傳感器原理與應用第八章

傳感器原理與應用第八章第1頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三光電傳感器的構(gòu)成：光源、光學通路、光電元件。應用：1、光量變化的非電量；

2、能轉(zhuǎn)換成光量變化的其他非電量。特點：非接觸、響應快、性能可靠。被測量的變化光信號的變化電信號的變化第2頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三光電式傳感器的應用可歸納為四種基本形式，即輻射式(直射式)、吸收式、遮光式、反射式、。第3頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第4頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第5頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第6頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三8.1概述8.1.1光的特性光波是波長為10~106nm的電磁波。1000,000nm10nm780nm380nm可見光紅外光紫外光性質(zhì)：光都具有反射、折射、散射、衍射、干涉和吸收等性質(zhì)。第7頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三1905年，愛因斯坦提出了光子假設(shè)：光在空間傳播時，是不連續(xù)的，也具有粒子性，即一束光是一束以光速運動的粒子流，愛因斯坦把這些不連續(xù)的量子稱為“光量子”。1926年，美國物理學家劉易斯把這一名詞改稱為“光子”，并沿用至今。每個光子的能量為E=hν可見，光的頻率愈高，光子的能量愈大。第8頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三8.2.2光源（發(fā)光器件）1.白熾光源最為普通的是用鎢絲通電加熱作為光輻射源。一般白熾燈的輻射光譜是連續(xù)的。發(fā)光范圍：320nm~2500nm,

所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信號。特點：壽命短而且發(fā)熱大、效率低、動態(tài)特性差，但對接收光敏元件的光譜特性要求不高，是可取之處。第9頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三2.氣體放電光源利用電流通過氣體產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象制成的燈即氣體放電燈。它的光譜是不連續(xù)的，光譜與氣體的種類及放電條件有關(guān)。改變氣體的成分、壓力、陰極材料和放電電流大小，可得到主要在某一光譜范圍的輻射。第10頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三汞燈、氫燈、鈉燈、鎘燈、氦燈是光譜儀器中常用的光源，統(tǒng)稱為光譜燈。例如低壓汞燈的輻射波長為254nm，鈉燈的輻射波長為589nm，可被用作單色光源。如果光譜燈涂以熒光劑，由于光線與涂層材料的作用，熒光劑可以將氣體放電譜線轉(zhuǎn)化為更長的波長，通過對熒光劑的選擇可以使氣體放電發(fā)出某一范圍的波長，如照明日光燈。氣體放電燈消耗的能量為白熾燈1/2-1/3。第11頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三構(gòu)成：由半導體PN結(jié)構(gòu)成。特點：工作電壓低、響應速度快、壽命長、體積小、重量輕，因此獲得了廣泛的應用。

3.發(fā)光二極管（LED——LightEmittingDiode）第12頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三RUNP++++++++++++++++----------------UiD++__原理：當加正向電壓時，勢壘降低，電子由N區(qū)注入到P區(qū)，和P區(qū)里的空穴復合；空穴則由P區(qū)注入到N區(qū)，和N區(qū)里的電子復合，這種電子空穴對的復合同時伴隨著光子的放出，因而發(fā)光。第13頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第14頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三

電子和空穴復合，所釋放的能量等于PN結(jié)的禁帶寬度（即能量間隙）Eg。所放出的光子能量用hν表示，有普朗克常數(shù)h=6.6╳10-34J.s；光速c=3╳108m/s；hc=19.8×10-26m?W?s=12.4×10-7m?eV第15頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三Eg的單位為eV，1eV=1.6╳10-19J。可見光的波長近似地認為在7×10-7m以下，所以制作可見光區(qū)的發(fā)光二極管，其材料的禁帶寬度至少應大于hc/=1.8eV普通二極管是用硅或鍺制造的，這兩種材料的禁帶寬度Eg分別為1.12eV和0.67

eV，顯然不能使用。第16頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三通常用的砷化鎵和磷化鎵兩種材料固溶體，寫作GaAs1-xPx，x代表磷化鎵的比例，當x＞0.35時，可得到Eg≥1.8eV的材料。改變x值還可以決定發(fā)光波長，使

在550～900nm間變化。第17頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三與此相似的可供制作發(fā)光二極管的材料見下表：材料波長/nm材料波長/nmZnS340CuSe-ZnSe400～630SiC480ZnxCd1-xTe590～830GaP565,680GaAs1-xPx550～900GaAs900InPxAs1-x910～3150InP920InxGa1-xAs850～1350LED材料第18頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三發(fā)光二極管的光譜特性如圖所示。圖中砷磷化鎵曲線有兩根，這是因為其材質(zhì)成分稍有差異而得到不同的峰值波長p。除峰值波長p決定發(fā)光顏色之外，峰的寬度（用Δ描述）決定光的色彩純度，Δ越小，其光色越純。第19頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三發(fā)光二極管的光譜特性0.20.40.60.8

1.0

06007008009001000GaAsPλp=670nmλp=655nmGaAsPλp=565nmGaPλp=950nmGaAsλ/nm相對靈敏度Δ第20頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三U/V

I/mA

-10

-5

0

12GaAsP(紅)GaAsP(綠)反向電壓應在5V以下!發(fā)光二極管的伏安特性與普通二極管相似，但隨材料禁帶寬度的不同，開啟（點燃）電壓略有差異。紅色約為1.7V開啟，綠色約為2.2V。砷磷化鎵發(fā)光二極管的伏安曲線第21頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三4、激光器激光（Laser:Lightamplificationbystimulatedemissionofradiation）是20世紀60年代出現(xiàn)的最重大科技成就之一。具有高方向性、高單色性、高亮度和高的相干性四個重要特性。激光波長一般從0.15μm到遠紅外整個光頻波段范圍。X-射線激光器。第22頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三激光器種類繁多，按工作物質(zhì)分類：固體激光器（如紅寶石激光器）氣體激光器（如氦-氖氣體激光器、二氧化碳激光器）液體激光器（染料激光器）。半導體激光器（如砷化鎵激光器）第23頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三（1）固體激光器典型實例是紅寶石激光器，是1960年人類發(fā)明的第一臺激光器（T.Maiman）。工作物質(zhì)為紅寶石---摻0.05%Cr+3的Al2O3棒。第24頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三Nd:YAG激光器

摻Nd+3

離子的激光器有三種:

?玻璃釔鋁石榴石氟化釔鋰（

YLF：LiYF4)Nd+3Y3Al5O12激活離子基質(zhì)釔鋁石榴石第25頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三（2）氣體激光器工作物質(zhì)是氣體。種類：各種原子、離子、金屬蒸汽、氣體分子激光器。常用的有氦氖激光器、氬離子激光器、氪離子激光器，以及二氧化碳激光器、準分子激光器等，其形狀像普通的放電管一樣，能連續(xù)工作，單色性好。波長覆蓋了從紫外到遠紅外的頻譜區(qū)域。第26頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第27頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三（3）液體激光器種類：螯合物激光器、無機液體激光器和有機染料激光器，其中較為重要的是有機染料激光器。它的最大特點是發(fā)出的激光波長可在一段范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，而且效率也不會降低，因而它能起著其他激光器不能起的作用。第28頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三（4）半導體激光器與前幾種相比出現(xiàn)較晚，其成熟產(chǎn)品是砷化鎵激光器。特點：效率高、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單，適宜在飛機、軍艦、坦克上應用以及步兵隨身攜帶。其缺點是輸出功率較小。目前半導體激光器可選擇的波長主要局限在紅光和紅外區(qū)域。第29頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三兩類：外光電效應和內(nèi)光電效應。8.2.1外光電效應在光的作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象叫做外光電效應。8.2光電效應第30頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三1887年，首先是赫茲（M.Hertz）在證明波動理論實驗中首次發(fā)現(xiàn)的；1902年，勒納（Lenard)也對其進行了研究，指出光電效應是金屬中的電子吸收了入射光的能量而從表面逸出的現(xiàn)象。但無法根據(jù)當時的理論加以解釋；1905年，愛因斯坦提出了光子假設(shè)。第31頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第32頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三愛因斯坦光電效應方程：1.光電子能否產(chǎn)生，取決于光子的能量是否大于該物體的表面電子逸出功A。

2.一定時，產(chǎn)生的光電流和光強成正比。3.逸出的光電子具有動能。基于外光電效應的光電器件有光電管、光電倍增管。第33頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三8.2.2內(nèi)光電效應當光照在物體上，使物體的電導率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象。分為光電導效應和光生伏特效應（光伏效應）。1．光電導效應

在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導率的變化。第34頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三自由電子所占能帶不存在電子所占能帶價電子所占能帶禁帶導帶價帶

Eg電子能量Eh≧Eg當光照射到光電導體上時，若這個光電導體為本征半導體材料，且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發(fā)到導帶上去，使光導體的電導率變大第35頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第36頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三基于這種效應的光電器件有光敏電阻。第37頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三①勢壘效應（結(jié)光電效應）

光照射PN結(jié)時，若h≧Eg，使價帶中的電子躍遷到導帶，而產(chǎn)生電子空穴對，在阻擋層內(nèi)電場的作用下，電子偏向N區(qū)外側(cè)，空穴偏向P區(qū)外側(cè)，使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負電，形成光生電動勢。２．光生伏特效應：在光作用下能使物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象?；谠撔钠骷泄怆姵睾凸饷舳O管、三極管。PN第38頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三②側(cè)向光電效應

當半導體光電器件受光照不均勻時，光照部分產(chǎn)生電子空穴對，載流子濃度比未受光照部分的大，出現(xiàn)了載流子濃度梯度，引起載流子擴散，如果電子比空穴擴散得快，導致光照部分帶正電，未照部分帶負電，從而產(chǎn)生電動勢，即為側(cè)向光電效應。第39頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三8.3.1

光電管及其基本特性１．結(jié)構(gòu)與工作原理8.3

外光電效應器件第40頁，共42頁，2023年，2月20日，星期三第41頁，共42頁，2023年，2月