下游新興終端崛起促進(jìn)泛半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)分析

下游新興終端崛起，促進(jìn)泛半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)分析

下游新興終端崛起，促進(jìn)泛半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)受益于全球信息化，網(wǎng)絡(luò)化和知識(shí)經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展，特別是在以物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車(chē)電子、智能手機(jī)、智能穿戴、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和安防電子等為主的新興應(yīng)用終端領(lǐng)域強(qiáng)勁需求的帶動(dòng)下，全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模巨大。物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的革命為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的下一輪進(jìn)化提供了動(dòng)力，形成對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期旺盛的增量需求。精密洗凈服務(wù)作為這些應(yīng)用行業(yè)中不可或缺的必要環(huán)節(jié)，將直接受益于下游行業(yè)持續(xù)強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求。AMOLED在新型顯示技術(shù)的驅(qū)動(dòng)下具有長(zhǎng)期的成長(zhǎng)性。AMOLED可以實(shí)現(xiàn)自發(fā)光，因而無(wú)需額外配備背光模組，僅需非常薄的有機(jī)涂層和玻璃蓋板或柔性有機(jī)基板即可成像，可以讓手機(jī)更輕薄、質(zhì)感更好、反應(yīng)速度更快；此外基于AMOLED自發(fā)光的特性，可以使屏幕的視角更廣、分辨率更高。同時(shí)相較于LCD屏幕，AMOLED在非白光狀態(tài)下的耗電量?jī)H為L(zhǎng)CD的6成。目前市面上大多數(shù)曲面屏手機(jī)采用的都是AMOLED顯示屏。對(duì)于手機(jī)面板而言，AMOLED顯示技術(shù)正在成為中高端5G機(jī)型的標(biāo)配，尤其是折疊手機(jī)成為新的手機(jī)形態(tài)，帶來(lái)行業(yè)歷史性的成長(zhǎng)機(jī)遇。2019年AMOLED在智能手機(jī)機(jī)型滲透率已達(dá)31．0%（Omdia數(shù)據(jù)），未來(lái)這一滲透率將進(jìn)一步上升。從需求端來(lái)看，智能手機(jī)端，AMOLED屏幕由高端向中低端機(jī)型滲透，可折疊形態(tài)帶來(lái)新增量，Counterpoint預(yù)測(cè)2022年配備AMOLED屏的智能手機(jī)出貨量有望達(dá)到8億臺(tái)；疊加可穿戴設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用拓展，AMOLED需求前景可觀。由于AMOLED半導(dǎo)體顯示面板產(chǎn)品生產(chǎn)和組裝的精度要求極高（達(dá)到微米級(jí)），同時(shí)產(chǎn)品品質(zhì)要求日益嚴(yán)格；作為面板行業(yè)的新技術(shù)，對(duì)配套提供洗凈服務(wù)企業(yè)的技術(shù)和工藝也提出更高的要求，加速推動(dòng)洗凈技術(shù)的迭代更新，同時(shí)有望帶來(lái)洗凈服務(wù)企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益的提升。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀特征中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在GDP比重不斷提升。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)和國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，2002年中國(guó)集成電路銷(xiāo)售額在GDP占比約為0．22%，2021年時(shí)已經(jīng)提升至0．91%，按照2021年集成電路銷(xiāo)售額占半導(dǎo)體市場(chǎng)87%計(jì)算，2021年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品銷(xiāo)售額占GDP的比重超過(guò)1%，約為1．05%。作為對(duì)比，美國(guó)2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增加值對(duì)國(guó)內(nèi)GDP的貢獻(xiàn)約為2769億美元，其中：直接貢獻(xiàn)約961億美元，間接貢獻(xiàn)約856億美元，其他相關(guān)貢獻(xiàn)約953億美元。2021年美國(guó)GDP現(xiàn)價(jià)約為23．32萬(wàn)億美元，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)占比約為1．19%。根據(jù)SIA統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2021年中國(guó)大陸市場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)品銷(xiāo)售額約為1877億美元，同比增長(zhǎng)24．5%，與全球市場(chǎng)增速保持一致；2022年中國(guó)大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)略微下降1．1%，約為1857億美元。市場(chǎng)份額上，2016年中國(guó)大陸市場(chǎng)占全球約31．5%，然后逐年提升至2019年的34．8%，近兩年略有下降，但整體較為穩(wěn)定，2022年中國(guó)大陸銷(xiāo)售占全球比重約為31．8%。集成電路（IC）產(chǎn)品在半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)主要份額。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2004年中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模約為545億元人民幣，2010年成長(zhǎng)為1440億元規(guī)模，2021年則同。比增長(zhǎng)21．3%至10458億元（約合1641億美元，占中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)約87%），首次突破萬(wàn)億規(guī)模。近10年中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)年均復(fù)合增速約為18．4%，高于全球IC市場(chǎng)6．5%的增速水平。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中，設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)銷(xiāo)售額占比最高。2021年中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)環(huán)節(jié)分別占43%、30%和26%。從三大環(huán)節(jié)銷(xiāo)售額占比變化來(lái)看，IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)銷(xiāo)售額占比自2004年以來(lái)不斷提升，制造環(huán)節(jié)銷(xiāo)售份額在2011年前后時(shí)間出現(xiàn)局部下降，此后回升至30%，份額占比趨于穩(wěn)定，而產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值較低的封測(cè)環(huán)節(jié)，則呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢(shì)。2020年，新冠病毒全球大流行加速了在線辦公滲透率提升，電腦、平板、手機(jī)等各類(lèi)電子設(shè)備銷(xiāo)量大幅提升，旺盛需求推動(dòng)多數(shù)晶圓廠產(chǎn)能利用率超過(guò)85%（正常水平約為80%左右），部分代工廠接近或超過(guò)100%。2021年，企業(yè)紛紛擴(kuò)大資本開(kāi)支、提升產(chǎn)能，全球資本開(kāi)支增速達(dá)到近幾年極大值。2022年后，地緣、通貨膨脹等因素致使全球經(jīng)濟(jì)放緩，H1資本開(kāi)支仍在增加，但產(chǎn)能緊張局面已得到緩解，且晶圓廠的產(chǎn)能利用率21Q4已出現(xiàn)下滑，制造商開(kāi)始削減未來(lái)資本支出預(yù)算。另一方面，存儲(chǔ)器市場(chǎng)的疲軟和美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)商的限制（限制購(gòu)買(mǎi)美國(guó)公司設(shè)備）也將對(duì)23年全球資本開(kāi)支造成一定負(fù)面影響。ICInsights于11月22日下修預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)22年全球資本支出約為1817億美元，同比增速約18．7%，而23年預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體資本支出將下滑約19．3%至1466億美元。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特征19世紀(jì)60年代后期開(kāi)始的第二次工業(yè)革命，使人類(lèi)進(jìn)入了電氣時(shí)代。電氣時(shí)代以電子設(shè)備為載體，電路則是電子設(shè)備的核心。2022年12月29，臺(tái)積電3nm正式量產(chǎn)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國(guó)起源后，伴隨地緣、地區(qū)產(chǎn)業(yè)政策、制造模式變革等多種因素，經(jīng)歷了三次制造重心的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次：1976年3月，日本政府以富士通、日立、三菱、NEC和東芝五家公司為核心，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究員、電子綜合研究所和計(jì)算機(jī)綜合研究所共同實(shí)施超大規(guī)模集成電路研究計(jì)劃（VLSI），該計(jì)劃取得了巨大成功，日本超越美國(guó)、一躍成為世界第一的DRAM大國(guó)。第二次：1983年，韓國(guó)政府對(duì)外發(fā)布進(jìn)軍LSI領(lǐng)域（DRAM）的計(jì)劃，通過(guò)四年時(shí)間掌握了256KDRAM技術(shù)，并通過(guò)向日本大量進(jìn)口高性能制造設(shè)備，快速壯大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。第三次：2001年后中國(guó)正式加入世貿(mào)組織，逐漸深度參與到全球電子制造產(chǎn)業(yè)鏈中。第四次：從人口紅利過(guò)度到工程師紅利（人口結(jié)構(gòu)上，勞動(dòng)力素質(zhì)提升；產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)上，技術(shù)要素比重增大），制造業(yè)低端產(chǎn)能或?qū)⒊掷m(xù)外遷。2021年全球47個(gè)主要經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)模為38．1萬(wàn)億美元，占全球GDP比重為45%，較2020年提升1個(gè)百分點(diǎn)。2021年全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)在第一產(chǎn)業(yè)滲透率為8．6%，在第二產(chǎn)業(yè)滲透率為24．3%，在第三產(chǎn)業(yè)滲透率為46．3%。增速：2021年全球47個(gè)經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)同比名義增長(zhǎng)15．6%，高于同期GDP名義增速2．5個(gè)百分點(diǎn)。數(shù)字經(jīng)濟(jì)包括數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化和數(shù)字化治理三大部分：2021年全球數(shù)字產(chǎn)業(yè)化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為15%，占GDP比重為6．8%，2021年全球產(chǎn)業(yè)數(shù)字化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為85%，占GDP比重約為38．2%。美國(guó)信息科技產(chǎn)業(yè)增加值在GDP中占比接近中國(guó)2倍。美國(guó)經(jīng)濟(jì)分析局將信息通信技術(shù)生產(chǎn)行業(yè)在傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)劃分框架外單列，2021年增加值占其GDP比重約為7．6%。中國(guó)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局將信息傳輸、軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)列示在第三產(chǎn)業(yè)下面，2021年占GDP比重約為3．9%。2021年科技行業(yè)在GDP的百分比，美國(guó)約為中國(guó)的1．95倍。中美兩國(guó)信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重整體上均呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。1987年美國(guó)信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重約為3．4%，在科網(wǎng)泡沫前4年，迅速?gòu)?996年的3．9%提升至2000年的6．2%，此后略有下降，至2010年才回升至6．2%，此后緩慢提升至2021年的7．6%。中國(guó)信息科技產(chǎn)業(yè)起步較晚，信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重?cái)?shù)據(jù)最早可追溯至2004年的2．6%，2022年約為4．0%。根據(jù)Wind二級(jí)行業(yè)分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)，分別測(cè)算中國(guó)和美國(guó)2021年半導(dǎo)體和其他二級(jí)行業(yè)的收入與凈利潤(rùn)在總量中的比重。2021年，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)收入占比約為1．9%，凈利潤(rùn)占比約為3．9%；中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)收入占比約為1．2%，凈利潤(rùn)整體虧損約7億元。將半導(dǎo)體與半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，以及電信服務(wù)、技術(shù)硬件與設(shè)備、媒體和軟件與服務(wù)等泛TMT行業(yè)作為信息科技產(chǎn)業(yè)：美國(guó)上市公司中，2021年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比19．1%，凈利潤(rùn)占比約為26．9%，凈利率約為16．1%；中國(guó)上市公司中，2021年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比約為11．0%，凈利潤(rùn)占比約為3．3%，凈利率約為1．1%。半導(dǎo)體設(shè)備清洗服務(wù)對(duì)象專(zhuān)用半導(dǎo)體設(shè)備一般指生產(chǎn)各種半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的配套環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)龍頭，芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等都需要在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)制造。設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步反過(guò)來(lái)促進(jìn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度最高、附加值最大、工藝最復(fù)雜的集成電路為例，集成電路領(lǐng)域使用的設(shè)備通?？梢苑譃榍肮に囋O(shè)備和后工藝設(shè)備兩大類(lèi)。其中，在之前的晶圓制造中，有七大工藝步驟，即氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長(zhǎng)、清洗拋光、金屬化。相應(yīng)的專(zhuān)用設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。晶圓制造設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占集成電路設(shè)備總市場(chǎng)規(guī)模的80%以上。其中，刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備和薄膜生長(zhǎng)設(shè)備是集成電路前期生產(chǎn)過(guò)程中最重要的三類(lèi)設(shè)備。上述集成電路制造過(guò)程中的氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長(zhǎng)、機(jī)械拋光等設(shè)備都是本公司的清洗服務(wù)對(duì)象，覆蓋集成電路幾乎2/3工序的生產(chǎn)設(shè)備定期維護(hù)。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀亞太地區(qū)在全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額中超過(guò)60%。1999年美洲、歐洲、日本、亞太地區(qū)分別為32%、21%、22%和25%，以美國(guó)為代表的美洲地區(qū)為主要市場(chǎng)。此后，亞太地區(qū)市場(chǎng)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額快速提升，1999至2021年CAGR達(dá)10．6%，超過(guò)美洲市場(chǎng)的4．4%約6．2pct，其市場(chǎng)份額不斷提升，逐漸超過(guò)其他地區(qū)總和，至2021年亞太地區(qū)市場(chǎng)份額達(dá)到62%。中國(guó)大陸2021年市場(chǎng)份額35%，是全球第一大半導(dǎo)體產(chǎn)品消費(fèi)地區(qū)。2021年中國(guó)大陸市場(chǎng)以1877億美元銷(xiāo)售額成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)品最大消費(fèi)地區(qū)，市場(chǎng)份額35%。1983年美國(guó)廠商在全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售市場(chǎng)占據(jù)超過(guò)50%的供給份額。但是在此后幾年間，日本半導(dǎo)體企業(yè)的在激烈競(jìng)爭(zhēng)中逐漸崛起，向美國(guó)傾銷(xiāo)大量半導(dǎo)體產(chǎn)品，疊加1985年至1986年的行業(yè)衰退，美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)全球供給份額在約1988年左右下降至低點(diǎn)，總共下降約19個(gè)百分點(diǎn)，日本實(shí)現(xiàn)反超，占據(jù)了全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。1988年后，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始反彈，且日本半導(dǎo)體行業(yè)受到《日美半導(dǎo)體協(xié)定》影響，市場(chǎng)份額逐漸下滑。至1997年，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以超過(guò)50%的供應(yīng)份額重新回歸全球領(lǐng)導(dǎo)地位，且一直保持至今。集成電路占半導(dǎo)體產(chǎn)品銷(xiāo)售額的比重維持在80%以上。2021年，集成電路產(chǎn)品銷(xiāo)售額約4630億美元，占半導(dǎo)體83%市場(chǎng)份額；分立器件銷(xiāo)售額約303億美元，占6%；光電子器件銷(xiāo)售額約434億美元，占8%；傳感器產(chǎn)品銷(xiāo)售額約191億美元，占3%。集成電路產(chǎn)品份額始終維持在80%以上，是半導(dǎo)體產(chǎn)品的最主要類(lèi)型。集成電路產(chǎn)品中，邏輯IC和存儲(chǔ)IC比重最高，MCU份額呈下降趨勢(shì)。集成電路產(chǎn)品中，2021年：模擬電路銷(xiāo)售額741億美元，占半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的13．3%；微處理器銷(xiāo)售額802億美元，占15．1%；邏輯電路銷(xiāo)售額1548億美元，占30．8%；存儲(chǔ)電路銷(xiāo)售額1538億美元，占27．7%；以MCU為代表的微處理器產(chǎn)品份額在1999年至今呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，從34．6%下降至2021年的14．4%；以CPU、GPU等通用芯片為代表的邏輯電路產(chǎn)品份額從1999年的15．5%上升至2021年的27．9%，呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。原因主要是，用于工業(yè)、通訊等領(lǐng)域嵌入式系統(tǒng)的MCU在過(guò)去二十年中增速不高，而個(gè)人電腦的普及和智能手機(jī)出現(xiàn)極大拉動(dòng)了通用邏輯芯片的需求。常見(jiàn)的精密清潔方法化學(xué)溶劑清洗:化學(xué)溶劑清洗是指硝酸、氫氧化鉀、雙氧水、氨水等。根據(jù)技術(shù)要求配制成相應(yīng)濃度的溶液，然后將零件浸泡在清洗槽中，去除表面的金屬膜。噴涂:噴涂是指利用熱源熔化金屬或非金屬材料，以一定的速度噴涂在基體表面形成涂層的方法。如果在操作過(guò)程中需要，在零件表面噴鋁以增加表面粗糙度。電解清洗:將待清洗的設(shè)備掛在陰極或陽(yáng)極上，放入電解液中。施加直流電時(shí)，金屬與電解質(zhì)溶液之間的界面張力因極化而降低，溶液滲透到工件表面的污垢下，在界面上起氧化或還原作用，產(chǎn)生大量氣泡。當(dāng)氣泡聚集形成氣流從污垢與金屬之間的縫隙溢出時(shí)，起到攪動(dòng)、攪拌的作用，使污垢從工件表面脫落，從而達(dá)到清除污垢、清潔表面的目的。根據(jù)設(shè)備和裝置掛在陽(yáng)極和陰極上的位置不同，可分為陰極電解和陽(yáng)極電解。電解清洗用途廣泛?？扇コ饘倩蚍墙饘俑街?，如氧化膜、舊涂膜、漆膜等。清洗效果好，清洗效率高，徹底性好。蒸汽清洗:蒸汽清洗可分為蒸汽清洗和溶劑蒸汽清洗。水蒸汽清洗是一種常見(jiàn)而簡(jiǎn)單的清洗工藝，主要是利用蒸汽的熱氣流蒸發(fā)到設(shè)備和裝置的表面，與設(shè)備和裝置的表面充分接觸。由于水蒸氣溫度高，有一定的壓力和沖擊力，所以有一定的清潔作用。溶劑清洗是一種用有機(jī)溶劑蒸發(fā)蒸汽進(jìn)行清洗的方法。由于溶劑的高溫和蒸發(fā)過(guò)程中形成的氣流，污漬被溶解并帶走。純水清洗和高壓水洗:純水清洗是指將零件浸泡在純水清洗槽中，去除產(chǎn)品中可能殘留的藥液成分；高壓水洗是指高壓水洗槍對(duì)零件表面進(jìn)行清掃，去除顆粒、熔灰、灰塵等。對(duì)零件表面有一定的附著力。超聲波清洗:超聲波清洗是指在浸泡在工件中的液體中發(fā)射超聲波，使液體產(chǎn)生超聲波振蕩。液體內(nèi)部的壓力在某一瞬間突然增大或減小，這樣不斷重復(fù)。當(dāng)壓力突然降低時(shí)，溶液中會(huì)產(chǎn)生許多小空孔，溶解在溶液中的氣體被吸入空孔中形成氣泡。小氣泡形成后，被突然增大的壓力擊碎，產(chǎn)生沖擊波，能在界面處剝離金屬表面的污垢和水垢，與工件表面分離，從而達(dá)到比一般去污方法更快的清洗效果。超聲波清洗可以與化學(xué)去污、電化學(xué)去污、去除金屬涂層的酸清洗等相結(jié)合。，以提高去污效果和清潔質(zhì)量。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈概況設(shè)計(jì)，設(shè)備屬于技術(shù)（研發(fā)）密集型，需要參與廠商不斷投入研發(fā)支出用于開(kāi)發(fā)新技術(shù)，推出新產(chǎn)品，從而保持自身競(jìng)爭(zhēng)力。材料和晶圓制造屬于資本（CapEx）密集型，通過(guò)成長(zhǎng)性的資本開(kāi)支將企業(yè)產(chǎn)能提升一個(gè)臺(tái)階，進(jìn)而帶動(dòng)未來(lái)收入和利潤(rùn)的增長(zhǎng)，對(duì)于晶圓材料和晶圓制造企業(yè)至關(guān)重要；對(duì)于以臺(tái)積電為首的晶圓代工龍頭，維持成長(zhǎng)性資本開(kāi)支的能力，本身也是企業(yè)的護(hù)城河之一。封測(cè)屬于資本+勞動(dòng)力密集型，封測(cè)環(huán)節(jié)通常技術(shù)含量較低，而對(duì)勞動(dòng)力需求較高，經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，逐漸形成了以中國(guó)大陸的長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技等OSAT廠商主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)格局。價(jià)值量：設(shè)計(jì)占60%，其中邏輯IC占30%、存儲(chǔ)IC占9%、DAO占17%；設(shè)備占12%；材料占5%；晶圓制造占19%，封裝與測(cè)試占6%。區(qū)域分布：歐美在設(shè)計(jì)、設(shè)備絕對(duì)主導(dǎo)；美國(guó)在EDA&IP核一家獨(dú)大；韓國(guó)主導(dǎo)存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)；日本在DAO、設(shè)備優(yōu)勢(shì)顯著；中國(guó)在封測(cè)代工環(huán)節(jié)占比最高。全球IC產(chǎn)業(yè)鏈分工實(shí)例（以某款智能手機(jī)AP為例）：歐洲和美國(guó)主要負(fù)責(zé)提供EDA工具、IP授權(quán)和芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)；OEM廠商通過(guò)選型確定供應(yīng)商和型號(hào)，芯片供應(yīng)商將圖紙交付給位于中國(guó)臺(tái)灣的代工廠量產(chǎn)；晶圓廠產(chǎn)線設(shè)備主要由美國(guó)、日本和歐洲的供應(yīng)商提供；晶圓片則先由一家美國(guó)公司提煉出冶金硅，然后交由日本多晶硅制造商加工廠電子級(jí)多晶硅，再由韓國(guó)廠商將單晶硅錠切割成硅片，最終送到中國(guó)臺(tái)灣晶圓廠的產(chǎn)線上；中國(guó)臺(tái)灣晶圓廠加工好的芯片送往馬來(lái)西亞完成封裝，最后在中國(guó)大陸的工廠被組裝到智能手機(jī)中，然后智能手機(jī)OEM廠商將產(chǎn)品銷(xiāo)往全球。顯示面板專(zhuān)用設(shè)備清洗服務(wù)對(duì)象TFT顯示面板專(zhuān)用設(shè)備一般指基于TFT薄膜晶體管為驅(qū)動(dòng)單元開(kāi)發(fā)的，用于生產(chǎn)各類(lèi)顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備。主流產(chǎn)品為L(zhǎng)CD和有機(jī)發(fā)光二極管，是集成電路行業(yè)顯示技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。其中，LCD顯示技術(shù)是80年代以后逐漸發(fā)展并繁榮起來(lái)的一種顯示面板技術(shù)，使用液晶作為顯示單元。液晶面板的主要結(jié)構(gòu)包括透明基板、偏光片、濾光片、液晶層、TFT陣列等。經(jīng)過(guò)30多年的快速發(fā)展，整個(gè)生產(chǎn)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)趨于成熟和穩(wěn)定，但面板制造、封裝和測(cè)試過(guò)程中的專(zhuān)用設(shè)備供應(yīng)仍以進(jìn)口為主。有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)是21世紀(jì)后逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型顯示技術(shù)。其主要結(jié)構(gòu)包括透明襯底、空空穴/電子注入層、空空穴/電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、TFT陣列等。經(jīng)過(guò)近十年的快速發(fā)展，與LCD相比，它具有功耗低、視角廣、響應(yīng)速度快等更好的顯示性能。以LCD和有機(jī)發(fā)光二極管為主流顯示面板技術(shù)，生產(chǎn)工藝可分為T(mén)FT陣列、電池盒成型、后端組裝三個(gè)步驟。其中，TFT陣列生產(chǎn)包括基板清洗、鍍膜、曝光、顯影、蝕刻和剝離等。電池盒化成包括TFT清洗、CF基板加工、組裝、充晶、蒸發(fā)、封裝和測(cè)試，后端組裝包括電池清洗、偏光片貼合、IC鍵合、FPC/PCB、TP鍵合等。相應(yīng)的專(zhuān)用設(shè)備主要包括蒸發(fā)設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備等。上述TFT面板制造過(guò)程中的鍍膜、曝光、顯影、蝕刻、CF基板處理、蒸鍍等設(shè)備為公司的清潔服務(wù)對(duì)象。污染引入:污染雜質(zhì)是指在泛半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過(guò)程中引入的任何危害芯片良率和電性能的物質(zhì)。據(jù)估計(jì)，大多數(shù)芯片電氣故障是由污染引起的缺陷引起的。通常，精密清洗的污染雜質(zhì)分為以下幾類(lèi):1）粒子。顆粒會(huì)導(dǎo)致開(kāi)路或短路。從尺寸上來(lái)說(shuō)，在半導(dǎo)體制造中，顆粒必須小于最小器件特征尺寸的一半，大于這個(gè)尺寸的顆粒會(huì)造成致命缺陷。從數(shù)量上來(lái)說(shuō)，硅片表面的顆粒密度代表了特定面積內(nèi)顆粒的數(shù)量。顆粒越多，致命缺陷的可能性越大。在一個(gè)過(guò)程中引入到硅晶片中的超過(guò)某一臨界尺寸的顆粒數(shù)量由每個(gè)步驟中每個(gè)晶片的顆粒數(shù)量來(lái)表征。隨著先進(jìn)工藝的進(jìn)步，對(duì)PWP指標(biāo)的要求越來(lái)越高。2）金屬雜質(zhì)。對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)有害的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬，例如鈉、鉀和鋰。重金屬也會(huì)造成金屬污染，如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦等。金屬雜質(zhì)可能來(lái)自化學(xué)溶液或半導(dǎo)體制造中的各種工藝，如離子注入，或化學(xué)物質(zhì)與傳輸管道和容器的反應(yīng)。3）有機(jī)物。有機(jī)物主要是指含碳的物質(zhì)，可能來(lái)自細(xì)菌、潤(rùn)滑劑、蒸汽、洗滌劑、溶劑和水分。4）自然氧化層。一方面，自然氧化層阻礙了其他工藝步驟，例如單晶膜的生長(zhǎng)；另一方面，增加接觸電阻，降低甚至阻止電流流動(dòng)。主要清洗方式:根據(jù)清洗方式的不同，精密清洗可分為物理清洗和化學(xué)清洗。物理清洗是指利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)原理，依靠機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓沖擊、紫外線、蒸汽等外部能量的作用，清除物體表面污垢的方法?；瘜W(xué)清洗是指利用化學(xué)溶劑，依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，去除物體表面污垢的方法。在實(shí)際應(yīng)用中，通常將兩種方法結(jié)合使用，以獲得更好的清洗效果。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的周期性半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)從最初研發(fā)儲(chǔ)備到終端產(chǎn)品應(yīng)用并量產(chǎn)的周期大約在10年左右，驅(qū)動(dòng)信息市場(chǎng)的引擎（下游應(yīng)用市場(chǎng)主要產(chǎn)品）也大概10年左右產(chǎn)生一次新變化。中期維度上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出由企業(yè)設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)張驅(qū)動(dòng)周期波動(dòng)，稱(chēng)為產(chǎn)能周期（也稱(chēng)資本支出周期、朱格拉周期、設(shè)備投資周期等）。投資端觀測(cè)：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出從1983年的43億美元增長(zhǎng)到2021年的1531億美元，年均復(fù)合增速約為10%。以同比增速的極大值點(diǎn)劃分，全球半導(dǎo)體資本開(kāi)支周期平均約3~4年。銷(xiāo)售端觀察：產(chǎn)能周期在半導(dǎo)體產(chǎn)品銷(xiāo)售端上也有所體現(xiàn)，以全球半導(dǎo)體月度銷(xiāo)售額為例，1976年3月至今，半導(dǎo)體月銷(xiāo)售額同比增速（3個(gè)月移動(dòng)平均值）呈現(xiàn)出周期波動(dòng)特征，每個(gè)周期間隔大約在3-4年，平均數(shù)值為2．95年。短期維度上，由銷(xiāo)售端（市場(chǎng)）短期供需驅(qū)動(dòng)庫(kù)存周期，也稱(chēng)基欽周期，約3~6個(gè)季度。由于下游需求端向上傳導(dǎo)存在時(shí)滯，導(dǎo)致了庫(kù)存周期的產(chǎn)生。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫(kù)存周期可以分為4個(gè)階段：主動(dòng)補(bǔ)庫(kù)存：在新一輪庫(kù)存周期的起點(diǎn)，由于短期需求端指標(biāo)上升，企業(yè)提升產(chǎn)線稼動(dòng)率，主動(dòng)補(bǔ)充庫(kù)存水平，產(chǎn)成品存貨環(huán)比上升，行業(yè)處于短期繁榮階段。被動(dòng)補(bǔ)庫(kù)存：這一階段需求端指標(biāo)已經(jīng)見(jiàn)頂，但企業(yè)稼動(dòng)率無(wú)法立即下降，存貨水平仍然保持上升，導(dǎo)致利潤(rùn)率水平到達(dá)頂部后開(kāi)始下降，行業(yè)開(kāi)始進(jìn)入短期衰退階段。主動(dòng)去庫(kù)存：需求端指標(biāo)持續(xù)下降，企業(yè)稼動(dòng)率開(kāi)始下降，但已經(jīng)出現(xiàn)庫(kù)存過(guò)剩，企業(yè)主動(dòng)降價(jià)去庫(kù)存，減少存貨壓力，行業(yè)處于蕭條階段。被動(dòng)去庫(kù)存：需求端指標(biāo)企跌回升，企業(yè)稼動(dòng)率降至低點(diǎn)，庫(kù)存水平持續(xù)降低至低點(diǎn)，庫(kù)存壓力得到緩解，隨著需求回溫，行業(yè)開(kāi)始進(jìn)入下一輪庫(kù)存周期起點(diǎn)。中國(guó)泛半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)市場(chǎng)半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過(guò)來(lái)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。根據(jù)清洗方法的不同，精密洗凈可分為物理清洗和化學(xué)清洗。物理清洗是指利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)的原理，依靠外來(lái)能量的作用，如機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓沖擊、紫外線、蒸汽等去除物體表面污垢的方法；化學(xué)清洗是指依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，利用化學(xué)溶劑清除物體表面污垢的方法。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，通常將兩者結(jié)合起來(lái)使用，以獲得更好的洗凈效果。我國(guó)泛半導(dǎo)體設(shè)備精密洗凈服務(wù)行業(yè)的發(fā)展滯后于歐美等先進(jìn)工業(yè)國(guó)