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文檔簡介
精品文檔-下載后可編輯倒裝晶片的組裝的回流焊接工藝-基礎(chǔ)電子在回流焊接爐中,倒裝晶片和其他元件要被焊接在基板上。在此過程中,如果加熱的溫度太高,或者時間太長,助焊劑便會在潤濕整個焊接面之前揮發(fā)或分解完,造成潤濕不良或其他焊接缺陷。另外,在復(fù)雜的混合裝配中,大的元件比小的元件溫度要低,造成每個焊點(diǎn)溫度的不均勻。元件焊球的不共面性在此也應(yīng)受到關(guān)注。錫鉛共晶材料的焊球如果蘸取助焊劑的量恰當(dāng),即使其只是剛好接觸到焊盤,在回流焊接過程中也會與焊盤焊接良好。由于焊球大小的差異,假設(shè)基板平整沒有變形,則只有3個的焊球接觸到焊盤。實(shí)際情況是基板不會完全平整,可能并不是3個較大的焊球接觸焊接面。我們注意到,在焊接過程中,由于焊球的“坍塌”,非常顯著地降低了基板焊盤與元件之間的距離。正是因?yàn)檫@種“坍塌”,使得那些原本沒有和焊盤接觸的焊球也在此過程中焊接完好,如圖1和圖2所示。但是那些太小的焊球盡管有這種補(bǔ)償作用仍然會存在接觸問題,引起電氣開路。在回流爐中,焊點(diǎn)形成完整的坍塌連接是關(guān)鍵。
圖1焊接之前圖2焊接之后
(1)回流環(huán)境的考慮
在空氣中回流焊接,形成電氣連接并非難事?!サ覀冏屑?xì)檢查會發(fā)現(xiàn)一些非常顯著的焊接缺陷。一些焊盤只是部分的潤濕,很少焊點(diǎn)會形成完整的“坍塌”連接,甚至可以發(fā)現(xiàn)有些元件可能輕微的歪斜。對于無鉛焊接而言,問題更嚴(yán)重。
倒裝晶片在氮?dú)庵谢亓骱附佑性S多優(yōu)點(diǎn)。在較低氧氣濃度下回流焊接,條件比較寬松,可以獲得很好的焊接良率。由于減少了氧化,可以獲得更好的潤濕效果,同時工藝窗口也較寬。在氮?dú)饣亓鳝h(huán)境中熔融的焊料表面張力較大,元件具有很好的自對中性,可控坍塌連接會更完整,焊接良率也會較高。對于無鉛焊接工藝,特別是當(dāng)基板焊盤的表面處理方式是OSP時,推薦使用氮?dú)?,控制回流爐內(nèi)氧氣濃度在50ppm左右。但是氮?dú)獾氖褂脮?dǎo)致成本增加25%~50%。需要在良率和成本之間考慮平衡。如果在此情況下要考慮應(yīng)用空氣回流焊接,則推薦使用DR(Direct-Ramp)形態(tài)的焊接溫度曲線。另外,一些小的元器件,如0201/0402在氮?dú)庵谢亓骱附訒a(chǎn)生較多的立碑缺陷,這些都是需要我們綜合考慮的。
(2)回流焊接溫度曲線設(shè)置
對于混合裝配,在同一產(chǎn)品上既有助焊劑裝配又有錫膏裝配,所以焊接溫度曲線需要仔細(xì)的優(yōu)化。主要從這幾個方面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置:升溫的速度、助焊劑活化溫度和時間、液相以上時間,以及回流溫度和冷卻速度。一般來說,錫膏或助焊劑會針對以上參數(shù)推薦一個范圍給使用者,但這個范圍比較粗糙,由于我們工廠的產(chǎn)品千差萬別,沒有一個所謂通用的“標(biāo)準(zhǔn)”焊接溫度曲線,需要對不同的產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化。優(yōu)化參考的標(biāo)準(zhǔn)是焊接完成后,焊接不良率要,產(chǎn)品無明顯的翹曲變形,外觀沒有因溫度而造成的損傷,焊點(diǎn)形成完整并且足夠的焊接強(qiáng)度,焊點(diǎn)光亮無氧化。對于一些復(fù)雜的裝配,電路板上既有小的倒裝晶片,又有較大的元件,如BGA或連接插座等,由于熱容的差異,如果不仔細(xì)地優(yōu)化爐溫設(shè)置,有時板上的溫度差會高達(dá)15~20°C,造成基板嚴(yán)重翹曲變形,焊點(diǎn)因?yàn)閼?yīng)力而開裂?;宓穆N曲變形對倒裝晶片的裝配良率影響明顯,綜合元件焊球大小的差異,其影響有時非常顯著。
回流溫度曲線形態(tài)有RSR(RampˉSoak-Ramp)(如圖3所示)和DR(DirectRamp)兩種,根據(jù)錫膏和助焊劑的特性而定。RSR在以下情況下被應(yīng)用得比較多:
·板上元件較多而且差異很大;
·需要減少焊點(diǎn)內(nèi)空洞;
·要求預(yù)熱溫度小于1.5°C/s時受限于產(chǎn)量和設(shè)備能力。
圖3RSR形態(tài)的溫度曲線
DR溫度曲線(如圖4所示)有以下特點(diǎn):
·可以有比較小的升溫速度(0.5~1.0°C/s);
·適合厚度為1.6mm或更薄的板上裝配小的CSP、BGA、芯片和片狀元件;
圖4DR形態(tài)的溫度曲線
在元件封裝工藝中或電路板上元件較少而且都是相同元件時,趨向應(yīng)用DR形態(tài)的回流焊接溫度曲線,可以獲得較高的產(chǎn)量,焊接品質(zhì)也可以滿足要求。但不同產(chǎn)晶需要優(yōu)化出對應(yīng)的溫度曲線,如圖5所示。怎樣進(jìn)行溫度曲線的優(yōu)化呢?需要了解在焊接各個階段,如果焊接溫度設(shè)置不當(dāng),可能會出現(xiàn)的問題,那么,我們就會有針對性的來進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置了。
圖5不同產(chǎn)品對應(yīng)不同的溫度曲線
一般從室溫升高到助焊劑活化溫度,升溫速度要求小于2.5℃/s,太快的升溫會對元件造成熱沖擊,除此之外,還會導(dǎo)致助焊劑急劇揮發(fā)造成錫珠、錫塌和元仵“爆米花”等現(xiàn)象。比較小的升溫更有利于減少電路板上的溫度差。
錫鉛焊膏中助焊劑活化溫度一般為120~150℃,無鉛錫膏中助焊劑活化的溫度較高,一般為150~200℃。在此溫度,助焊劑的活性被激發(fā),清潔焊接面,去除焊接表面的氧化物,潤濕焊接表面,防止焊接面在爐內(nèi)的再次氧化。如果設(shè)置的溫度過高,助焊劑會急劇揮發(fā),一部分甚至?xí)纸猓瑢?dǎo)致焊接面清潔潤濕不良,或焊接面氧化,焊接完后焊點(diǎn)內(nèi)出現(xiàn)空洞。過低的溫度設(shè)置會導(dǎo)致助焊活化時間不足,焊接表面的油污和氧化物不能完全去除,導(dǎo)致焊接不良。另外,會有較多的助焊劑留在回流焊接階段而導(dǎo)致焊點(diǎn)內(nèi)過多的空洞。適當(dāng)?shù)闹竸┗罨瘯r間不僅可以很好的潤濕焊接面,還可以降低焊點(diǎn)中的空洞。但是太長的活化時間反而會導(dǎo)致焊點(diǎn)內(nèi)空洞的急劇增加,原因是助焊劑在此階段過度揮發(fā),焊接面及焊料氧化,在回流階段沒有足夠的助焊劑覆蓋在熔融的焊料金屬表面,導(dǎo)致過多的氧化。所以在此溫度下的時間需要細(xì)心的優(yōu)化。
一般對于無鉛工藝,助焊劑活化的時間為60~90s,對于錫鉛工藝,助焊劑活化時間為2.5~3mln。
在回流焊接過程中,液相以上時間要適當(dāng),時間太短,焊點(diǎn)可能不完整,容易出現(xiàn)“冷焊”;時間太長,則會有氧化的問題,焊點(diǎn)發(fā)黑無光澤,元件及電路板容易損壞,而且焊點(diǎn)內(nèi)金屬間化合物會過度生長。對于無鉛工藝,控制液相以上時間在45~90s,推薦為60s。錫鉛工藝,液相以上時間控制在60~75s,推薦為60s。
回流的溫度一般要求高于液相溫度15~30℃,原則是在滿足焊接要求的情況下,盡量使用較低的焊接溫度以降低由于高溫引起的翹曲變形、焊點(diǎn)的氧化及控制金屬間化合物在焊點(diǎn)內(nèi)的過度生長。但太低的回流溫度會導(dǎo)致焊接不充分,或者焊料不能完全熔化,出現(xiàn)“冷焊”。太高的回流溫度不僅帶來產(chǎn)品的翹曲變形,焊點(diǎn)的氧化,還會損壞元件和基板,焊點(diǎn)內(nèi)金屬間化合物也會長得很大。
冷卻速度在無鉛工藝中已備受關(guān)注,原因是其影響焊點(diǎn)的微觀結(jié)構(gòu)和可靠性。比較慢的冷卻速度,焊點(diǎn)內(nèi)金屬間化合物尺寸會很大,同時錫的結(jié)晶顆粒也會比較粗,這些對焊點(diǎn)的可靠性都不利。而比較快的冷卻速度有利于減少焊點(diǎn)內(nèi)金屬間化合物的形成,錫晶顆粒也會比較細(xì)。但是快速的
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