數(shù)字手機基帶部分元器件介紹

數(shù)字手機基帶部分元器件介紹第1頁/共55頁2023/4/112課程安排1、常用電子元器件介紹2、數(shù)字手機基帶部分芯片介紹第2頁/共55頁2023/4/113GSM數(shù)字手機原理手機射頻基帶頻率合成部分（PLL）發(fā)射部分接收部分超外差一次變頻超外差二次變頻直接變頻數(shù)字低中頻邏輯音頻人機接口第3頁/共55頁2023/4/114一、常用電子元器件部分電阻分類：功能：固定電阻、壓敏電阻、熱敏電阻“R”單位：

Ω（歐姆）、KΩ（千歐）、MΩ（兆歐）電阻簡介：第4頁/共55頁2023/4/115一般電阻在手機中的作用分壓限流RC濾波注意：虛焊、脫焊第5頁/共55頁2023/4/116實例第6頁/共55頁2023/4/117手機中的普通電阻1MΩ第7頁/共55頁2023/4/118手機中的特殊電阻第8頁/共55頁2023/4/119手機中的特殊電阻第9頁/共55頁2023/4/1110電容簡介“C”單位：F（法拉），μF（微法），pF（皮法）手機中采用的電容：電解電容、瓷片電容、鉭電容特性：“隔直流通交流”O(jiān)R“通高頻阻低頻”＋第10頁/共55頁2023/4/1111手機中的電容第11頁/共55頁2023/4/1112手機中的電容鉭電容電容的失效特性第12頁/共55頁2023/4/1113電感簡介“L”單位：H（亨利）、mH（毫亨）、μH（微亨）特性：通低頻阻高頻“隔交流通直流”第13頁/共55頁2023/4/1114手機中的特殊電感第14頁/共55頁2023/4/1115磁珠第15頁/共55頁2023/4/1116第16頁/共55頁2023/4/1117二極管“D”特性：單向?qū)ㄐ苑聪驌舸┨匦猿Ｓ糜谡袷庪娐罚c其他元件構(gòu)成VCO第17頁/共55頁2023/4/1118手機中的二極管第18頁/共55頁2023/4/1119手機中的發(fā)光二極管第19頁/共55頁2023/4/1120三極管“Q”類型：

NPN：

PNP：線性工作區(qū)（放大區(qū)）、截止區(qū)、飽和區(qū)

模擬數(shù)字第20頁/共55頁2023/4/1121手機中的三極管第21頁/共55頁2023/4/1122手機中的CMOS管第22頁/共55頁2023/4/1123手機中的晶體（1）、32.768KHz晶體第23頁/共55頁2023/4/1124（2）、13MHz晶體溫度補償?shù)膲嚎卣袷幤鳒囟妊a償?shù)木w振蕩器工作原理及功能第24頁/共55頁2023/4/112513MHz晶體2.8V輸出13M輸出AFCXO-ENAC172經(jīng)Q1反相放大后正弦輸出2134C162C158U17、#3第25頁/共55頁2023/4/1126翻蓋檢測電路磁感應(yīng)芯片(霍爾三極管)干簧管霍爾元件SW500第26頁/共55頁2023/4/1127按鍵功能電路第27頁/共55頁2023/4/1128按鍵背景燈電路第28頁/共55頁2023/4/1129網(wǎng)絡(luò)指示燈第29頁/共55頁2023/4/1130顯示背景（1）、背景燈（2）、背光紙第30頁/共55頁2023/4/1131背光紙驅(qū)動芯片背光紙驅(qū)動芯片第31頁/共55頁2023/4/1132SIM卡接口圖、SIM卡座外圍引腳分布圖C38C77C78C79123456圖、電源管理與SIM卡座連接引腳電路圖、SIM卡座引腳實物分布圖第32頁/共55頁2023/4/1133SIM卡插入的檢測過程SIM_LEVEL置為高電平SIM_EN變?yōu)楦唠娖絊IM_VCC輸出卡與CPU握手ARM檢測數(shù)據(jù)第33頁/共55頁2023/4/1134振動馬達檢查此處焊錫!第34頁/共55頁2023/4/1135音頻部分1、麥克風(fēng)第35頁/共55頁2023/4/1136聽筒聽筒第36頁/共55頁2023/4/1137翻蓋手機手機主板顯示連接接口顯示模塊

聽筒第37頁/共55頁2023/4/1138和弦鈴音(40)圖、和弦芯片外圍引腳連接電路圖、和弦處理芯片實物圖第38頁/共55頁2023/4/1139和弦鈴音(16)第39頁/共55頁2023/4/1140主要包括開關(guān)機及搜網(wǎng)的過程開關(guān)機過程相關(guān)的重要芯片及器件

搜網(wǎng)的過程主要完成：識別SIM卡插入、位置更新邏輯部分第40頁/共55頁2023/4/1141邏輯部分相關(guān)芯片EEPROM：SRAM：FLASH：CPU：功能、工作條件是什么？？？？？電源管理第41頁/共55頁2023/4/1142二、數(shù)字手機基帶芯片部分第42頁/共55頁2023/4/11431：中央處理芯片＋電源管理芯片

V09/V10/S1120/S1180/S1180C/S288/S788等

2：數(shù)字主處理芯片＋邏輯主處理芯片

S1500/S2000/V08/GC600/Q168等

3：數(shù)字主處理芯片＋邏輯主處理芯片＋電源管理芯片

G100/G200/8289/V18/Q800等

4：中央處理芯片＋降壓穩(wěn)壓芯片（LDO）

C58/C88/C60等

波導(dǎo)手機基帶控制芯片組合第43頁/共55頁2023/4/1144波導(dǎo)手機存儲器組合1、FLASH+SRAM+EEPROML968/MC936/MC958/8288等

2、FLASH+SRAM8180/Q1600/S1500/S2000（早期主板，F(xiàn)LASH容量為16MB）/8289

等3、FLASHS2000（新主板，F(xiàn)LASH容量為32MB）/G100/C58/G200/V08/V09/S1120/S1180/V10/C88/Q168/V18/C60/S288/S1190/S1150/S1160等

第44頁/共55頁2023/4/1145第一種組合所采用的芯片AR115AH121第45頁/共55頁2023/4/1146目前的存儲器（集成）第46頁/共55頁2023/4/1147存儲器結(jié)構(gòu)框圖第47頁/共55頁2023/4/1148LDO（降壓穩(wěn)壓源）多個電壓調(diào)節(jié)器組成電源管理第48頁/共55頁2023/4/1149電源管理V09/V10/S1120/S1180/S1180C等采用的電源管理PCF50604第49頁/共55頁2023/4/1150中央處理芯片ML2011內(nèi)部由兩個核心處理器：手機控制器MSP（MobileStationProcessor）射頻接口控制器RIP（RadioInterfaceProcessor）MSP功能：按鍵、液晶顯示器、SIM卡、充電、下載等人機接口MMI（Man-MachineInterface）的控制，外圍擴展存儲器的控制、數(shù)據(jù)交換；以V09/V10/S1120/S1180/S1180C為例第50頁/共55頁2023/4/1151RIP的主要功能語音的編碼、解碼等處理（如語音信息的信道編碼、解碼，語音編碼、解碼，數(shù)模、模數(shù)轉(zhuǎn)換等）射頻信號的控制（如功率等級的控制APC（自動功率控制）、基準(zhǔn)頻率的控制A