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文檔簡介
中國CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝半導(dǎo)體制造發(fā)展格局及發(fā)展制約因素分析
CMP化學(xué)機(jī)械拋光(ChemicalMechanicalPolishing)工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵流程之一,利用了磨損中的“軟磨硬”原理,即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用,從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。
CMP拋光材料主要包括拋光液、拋光墊、調(diào)節(jié)器、清潔劑等,其市場份額分別占比49%、33%、9%和5%。中國2016年CMP拋光材料市場規(guī)模為23億元,2018年市場有望達(dá)到28億元。CMP工藝工作原理
CMP材料細(xì)分市場份額
目前市場上拋光墊目前主要被陶氏化學(xué)公司所壟斷,市場份額達(dá)到90%左右,其他供應(yīng)商還包括日本東麗、3M、臺灣三方化學(xué)、卡博特等公司,合計(jì)份額在10%左右。拋光液方面,目前主要的供應(yīng)商包括日本Fujimi、日本HinomotoKenmazai,美國卡博特、杜邦、Rodel、Eka,韓國ACE等公司,占據(jù)全球90%以上的市場份額,國內(nèi)這一市場主要依賴進(jìn)口,國內(nèi)僅有部分企業(yè)可以生產(chǎn)。國內(nèi)市場上主流廠商銷量占比
安集微電子(上海)有限公司生產(chǎn)的銅/銅阻擋層拋光液,二氧化硅拋光液,TSV拋光液,硅拋光液、銅拋光后清洗液等產(chǎn)品已成功進(jìn)入國內(nèi)外8英寸和12英寸客戶芯片生產(chǎn)線使用,銅/銅阻擋層拋光液產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入國內(nèi)外領(lǐng)先技術(shù)節(jié)點(diǎn),產(chǎn)品涵蓋130nm~28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平,并具有成本優(yōu)勢,打破了國外廠商在高端集成電路制造拋光材料領(lǐng)域的壟斷;上海新安納在拋光液用磨料和存儲器拋光液等產(chǎn)品開發(fā)方面取得較好進(jìn)展;時代立夫科技有限公司在CMP拋光墊產(chǎn)品開發(fā)方面取得較好進(jìn)展,部分產(chǎn)品在8寸和12寸CMP工藝中正在進(jìn)行應(yīng)用評估。湖北鼎龍控股股份有限公司開發(fā)的銅拋光墊、氧化物拋光墊和鎢拋光墊也開始認(rèn)證;寧波江豐電子的金剛石修整盤和保持環(huán)已進(jìn)入評價(jià)驗(yàn)證階段。2012-2018年中國CMP拋光材料市場規(guī)模
2005-2017年國內(nèi)拋光材料企業(yè)銷售情況
目前本土廠商面臨著以下制約因素:
一是集成電路材料領(lǐng)域新產(chǎn)品新技術(shù)迭代需要投入大量時間,從研發(fā)、中試到產(chǎn)業(yè)化,最終才能在用戶端獲得大規(guī)模應(yīng)用,風(fēng)險(xiǎn)高,很多時候產(chǎn)品尚未成型,企業(yè)已經(jīng)面臨資金斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。
二是國外競爭對手常常利用其市場壟斷地位,進(jìn)行產(chǎn)品捆綁、連帶等違規(guī)操作,先發(fā)制人阻止本地產(chǎn)品進(jìn)入市場,擴(kuò)大市場占有率,本土企業(yè)甚至已經(jīng)失去了模仿跟進(jìn)的機(jī)會。
三是供應(yīng)鏈不完善,很多高端原材料(如膠體二氧化鈰、
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