加清晰準確,便于讀者理解和執(zhí)行。
-
規(guī)范性引用文件更新:引用了最新的國家標準和國際標準,確保了標準的先進性和與國際接軌的程度。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權發(fā)布的權威標準文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2014-12-31 頒布
- 2015-09-01 實施
文檔簡介
ICS29045
H80.
中華人民共和國國家標準
GB/T13389—2014
代替
GB/T13389—1992
摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與
摻雜劑濃度換算規(guī)程
Practiceforconversionbetweenresistivitanddoantdensitforboron-doed
ypyp,
hoshorus-doedandarsenic-doedsilicon
ppp,p
2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T13389—2014
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程參照
GB/T13389—1992《》,SEMI
摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程對進行修訂
MF723-0307《》GB/T13389—1992。
本標準與相比主要有以下變化
GB/T13389—1992,:
增加了公式即砷的摻雜劑濃度換算電阻率摻硼硅單晶電阻率換算空穴濃度和
———(5)、(6)、(7),、
摻磷硅單晶電阻率換算電子濃度的公式以及相應的適用范圍
;
由于所有公式都是經(jīng)驗公式或是試驗結果因此本標準中給出了公式的試驗依據(jù)以便于使用
———,
者更好地了解和使用這些換算規(guī)程
;
增加干擾因素見第章
———(6);
增加了附錄和參考文獻
———。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任
。。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會和全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術委員會材料分會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司四川新光硅業(yè)科技有限責任公司中國計量科學
:、、
研究院浙江省硅材料質量檢驗中心杭州海納半導體有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司西安隆
、、、、
基硅材料股份有限公司
。
本標準主要起草人孫燕梁洪高英樓春蘭張靜王飛堯曹孜何良恩張海英張群社
:、、、、、、、、、。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T13389—1992。
Ⅰ
GB/T13389—2014
摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與
摻雜劑濃度換算規(guī)程
1范圍
本標準規(guī)定了摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度之間的換算關系該換算關系也適用于
、、,
摻銻硅單晶還可擴展至硅中激活能與硼磷相似的其他摻雜劑
,、。
本標準適用于摻硼濃度14-320-3摻磷濃度13-320-3摻砷濃
10cm~1×10cm,3×10cm~1×10cm,
度19-320-3對摻硼摻磷的硅單晶摻雜劑濃度可擴展到12-3
10cm~6×10cm。、10cm。
本標準也可用于在下從硅單晶電阻率到載流子濃度的換算但不包括對砷摻雜劑的載流子濃
23℃,
度換算或任何其他載流子濃度的換算
,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注明日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導體材料導電類型測試方法
GB/T1550
硅單晶電阻率測定方法
GB/T1551
非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T4326
半導體材料術語
GB/T14264
3術語和定義
界定的以及下列術語和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
自相容性誤差theself-consistencyerrors
電阻率與摻雜劑濃度之間的換算公式或表格是以其中一個為變量擬合實驗數(shù)據(jù)推導出另一個變
,,
量當使用不同的變量時會產(chǎn)生兩個互為補充的公式例如公式和公式和由于這些公
,,(1)(2),(3)(4)。
式在數(shù)學上并不完全等價因此在使用由此推導出來的公式或表格時將產(chǎn)生微小的差異該差異稱為自
,,
相容性誤差
。
4方法提要
電阻率與摻雜劑濃度之間的相互換算是基于摻硼摻磷硅單晶中兩者間的綜合經(jīng)驗數(shù)據(jù)得到的并
、,
將其擴展到硅中具有相似激活能的其他摻雜劑根據(jù)相同的方法也給出了電阻率與載流子濃度的換算
,
關系本標準中將該換算關系表示為公式曲線以及表格的形式應用時請?zhí)貏e注意不同公式的適用范
。、
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