碳化硅分立器件行業(yè)市場(chǎng)突圍戰(zhàn)略研究

碳化硅分立器件行業(yè)市場(chǎng)突圍戰(zhàn)略研究半導(dǎo)體政策大基金一期主要投向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中游，包括制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)的行業(yè)龍頭企業(yè)，成效顯著。2015年我國(guó)集成電路銷(xiāo)售額為3610億元，同比增19．7%，完成目標(biāo)，2016-2017年也維持了20%以上的增速，發(fā)展勢(shì)頭良好。同時(shí)我國(guó)在晶圓制造、特色工藝、晶圓封裝與關(guān)鍵設(shè)備和材料等領(lǐng)域也取得了累累碩果，第一階段的目標(biāo)基本完成。大基金二期將更多投向上游和下游，瞄準(zhǔn)設(shè)備、材料等薄弱環(huán)節(jié)的細(xì)分龍頭企業(yè)。投資風(fēng)格也更加靈活多變，不僅投資行業(yè)龍頭企業(yè)，還會(huì)與龍頭企業(yè)共同投資設(shè)立合資子公司。半導(dǎo)體行業(yè)概況半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵、碳化硅等。半導(dǎo)體是信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，是電子產(chǎn)品的核心組成。半導(dǎo)體產(chǎn)品可劃分為集成電路、分立器件、其他器件等多類(lèi)產(chǎn)品。其中集成電路是將基本的電路原件如晶體管、二極管、電阻、電容、電感等制作在一個(gè)小型晶片上然后封裝成的具有多功能的單元，實(shí)現(xiàn)對(duì)信息的處理、存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換。分立器件則是指具有單一功能的電路基本元件，主要實(shí)現(xiàn)電能的處理與變換，功率分立器件為分立器件類(lèi)別的主導(dǎo)產(chǎn)品品類(lèi)。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2016年至2018年期間保持較快速增長(zhǎng)，但2018年下半年由于中美貿(mào)易摩擦出現(xiàn)增速放緩；2019年受?chē)?guó)際貿(mào)易環(huán)境惡化影響，市場(chǎng)下滑較大。2020年度全球半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸回暖，并在2021年、2022年保持較快增長(zhǎng)。我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)家相關(guān)政策支持、加速及資本推動(dòng)等因素合力下，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、晶圓制造及封裝測(cè)試等技術(shù)上得到了快速發(fā)展，與發(fā)達(dá)國(guó)家的差距不斷縮小。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，2021年度中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為1，925億美元，同比增長(zhǎng)27．06%，占全球市場(chǎng)超過(guò)三分之一，目前已成為全球最大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)。行業(yè)發(fā)展邏輯在整個(gè)行業(yè)專(zhuān)業(yè)的垂直分工模式下，晶圓代工廠根據(jù)客戶(hù)下單情況來(lái)決定生產(chǎn)情況。當(dāng)需求開(kāi)始增加時(shí)，訂單隨之增加。晶圓代工廠需要花費(fèi)長(zhǎng)達(dá)兩個(gè)月的時(shí)間進(jìn)行生產(chǎn)，產(chǎn)能不可能瞬間增加?？蛻?hù)對(duì)于上游半導(dǎo)體產(chǎn)品采購(gòu)的核心原則是寧可庫(kù)存太多，絕不能庫(kù)存不足。一家大型OEM客戶(hù)（如蘋(píng)果或三星）的最大顧慮，是在新品即將發(fā)布時(shí)，零組件備貨庫(kù)存不足。這樣一來(lái)，OEM廠、ODM以及分銷(xiāo)商渠道內(nèi)不得不創(chuàng)建庫(kù)存提前備貨，下單量大于真正需求量的情況也不可避免的出現(xiàn)。半導(dǎo)體公司開(kāi)始增加產(chǎn)能以滿(mǎn)足膨脹的下游需求。交貨時(shí)間大大壓縮，這時(shí)供應(yīng)鏈將減少庫(kù)存，造成半導(dǎo)體廠商訂單量的減少要大于終端市場(chǎng)需求降低速度。硅周期歷經(jīng)三個(gè)主要階段:1）庫(kù)存修正:OEM廠商和分銷(xiāo)商渠道內(nèi)庫(kù)存過(guò)剩，紛紛開(kāi)始較少存貨向半導(dǎo)體供應(yīng)商下單減少甚至出現(xiàn)取消訂單的情況產(chǎn)品價(jià)格開(kāi)始下滑在需求量真正確定前，晶圓代工廠以及少數(shù)IDM廠商對(duì)于擴(kuò)產(chǎn)均持謹(jǐn)慎態(tài)度。2）穩(wěn)定狀態(tài):訂單量與終端需求一致，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈處于供需平衡的狀態(tài)。存貨經(jīng)過(guò)上一次庫(kù)存修正后逐漸消耗后達(dá)到正常值，產(chǎn)能利用率以及價(jià)格也慢慢趨于平穩(wěn)。3）庫(kù)存建立:新產(chǎn)品發(fā)布或者經(jīng)濟(jì)上行推動(dòng)終端需求增長(zhǎng)為了能夠即時(shí)供貨，OEM廠商等開(kāi)始增加庫(kù)存訂單量大幅增加半導(dǎo)體價(jià)格下降減緩甚至開(kāi)始上升產(chǎn)能利用率提升。一定程度上，雙重下單的情況出現(xiàn)（OEM、ODM廠商和分銷(xiāo)商紛紛加大訂單量）。最后，庫(kù)存過(guò)剩引發(fā)下一次修正。全球半導(dǎo)體行業(yè)從1989年以來(lái)已經(jīng)經(jīng)歷了三個(gè)完整周期，在這三個(gè)完整周期中，一個(gè)明顯的規(guī)律就是：需求推動(dòng)行業(yè)產(chǎn)能的上升，然后行業(yè)的資本開(kāi)支擴(kuò)產(chǎn)導(dǎo)致價(jià)格的下降和市場(chǎng)需求的萎靡，接著導(dǎo)致行業(yè)資本性支出下降又將導(dǎo)致產(chǎn)能增速下降，然后第二輪接著價(jià)格和市場(chǎng)需求開(kāi)始上升，行業(yè)企業(yè)的資本性支出意愿又開(kāi)始激增，基本是需求-產(chǎn)能投資價(jià)格四象限循環(huán)。根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體終端需求主要以通信類(lèi)（含智能手機(jī)）占比為31%，PC/平板占比為29%，消費(fèi)電子占比14%，汽車(chē)電子占比12%等，其中以通信類(lèi)規(guī)模最大，汽車(chē)ASP彈性最大，同時(shí)潛在5G射頻、汽車(chē)電動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)周期將帶來(lái)未來(lái)幾年硅含量快速提升。市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，本土廠商進(jìn)展順利（一）半導(dǎo)體材料量?jī)r(jià)齊升，硅片為單一最大品類(lèi)1、先進(jìn)制程持續(xù)升級(jí)，半導(dǎo)體材料同步提升進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，5G、人工智能、自動(dòng)駕駛等新應(yīng)用的興起，對(duì)芯片性能提出了更高的要求，同時(shí)也推動(dòng)了半導(dǎo)體制造工藝和新材料不斷創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)外晶圓廠加緊對(duì)于半導(dǎo)體新制程的研發(fā)，臺(tái)積電已于2020年開(kāi)啟了5nm工藝的量產(chǎn)，并于2021年年底實(shí)現(xiàn)3nm制程的試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2022年開(kāi)啟量產(chǎn)。此外臺(tái)積電表示已于2021年攻克2nm制程的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝技術(shù)難題，并預(yù)計(jì)于2023年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2024年逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著芯片工藝升級(jí)，晶圓廠商對(duì)半導(dǎo)體材料要求越來(lái)越高。2、半導(dǎo)體景氣度超預(yù)期，晶圓廠商積極擴(kuò)產(chǎn)目前部分終端需求仍然強(qiáng)勁，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率維持歷史高位，預(yù)計(jì)全年來(lái)看結(jié)構(gòu)性缺貨狀態(tài)依舊嚴(yán)峻。據(jù)SEMI于2022年3月23日發(fā)布的最新一季全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告，全球用于前道設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)18%，并在2022年達(dá)到1070億美元的歷史新高。由于半導(dǎo)體材料與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，本土材料廠商將直接受益于中國(guó)大陸晶圓制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。成熟制程供需持續(xù)緊張，國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模維持高位。受益于成熟制程旺盛需求及大陸地區(qū)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，大陸晶圓廠快速擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)SEMI報(bào)告，2022年全球有75個(gè)正在進(jìn)行的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，計(jì)劃在2023年建設(shè)62個(gè)。2022年有28個(gè)新的量產(chǎn)晶圓廠開(kāi)始建設(shè)，其中包括23個(gè)12英寸晶圓廠和5個(gè)8英寸及以下晶圓廠。分區(qū)域來(lái)看，中國(guó)晶圓產(chǎn)能增速全球最快，預(yù)計(jì)22年8寸及以下晶圓產(chǎn)能增加9%，12寸晶圓產(chǎn)能增加17%。3、工藝升級(jí)+積極擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)隨著下游電子設(shè)備硅含量增長(zhǎng)，半導(dǎo)體需求快速增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體工藝升級(jí)+積極擴(kuò)產(chǎn)催化下，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。據(jù)SEMI報(bào)告數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入達(dá)到643億美元，超過(guò)了此前2020年555億美元的市場(chǎng)規(guī)模最高點(diǎn)，同比增長(zhǎng)15．9%。晶圓制造材料和封裝材料收入總額分別為404億美元和239億美元，同比增長(zhǎng)15．5%和16．5%。此外，受益于產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移趨勢(shì)，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額高達(dá)119．3億美元，同比增長(zhǎng)22%，增速遠(yuǎn)高于其他國(guó)家和地區(qū)。4、半導(dǎo)體材料市場(chǎng)較為分散，硅片為單一最大品類(lèi)半導(dǎo)體材料種類(lèi)繁多，包括硅片、電子特氣、掩模版、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，硅片為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域規(guī)模最大的品類(lèi)之一，市場(chǎng)份額占比達(dá)32．9%，排名第一，其次為氣體，占比約14．1%，光掩模排名第三，占比為12．6%。此外，拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、濺射靶材的占比分別為7．2%、6．9%、6．1%、4%和3%。（二）硅片：供需持續(xù)緊張，加速硅片是半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的基底材料之一。硅片是以高純結(jié)晶硅為材料所制成的圓片，一般可作為集成電路和半導(dǎo)體器件的載體。與其他材料相比，結(jié)晶硅的分子結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定，導(dǎo)電性極低。此外，硅大量存在于沙子、巖石、礦物中，更容易獲取。因此，硅具有穩(wěn)定性高、易獲取、產(chǎn)量大等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于IC和光伏領(lǐng)域。1、半導(dǎo)體硅片純度極高，大尺寸為大勢(shì)所趨硅片可以根據(jù)晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和摻雜程度的不同等方式進(jìn)行分類(lèi)。根據(jù)晶胞排列方式的不同，硅片可分為單晶硅和多晶硅。硅片是硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu)，有單晶和多晶之分。單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料，一般用作集成電路的襯底材料和制作太陽(yáng)能電池片。多晶是沒(méi)有固定晶向的晶體材料，一般用于光伏發(fā)電，或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅用作半導(dǎo)體材料有極高的純度要求，IC級(jí)別的純度要求達(dá)9N以上（99．9999999%），區(qū)熔單晶硅片純度要求在11N（99．999999999%）以上。根據(jù)尺寸大小的不同，硅片可分為50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）及300mm（12英寸）。英寸為硅片的直徑，目前8英寸和12英寸硅片為市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。8英寸硅片主要應(yīng)用在90nm-0．25μm制程中，多用于傳感、安防領(lǐng)域和電動(dòng)汽車(chē)的功率器件、模擬IC、指紋識(shí)別和顯示驅(qū)動(dòng)等。12英寸硅片主要應(yīng)用在90nm以下的制程中，主要用于邏輯芯片、儲(chǔ)存器和自動(dòng)駕駛領(lǐng)域。大尺寸為硅片主流趨勢(shì)。硅片越大，單個(gè)產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，制造成本越低，因此硅片廠商不斷向大尺寸硅片進(jìn)發(fā)。1980年4英寸占主流，1990年發(fā)展為6英寸，2000年開(kāi)始8英寸被廣泛應(yīng)用。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2008年以前，全球大尺寸硅片以8英寸為主，2008年后，12英寸硅片市場(chǎng)份額逐步提升，趕超8英寸硅片。2020年，12英寸硅片市場(chǎng)份額已提升至68．1%，為目前半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。后續(xù)18英寸硅片將成為市場(chǎng)下一階段的目標(biāo)，但設(shè)備研發(fā)難度大，生產(chǎn)成本較高，且下游需求量不足，18英寸硅片尚未成熟。根據(jù)加工工序的不同，硅片可分為拋光片、外延片、SOI硅片等高端硅片。其中拋光片應(yīng)用范圍最為廣泛，是拋光環(huán)節(jié)的終產(chǎn)物。拋光片是從單晶硅柱上直接切出厚度約1mm的原硅片，切出后對(duì)其進(jìn)行拋光鏡面加工，去除部分損傷層后得到的表面光潔平整的硅片。拋光片可單獨(dú)使用于電動(dòng)汽車(chē)功率器件和儲(chǔ)存芯片中，也可用作其他硅片的襯底，成為其他硅片加工的基礎(chǔ)。外延片是一種將拋光片在外延爐中加熱后，通過(guò)氣相沉淀的方式使其表面外延生長(zhǎng)符合特定要求的多晶硅的硅片。該技術(shù)可有效減少硅片中的單晶缺陷，使硅片具有更低的缺陷密度和氧含量，從而提升終端產(chǎn)品的可靠性，常用于制造CMOS芯片。根據(jù)摻雜程度的不同，半導(dǎo)體硅片可分為輕摻和重?fù)?。重?fù)焦杵脑負(fù)诫s濃度高，電阻率低，一般應(yīng)用于功率器件。輕摻硅片摻雜濃度低，技術(shù)難度和產(chǎn)品質(zhì)量要求更高，一般用于集成電路領(lǐng)域。由于集成電路在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比超過(guò)80%，目前全球?qū)p摻硅片需求更大。2、受益晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，硅片市場(chǎng)快速增長(zhǎng)含硅量提升驅(qū)動(dòng)行業(yè)快速增長(zhǎng)。伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)、人工智能等新興領(lǐng)域的高速成長(zhǎng)，汽車(chē)電子行業(yè)成為半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域新的需求增長(zhǎng)點(diǎn)。據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2021年全球汽車(chē)行業(yè)的芯片出貨量同比增長(zhǎng)了30%，達(dá)524億顆。但全球汽車(chē)缺芯情況在2020年短暫緩解后，于2022年再度加劇，帶動(dòng)下游硅片市場(chǎng)需求量上升。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為126億美元，同比增長(zhǎng)12．5%。3、半導(dǎo)體硅片要求高，多重因素構(gòu)筑行業(yè)壁壘（1）技術(shù)壁壘半導(dǎo)體硅片行業(yè)是一個(gè)技術(shù)高度密集型行業(yè)，主要體現(xiàn)在：①硅片尺寸越大，拉單晶難度越高，對(duì)溫度控制和旋轉(zhuǎn)速度要求越高；②減少半導(dǎo)體硅片晶體缺陷、表面顆粒和雜質(zhì)；③提高半導(dǎo)體硅片表面平整度、應(yīng)力和機(jī)械強(qiáng)度等方面。（2）資金壁壘半導(dǎo)體硅片行業(yè)是一個(gè)資金密集型行業(yè)，要形成規(guī)模化、商業(yè)化生產(chǎn)，所需投資規(guī)模巨大，如一臺(tái)關(guān)鍵設(shè)備價(jià)值達(dá)數(shù)千萬(wàn)元。（3）人才壁壘半導(dǎo)體硅片的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程較為復(fù)雜，涉及固體物理、量子力學(xué)、熱力學(xué)、化學(xué)等多學(xué)科領(lǐng)域交叉。（4）認(rèn)證壁壘鑒于半導(dǎo)體芯片的高精密性和高技術(shù)性，芯片生產(chǎn)企業(yè)對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體硅片的質(zhì)量要求極高，因此對(duì)于半導(dǎo)體硅片供應(yīng)商的選擇相當(dāng)謹(jǐn)慎，并設(shè)有嚴(yán)格的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)和程序。碳化硅二極管介紹及行業(yè)情況（一）碳化硅二極管介紹碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料，與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料。目前碳化硅器件主要用于600伏及以上的應(yīng)用領(lǐng)域，特別是一些對(duì)能量效率和空間尺寸要求較高的應(yīng)用，如電動(dòng)汽車(chē)充電裝置、電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)、光伏微型逆變器領(lǐng)域、服務(wù)器電源領(lǐng)域、變頻家電領(lǐng)域等。碳化硅二極管作為最早發(fā)明且發(fā)展較快的一類(lèi)碳化硅功率分立器件，已經(jīng)在新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化。碳化硅二極管以碳化硅肖特基二極管為主，碳化硅肖特基二極管的導(dǎo)通壓降低于硅基功率二極管，因而損耗相對(duì)較小。同時(shí)，碳化硅肖特基二極管的導(dǎo)通電壓具備正溫度系數(shù)特性，能將電流流向均衡地在器件內(nèi)部進(jìn)行分配，使得器件的各個(gè)部位保持溫度均勻，因而可以適用于高溫環(huán)境。此外，碳化硅肖特基二極管的反向漏電流和反向恢復(fù)時(shí)間遠(yuǎn)小于硅基功率二極管，可大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，且擁有較高的開(kāi)關(guān)頻率，可以適用于高電壓領(lǐng)域。（二）碳化硅二極管行業(yè)概況碳化硅材料作為第三代半導(dǎo)體的代表之一，在最近幾年經(jīng)歷了長(zhǎng)足的發(fā)展。首先，下游終端客戶(hù)對(duì)于碳化硅器件的認(rèn)可越來(lái)越多，受到整體效率提升的影響以及能效相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策等影響，碳化硅器件在傳統(tǒng)服務(wù)器電源、電信電源、充電樁、車(chē)載充電機(jī)、太陽(yáng)能逆變器等多個(gè)領(lǐng)域被采用。（三）碳化硅二極管行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)由于第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)技術(shù)要求較高、晶圓加工難度較大，因此生產(chǎn)成本較高。碳化硅器件還未全面推廣，但隨著規(guī)模日漸增大，性?xún)r(jià)比逐漸提升，憑借其優(yōu)秀的物理特性未來(lái)逐漸替代硅基功率器件的空間較大。碳化硅二極管自誕生以來(lái)，經(jīng)歷了前期緩慢的積累，現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入了快速發(fā)展的周期。從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看，碳化硅二極管已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)車(chē)和充電裝置、5G通信、服務(wù)器電源和UPS等領(lǐng)域。隨著國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈日趨成熟，成本有望持續(xù)下降，下游接受度也開(kāi)始提升，產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景將逐步拓寬，預(yù)計(jì)未來(lái)市場(chǎng)規(guī)模具備較大的增長(zhǎng)性。（四）碳化硅功率器件替代硅基功率器件的類(lèi)型和趨勢(shì)碳化硅功率器件目前主要包括碳化硅二極管和碳化硅MOSFET兩類(lèi)，而硅基功率器件除功率二極管和MOSFET外，還主要包括晶閘管和IGBT等器件，產(chǎn)品類(lèi)型更為豐富。一般來(lái)說(shuō)，碳化硅功率器件替代硅基功率器件的領(lǐng)域主要為高溫、高壓和高頻等方面的產(chǎn)品，主要原因系碳化硅功率器件在高工作溫度、高工作電壓和高工作頻率下性能更加優(yōu)異，且在性?xún)r(jià)比上具備一定的競(jìng)爭(zhēng)力。（五）碳化硅功率器件在成本和技術(shù)方面的可行性鑒于碳化硅功率器件在高溫、高壓和高頻狀態(tài)下的優(yōu)異性能，碳化硅功率器件將主要在高壓和高頻領(lǐng)域逐步替代部分硅基功率器件，在技術(shù)方面已具備可行性。盡管成本仍是阻礙碳化硅功率器件快速替代硅基功率器件的主要因素，但是碳化硅功率器件已在部分高端應(yīng)用領(lǐng)域具備一定的性?xún)r(jià)比競(jìng)爭(zhēng)力，在成本方面也具備可行性。目前碳化硅功率器件的成本仍高于同類(lèi)型的硅基功率器件，例如碳化硅二極管的價(jià)格一般是硅基功率器件的4-5倍，所以碳化硅功率器件替代硅基同類(lèi)產(chǎn)品主要發(fā)生在性能要求較高的高端應(yīng)用領(lǐng)域，例如電動(dòng)車(chē)、高端服務(wù)器電源、高端電信電源等領(lǐng)域。具體而言，650V和1200V的碳化硅二極管已經(jīng)開(kāi)始逐步替代硅基功率二極管，幫助用戶(hù)提升電源整體轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)節(jié)能目標(biāo)。而650V和1200V的碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)等應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始逐步被采用。隨著碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模逐漸增大，碳化硅器件晶圓的市場(chǎng)供給也將逐步增多，同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)正在加大對(duì)碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)研發(fā)和投入，碳化硅功率器件的成本將存在一定的下降空間。然而，考慮到硅基功率器件的產(chǎn)品性能將不斷提升，成本也將持續(xù)優(yōu)化，碳化硅功率器件和硅基功率器件將會(huì)在較長(zhǎng)的期間共存。根據(jù)Yole的測(cè)算，從2019年到2024年，碳化硅功率器件占整體功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的比例將從3%上升到9%。功率半導(dǎo)體行業(yè)概況功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電子制造行業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備等產(chǎn)業(yè)，隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展及技術(shù)工藝的不斷進(jìn)步，新能源汽車(chē)及充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、新能源發(fā)電、軌道交通等新興應(yīng)用領(lǐng)域逐漸成為功率半導(dǎo)體的重要應(yīng)用市場(chǎng)。根據(jù)