手機(jī)研發(fā)硬件測(cè)試技術(shù)培訓(xùn)教材

手機(jī)研發(fā)硬件測(cè)試技術(shù)培訓(xùn)教材Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第1頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測(cè)試技術(shù)目錄硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)第2頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試概述

1、硬件測(cè)試的概念測(cè)試是為了發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤而執(zhí)行操作的過(guò)程測(cè)試是為了證明設(shè)計(jì)有錯(cuò)，而不是證明設(shè)計(jì)無(wú)錯(cuò)誤一個(gè)好的測(cè)試用例是在于它能發(fā)現(xiàn)至今未發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤一個(gè)成功的測(cè)試是發(fā)現(xiàn)了“至今未發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤”的測(cè)試2、硬件測(cè)試的目的測(cè)試的目的決定了如何去組織測(cè)試。如果測(cè)試的目的是為了盡可能多地找出錯(cuò)誤，那么測(cè)試就應(yīng)該直接針對(duì)設(shè)計(jì)比較復(fù)雜的部分或是以前出錯(cuò)比較多的位置。如果測(cè)試目的是為了給最終用戶提供具有一定可信度的質(zhì)量評(píng)價(jià)，那么測(cè)試就應(yīng)該直接針對(duì)在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)經(jīng)常用到的商業(yè)假設(shè)。綜合評(píng)估，決定產(chǎn)品的測(cè)試方向！Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第3頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試概述3、硬件測(cè)試的目標(biāo)——產(chǎn)品的零缺陷

關(guān)注點(diǎn)：

產(chǎn)品規(guī)格功能的實(shí)現(xiàn)，性能指標(biāo)，可靠性，可測(cè)試性，易用性等。

實(shí)現(xiàn)的保障：

產(chǎn)品的零缺陷構(gòu)筑于最底層的設(shè)計(jì)，源于每一個(gè)函數(shù)、每一行代碼、每一部分單元電路及每一個(gè)電信號(hào)。測(cè)試就是要排除每一處故障和每一處隱患，從而構(gòu)建一個(gè)零缺陷的產(chǎn)品。 MTBF不是計(jì)算出來(lái)的，而是設(shè)計(jì)出來(lái)的。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第4頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五4、硬件測(cè)試的意義

測(cè)試并不僅僅是為了要找出錯(cuò)誤。通過(guò)分析錯(cuò)誤產(chǎn)生的原因和錯(cuò)誤的分布特征，可以幫助項(xiàng)目管理者發(fā)現(xiàn)當(dāng)前設(shè)計(jì)過(guò)程的缺陷，以便改進(jìn)。同時(shí)，這種分析也能幫助我們?cè)O(shè)計(jì)出有針對(duì)性地檢測(cè)方法，改善測(cè)試的有效性。

沒(méi)有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤的測(cè)試也是有價(jià)值的，完整的測(cè)試是評(píng)定測(cè)試質(zhì)量的一種方法。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第5頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試概述5、目前業(yè)界硬件測(cè)試的開(kāi)展?fàn)顩r隨著質(zhì)量的進(jìn)一步要求，硬件測(cè)試工作在產(chǎn)品研發(fā)階段的投入比例已經(jīng)向測(cè)試傾斜，許多知名的國(guó)際企業(yè)，硬件測(cè)試人員的數(shù)量要遠(yuǎn)大于開(kāi)發(fā)人員。而且對(duì)于硬件測(cè)試人員的技術(shù)水平要求也要大于開(kāi)發(fā)人員。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第6頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五6、硬件測(cè)試在企業(yè)價(jià)值鏈中的地位——采購(gòu)——研發(fā)——測(cè)試——生產(chǎn)——銷(xiāo)售——測(cè)試是每項(xiàng)成功產(chǎn)品的必經(jīng)環(huán)節(jié)Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第7頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試概述7、硬件測(cè)試對(duì)公司形象和公司發(fā)展的重要性硬件測(cè)試是評(píng)估產(chǎn)品質(zhì)量的重要方法產(chǎn)品質(zhì)量是公司的信譽(yù)和品牌象征公司的信譽(yù)和質(zhì)量決定了公司的發(fā)展前景Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第8頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試概述8、硬件測(cè)試的一般流程和各階段點(diǎn)的輸出文件Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第9頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五課程大綱硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備硬件測(cè)試的種類(lèi)與操作硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第10頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備

1、設(shè)計(jì)檢查硬件設(shè)計(jì)審查原理圖審查

PCB審查發(fā)現(xiàn)硬件設(shè)計(jì)原理缺陷發(fā)現(xiàn)成本浪費(fèi)問(wèn)題發(fā)現(xiàn)降額不規(guī)范設(shè)計(jì)發(fā)現(xiàn)布局和布線的缺陷發(fā)現(xiàn)EMC等專項(xiàng)設(shè)計(jì)缺陷Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第11頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備2、正規(guī)審查的流程審查專家的確定評(píng)審專家預(yù)審審查問(wèn)題反饋整理評(píng)審會(huì)議召開(kāi)審查問(wèn)題確認(rèn)，解決評(píng)審問(wèn)題跟蹤C(jī)opyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第12頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備3、FMEA（故障模式影響分析）

分析系統(tǒng)中每一產(chǎn)品所有可能產(chǎn)生的故障模式及其對(duì)系統(tǒng)造成的所有可能影響，并按每一個(gè)故障模式的嚴(yán)重程度、檢測(cè)難易程度以及發(fā)生頻度予以分類(lèi)的一種歸納分析方法。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第13頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備4.FMEA的意義能幫助設(shè)計(jì)者和決策者從各種方案中選擇滿足可靠性要求的最佳方案；保證所有元器件的各種故障模式及影響都經(jīng)過(guò)周密考慮；能找出對(duì)系統(tǒng)故障有重大影響的元器件和故障模式，并分析其影響程度；有助于在設(shè)計(jì)評(píng)審中對(duì)有關(guān)措施（如冗余措施）、檢測(cè)設(shè)備等作客觀的評(píng)價(jià)；Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第14頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備FMEA的意義（續(xù)）能為進(jìn)一步定量分析提供基礎(chǔ)；能為進(jìn)一步更改產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供資料；能為產(chǎn)品可測(cè)試方案提供基礎(chǔ)材料；能為技術(shù)支援人員提供維修指南；為基于故障模式的測(cè)試提供依據(jù)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第15頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備嚴(yán)酷度在某些系統(tǒng)中，最終影響的嚴(yán)重程度等級(jí)又稱為嚴(yán)酷度（有時(shí)也稱為嚴(yán)重度，系指故障模式所產(chǎn)生后果的嚴(yán)重程度）類(lèi)別。嚴(yán)重程度等級(jí)（嚴(yán)酷度類(lèi)別）定義應(yīng)考慮到故障所造成的最壞的潛在后果來(lái)確定。嚴(yán)酷度的定義是FMEA的前提和基礎(chǔ)，有了共識(shí)的嚴(yán)酷度才可以保證FMEA的順利開(kāi)展和問(wèn)題的落實(shí)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第16頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備5、制定測(cè)試計(jì)劃

描述該測(cè)試計(jì)劃所應(yīng)達(dá)到的目標(biāo)如下（可依據(jù)項(xiàng)目的實(shí)際要求做

適當(dāng)調(diào)整）：

所有測(cè)試需求都已被標(biāo)識(shí)出來(lái)；

測(cè)試的工作量已被正確估計(jì)并合理地分配了人力、物力資源；

測(cè)試的進(jìn)度安排是基于工作量估計(jì)的、適用的；

測(cè)試啟動(dòng)、停止的準(zhǔn)則已被標(biāo)識(shí)；測(cè)試輸出的工作產(chǎn)品是已標(biāo)識(shí)的、受控的和適用的。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第17頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備測(cè)試計(jì)劃的內(nèi)容

測(cè)試計(jì)劃一般應(yīng)該包含一下的內(nèi)容：測(cè)試對(duì)象，明確版本，范圍，任務(wù)劃分角色和職責(zé)測(cè)試和不被測(cè)試的特性原因測(cè)試通過(guò)與否的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試任務(wù)安排測(cè)試結(jié)束的交付件工作量評(píng)估Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第18頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備7、確認(rèn)測(cè)試需求的來(lái)源

一切測(cè)試的需求都來(lái)自于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的規(guī)格，規(guī)格來(lái)自于用戶的需求。因此我們的測(cè)試是針對(duì)產(chǎn)品規(guī)格的測(cè)試。具體可以從以下幾方面進(jìn)行考慮：產(chǎn)品設(shè)計(jì)功能

根據(jù)功能的實(shí)現(xiàn)，分別對(duì)實(shí)現(xiàn)該功能的各個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行測(cè)試，從硬件、軟件、用戶界面，只有各個(gè)環(huán)節(jié)都暢通無(wú)阻，才能保證該功能的正常實(shí)現(xiàn)?？煽啃灾笜?biāo)性能需求

指標(biāo)包括基帶指標(biāo)、RF指標(biāo)、可靠性指標(biāo)和指標(biāo)容差。

指標(biāo)一般都有相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)可查。性能測(cè)試的異常條件主要是指邊界條件、環(huán)境異常條件及故障相關(guān)性。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第19頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試前準(zhǔn)備測(cè)試需求的來(lái)源（續(xù)）應(yīng)用環(huán)境

應(yīng)用環(huán)境一般可從以下幾個(gè)方面考慮：

高溫、低溫、高低溫交變、鹽霧、濕熱、防塵、接地、電源、震動(dòng)、沖擊、存儲(chǔ)、運(yùn)輸

電磁兼容性Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第20頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五1、測(cè)試設(shè)計(jì)測(cè)試并不是簡(jiǎn)單意義上的一些測(cè)試操作，在測(cè)試前需要有詳細(xì)的設(shè)計(jì)，周密的策劃，測(cè)試是一項(xiàng)高難度的工作。測(cè)試設(shè)計(jì)概念的范圍很廣，大致可以分為以下幾類(lèi)：設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)，用此測(cè)試平臺(tái)能進(jìn)行通用項(xiàng)目的測(cè)試，或是進(jìn)行能用此測(cè)試平臺(tái)作一類(lèi)測(cè)試。設(shè)計(jì)測(cè)試工具，設(shè)計(jì)測(cè)試軟件。設(shè)計(jì)測(cè)試裝備。設(shè)計(jì)測(cè)試用例，測(cè)試方法。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第21頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五測(cè)試設(shè)計(jì)的好處良好的測(cè)試設(shè)計(jì)和有效測(cè)試工具可減少重復(fù)低效的勞動(dòng)有效地開(kāi)發(fā)利用測(cè)試工具可使測(cè)試更深入、更全面有些復(fù)雜的測(cè)試只能依靠測(cè)試工具進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試在測(cè)試中經(jīng)常進(jìn)行測(cè)試設(shè)計(jì)是提升技術(shù)水平的有效手段我們?cè)谧鰷y(cè)試工作時(shí)，不能因循守舊，需要時(shí)刻考慮如何改進(jìn)我們的

測(cè)試效果，提高我們的測(cè)試效率，在測(cè)試點(diǎn)上進(jìn)行深入研究，開(kāi)發(fā)測(cè)

試工具，最終使我們的所有點(diǎn)的測(cè)試達(dá)到自動(dòng)化。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第22頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五培訓(xùn)大綱硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容與測(cè)試方法硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第23頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五手機(jī)硬件測(cè)試的種類(lèi)與測(cè)試方法2、手機(jī)硬件測(cè)試項(xiàng)目：功能測(cè)試電流測(cè)試射頻測(cè)試可靠性測(cè)試音頻ESDEMCOTA安規(guī)測(cè)試Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第24頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五功能測(cè)試1. 功能測(cè)試產(chǎn)品設(shè)計(jì)定義中的功能效果的確認(rèn)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第25頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五電流測(cè)試

2. 電流測(cè)試

測(cè)量被測(cè)手機(jī)在各種狀態(tài)下的功耗。電流測(cè)試項(xiàng)目：

TalkModeStandbyModeFeatureFunctionalityCameraFunctionalityVideoFunctionalityAudioFunctionalityPowerOn/OffFunctionality電流測(cè)試表格Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第26頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五電流測(cè)試1. 平均待機(jī)電流Iaverage測(cè)試方法： a)用假電池，用3.80V電壓源給被測(cè)移動(dòng)臺(tái)供電，在電源環(huán)路中，串聯(lián)一個(gè)小內(nèi)阻電流表； b)電壓源的電壓設(shè)置為電池的標(biāo)稱電壓，同時(shí)通過(guò)電壓源的反饋端進(jìn)行電壓補(bǔ)償，以保證電壓源的輸出電壓保持電池的標(biāo)稱電壓； c)被測(cè)移動(dòng)臺(tái)處于待機(jī)狀態(tài)，并保持30分鐘； d)測(cè)量30分鐘內(nèi)的平均待機(jī)電流Iaverage；注釋:建議在綜測(cè)儀和移動(dòng)臺(tái)之間建立良好的連接，并對(duì)移動(dòng)臺(tái)進(jìn)行充分屏蔽，避免干擾。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第27頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五計(jì)算待機(jī)時(shí)間測(cè)量被測(cè)移動(dòng)臺(tái)電池的容量C：各種鋰電池性能應(yīng)按照GB/T18287的要求進(jìn)行測(cè)試，其它類(lèi)型的電池應(yīng)按照GB/T18288或GB/T18289的要求進(jìn)行測(cè)試計(jì)算待機(jī)時(shí)間：TIdle=C/Iaverage。基站模擬器和移動(dòng)臺(tái)的設(shè)置如下表所示：Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第28頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五基站模擬器設(shè)置Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第29頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五電流測(cè)試環(huán)境Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測(cè)試環(huán)境數(shù)字電池（Aglinet66319D）測(cè)試PC+測(cè)試軟件(Aglinet141651B)綜合測(cè)試儀一臺(tái)(aglinet8960R&SCMU200)測(cè)試手機(jī)一臺(tái)手機(jī)第30頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五雙GSM待機(jī)待機(jī)時(shí)間測(cè)試連接框圖2.雙GSM待機(jī)時(shí)的待機(jī)時(shí)間測(cè)試Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第31頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五射頻指標(biāo)測(cè)試射頻測(cè)試

測(cè)試儀器：

CMU200/Agilent8960，PC，DC電源，萬(wàn)用表，測(cè)試卡，LinkCable，數(shù)據(jù)線注：測(cè)試方法可結(jié)合參考Agilent8960/CMU200操作手冊(cè)。所需測(cè)試的信道及功率等級(jí)視具體情況而定。一般情況下RFTest需要在High、Low、Middle信道上進(jìn)行RFTest.Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第32頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五射頻指標(biāo)測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試項(xiàng)目

GSM900TRANSMITTER(13) Phaseerror/Frequencyerror(13.1) Outputpowerandbursttiming(13.3) Outputpower Bursttiming OutputRFspectrum(13.4) Spectrumduetomodulationouttolessthan1800kHzoffset Spectrumduetoswitchingtransients

Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第33頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五射頻指標(biāo)測(cè)試項(xiàng)目GSM900RECEIVER(14) FrameErasureRatio(FER)ResidualBitErrorRatio(RBER) BitErrorRatio(BER) Referencesensitivity(14.2) Referencesensitivity-TCH/FS(14.2.1) Usablereceiverinputlevelrange(14.3)Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第34頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Phaseerror/Frequencyerror

Phaseerror/Frequencyerror定義：發(fā)射機(jī)的相位誤差和頻率誤差是指測(cè)得的實(shí)際頻率，相位與理論期望的頻率，相位之差。標(biāo)準(zhǔn)要求： 1.MS載波頻率誤差應(yīng)小于1*10-7；

2.每一個(gè)突發(fā)脈沖的RMS相位誤差都不應(yīng)超過(guò)5o, 3.每一個(gè)突發(fā)脈沖的有用部份的相位最大峰值誤差都不應(yīng)超過(guò)20oCopyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第35頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Phaseerror/Frequencyerror測(cè)試方法

測(cè)試方法：

給手機(jī)裝上測(cè)試卡并接通電源，將手機(jī)的RFswitch與基站模擬器用Cable相連，建立通話連接，分別在GSM、DCS和PCS頻段測(cè)試FrequencyError，PhaseError(PEAK)，PhaseError(RMS)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第36頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OutputpowerandbursttimingOutputpowerandbursttiming發(fā)射機(jī)輸出功率與突發(fā)脈沖定時(shí)定義發(fā)射機(jī)輸出功率是指在一個(gè)突發(fā)脈沖的有用信息比特時(shí)間上，傳遞到外接天線或MS內(nèi)部天線幅射的功率平均值。突發(fā)脈沖定時(shí)是指MS接收和發(fā)送之間的時(shí)間間隙。該定時(shí)是以訓(xùn)練序列的13比特到14比特轉(zhuǎn)換點(diǎn)為基準(zhǔn)。測(cè)試方法MS通過(guò)RF電纜與測(cè)試設(shè)備相連。MS與測(cè)試設(shè)備在ARFCN中間范圍的信道上建立一個(gè)電路交換模式呼叫，功率控制級(jí)設(shè)為最大。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第37頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Outputpowerandbursttiming標(biāo)準(zhǔn)要求GSM

DCS/PCS

PCLN

Powerlimit(dbm)

Tolerance(dbm)PCLN

Powerlimit(dbm)

Tolerance(dbm)

533+/-2

030+/-2

631+/-3

128+/-3

729+/-3

226+/-3

827+/-3

324+/-3

925+/-3

422+/-3

1023+/-3

520+/-3

1121+/-3

618+/-3

1219+/-3

716+/-3

1317+/-3

814+/-3

1415+/-3

912+/-4

1513+/-3

1010+/-4

1611+/-5

118+/-4

179+/-5

126+/-4

187+/-5

134+/-4

195+/-5

142+/-5

N/A

N/A

N/A

150+/-5

Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第38頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Bursttiming

Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Bursttiming正常測(cè)試條件下各功率控制級(jí)下的正常突發(fā)脈沖的功率/時(shí)間包絡(luò)應(yīng)落在下圖所示的功率/時(shí)間包絡(luò)框架內(nèi)。第39頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第40頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OutputRFspectrum輸出RF頻譜OutputRFspectrum輸出RF頻譜定義輸出RF頻譜是在一定的帶寬和周期內(nèi)測(cè)量的由MS的調(diào)制和功率噪聲產(chǎn)生的相對(duì)于中心頻率的頻偏與功率之間的關(guān)系標(biāo)準(zhǔn)要求：Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第41頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OutputRFspectrum輸出RF頻譜標(biāo)準(zhǔn)要求Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第42頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第43頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五調(diào)制譜開(kāi)關(guān)譜Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第44頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Referencesensitivity參考靈敏度Referencesensitivity參考靈敏度定義參考靈敏度是指達(dá)到規(guī)定的BER或FER條件下MS接收機(jī)的輸入電平。標(biāo)準(zhǔn)要求： GSM900的2級(jí)和3級(jí)MS -104dBm GSM900的4級(jí)和5級(jí)MS -102dBm GSM1800的 MS -102dBmCopyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第45頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Referencesensitivity參考靈敏度標(biāo)準(zhǔn)要求NormalConditions

+/+3.8VMinimumNo.ofsamplesMeasurementTestlimit

(1

1.6)FER16400000.122(=1)C975ClassIb(RBER)2000000000.256(=1.6)ClassII(RBER)8200-108.52.44%FER16400000.122(=1)C55ClassIb(RBER)2000000000.256(=1.6)ClassII(RBER)8200-108.52.44%FER16400000.122(=1)C124ClassIb(RBER)2000000000.256(=1.6)ClassII(RBER)8200-1082.44%Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第46頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五Referencesensitivity參考靈敏度測(cè)試方法測(cè)試方法：模擬基站調(diào)整有用信號(hào)電平，使MS的RF接頭處輸入電平為參考靈敏度電平，模擬基站將發(fā)給MS的信號(hào)數(shù)據(jù)與經(jīng)過(guò)MS接收機(jī)解調(diào)和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，檢查擦除指示；模擬基站通過(guò)檢查II類(lèi)連續(xù)比特最小樣本數(shù)序列，判定II類(lèi)比特殘余比特差錯(cuò)事件的數(shù)目，這些比特取自BFI置0的幀。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第47頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五可靠性測(cè)試

低溫

可靠性測(cè)試環(huán)境試驗(yàn)

低溫

低溫存儲(chǔ)：移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(－40±3)℃低溫存儲(chǔ)16小時(shí)，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。低溫工作：移動(dòng)通信手持機(jī)在開(kāi)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(－10±3)℃低溫試驗(yàn)2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第48頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五環(huán)境試驗(yàn)

高溫

高溫存儲(chǔ)

移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(55±3)℃高溫存儲(chǔ)16小時(shí)后，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

高溫工作

移動(dòng)通信手持機(jī)在開(kāi)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)(55±3)℃高溫試驗(yàn)2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第49頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五環(huán)境試驗(yàn)

溫度沖擊

移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受(30±3)℃/(-25±3)℃的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。沖擊移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度300m/s2脈沖持續(xù)時(shí)間18ms的半正弦脈沖沖擊18次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

碰撞

移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度250m/s2脈沖持續(xù)時(shí)間6ms碰撞3000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第50頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五環(huán)境試驗(yàn)

振動(dòng)

移動(dòng)通信手持機(jī)經(jīng)受如下頻率/幅度的隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)后應(yīng)功能正常，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

頻率隨機(jī)振動(dòng)ASD（加速度譜密度） 5～20Hz0.96m2/s3 20～500Hz0.96m2/s3（20Hz處），其他－3dB/倍頻程Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第51頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五環(huán)境試驗(yàn)

濕熱移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)過(guò)(40±2)℃，相對(duì)濕度93-3+2%的環(huán)境試驗(yàn)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。鹽霧

移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受如下嚴(yán)酷等級(jí)的交變鹽霧試驗(yàn)后功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

嚴(yán)酷等級(jí)：

三個(gè)噴霧周期，每個(gè)2h，每個(gè)噴霧周期后有一個(gè)為期22h的濕熱儲(chǔ)存周期。噴霧條件為溫度為(15～35)℃，濃度為(5.0±1)％的氯化鈉溶液；儲(chǔ)存條件為(40±2)℃,相對(duì)濕度為90％～95％。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第52頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五環(huán)境試驗(yàn)

砂塵

移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下在能通過(guò)篩孔為75μm、金屬絲直徑為50μm的方孔篩的干燥滑石粉、試驗(yàn)箱（室）內(nèi)（工作室和管通道）灰塵量為2kg/m3的粉塵中放置8小時(shí)后，液晶屏表面不允許有粉塵，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第53頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)

機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)

撞擊

移動(dòng)通信手持機(jī)的顯示屏應(yīng)能夠經(jīng)受撞擊能量為(0.2±0.02)J的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下暴露的顯示屏上選取撞擊部位。

擠壓

移動(dòng)通信手持機(jī)開(kāi)機(jī)狀態(tài)下承受(250±10)N的力擠壓1000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第54頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)

自由跌落

移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下應(yīng)能夠從高度為(1.0±0.01)m處跌落在混凝土表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

顯示屏可見(jiàn)面積不小于機(jī)殼正面表面積40％或25cm2的移動(dòng)通信手持機(jī)應(yīng)能夠在從高度為(0.5±0.005)m處跌落在表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第55頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)

移動(dòng)通信手持機(jī)與附件的接口的壽命

移動(dòng)通信手持機(jī)與電池、充電器及耳機(jī)插槽各經(jīng)受1000次、手機(jī)卡進(jìn)行100次的插拔試驗(yàn)后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

按鍵壽命

移動(dòng)通信手持機(jī)上獨(dú)立的開(kāi)關(guān)機(jī)鍵及側(cè)鍵壽命應(yīng)達(dá)到5萬(wàn)次，其余按鍵的壽命都應(yīng)達(dá)到使用10萬(wàn)次，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第56頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五環(huán)境試驗(yàn)方法

環(huán)境試驗(yàn)方法移動(dòng)通信手持機(jī)的環(huán)境試驗(yàn)順序建議按下列順序進(jìn)行:a)低溫試驗(yàn)b)高溫試驗(yàn)c)溫度沖擊試驗(yàn)d)沖擊試驗(yàn)e)碰撞試驗(yàn)f)振動(dòng)試驗(yàn)g)恒定濕熱試驗(yàn)鹽霧試驗(yàn)與砂塵試驗(yàn)可單獨(dú)分別進(jìn)行。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第57頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五EMC電磁兼容性1、EMC電磁兼容性YD/1032_EMI_2000電磁騷擾測(cè)試 ?輻射騷擾測(cè)試（RE）

輻射雜散RSE ?傳導(dǎo)騷擾測(cè)試（CE） ?諧波電流騷擾測(cè)試（Harmonic） ?電壓波動(dòng)與閃爍測(cè)試（Fluctuctionsandflicker）Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第58頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五EMC電磁兼容性

電磁敏感度測(cè)試 ?射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試（RS） ?傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試（CS） ?電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試（EFT/B） ?靜電放電抗擾度測(cè)試（ESD） ?電壓跌落、短時(shí)中斷抗擾度測(cè)試（DIP/interruption） ?工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試（PMS） ?浪涌抗擾度測(cè)試（SURGE）Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第59頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五EMC電磁兼容性EMC電磁兼容性 ?電力線感應(yīng)測(cè)試 ?電力線接觸測(cè)試Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第60頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五ESD整機(jī)ESD測(cè)試：

測(cè)試手機(jī)抗ESD的性能，驗(yàn)證被測(cè)機(jī)在室溫靜電環(huán)境的條件下應(yīng)正常工作。參考標(biāo)準(zhǔn)：

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/17626.2試驗(yàn)環(huán)境：

靜電發(fā)生器、待測(cè)手機(jī)開(kāi)機(jī)、插入測(cè)試卡、充電中撥打電話

Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第61頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五ESD試驗(yàn)方法：開(kāi)機(jī)狀態(tài)，空氣放電將靜電發(fā)生裝置放于參考接地板中央，靜電槍接地線與參考接地板夾緊，將靜電類(lèi)型開(kāi)關(guān)調(diào)到AIR，分別調(diào)節(jié)電壓±2KV，±4KV，±8KV，±10KV，沿被測(cè)機(jī)縫隙放電；每點(diǎn)放電10次，每次間隔1秒。接觸放電換上接觸槍頭，將靜電類(lèi)型開(kāi)關(guān)調(diào)到CONTACT，分別調(diào)節(jié)電壓到±2KV，±4KV，±6KV，沿被測(cè)機(jī)縫隙（包括數(shù)據(jù)金屬口）放電；每點(diǎn)放電10次，每次間隔1秒。測(cè)試過(guò)程中，被測(cè)機(jī)不能出現(xiàn)軟性錯(cuò)誤和硬性錯(cuò)誤，即通過(guò)重新開(kāi)機(jī)操作可以糾正的錯(cuò)誤和重新開(kāi)機(jī)操作不可糾正的錯(cuò)誤；測(cè)試后應(yīng)進(jìn)行功能和信號(hào)測(cè)試。如果有一臺(tái)主被叫功能喪失或有一項(xiàng)主要射頻指標(biāo)不合格，即可判定測(cè)試不合格。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第62頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五音頻測(cè)試

音頻測(cè)試 1. 發(fā)送響度評(píng)定值（SLR） 2. 接收響度評(píng)定值（RLR） 3. 空閑信道噪聲 4. 發(fā)送靈敏度/頻率特性 5. 接收靈敏度/頻率特性 6. 側(cè)音掩蔽評(píng)定值（STMR） 7. 收聽(tīng)者側(cè)音評(píng)定值（LSTR） 8. 穩(wěn)定度損耗 9. 聲學(xué)回聲控制 10. 發(fā)送失真 11. 接收失真 12. 帶外信號(hào) 13. 環(huán)境噪聲抑制Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第63頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五音頻測(cè)試

測(cè)試項(xiàng)目單位標(biāo)準(zhǔn)值備注發(fā)送響度評(píng)定值（SLR）dB8±3接收響度評(píng)定值（RLR）MindB≤18NormaldB2±3MaxdB≥-13空閑信道噪聲發(fā)送方向dBm0p≤-64接收方向Nomal音量dBm0p≤-57Max音量dBm0p≤-54發(fā)送靈敏度/頻率響應(yīng)在上下包絡(luò)線內(nèi)Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第64頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五音頻測(cè)試

測(cè)試項(xiàng)目單位標(biāo)準(zhǔn)值備注接收靈敏度/頻率特性--在上下包絡(luò)線內(nèi)側(cè)音掩蔽評(píng)定值（STMR）18±5收聽(tīng)者側(cè)音評(píng)定值（LSTR）穩(wěn)定度損耗dB＞6聲學(xué)回聲控制dB≥46發(fā)送失真--在包絡(luò)線上接收失真--在包絡(luò)線上帶外信號(hào)環(huán)境噪聲抑制dB＞0Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第65頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OTA

OTA

天線性能(OTA)測(cè)試簡(jiǎn)介 ?天線性能(OTA)測(cè)試對(duì)終端質(zhì)量評(píng)估的意義 ?天線性能(OTA)認(rèn)證及入網(wǎng)要求 ?天線性能(OTA)實(shí)例分析Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第66頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OTAOTA測(cè)試介紹 OTA需要進(jìn)行以下項(xiàng)目測(cè)試：從射頻輻射功率和接收機(jī)性能兩方面考慮：OTA－OverTheAir（空中性能測(cè)試），與傳導(dǎo)測(cè)試向?qū)?yīng),空間三維測(cè)量.TRP－TotalRadiatedPower總輻射功率NHPRP－NearHorizontalPartRadiatedPower接近水平面部分輻射功率TIS－TotalIsotropicSensitivity總?cè)蜢`敏度Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第67頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OTA

目的：

驗(yàn)證無(wú)線設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的連接能力以及終端使用者對(duì)輻射和接收性能的影響.

指標(biāo)衡量了與基站之間的實(shí)際連接情況。

基于空中接口的測(cè)試，模擬真實(shí)使用狀態(tài)。

采用三維測(cè)量，評(píng)估盲點(diǎn)和功率分布。

考慮使用者對(duì)EUT的影響。分別在自由空間和人頭模型兩種狀態(tài)下測(cè)試。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第68頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OTAOTA測(cè)試終端質(zhì)量的意義 ?信號(hào)差和通話質(zhì)量均屬于天線性能范疇 ?經(jīng)常出現(xiàn)的問(wèn)題： –駐波比(VSWR)，反射損耗，增益 –阻抗匹配 –頻帶寬度 –效率 ?與SAR相協(xié)調(diào)，共同調(diào)整Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第69頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OTA

天線性能(OTA)認(rèn)證及入網(wǎng)要求 –YD/T1484-2006； –在每個(gè)頻段的高，中，低三個(gè)信道上進(jìn)行完整測(cè)試，其最小值需滿足標(biāo)準(zhǔn)要求.–目前沒(méi)有將天線性能(OTA)的總?cè)蜢`敏度測(cè)試納入入網(wǎng)測(cè)試范疇；–只進(jìn)行自由空間下的測(cè)試，對(duì)于模擬人頭，模擬人手情況下的測(cè)試還未要求；Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第70頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五OTA

頻段TRPTIS900≥26dBm≤-102dBm1800≥25dBm≤-100dBmCDMA≥20dBm≤-98dBmCopyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第71頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五安規(guī)測(cè)試

安規(guī)測(cè)試安全檢測(cè)的目的在于減少由于下列各種危險(xiǎn)造成傷害或危害的可能性：──電擊；

──與能量有關(guān)的危險(xiǎn);

──著火;

──與熱有關(guān)的危險(xiǎn);

──機(jī)械危險(xiǎn);Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第72頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五安規(guī)測(cè)試

為了設(shè)計(jì)出安全的設(shè)備，設(shè)計(jì)者必須了解安全要求的基本原則。設(shè)計(jì)者不僅要考慮設(shè)備的正常工作條件,還要考慮可能的故障條件以及隨之引起的故障,可預(yù)見(jiàn)的誤用以及諸如溫度、海拔、污染、濕度、電網(wǎng)電源的過(guò)電壓和通信線路的過(guò)電壓等外界的影響。在確定采用何種設(shè)計(jì)方案時(shí),應(yīng)遵守以下的優(yōu)先次序：如果可能的話,規(guī)定能消除、減小危險(xiǎn)或?qū)ξｋU(xiǎn)進(jìn)行防護(hù)的設(shè)計(jì)原則;如果實(shí)行以上原則將削弱設(shè)備的功能,那么應(yīng)使用獨(dú)立于設(shè)備的保護(hù)措施,如人身保護(hù)設(shè)備；如果上述方案和其他的措施均不切實(shí)可行，那么應(yīng)對(duì)殘留的危險(xiǎn)采取標(biāo)識(shí)和說(shuō)明的措施。需要考慮兩類(lèi)人員的安全,一類(lèi)是使用人員(或操作人員)，另一類(lèi)是維修人員。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第73頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五移動(dòng)電話的安全檢測(cè)序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)與要求屬性類(lèi)別1元器件參見(jiàn)GB4943的1.5A2電源接口參見(jiàn)GB4943的1.6A3標(biāo)記和說(shuō)明參見(jiàn)GB4943的1.7A4電擊和能量危險(xiǎn)的防護(hù)（*）參見(jiàn)GB4943的2.1A5SELV電路參見(jiàn)GB4943的2.2A6限流電路（*）參見(jiàn)GB4943的2.4A7電氣絕緣參見(jiàn)GB4943的2.9A8布線、連接和供電的一般要求參見(jiàn)GB4943的3.1A9機(jī)械強(qiáng)度參見(jiàn)GB4943的4.2A10結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參見(jiàn)GB4943的4.3A11發(fā)熱要求參見(jiàn)GB4943的4.5A12防火參見(jiàn)GB4943的4.7A13抗電強(qiáng)度（*）參見(jiàn)GB4943的5.2A14異常工作和故障條件參見(jiàn)GB4943的5.3A15外殼材料可燃性試驗(yàn)參見(jiàn)GB4943的4.7,附錄AA16PCB板可燃性試驗(yàn)參見(jiàn)GB4943的4.7,附錄AA注：含*號(hào)的項(xiàng)目為非必測(cè)項(xiàng)目，詳見(jiàn)相關(guān)注解。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第74頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試概述測(cè)試前準(zhǔn)備手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容與測(cè)試方法硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)范制定測(cè)試人員的培養(yǎng)Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第75頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1、定義為了保證通信網(wǎng)的完整、統(tǒng)一、有效、先進(jìn)和通信的順利進(jìn)行，對(duì)通信網(wǎng)、通信系統(tǒng)和通信設(shè)備在組網(wǎng)、進(jìn)網(wǎng)、互連、互通中需要共同遵守的技術(shù)要求所做的統(tǒng)一規(guī)定即為通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具有全程、全網(wǎng)通用的特點(diǎn)。在進(jìn)行通信科研、規(guī)劃、計(jì)劃、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、施工、運(yùn)行和維護(hù)時(shí)，均應(yīng)遵循有關(guān)通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，以確保通信暢通和順利進(jìn)行。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第76頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)2、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)按照統(tǒng)一和適用的范圍，通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（或建議）、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、地方標(biāo)準(zhǔn)、企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)體制和技術(shù)規(guī)范。（1）國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（或建議）由國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織制定。（2）對(duì)需要在全國(guó)范圍內(nèi)統(tǒng)一的技術(shù)要求，應(yīng)制定國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。（3）對(duì)無(wú)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)而需要在通信行業(yè)范圍內(nèi)統(tǒng)一的要求，應(yīng)制定通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第77頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)2、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)（續(xù)）（4）由于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)在某些方面規(guī)定的不可能非常具體，因此，我國(guó)有些大城市如：北京市、上海市、天津市等在符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的前提下，為了使通信行業(yè)中某些方面規(guī)定的更具體更適用于本地區(qū)，可制定地方標(biāo)準(zhǔn)。（5）通信企業(yè)生產(chǎn)的技術(shù)設(shè)備（產(chǎn)品），無(wú)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的，應(yīng)制定相應(yīng)的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，做為組織生產(chǎn)的依據(jù)。對(duì)已有國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的，鼓勵(lì)企業(yè)制定高（嚴(yán)）于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第78頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五3、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試的指導(dǎo)意義

3、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試的指導(dǎo)意義

測(cè)試是為了保證產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)的，是高質(zhì)量的。所以各類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)就是進(jìn)行測(cè)試的重要參考準(zhǔn)則。

切記標(biāo)準(zhǔn)是原則性的，所以對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量不能是人為評(píng)估，要用標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)話，用標(biāo)準(zhǔn)衡量。通信標(biāo)準(zhǔn)指明了產(chǎn)品的質(zhì)量要求，也給出了發(fā)展方向，對(duì)測(cè)試水平的要求也越來(lái)越高。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第79頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五3、通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試的指導(dǎo)意義

目前隨著標(biāo)準(zhǔn)的越來(lái)越完善，以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日益加劇，以往做為測(cè)試重點(diǎn)的功能驗(yàn)證性測(cè)試已經(jīng)不再是最重要的環(huán)節(jié)了。產(chǎn)品的可維護(hù)性、可維修性、EMC、安規(guī)、環(huán)境等可靠性的相關(guān)水平已經(jīng)是市場(chǎng)上產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。

所以對(duì)于產(chǎn)品的測(cè)試工作，測(cè)試重點(diǎn)也要明確。功能測(cè)試依舊是產(chǎn)品質(zhì)量的前提，但是圍繞產(chǎn)品安全、維護(hù)、可靠性等方面是產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的體現(xiàn)，需要進(jìn)行重點(diǎn)的測(cè)試。Copyright?2008MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.第80頁(yè)，共92頁(yè)，2023年，2月20日，星期五手機(jī)測(cè)試常用的標(biāo)準(zhǔn)

GB17626.2電磁兼容&ESDYD1032-2000TDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信系統(tǒng)電磁兼容性限值和測(cè)量方法YD1484-2006-I移動(dòng)通信終端OTA測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)YD/T1538-2006數(shù)字移動(dòng)終端音頻性能技術(shù)要求和測(cè)試方法YD/T1214-20069001800MHzTDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)通用分組無(wú)線業(yè)務(wù)（GPRS）設(shè)備技術(shù)要求：移動(dòng)臺(tái)YD/T1215-20069001800MHzTDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)通用分組無(wú)線業(yè)務(wù)（GPRS）設(shè)備測(cè)試方法：移動(dòng)臺(tái)YD/T1539-2006移動(dòng)通信手持機(jī)可靠性技術(shù)要求YD/T1591-2006移動(dòng)通信手持機(jī)充電器及接口技術(shù)要求和測(cè)試方法YD/T1268.1-2003移動(dòng)通信手持機(jī)鋰電池的安全要求和試驗(yàn)方法YD/C065-20079001800MHzTDMA數(shù)字蜂窩