2023年華為硬件機(jī)試題庫

華為硬件機(jī)試題目（2023版本）1.(判斷題)DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤3.(判斷題)以太網(wǎng)互換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口，提高了網(wǎng)絡(luò)性能。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤4.(判斷題)放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤5.(判斷題)1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001,-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤6.(判斷題)洗衣機(jī)，電冰箱等家用電器都使用三孔插座，是由于假如不接地，家用電器是不能工作的。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤7.(判斷題)十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為：0x00。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤8.(判斷題)硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤9.(單選題)一空氣平行板電容器，兩級間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)?4分)

A.U/3

B.2U/3

C.3U/4

D.不變10.(單選題)8086CPU內(nèi)部涉及哪些單元(4分)

A.ALU,EU

B.ALU,BIU

C.EU,BIU

D.ALU,EU,BIU11.(單選題)為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器，應(yīng)當(dāng)用那種濾波器：(4分)

A.帶阻濾波器

B.帶通濾波器

C.低通濾波器

D.高通濾波器12.(單選題)關(guān)于SRAM和DRAM，下面說話對的的是：(4分)

A.SRAM需要定期刷新，否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失

B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息

C.SRAM的集成度高于DRAM

D.只要不掉點(diǎn)，DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失13.(單選題)在RS232串口中，采用哪一種校驗(yàn)方式：(4分)

A.CRC校驗(yàn)

B.海明碼校驗(yàn)

C.多種校驗(yàn)方式的組合

D.奇偶校驗(yàn)14.(單選題)對于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為:(4分)

A.保持時(shí)間

B.恢復(fù)時(shí)間

C.穩(wěn)定期間

D.建立時(shí)間15.(單選題)本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體(4分)

A.五價(jià)

B.四價(jià)

C.三價(jià)

D.二價(jià)16.(單選題)模擬信號數(shù)字化的過程是(4分)

A.采樣->量化->編碼

B.采樣->編碼->量化

C.編碼->采樣->量化

D.量化->編碼->采樣17.(單選題)在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是(4分)

A.采用多項(xiàng)并聯(lián)的模式

B.開關(guān)管內(nèi)置，提高電源的開關(guān)頻率

C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容

D.增大輸出濾波電感量18.(單選題)圖示電路中a、b端的等效電阻Rab在開關(guān)K打開與閉合時(shí)分別為：

(4分)

A.10Ω，8Ω

B.8Ω，10Ω

C.10Ω，10Ω

D.10Ω，16Ω19.(單選題)關(guān)于PCI總線的描述，錯(cuò)誤的是:(4分)

A.PCI總線是一個(gè)16位寬的總線

B.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的

C.PCI是一種獨(dú)立于解決器的總線標(biāo)準(zhǔn)，可以支持多種解決器

D.PCI支持即插即用功能20.(單選題)中繼器、以太網(wǎng)互換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上：(4分)

A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層

B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層

C.物理層、鏈路層、傳輸層

D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層21.(單選題)某電路，對100KHz以下低頻信號干擾敏感，為減少干擾，應(yīng)采用（）濾波器。(4分)

A.高通

B.低通

C.帶阻

D.帶通22.(單選題)捕獲毛刺用最佳觸發(fā)方式（）進(jìn)行觸發(fā)(4分)

A.Width

B.Edge

C.Glitch

D.State23.(單選題)以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試(4分)

A.信號占空比超標(biāo)

B.信號上升緩慢

C.6個(gè)信號的異常組合

D.信號抖動(dòng)過大24.(單選題)8421碼10010111表達(dá)的十進(jìn)制數(shù)是（）(4分)

A.98

B.151

C.97

D.22725.(單選題)晶體管可以放大的外部條件是（4分）

A.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

D.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏第二套1.(單選題)以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試(4分)

A.信號抖動(dòng)過大

B.6個(gè)信號的異常組合

C.信號上升緩慢

D.信號占空比超標(biāo)2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤3.(單選題)通常情況下，電磁波在介質(zhì)中的傳播速度比在真空中的傳播速度要(4分)

A.快

B.同樣

C.慢4.1mV等于0dBmV，等于30dBuV(4分)

A.對

B.錯(cuò)5.(單選題)中繼器、以太網(wǎng)互換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上：(4分)

A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層

B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層

C.物理層、鏈路層、傳輸層

D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層6.中繼器工作在數(shù)據(jù)鏈路層上，網(wǎng)絡(luò)層工作在物理層上，路由器工作在網(wǎng)絡(luò)層上。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤7.(單選題)設(shè)計(jì)一個(gè)同步十進(jìn)制計(jì)數(shù)器，需要多少個(gè)觸發(fā)器：(4分)

A.3

B.4

C.6

D.58.(單選題)下面的邏輯工藝中，哪一種速度最快(4分)

A.CMOS

B.ECL

C.TTL

D.NMOS9.(單選題)對于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為:(4分)

A.恢復(fù)時(shí)間

B.建立時(shí)間

C.保持時(shí)間

D.穩(wěn)定期間10.(單選題)某數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入為8為二進(jìn)制數(shù)字信號（D7-D0），輸出為0-25.5V的模擬電壓。若數(shù)字信號的最低三位是“1”其余各位是“0”，則輸出的模擬電壓為

A.1.4V

B.2.8V

C.0.7V

D.0.35V11.將兩輸入的或非門當(dāng)非門使用時(shí)，另一端的揭發(fā)應(yīng)當(dāng)是：

A.懸空

B.接低電平

C.接高電平12.3-8譯碼器屬于：

A.組合邏輯電路

B.時(shí)序邏輯電路13.兩個(gè)TTL電平輸出的信號可以采用線與的方式實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)信號相與的功能

A.對的

B.錯(cuò)誤14.采用奇偶校驗(yàn)可以發(fā)現(xiàn)兩個(gè)比特的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤

A.對的

B.錯(cuò)誤15.(單選題)關(guān)于PCI總線的描述，錯(cuò)誤的是:(4分)

A.PCI總線是一個(gè)16位寬的總線

B.PCI支持即插即用功能

C.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的

D.PCI是一種獨(dú)立于解決器的總線標(biāo)準(zhǔn)，可以支持多種解決器16.指令MOVAX，[3070H]中，源操作數(shù)的尋址方式為

A.直接尋址

B.寄存器間接尋址

C.立即尋址

D.變址尋址17.I/O設(shè)備必須通過適配器（接口）才干接到系統(tǒng)總線上和CPU進(jìn)行信息互換

A.對的

B.錯(cuò)誤18.電容實(shí)現(xiàn)濾波的原理是電容對交流信號呈現(xiàn)低阻抗的特性，以下對電容阻抗描述對的的是

A.工作頻率越低，電容值越小則電容的阻抗越小

B.工作頻率越低，電容值越大則電容的阻抗越小

C.工作頻率越高，電容值越小則電容的阻抗越小

D.工作頻率越高，電容值越大則電容的阻抗越小19.三極管是_器件，MOS管是_

器件。

A.都不是

B.單極型/雙極型

C.雙極型/單極型20.N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電

A.對的

B.錯(cuò)誤21.放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。(4分)

A.對的

B.錯(cuò)誤22.為了安全的操作示波器，應(yīng)當(dāng)

A.在接觸示波器和探頭前，先佩戴靜電手環(huán)，將身份的靜電進(jìn)行泄放

B.學(xué)會(huì)辨認(rèn)也許存在危險(xiǎn)的電氣元件

C.通過合適的三管腳的電源線將示波器接地

D.以上都對23.一個(gè)電感器有一個(gè)10匝繞組，感量為200uH，第9匝與第10匝出現(xiàn)匝間短路，請問電感的感量

A.162