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文檔簡(jiǎn)介
第四章
核磁共振波譜分析法一、化學(xué)位移二、化學(xué)位移的表
示方法三、影響化學(xué)位移的因素第三節(jié)
化學(xué)位移一、電子屏蔽效應(yīng)與化學(xué)位移
B實(shí)=B0-B0=B0(1-)
—屏蔽常數(shù)。
越大,屏蔽效應(yīng)越大。
=
/(2)B實(shí)=[
/(2)]B0(1-)——共振方程式由于屏蔽作用的存在,氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場(chǎng)強(qiáng)度,來(lái)抵消屏蔽影響。
=
/(2)B0
1.409T,60MHz;2.340T,100MHz97化學(xué)位移:
=[
/(2)](1-)B0
是核的化學(xué)環(huán)境的函數(shù)。有機(jī)化合物中,各種氫核周圍的電子云密度不同,值不同,在不同磁場(chǎng)強(qiáng)度下共振,引起共振吸收峰的位移,這種現(xiàn)象-化學(xué)位移。1,2,2-三氯丙烷(CH3CCl2CH2Cl)在60MHz、100MHz儀器上測(cè)得的1H-NMR譜60MHz:CH2=[240/(60×106)]×106=4.00(ppm)CH3=[134/(60×106)]×106=2.23(ppm)100MHz:
CH2=[400/(100×106)]×106=4.00(ppm)CH3=[223/(100×106)]×106=2.23(ppm)Δ=106HZΔ=134HZ3002001000Δ=177HZΔ=223HZ020040060MHz100MHz位移的表示方法
與裸露的氫核相比,TMS的化學(xué)位移最大,但規(guī)定TMS=0,其他種類氫核的位移為負(fù)值,負(fù)號(hào)不加。
小,屏蔽強(qiáng),共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度大,在高場(chǎng)出現(xiàn),圖右側(cè);
大,屏蔽弱,共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度小,在低場(chǎng)出現(xiàn),圖左側(cè);化學(xué)位移的標(biāo)準(zhǔn)樣品的值是選擇某個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物的值為零來(lái)測(cè)量的-內(nèi)標(biāo)。1H-NMR,通常選四甲基硅烷(TMS)為標(biāo)準(zhǔn)。規(guī)定其TMS=0.00四甲基硅烷作為標(biāo)準(zhǔn)物的優(yōu)點(diǎn):(1)12個(gè)氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境,只產(chǎn)生一個(gè)尖峰;(2)屏蔽強(qiáng)烈,化學(xué)位移最大。與有機(jī)化合物中的質(zhì)子峰不重迭;(3)化學(xué)惰性,與樣品之間不會(huì)發(fā)生反應(yīng)和分子間締合;(4)易溶于有機(jī)溶劑,沸點(diǎn)低(27℃),樣品易回收;CH3CH3CH3-Si-CH3三、影響化學(xué)位移的因素質(zhì)子相連的碳原子上,如果接有電負(fù)性強(qiáng)的基團(tuán),信號(hào)峰在低場(chǎng)出現(xiàn),值就大。
-O-H,-C-H,大小低場(chǎng)高場(chǎng)
電負(fù)性與化學(xué)位移的關(guān)系極重要,往往是預(yù)測(cè)化學(xué)位移的最重要因素。1.誘導(dǎo)效應(yīng)
電負(fù)性的影響(a)在沒(méi)有其他影響時(shí),取代基的電負(fù)性越大,質(zhì)子的值越大。化合物取代基電負(fù)性/ppmCH3FF4.04.30CH3OHOH3.53.40CH3ClCl3.13.10CH3BrBr2.82.70CH3II2.52.20CH3H
H2.10.20(c)誘導(dǎo)效應(yīng)是通過(guò)成鍵電子傳遞的,取代基的影響隨距離的增大而迅速降低,通常相隔三個(gè)以上碳原子的質(zhì)子幾乎沒(méi)有影響。化合物
CH3BrCH3CH2Br
CH3(
CH2)2BrCH3(CH2)3Br/ppm2.681.651.040.9
(b)多取代比單取代有較強(qiáng)的效應(yīng),值移向低場(chǎng)?;衔顲HCl3CH2Cl2CH3Cl/ppm7.275.303.053、各向異性效應(yīng)各向異性效應(yīng):化學(xué)鍵產(chǎn)生一個(gè)小磁場(chǎng)并通過(guò)空間作用影響鄰近的氫核。當(dāng)化合物電子云分布不是球形對(duì)稱時(shí),就對(duì)鄰近質(zhì)子附加了一個(gè)各向異性的磁場(chǎng),對(duì)外磁場(chǎng)起著增強(qiáng)或減弱的作用。增強(qiáng)外磁場(chǎng)的作用-去屏蔽效應(yīng)(-)表示,H
值增大減弱外磁場(chǎng)的作用-屏蔽效應(yīng)(+)表示,H
值減小/ppmCH3-CH2-H0.96CH2=CH-H5.84CH=C-H1.80C6H5-H7.28
R-CO-H7.80-10.5
碳雜化軌道電負(fù)性大小次序:
SP>SP2>SP3(1)雙鍵的各向異性
價(jià)電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁力線上,與外磁場(chǎng)方向一致,受去屏蔽效應(yīng)。H
移向低場(chǎng)。(2)叁鍵的各向異性炔鍵π電子云繞C-C軸對(duì)稱分布呈筒形,當(dāng)分子與外磁場(chǎng)平行時(shí)圓筒軸線上的炔氫位于屏蔽區(qū),受到屏蔽效應(yīng)。H值移向高場(chǎng)。2.63CH2CH2H2CCH2CH2CH2CH2CH2CH2CH21.550.71.080.51側(cè)鏈環(huán)上質(zhì)子的化學(xué)位移變化說(shuō)明苯環(huán)上各個(gè)方向的屏蔽效應(yīng)不同。4、氫鍵的影響
在N、O、S原子上的質(zhì)子形成氫鍵后,由于靜電場(chǎng)的作用,使氫外圍電子云密度降低而去屏蔽,值移向低場(chǎng)。
形成分子內(nèi)氫鍵,值移向場(chǎng)更低場(chǎng)。-CO2EtPt--CO2EtPt--CO2EtPt-(a)(b)(c)分子中兩個(gè)羥基1=10.5ppm2=5.2ppm104第四章
核磁共振波譜分析法一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移二、烯氫的化學(xué)位移三、苯氫的化學(xué)位移四、活潑氫的化學(xué)位移第四節(jié)
各類質(zhì)子的化學(xué)位移一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移(1)鄰位有取代的甲基的化學(xué)位移(CH3-CXYZ)
CH3=0.86+(X-0.86)+
(Y-0.86)+(Z-0.86)
1.鄰位有兩個(gè)以上取代基時(shí)CH3CHBr2CH3=0.86+2×(1.66-0.86)=2.46(2.47)YCH3YCH3CH2YCH3CH2CH2Y
(CH3)2CHY
(CH3)3CYCH3CH2CH3αCH2βCH2CH3CHCH3CH3H0.230.860.860.911.330.911.330.910.89Br2.693.371.663.471.891.064.211.731.76-COOH2.082.361.162.311.681.002.561.211.29-OH3.393.591.183.491.530.933.941.161.22烷基化合物(RY)的化學(xué)位移(2)鄰位有取代的亞甲基的化學(xué)位移(CH3CH2CXYZ)
CH2=1.33+(X-1.33)+
(Y-1.33)+(Z-1.33)
CH3CH2CHBrCOOH
CH2=1.33+(1.89-1.33)+(1.68-1.33)=2.24(2.07)YCH3YCH3CH2YCH3CH2CH2Y
(CH3)2CHY
(CH3)3CYCH3CH2CH3αCH2βCH2CH3CHCH3CH3H0.230.860.860.911.330.911.330.910.89Br2.693.371.663.471.891.064.211.731.76-COOH2.082.361.162.311.681.002.561.211.29-OH3.393.591.183.491.530.933.941.161.22烷基化合物(RY)的化學(xué)位移2.同碳上有兩個(gè)或兩個(gè)以上取代基時(shí)Shoolery公式(CH2XY、CHXYZ)=0.23+∑Shoolery公式屏蔽常數(shù)取代基-Cl2.53-Br2.33-C6H51.85-COOR1.550.23-甲烷的值;∑-各基團(tuán)屏蔽常數(shù)之和。求CHCl2Ph的次甲基值
=0.23+2.53×2+1.85=7.14(6.61)求Br-CH2-
Cl的亞甲基質(zhì)子值=0.23+2.33+2.53=5.09(5.16)四、苯氫的化學(xué)位移芳環(huán)的各向異性效應(yīng)使芳環(huán)氫的值在較低場(chǎng)。取代基的誘導(dǎo)作用使苯環(huán)的鄰、間、對(duì)位的電子云密度發(fā)生變化,使其值向高場(chǎng)或低場(chǎng)移動(dòng)。7.488.227.61NO2NO--O+OCH3+-OCH36.737.246.79硝基苯中硝基的吸電子作用使苯環(huán)氫向低場(chǎng)位移。苯甲醚中甲氧基的推電子作用使苯環(huán)氫向高場(chǎng)位移。苯氫的化學(xué)位
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